 |
- ⒶⒸАброян И.А... Физические основы электронной и ионной технологии. [Djv-Fax- 4.2M] [Pdf-Fax- 5.0M] Учебное пособие для специальностей электронной техники вузов. Авторы: Измаил Артурович Аброян, Александр Николаевич Андронов, Андрей Иванович Титов.
(Москва: Издательство «Высшая школа», 1984)
Скан: AAW, обработка, формат Djv-Fax, Pdf-Fax: pohorsky, 2019
- ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3). Введение (5).
Глава 1. Основные явления при взаимодействии ускоренных электронов и ионов с твердым телом (7). §1.1. Процессы, происходящие при бомбардировке вещества электронами, и возможности их использования в технологии (7). §1.2. Основные процессы, происходящие при бомбардировке вещества ионами, возможности их использования в технологии (23).
Глава 2. Движение ускоренных ионов в веществе (36). §2.1. Торможение и рассеяние ионов (36). §2.2. Пробеги ионов в твердом теле и их распределение (53). §2.3. Взаимодействие ионов с монокристаллами. Каналирование (72).
Глава 3. Образование радиационных дефектов при облучении ионами (87). §3.1. Типы дефектов. Генерация дефектов (87). §3.2. Вторичные процессы при образовании дефектов (97). §3.3. Отжиг радиационных дефектов (114).
Глава 4. Изменение электрических свойств твердых тел в результате ионной бомбардировки. Ионная имплантация в полупроводники (117). §4.1. Влияние ионного облучения на проводимость металлов (118). §4.2. Ионное легирование полупроводников и изменение их электрических свойств при облучении (119). §4.3. Активизация проводимости в имплантированных слоях кремния и арсенида галлия термическим отжигом (132). §4.4. Результаты экспериментального исследования распределений по глубине имплантированной примеси и свободных носителей заряда (139). §4.5. Импульсный отжиг имплантированных слоев (143). §4.6. Некоторые примеры использования имплантации для создания полупроводниковых структур (149). §4.7. Конструктивные особенности оборудования для изготовления p-n-структур ионной имплантацией. Ограничения в применении метода ионной имплантации (151). §4.8. Радиационно-стимулированная диффузия (153).
Глава 5. Модификация свойств твердых тел ионной бомбардировкой (161). §5.1. Изменение элементного состава при больших дозах облучения (162). §5.2. Структурные превращения при ионной бомбардировке (168). §5.3. Ионный синтез. Ионная металлургия. Ионная эпитаксия (172). §5.4. Оптические свойства (177). §5.5. Магнитные свойства (185). §5.6. Химические свойства (187). §5.7. Механические свойства (190). §5.8. Фазовые переходы (202). §5.9. Взаимодействие атомных частиц с облученными материалами, эмиссионные явления (205).
Глава 6. Распыление твердых тел ионами (209). §6.1. Основные закономерности и механизм распыления (210). §6.2. Удаление тонких слоев ионным травлением (219). §6.3. Получение пленок (228). §6.4. Аппаратура (235).
Глава 7. Движение ускоренных электронов в веществе (238). §7.1. Тормозная способность вещества и пробег электронов (239). §7.2. Угловое рассеяние и пространственное распределение электронов (244). §7.3. Экспериментальные закономерности поглощения электронов веществом (258).
Глава 8. Основы электронно-лучевой обработки материалов (280). §8.1. Тепловое воздействие электронного пучка (281). §8.2. Электронно-лучевая плавка (ЭЛП) (289). §8.3. Электронно-лучевое испарение (ЭЛИ) (292). §8.4. Электронно-лучевая сварка (ЭЛС) (298). §8.5. Термическая электронно-лучевая обработка (302). §8.6. Нетермическая электронно-лучевая обработка (ЭЛО) (304).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В книге изложены физические основы взаимодействия ионов и электронов с веществом; рассмотрены возможности применения этих процессов в технологии изготовления приборов, интегральных микросхем на основе полупроводниковых и пленочных материалов и др. |
 |
