Вч заградитель 110 кв: Высокочастотный заградитель

alexxlab | 31.05.1998 | 0 | Разное

Содержание

ВЗ-1250-0.5 У1 высокочастотный заградитель – цена, характеристики

Структура условного обозначения

  1. ВЗ – Высокочастотный заградитель
  2. -ХХХ – Номинальный ток, А 1250
  3. -Х.Х – Индуктивность, мГ 0.5
  4. -ХХХ-ХХХХ – Полюса частот заграждения ЭНУ, кГц. Для ВЗ-1250-0.5: 36-44; 43-57; 50-70; 60-95; 80-164; 145-1000;
  5. У1 –Климатическое исполнение: У1-для умеренного и холодного климата, Т1-для тропического климата.

Конструкция ВЧ заградителя

ВЗ-1250-0.5 У1 состоит из реактора, элемента настройки, защитного устройства.

Реактор производится из материалов, обеспечивающих его работоспособность в течение 25 лет и более, во всепогодных условиях. Реактор представляет собой катушку индуктивности, по которой протекает ток промышленной и высокой частоты. Конструкция открытого типа обеспечивает естественное охлаждение. Обмоточный провод в зависимости от условий эксплуатации и назначения заградителя: либо алюминиевый, либо медный. Реактор окрашивается специальным составом, обеспечивающим устойчивость к окружающей среде. Каркас реактора заградителя изготавливается из композитных материалов.

В качестве материала каркаса реактора заградителя, применяются композитные материалы с «нулевым» предельным водопоглощением и соответствующим набором электротехнических и механических свойств – стеклопластик марки СТЭФ, ГОСТ 12652-74.

Заградители оборудованы ограничителями перенапряжений (ОПН), которые предназначены для защиты элемента настройки от перенапряжений. Основу конструкции ОПН составляют металлооксидные варисторы, имеющие существенно нелинейную вольт-амперную характеристику.

В нормальном рабочем режиме на ОПН воздействует фазное напряжение. Благодаря высокому электрическому сопротивлению нелинейных резисторов, ток через ОПН при этом определяется только собственной емкостью ограничителя и по величине составляет доли миллиампера. При возникновении перенапряжений нелинейные резисторы переходят в проводящее состояние, протекающий через ограничитель ток возрастает на несколько порядков, достигая сотен и тысяч ампер, ограничивая при этом дальнейшее нарастание напряжения на выводах ОПН в точке его установки. После снижения перенапряжения ограничитель возвращается в первоначальное состояние.

Элементы ОПН размещены в полностью закрытом корпусе и тем самым защищены от воздействий окружающей среды. ОПН имеют ряд преимуществ по сравнению с ранее использующимися, для защиты от перенапряжений разрядниками.

Благодаря высокой нелинейности варисторов достигается быстрая реакция на импульсные переходные процессы с быстро нарастающим фронтом (грозовые перенапряжения).

Низкий и постоянный уровень защитного напряжения обеспечивает на дежную защиту элемента настройки и самого заградителя в целом.

Из-за отсутствия искровых промежутков отсутствует дуга, вызывающая обгорание электродов и, соответственно, выход из строя разрядника.

В целом, использование ОПН в качестве защитного устройства взамен ранее применявшегося для этих целей разрядника позволяет существенно повысить надежность высокочастотного заградителя.

заградитель – это… Что такое ВЧ-заградитель?

Высокочастотный заградитель на отвительной опоре.

Высокочастотный заградитель — электротехническое устройство, устанавливаемое в разрыв фазного провода линии электропередачи и обладающее высоким сопротивлением на частоте работы канала ВЧ-связи и низким сопротивлением на промышленной частоте (50 Гц).

ВЧ-заградитель представляет собой высокочастотный фильтр, исключающий (ослабляющий) шунтирующее действия шин подстанций и отпаек линии электропередачи на линейный тракт канала ВЧ-связи. Заградитель состоит из силовой катушки индуктивности (силового реактора) с воздушным сердечником (номинальная индуктивность 0,25…2,0 мГн), подключенного параллельно катушке элемента настройки а также защитного устройства.

Реактор представляет собой алюминиевый (либо медный) провод, навитый на одно-, двух- или трех-обмоточную катушку из изолирующего материала. Элемент настройки позволяет настроить ВЧ-заградитель на разные диапазоны заграждения. Элемент настройки состоит из набора катушек индуктивности, конденсаторов, резисторов. Защитные устройства предназначены для защиты элемента настройки от перенапряжений. В качестве устройства защиты могут выступать ограничитель перенапряжения или разрядник вентильный.

ВЧ-заградитель подвешивается на гирляндах изоляторов на линейных порталах подстанций и на опорах линий электропередачи. При беспортальном заходе заградитель устанавливается на опорном изоляторе, либо на конденсаторе связи.

Высокочастотные заградители предназначены для:

  • предотвращения потерь ВЧ сигнала на шинах подстанций и на соседних линиях;
  • блокирования ВЧ сигналов от других источников, работающих на соседних линиях с близкими частотами;
  • поддержания определенного значения высокочастотных параметров линии электропередачи независимо от схемы распределительного устройства.

Высокочастотные заградители используются для создания высокочастотных каналов связи по высоковольтным линиям электропередач (10, 35-750 кВ) для обеспечения передачи сигналов противоаварийной автоматики, релейной защиты, телефонной связи, телемеханики, промодулированных высокой частотой (24-1000 кГц) по фазовому проводу или грозотросу.

Технические характеристики

Существуют несколько типов заградителей различающихся по номинальной силе тока, индуктивности и напряжению линий электропередач. Основные технические характеристики приведены в таблице.

Тип заградителяНоминальный длительный ток, АИндуктивность реактора на промышленной частоте, мГнНапряжение линий электропередач, кВДиапазон частот заграждения, кГц
ВЗ-630-0,56300,54735-11036-42, 40-48, 47-60,59-82, 74-118,100-200, 160—1000
ВЗ-1250-0,512500,536 116-33036-44; 43-57; 50-70; 60-95; 80-164; 145—1000
ВЗ-2000-0,520000,535330-75036-47;45-65; 50-77;60-95; 80-164:145-1000
ВЗ-4000-0,540000,5105036-50; 48-80; 75-270
ВЗ-2000-1,020001,027330-750З6-66; 50-146; 70-1000

Производители

Приведены производители ВЧ-заградителей, допущенных к применению на объектах ОАО «ФСК ЕЭС».

  1. ООО «АББ», г. Москва. Высокочастотные заградители типа DLTC на номинальные токи 400-4000 А, номинальную индуктивность 0,2-2 мГн.
  2. ОАО РЭТЗ «Энергия», МО, г. Раменское. Заградители высокочастотные серии ВЗ.
  3. ООО «Росэнергосервис», г. Ростов-на-Дону. Высокочастотные заградители (ВЗ) для применения на ВЛ напряжением 35-750 кВ серии ВЗ-630-0,5 (ток КЗ 16 кА, 1 с), ВЗ-1250-0,5 (ток КЗ 31,5 кА, 1 с), ВЗ-2000-0,5 (ток КЗ 40 кА, 1 с) климатического исполнения У1, изготавливаемые по ТУ 3414-005-46569277-2000.
  4. ЗАО «НПП „Электронные информационные системы.“» Высокочастотные заградители серии ВЗ-630-0,5 УХЛ1, ВЗ-630-0,5 УХЛ1 УД, ВЗ-1250-0,5 УХЛ1, ВЗ-1250-1,0 УХЛ1, ВЗ- 2000-0,5 УХЛ1.
  5. Компания «TRENCH Austria GmbH.» Высокочастотные заградители типа LTP УХЛ1 с номинальным током 460, 630, 1000, 1250, 1600, 2000, 3150, 4000 А.
  6. ООО «Одесский завод „Нептун“», Украина. Высокочастотные заградители (ВЗ) серии ВЗ-650-0,5 У1 О, ВЗ-1250-0,5 У1 О.

Литература

  • Микуцкий Г. В. Устройства обработки и присоединения высокочастотных каналов. М., «Энергия», 1974, 201 с. [95.1976] УДК 621.372.018.782.3.001.24
  • Справочник по проектированию электроэнергетических систем // Под ред. С. Рокотяна и И. М. Шапиро. — М.: Энергия, 1977
  • Ишкин В. Х. Агафонов С. С. Справочник по проектированию систем передачи информации в энергетике. М., «Энергоатомиздат» 1991, 262 с. [1] ISBN 5-283-01108-9

См. также

Высокочастотный заградитель ВЗ-4000 110кВ

Высокочастотный (ВЧ) заградитель ВЗ Назначение – предотвращения потерь ВЧ сигнала на шинах подстанций и на соседних линиях; – блокирования ВЧ сигналов от других источников, работающих на соседних линиях с близкими частотами; – поддержания определенного значения высокочастотных параметров линии электропередачи независимо от схемы распределительного устройства. Область применения Высокочастотные заградители используются для создания высокочастотных каналов связи по высоковольтным линиям электропередач (10, 35-750 кВ) для обеспечения передачи сигналов противоаварийной автоматики, релейной защиты, телефонной связи, телемеханики, промодулированных высокой частотой (24-1000 кГц) по фазовому проводу или грозотросу. Функции ВЧ -заградителей ослабление шунтирующего действия шин подстанции на параметры линейного тракта, канала ВЧ связи, ослабление шунтирующего действия ответвлений от ВЛ, заземления грозозащитных тросов на промышленной частоте. 1. Ослабление шунтирующего действия шин подстанции на параметры линейного тракта канала ВЧ связи. 2. Ослабление шунтирующего действия ответвлений от ВЛ. 3. Заземления грозозащитных тросов на промышленной частоте. Преимущества ВЧ-заградителей 1. Полная заводская готовность оборудования; 2. Изготовление заградителей на широкие диапазоны заграждения с активной составляющей сопротивления заграждения до 1000 Ом. 3. Срок службы оборудования благодаря технологии DLTC является неограниченным. Преимущества оборудования по сравнению с другими производителями 1. Существенно меньшие габариты по сравнению с аналогами, позволяющие значительно снизить ветровую нагрузку на оборудование. 2. Низкая емкость и высокая надежность оборудования. Технические данные Конструктивное исполнение ВЧ-заградителей Конструкция ВЧ-заградителя представляет собой одно-, двух- или трехкатушечный реактор с навитыми на нем проводами из алюминия или меди. Каркас состоит из высококачественного, прочного и изоляционного материала, стойки которого закреплены на крестовинах с установленными на них элементами настройки и защиты. Металлические детали и обмотки силового реактора заградителей имеют порошковое покрытие, выполняющее защитную функцию. Заградители, включаемые в рассечку высоковольтных линий передач, напряжением свыше 220 кВ, могут оборудоваться защитой от коронирования. В зависимости от пожеланий заказчика ВЧ-заградитель может быть оборудован защитой от птиц. В конструкции ВЧ-заградителя предусмотрены монтажные элементы для подвески, установки и крепления заградителя, устройств защиты и контроля. Для того, чтобы избежать возникновения паразитных токов, крепежные элементы изготавливаются из немагнитного материала или применяются изоляционные втулки и прокладки. СТРУКТУРА ОБОЗНАЧЕНИЯ ПРИ ЗАКАЗЕ Основные типы элементов настройки, соответствующие техническим параметрам заградителей приведены в таблицах ниже. ВЗ состоит из реактора, элемента настройки и защитного устройства, соединенных параллельно. Элемент настройки крепится к нижней крестовине заградителя с помощью кронштейнов. В качестве защитного устройства используется ограничитель перенапряжения нелинейный типа ОПН без искровых промежутков, обеспечивающий эффективную защиту от перенапряжений. ОПН обеспечен защитой от вихревых токов для работы в мощных магнитных полях заградителя, ограничитель выполнен на базе металлоокисных вариаторов с высокой нелинейной вольт-амперной характеристикой. Массогабаритные характеристики всех типов ВЧ-заградителей Габаритные размеры и масса высокочастотных заградителей без упаковки Тип ВЗ А, мм В, мм С, мм D, мм Е, мм Р, мм Масса, кг ВЗ-100-0,5 942 1032 – 1139 359 819 44 ВЗ-200-0,5 62 ВЗ-400-0,25 991 1066 545 1157 390 935 106 ВЗ-630-0,25 116 В3-630-0,25УД 138 ВЗ-400-0,5 1103 1210 750 1210 733 1123 130 ВЗ-630-0,5 144 В3-630-0,5УД 168 ВЗ-630-0,1 600 745 – 820 470 830 60 ВЗ-400-1,0 1420 1490 835 1566 900 1406 231 ВЗ-630-1,0 265 ВЗ-1250-0,25 1000 1080 600 1170 389 1023 201 ВЗ-1250- 0,25УД 235 ВЗ-1250-0,5 1102 1218 750 1300 774 1189 280 ВЗ-1250-0,5УД 315 ВЗ-1250-1,0 1406 1490 920 1576 930 1509 465 ВЗ-2000-0,25 1000 1065 550 1159 386 1117 335 ВЗ-2000-0,5 1363 1435 750 1523 782 1242 470 ВЗ-4000-0,5 1100 ВЗ-4000-1,0 1506 1692 1428 1782 1428 1684 2400 ВЗ-2000-1,0 1398 1458 840 1486 1040 1596 652 ВЗ-2000-1,0УД 710 Технические характеристики ВЗ 100 Наименование параметра ВЗ-100-0,1 ВЗ-100-0,25 ВЗ-100-0,5 ВЗ-100-1,0 ВЗ-100-1,5 ВЗ-100-2,0 Номинальный длительный ток, А 100 100 100 100 100 100 Класс напряжений линий электропередач, кВ 6-35 6-35 6-35 6-35 6-35 6-35 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 Ударный ток короткого замыкания, кА 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 6,5 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 650 650 650 650 650 650 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,10 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100кГц, мГн 0,11 0,26 0,52 1,05 1,52 2,06 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Технические характеристики ВЗ 200 Наименование параметра ВЗ-200-0,1 ВЗ-200-0,25 ВЗ-200-0,5 ВЗ-200-1,0 ВЗ-200-1,5 ВЗ-200-2,0 Номинальный длительный ток, А 200 200 200 200 200 200 Класс напряжений линий электропередач, кВ 6-110 6-110 6-110 6-110 6-110 6-110 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 4,7 4,7 4,7 4,7 4,7 4,7 Ударный ток короткого замыкания, кА 12 12 12 12 12 12 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 650 650 650 650 650 650 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,1 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100кГц, мГн 0,11 0,26 0,52 1,04 1,52 2,05 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Технические характеристики ВЗ 400 Наименование параметра ВЗ-400-0,1 ВЗ-400-0,25 ВЗ-400-0,5 ВЗ-400-1,0 ВЗ-400-1,5 ВЗ-400-2,0 Номинальный длительный ток, А 400 400 400 400 400 400 Класс напряжений линий электропередач, кВ 10-110 10-110 10-110 10-110 10-110 10-110 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 10 10 10 10 10 10 Ударный ток короткого замыкания, кА 25,5 25,5 25,5 25,5 25,5 25,5 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 650 650 650 650 650 650 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,10 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100 кГц,мГн 0,1 0,254 0,51 1,08 1,52 2,05 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, XЛ,Т1 У, XЛ,Т1 У, XЛ,Т1 У, XЛ,Т1 У, XЛ,Т1 У, XЛ,Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Технические характеристики ВЗ 630 Наименование параметра ВЗ-630-0,1 ВЗ-630-0,25 ВЗ-630-0,5 ВЗ-630-1,0 ВЗ-630-1,5 ВЗ-630-2,0 Номинальный длительный ток, А 630 630 630 630 630 630 Класс напряжений линий электропередач, кВ 35-220 35-220 35-220 35-220 35-220 35-220 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 16 16 16 16 16 16 Ударный ток короткого замыкания, кА 41 41 41 41 41 41 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 650 650 650 650 650 650 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,10 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100кГц, мГн 0,11 0,252 0,53 1,02 1,51 2,02 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 У, ХЛ,Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Технические характеристики ВЗ 1250 Наименование параметра ВЗ-1250-0,1 ВЗ-1250-0,25 ВЗ-1250-0,5 ВЗ-1250-1,0 ВЗ-1250-1,5 ВЗ-1250-2,0 Номинальный длительный ток, А 1250 1250 1250 1250 1250 1250 Класс напряжений линий электропередач, кВ 110-330 110-330 110-330 110-330 110-330 110-330 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 31,5 31,5 31,5 31,5 31,5 31,5 Ударный ток короткого замыкания, кА 80 80 80 80 80 80 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 470 470 470 470 470 470 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,10 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100кГц, мГн 0,11 0,26 0,512 1,04 1,53 2,06 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Технические характеристики ВЗ 2000 Наименование параметра ВЗ-2000-0,1 ВЗ-2000-0,25 ВЗ-2000-0,5 ВЗ-2000-1,0 ВЗ-2000-1,5 ВЗ-2000-2,0 Номинальный длительный ток, А 2000 2000 2000 2000 2000 2000 Класс напряжений линий электропередач, кВ 330-750 330-750 330-750 330-750 330-750 330-750 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 40 40 40 40 40 40 Ударный ток короткого замыкания, кА 102 102 102 102 102 102 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 440 440 440 440 440 440 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,10 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100кГц, мГн 0,11 0,260 0,497 0,97 1,51 2,02 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Технические характеристики ВЗ 4000 Наименование параметра ВЗ-4000-0,1 ВЗ-4000-0,25 ВЗ-4000-0,5 ВЗ-4000-1,0 ВЗ-4000-1,5 ВЗ-4000-2,0 Номинальный длительный ток, А 4000 4000 4000 630 630 630 Класс напряжений линий электропередач, кВ 500-750 500-750 500-750 500-750 500-750 500-750 Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА 63 63 63 63 63 63 Ударный ток короткого замыкания, кА 161 161 161 161 161 161 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 440 440 440 440 440 440 Номинальная индуктивность реактора, мГн 0,10 0,25 0,50 1,0 1,50 2,0 Индуктивность реактора на частоте 100 кГц, мГн 0,11 0,26 0,51 1,03 1,52 2,04 Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 У, ХЛ, Т1 Тип защиты ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН ОПН Элемент настройки ЭНУ 0,1-40 ЭНУ 0,25-40 ЭНУ 0,5-40 ЭНУ 1,0-40 ЭНУ 1,5-40 ЭНУ 2,0-40 Сводная таблица всех диапазонов частот заграждения Тип заградителя ВЗ-100-0,25 ВЗ-200-0,25 ВЗ-400-0,25 ВЗ-630-0,25 ВЗ-100-0,5 ВЗ-200-0,5 ВЗ-400-0,5 ВЗ-630-0,5 ВЗ-100-1,0 ВЗ-200-1,0 ВЗ-400-1,0 ВЗ-630-1,0 ВЗ-1250-0,25 ВЗ-1250-0,5 ВЗ-1250-0,1 ВЗ-1250-0,1 ВЗ4000-0,25 ВЗ-2000-0,5 ВЗ-4000-0,5 ВЗ-2000-1,0 ВЗ-4000-1,0 Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом 630 630 630 470 470/630 470 440 440 440 Диапазон частот заграждения кГц 100-140 120-180 140-200 150-260 200-400 300-600 380-1000* 36-42 40-48 47-60 59-82 74-118 100-200 160-1000 24-31 28-38 32-46 40-66 52-110 72-256 84-500 92-1000* 100-145 125-205 155-290 230-520 300-1000 36-44/37-43 43-57/42-50 50-70/49-60 60-95/59-81 80-164/74-115 145-1000/100-200 160-1000 24-31 30-42 42-70 70-240 70-1000 100-145 125-205 155-290 230-520 300-1000 36-47 45-65 50-77 60-95 80-164 145-1000 24-36 36-66 50-146 70-1000 Условия эксплуатации заградителей Категория размещения 1, климатическое исполнение У, ХЛ. Верхнее рабочее значение температуры окружающего воздуха, С 0 +50. Нижнее рабочее значение температуры окружающего воздуха, С 0 -55 Тип атмосферы для эксплуатации II. Высота установки над уровнем моря, м 2000 Комплектация – реактор заградителя (РЗ), являющийся катушкой индуктивности, предназначенный для пропуская тока частотой 50 Гц протекающего по фазным проводам; – элемент настройки (ЭН), определяющий номинальную полосу частот заграждения; – устройство защиты (УЗ), включаемое параллельно РЗ и ЭН и служащее для защиты ВЗ от перенапряжений. В качестве УЗ могут использоваться или ограничители перенапряжений нелинейные ОПН или разрядники вентильные облегченные РВО. – РЗ выпускается с номинальной индуктивностью 0,5 мГн. Тара, упаковка, правила транспортирования заградителей “Заградитель” отгружается с предприятия-изготовителя полностью собранным и упакованным в деревянную тару. Транспортиров заградителей от изготовителя производится в вертикальном положении. Условия транспортирования заградителей должны соответствовать техническим условиям. Условия транспортирования заградителей в части воздействия климатических факторов. Габаритные размеры и масса высокочастотных заградителей в упаковке Тип ВЗ А, мм В, мм С, мм Масса, кг ВЗ-100-0,5 1195 960 1070 96 ВЗ-200-0,5 114 ВЗ-400-0,25 1140 1140 1230 161 ВЗ-630-0,25 171 В3-630-0,25 УД 193 ВЗ-400-0,5 1194 1194 1376 189 ВЗ-630-0,5 1440 1440 1660 203 В3-630-0,5УД 227 ВЗ-400-1,0 302 ВЗ-630-1,0 1194 1194 1244 336 ВЗ-1250-0,25 259 ВЗ-1250-0,25 УД 1260 1260 1370 293

Высокочастотные заградители для распределительных сетей

Страница 18 из 21

Для распределительных сетей 6—110 кВ выпускаются ВЧ заградители на рабочие токи от 100 до 400 А трех серий: ВЧЗ, ВЧЗС и ЗВС.
Серия ВЧЗ содержит два типа заградителей: ВЧЗ-100-0,15 и ВЧЗ-300-0,15, идентичных по своей конструкции. Реактор заградителя выполнен в виде однослойного соленоида, закрепленного между металлическими фланцами. На верхнем фланце установлен элемент настройки и крепится скоба для подвески заградителя. Данные реакторов приведены в табл. 8.7.
Общий диапазон заграждения — 50—600 кГц. В диапазоне 50— 100 кГц настройка осуществляется по одноконтурной притупленной схеме с помощью магазина емкостей, притупление производится с помощью резистора с переменным сопротивлением, включенного последовательно с конденсатором настройки. В диапазоне 80—600 кГц настройка выполняется по двухконтурной схеме полосового фильтра. В схеме предусмотрен набор конденсаторов, катушек индуктивностей и резисторов, с помощью которых значение нижней граничной частоты полосы заграждения может устанавливаться любым в диапазоне 80— 340 кГц, причем могут устанавливаться сопротивления заграждения 500, 600, 700 или 800 Ом.

Серия ВЧЗС. Реакторы заградителей серии ВЧЗС выполнены в виде однослойной катушки, но в отличие от заградителей серии ВЧЗ внутрь катушки вставлен стальной сердечник для увеличения индуктивности- реактора. За счет сердечника, набранного из пластин трансформаторной стали, индуктивность катушки на высокой частоте возрастает в 4—6 раз. Это позволяет существенно улучшить заграждающие свойства заградителя.
Наряду с этим применение в реакторе стального сердечника связано с двумя серьезными недостатками таких заградителей по сравнению с обычными. Во-первых, из-за больших потерь в стали сердечника на перемагничивание и вихревые токи заградитель имеете
очень большие потери на промышленной частоте. Во-вторых, сердечник заградителя насыщается токами КЗ, вследствие чего при КЗ на ВЛ индуктивность реактора заградителя может уменьшиться в несколько раз, что приведет к резкому ухудшению заграждающих свойств заградителя. По этой причине недопустимо применение заградителей со стальным сердечником на каналах релейной защиты.

Таблица 8.7. Данные реакторов заградителей серии ВЧЗ

* Без изоляции.
** Допуск на значение индуктивности + 5 -3%.

Промышленность выпускала заградители со стальным сердечником двух типов: ВЧЗС-100 и ВЧЗС-200 соответственно на рабочий ток 100 и 200 А. Каждый из этих типов имел две модификации — низкочастотную и высокочастотную (с дополнительным индексом В). Из-за указанных недостатков заградители со стальным сердечником снимаются с производства и заменяются спиральными заградителями, не имеющими стального сердечника.
Спиральные заградители серии ЗВС. Реактор заградителя выполнен в виде плоской спирали из алюминиевой и стеклоизоляционной лент. По сравнению с реактором соленоидного тина спиральный реактор имеет меньшие размеры и массу, а также меньшие потери на промышленной частоте. В настоящее время промышленность выпускает два типа спиральных заградителей: ЗВС-100-0,5 и ЗВС-200-0,5. Данные этих заградителей приведены в табл. 8.8.
Для настройки заградителей ЗВС-100-0,5 и ЗВС-200-0,5 предусмотрены элементы настройки ЭН-I и ЭН-IΙ соответственно. Эти элементы

настройки различаются только значениями рабочих напряжений используемых конденсаторов. Настройка может осуществляться по одночастотной притупленной схеме, по двухконтурной полосовой схеме и по схеме фильтра верхних частот.
При широкополосных схемах настройки полосы заграждения для обоих типов заградителей составляют, кГц: 37,7—46,8; 44,8—58,5; 50,6— 68,8; 68,7—95,6; 80,0—137,8; 110,4—263,5; 191,0—600.

Таблица 8.8. Данные заградителей серии ЗВС

Высокочастотные заградители ВЗ

Высокочастотные заградители ВЗ

Высокочастотные заградители предназначены для:
– предотвращения потерь ВЧ сигнала на шинах подстанций и на соседних линиях;
– блокирования ВЧ сигналов от других источников, работающих на соседних линиях с близкими частотами;
– поддержания определенного значения высокочастотных параметров линии электропередачи независимо от схемы распределительного устройства.

Область применения

Высокочастотные заградители используются для создания высокочастотных каналов связи по высоковольтным линиям электропередач (10, 35-750 кВ) для обеспечения передачи сигналов противоаварийной автоматики, релейной защиты, телефонной связи, телемеханики, промодулированных высокой частотой (24-1000 кГц) по фазовому проводу или грозотросу.

Функции ВЧ -заградителей

1. Ослабление шунтирующего действия шин подстанции на параметры линейного тракта канала ВЧ связи.
2. Ослабление шунтирующего действия ответвлений от ВЛ.
3. Заземления грозозащитных тросов на промышленной частоте.

Преимущества ВЧ-заградителей
1. Полная заводская готовность оборудования;
2. Изготовление заградителей на широкие диапазоны заграждения с активной составляющей сопротивления заграждения до 1000 Ом.
3. Срок службы оборудования благодаря технологии DLTC является неограниченным.

Преимущества оборудования по сравнению с другими производителями
1. Существенно меньшие габариты по сравнению с аналогами, позволяющие значительно снизить ветровую нагрузку на оборудование.
2. Низкая емкость и высокая надежность оборудования.

Технические данные
Конструктивное исполнение ВЧ-заградителей

Конструкция ВЧ-заградителя представляет собой одно-, двух- или трехкатушечный реактор с навитыми на нем проводами из алюминия или меди. Каркас состоит из высококачественного, прочного и изоляционного материала, стойки которого закреплены на крестовинах с установленными на них элементами настройки и защиты. Металлические детали и обмотки силового реактора заградителей имеют порошковое покрытие, выполняющее защитную функцию. Заградители, включаемые в рассечку высоковольтных линий передач, напряжением свыше 220 кВ, могут оборудоваться защитой от коронирования.
В зависимости от пожеланий заказчика ВЧ-заградитель может быть оборудован защитой от птиц. В конструкции ВЧ-заградителя предусмотрены монтажные элементы для подвески, установки и крепления заградителя, устройств защиты и контроля. Для того, чтобы избежать возникновения паразитных токов, крепежные элементы изготавливаются из немагнитного материала или применяются изоляционные втулки и прокладки.

Основные типы элементов настройки, соответствующие техническим параметрам заградителей приведены в таблице 1,2,3,4,5,6,7.ВЗ состоит из реактора, элемента настройки и защитного устройства, соединенных параллельно. Элемент настройки крепится к нижней крестовине заградителя с помощью кронштейнов.
В качестве защитного устройства используется ограничитель перенапряжения нелинейный типа ОПН без искровых промежутков, обеспечивающий эффективную защиту от перенапряжений. ОПН обеспечен защитой от вихревых токов для работы в мощных магнитных полях заградителя, ограничитель выполнен на базе металлоокисных вариаторов с высокой нелинейной вольт-амперной характеристикой.

Весовые характеристики всех типов ВЧ-заградителей
ВЗ 100 (0,5) – вес: 44 кг, в упаковке 96 кг.
ВЗ 200 (0,5) – вес: 62 кг, в упаковке 114 кг.
ВЗ 400 – вес: (0,25) -106 кг, в упаковки 161 кг; (0.5) – 130 кг, в упаковке 160(185) кг; (1,0) – 200кг, в упаковке 240 кг.
ВЗ 630 – вес: (0,25) – 116 кг, в упаковке 171 кг; (0,5) – 144 кг, в упаковке 203 кг; (1,0) – 265 кг; в упаковке 336 кг.
ВЗ 630 – вес: (0,25УД) – 138 кг. в упаковке 193 кг; ВЗ 630 – вес: (0,5УД) – 168 кг; в упаковке 227 кг.
ВЗ 1250 – вес: (0,25) – 201 кг, в упаковке 259 кг; (0,5) – 280 кг, в упаковке 340 кг; (1,0) – 465 кг, в упаковке 545 кг.
ВЗ 1250 – вес: (0,25УД) – 235 кг, в упаковке 259; ВЗ 1250 – вес: (0,5УД) – 315 кг. в упаковка 375.
ВЗ 2000 – вес: (0,25) -335 кг, в упаковке 396 кг; (0,5) – 470 кг, в упаковке 541 кг; (1,0) – 733.
ВЗ 2000 – вес: (1,0УД) – 791 кг.
ВЗ 4000 – вес: (0,5) – 900 кг, в упаковке 1171 кг; (1,0) – 2400. кг

Технические характеристики ВЗ 100

Наименование параметра

ВЗ-100-0,1

ВЗ-100-0,25

ВЗ-100-0,5

ВЗ-100-1,0

ВЗ-100-1,5

ВЗ-100-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

100

100

100

100

100

100

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

6-35

6-35

6-35

6-35

6-35

6-35

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

2,5/5

2,5/5

2,5/5

2,5/5

2,5/5

2,5/5

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

6,5/12,75

6,5/12,75

6,5/12,75

6,5/12,75

6,5/12,75

6,5/12,75

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

650

650

650

650

650

650

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,10

0,30

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,254

0,53

1,08

1.52

2,08

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

 

Технические характеристики ВЗ 200

Наименование параметра

ВЗ-200-0,1

ВЗ-200-0,25

ВЗ-200-0,5

ВЗ-200-1,0

ВЗ-200-1,5

ВЗ-200-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

200

200

200

200

200

200

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

6-110

6-110

6-110

6-110

6-110

6-110

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

4,7/10

4,7/10

4,7/10

4,7/10

4,7/10

4,7/10

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

12/25,5

12/25,5

12/25,5

12/25,5

12/25,5

12/25,5

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

650

650

650

650

650

650

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,1

0,25

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,26

0,52

1,04

1,52

2,05

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

У,  ХЛ,Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

 Технические характеристики ВЗ 400

Наименование параметра

ВЗ-400-0,1

ВЗ-400-0,25

ВЗ-400-0,5

ВЗ-400-1,0

ВЗ-400-1,5

ВЗ-400-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

400

400

400

400

400

400

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

10-110

10-110

10-110

10-110

10-110

10-110

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

10/16

101/6

10/16

10/16

10/16

10/16

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

25,5/40,8

25,5/40,8

25,5/40,8

25,5/40,8

25,5/40,8

25,5/40,8

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

650

650

650

650

650

650

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,1

0,25

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,254

0,51

1,08

1,52

2,05

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У, XЛ,Т1

У, XЛ,Т1

У, XЛ,Т1

У, XЛ,Т1

У, XЛ,Т1

У, XЛ,Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

Технические характеристики ВЗ 630

Наименование параметра

ВЗ-630-0,1

ВЗ-630-0,25

ВЗ-630-0,5

ВЗ-630-1,0

ВЗ-630-1,5

ВЗ-630-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

630

630

630

630

630

630

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

35-220

35-220

35-220

35-220

35-220

35-220

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

16/20

16/20

20/20

20/20

20/20

20/20

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

41/51

41/51

51/51

51/51

51/51

51/51

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

650

650

650

650

650

650

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,1

0,25

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,252

0,53

1,02

1,51

2,02

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

Технические характеристики ВЗ 1250

Наименование параметра

ВЗ-1250-0,1

ВЗ-1250-0,25

ВЗ-1250-0,5

ВЗ-1250-1,0

ВЗ-1250-1,5

ВЗ-1250-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

1250

1250

1250

1250

1250

1250

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

110-330

110-330

110-330

110-330

110-330

110-330

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

31,5/40

31,5/40

31,5/40

31,5/40

31,5/40

31,5/40

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

80/102

80/102

80/102

80/102

80/102

80/102

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

470

470

470

470

470

470

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,1

0,25

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,26

0,512

1,04

1,53

2,06

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

У, ХЛ,Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

Технические характеристики ВЗ 2000

Наименование параметра

ВЗ-2000-0,1

ВЗ-2000-0,25

ВЗ-2000-0,5

ВЗ-2000-1,0

ВЗ-2000-1,5

ВЗ-2000-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

2000

2000

2000

2000

2000

2000

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

500-750

500-750

500-750

500-750

500-750

500-750

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

40/50

40/50

40/50

40/50

40/50

40/50

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

102/127,5

102/127,5

102/127,5

102/127,5

102/127,5

102/127,5

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

440

440

440

440

440

440

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,1

0,25

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,252

0,53

1,02

1,51

2,02

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

Технические характеристики ВЗ 4000

Наименование параметра

ВЗ-4000-0,1

ВЗ-4000-0,25

ВЗ-4000-0,5

ВЗ-4000-1,0

ВЗ-4000-1,5

ВЗ-4000-2,0

1. Номинальный длительный ток, А

4000

4000

4000

630

630

630

2. Класс напряжений линий электропередач, кВ

500-750

500-750

500-750

500-750

500-750

500-750

3. Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА

63/80

63/80

63/80

63/80

63/80

63/80

4. Ударный ток короткого замыкания, кА

161/204

161/204

161/204

161/204

161/204

161/204

5. Минимальное значение активной составляющей полного  сопротивления, Ом

650

650

650

650

650

650

6. Номинальная индуктивность реактора, мГн

0,1

0,25

0,50

1,0

1,50

2,0

7.Индуктивность реактора на частоте 100кГц,мГн

0,11

0,26

0,51

1,03

1,52

2,04

8. Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

У,ХЛ, Т1

9. Тип защиты

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

ОПН

10. Элемент настройки

ЭНУ 0,1-40

ЭНУ 0,25-40

ЭНУ 0,5-40

ЭНУ 1,0-40

ЭНУ 1,5-40

ЭНУ 2,0-40

Таблица всех диапазонов частот заграждения

Тип заградителя

ВЗ-100-0,25
ВЗ-200-0,25
ВЗ-400-0,25
ВЗ-630-0,25

ВЗ-100-0,5
ВЗ-200-0,5
ВЗ-400-0,5
ВЗ-630-0,5

ВЗ-100-1,0
ВЗ-200-1,0
ВЗ-400-1,0
ВЗ-630-1,0

ВЗ-1250-0,25

ВЗ-1250-0,5

ВЗ-1250-0,1

ВЗ-1250-0,1
ВЗ-4000-0,25


ВЗ-2000-0,5
ВЗ-4000-0,5

ВЗ-2000-1,0
ВЗ-4000-1,0

Минимальное значение
активной 
состаяляющей
полного 
сопротивления, Ом

630

630

630

470

470/630

470

440

440

440

Диапазон 
частот 
заграждения кГц

100-140
120-180
140-200
150-260
200-400
300-600
380-1000*

36-42
40-48
47-60
59-82
74-118
100-200
160-1000*

24-31
28-38
32-46
40-66
52-110
72-256
84-500
92-1000*

100-145
125-205
155-290
230-520
300-1000

36-44/37-43
43-57/42-50
50-70/49-60
60-95/59-81
80-164/74-115
145-1000/100-200
   160-1000

24-31
30-42
42-70
70-240
70-1000

100-145
125-205
155-290
230-520
300-1000

36-47
45-65
50-77
60-95
80-164
145-1000

24-36
36-66
50-146
70-1
000

 Общий вид и габаритно-установочные размеры заградителей (указаны в мм)

Фасад изделия

Условия эксплуатации заградителей

Категория размещения  1, климатическое исполнение У,ХЛ.

Верхнее рабочее  значение температуры окружающего воздуха, С0  +50.

Нижнее рабочее значение температуры окружающего воздуха, С0   -55 

Тип атмосферы для эксплуатации II .

Высота установки на уровнем моря,м 2000  

Комплектация

– реактор заградителя (РЗ), являющийся катушкой индуктивности, предназначенный для пропуская тока частотой 50 Гц протекающего по фазным проводам;
– элемент настройки (ЭН), определяющий номинальную полосу частот заграждения;
– устройство защиты (УЗ), включаемое параллельно РЗ и ЭН и служащее для защиты ВЗ от перенапряжений. В качестве УЗ могут использоваться или ограничители перенапряжений нелинейные ОПН или разрядники вентильные облегченные РВО;
– РЗ выпускается с номинальной индуктивностью 0,5 мГн. 

Тара, упаковка, правила транспортирования заградителей

“Заградитель” отгружается с предприятия-изготовителя полностью собранным и упакованным в деревянную тару.

Транспортировка заградителей от изготовителя производится в вертикальном положении. Условия транспортирования заградителей должны соответствовать техническим условиям. Условия транспортирования заградителей в части воздействия климатических факторов внешней среды аналогичны условиям хранения №5 по ГОСТ 15150-69, в части воздействия механических факторов при транспортировании- группе С по ГОСТ 23216-78.
Выгрузку «Заградителя» производите кранами лебедками или другими механизмами и приспособлениями грузоподъемностью, соответствующей массе заградителя. Для подъема и перемещения заградителей кранами можно использовать систему подвески заградителей, установленнуую на верхней крестовине или с помощью тросов, пропускаемых под деревянными днищами.

При выгрузке или получении «Заградителя» со склада транспортирующей организации производите тщательный осмотр упаковки, убедитесь в отсутствии механических повреждений и составьте акт о результатах осмотра.

Перед установкой «Заградителя» на хранение снимите упаковку, произведите внешний осмотр и в случае необходимости произведите переконсервацию.

Хранение «Заградителя» не допускается при наличии в окружающей его среде агрессивных газов (хлора, паров аммиака, дыма).

При хранении «Заградителя» установите за ним систематическое наблюдение, в случае необходимости произведите переконсервацию.

Транспортировку «Заградителя» производите в упакованном виде.

Высокочастотные заградители упаковываются в брус согласно ГОСТ 23261

Монтаж заградителей

“Заградитель” подвешивается на гирлянде изоляторов к порталу подстанции или к опоре. Подвеску подвешивают только за специализированную пластину (серьгу) или болты, смонтированные в верхнюю крестовину. При этом ось реактора должна быть вертикальна по отношению к земле.

Перед установкой заградителя необходимо выполнить следующие действия:

  1. Убедитесь в целостности всех узлов и деталей “Заградителей”.
  2. Снимите смазку с контактных уголков, гаек и шайб.
  3. Проверьте надежность контактов в местах присоединения элемента настройки к верхней и нижней крестовинам.
  4. Проверьте надежность контактов нижней и верхней крестовин к контактным угольникам.
  5. Проверьте затяжку шпилек, с помощью которых провод обмотки силового реактора крепится в планках.
  6. Произведите настройку заградителя в соответствии с указаниями в тех. документации на элемент настройки.
  7. Доставьте «Заградитель» к порталу подстанции и убедитесь в его целостности после транспортировки.
  8. Установите «Заградитель» на шинные опоры.
  9. Включите заградитель в рассечку ЛЭП путем соединения нижнего и верхнего контактных угольников с соответствующими концами линейного провода.

Маркировка заградителей

Высокочастотные заградители имеют маркировку согласно ГОСТ 18620  и ГОСТ 14192

Высокочастотный заградитель серии ВЗ-630-0,5 – DigestWIZARD

Высокочастотный заградитель серии ВЗ-630-0,5(ООО Росэнергосервис)

Область применения

Высокочастотные заградители серии ВЗ с естественным воздушным охлаждением предназначены для уменьшения утечки токов ВЧ каналов связи по линии электропередачи в сторону, противоположную направлению к корреспонденту, и состоят из соединенных параллельно элемента настройки и силового реактора. Высокочастотные заградители серии ВЗ с естественным воздушным охлаждением предназначены для создания высокочастотных каналов связи по высоковольтным линиям электропередач. Высокочастотные заградители серии ВЗ с естественным воздушным охлаждением предназначены для создания высокочастотных каналов связи по высоковольтным линиям электропередач.

Технические характеристики

Основные технические характеристики высокочастотных заградителей серии ВЗ даны в таблице 1.

Конструктивное исполнение

По типу конструкции заградитель представляет собой одно, двух или трех катушечный реактор с навитыми на нем проводами из алюминия или меди. В конструкции предусмотрены монтажные элементы для подвески, установки и крепления заградителя, устройств защиты и контроля. ВЗ состоит из реактора, элемента настройки и защитного устройства. В качестве защитного устройства используется ограничитель перенапряжения нелинейный типа ОПН без искровых промежутков, обеспечивающий эффективную защиту от перенапряжений. ОПН обеспечен защитой от вихревых токов для работы в мощных магнитных полях заградителя, ограничитель выполнен на базе металлоокисных вариаторов с высоконелинейной вольтамперной характеристикой. Выводы ОПН выполнены из немагнитной стали. В качестве элемента настройки используется ЭНУ 1,0 – 40 разработки ООО «Росэнергосервис». Элемент настройки крепится к нижней крестовине заградителя с помощью кронштейнов. Описание ЭНУ приведено отдельно.

Степень защиты по ГОСТ 14254-96

IP00 – для реактора заградителя IP54 – для элемента настройки

Климатическое исполнение

У1 – для районов с умеренным климатом

Т1 – для районов с тропическим климатом по ГОСТ 15543.1-89 и ГОСТ 15150–69

Условия эксплуатации

-тип атмосферы II по ГОСТ 15150;

-высота над уровнем моря не более 1000 метров;

Окружающая среда не взрывоопасна, не содержащая агрессивных газов и паров в концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию, не насыщенная токопроводящей пылью.

Группа механического исполнения М2.

Способ установки: установка на изолирующих опорах или подвеска на конструкциях подстанций.

Структура условного обозначения

Общий вид: вид сбоку в разрезе и вид сверху.

Таблица 1.

Наименование параметраВЗ-630-1.0
1.Номинальный длительный ток, А630
2.Диапазон частот заграждения, кГц, обеспечиваемых заградителями в комплекте с элементами настройки ЭНУ 1,0 – 4040-66, 52-110, 84-500, 92-1000
3.Класс напряжения линий электропередач, кВ35-110
4.Номинальный кратковременный ток короткого замыкания в течение 1с, кА16
5.Ударный ток короткого замыкания, кА41
6.Минимальное значение активной составляющей полного сопротивления, Ом640
7.Индуктивность реактора на промышленной частоте, мГн1,0
8.Полные потери в реакторе при номинальном токе, кВт 
9.Климатическое исполнение и категория размещения по ГОСТ 15150У1, Т1
10.Габаритные размеры: мм в плане высота Н 
11.Масса, кг исполнение У1 исполнение Т1 
12.Масса ЭНУ, не более, кг15
13.Габаритные размеры, мм, не более: высота диаметр456 131
14.Класс изоляции, кВ 
15.Электрическая прочность на промышленной частоте в течение 2 с., кВ 
16.Масса ОПН, кг3,0
17.Габаритные размеры ОПН, мм высота диаметр130
100
18. Элемент настройкиЭНУ-1.0-40

ВЧ-заградители ВЗ

ВЧ-заградители ВЗ

НАЗНАЧЕНИЕ

Высокочастотные заградители (ВЗ) предназначены для ослабления влияния шунтирующего действия шин электроподстанции на параметры высокочастотного тракта при обработке воздушных линий электропередачи в целях передачи по их фазовым проводам или грозозащитным тросам сигналов противоаварийной автоматики, релейной защиты и телефонной связи на несущих частотах от 16 кГц до 1000 кГц.

 

 

 

 

ПРЕИМУЩЕСТВА

Высокая надёжность и продолжительный срок службы благодаря применению современных материалов для производства ВЗ и современного оборудования для их обработки

Рассчитанная транспозиция проводов многослойных заградителей существенно снижает их разогрев в номинальном режиме работы

Возможность эксплуатировать ВЗ на токе превышающем номинальный на 25% в случае необходимости, например для плавки гололёда на проводах ВЛ

Применение специализированных типов радиоэлементов – резисторов и конденсаторов, позволяет увеличить срок безаварийной работы ВЗ, исходя из их конструктивных особенностей

Широкий спектр предлагаемых ВЗ позволит Вам выбрать необходимый. Параметры основных ВЗ указаны в сводных таблицах

Гарантия на оборудование составляет 5 лет. Срок службы – 30 лет

Поставка и техническая поддержка осуществляется по всей России, странам ближнего и дальнего зарубежья

 

СТАНДАРТНЫЕ РЕШЕНИЯ

Тип ВЗНоминальный ток, АИндуктивность номинальная
ВЗ – 630 – 0,1 У1, ХЛ16300.1
ВЗ – 630 – 0,25 У1, ХЛ16300.25
ВЗ – 630 – 0,5 У1, ХЛ16300.5
ВЗ – 630 – 1,0 У1, ХЛ16301.0
ВЗ – 630 – 1,5 У1, ХЛ16301.5
ВЗ – 630 – 2,0 У1, ХЛ16302.0
ВЗ – 1250 – 0,1 У1, ХЛ112500.1
ВЗ – 1250 – 0,25 У1, ХЛ112500.25
ВЗ – 1250 – 0,5 У1, ХЛ112500.5
ВЗ – 1250 – 1,0 У1, ХЛ112501.0
ВЗ – 1250 – 1,5 У1, ХЛ112501.5
ВЗ – 1250 – 2,0 У1, ХЛ112502.0
ВЗ – 2000 – 0,1 У1, ХЛ120000.1
ВЗ – 2000 – 0,25 У1, ХЛ120000.25
ВЗ – 2000 – 0,5 У1, ХЛ120000.5
ВЗ – 2000 – 1,0 У1, ХЛ120001.0
ВЗ – 2000 – 1,5 У1, ХЛ120001.5
ВЗ – 2000 – 2,0 У1, ХЛ120002.0
ВЗ – 4000 – 0,5 У1, ХЛ140000.5

Ионный ветер с последовательным ускорением со встроенным плазменным приводом с диэлектрическим барьерным разрядом для работы при низком напряжении

Наука. 306 , 1960 (2004).

ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Берч, Дж. М. и Дикинсон, М. Х. Продольный поток и прикрепление вихря передней кромки к крыльям насекомых. Природа 412 , 729 (2001).

    Google ученый

  • Фиш, Ф. Э. и Лаудер, Г. В. Пассивное и активное регулирование потока плавающими рыбами и млекопитающими. год. Преподобный Жидкостный Мех. 38 , 193 (2006).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ MathSciNet Статья Google ученый

  • Кришнан, К.С.Г., Бертрам, О. и Сейбель, О. Обзор гибридных систем управления ламинарным потоком. Прог. Аэрокосмическая наука. 93 , 24 (2017).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Хоф, Б., де Лозар, А., Авила, М., Ту, X. и Шнайдер, М. Т. Устранение турбулентности в пространственно прерывистых потоках. Наука 327 , 1491 (2010).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Моро, Э. Управление воздушным потоком с помощью нетепловых плазменных приводов. J. Phys. Д: заявл. физ.   40 , 605 (2007 г.).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Робинсон М. История электрического ветра. утра. Дж. Физ. 30 , 366 (1962).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Парк С., Квелбар У., Чоу У. и Мун С.Ю. Создание электрического ветра за счет электрогидродинамической силы. Нац. коммун. 9 , 371 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Сюй, Х. и др. . Полет самолета с твердотельным двигателем. Природа 563 , 532 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Рот, Дж. Р., Шерман, Д. М. и Уилкинсон, С. П. Электрогидродинамическое управление потоком с помощью поверхностной плазмы тлеющего разряда. AIAA J. 38 , 1166 (2000).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Леже Л., Моро Э., Артана Г. и Тушар Г. Влияние коронного разряда постоянного тока на воздушный поток вдоль наклонной плоской пластины. Дж. Электростат. 51 , 300 (2001).

    Артикул Google ученый

  • Соса Р., Артана Г., Моро Э.и Touchard, G. Управление сваливанием при большом угле атаки с помощью приводов плазменного листа. Экспл. Жидкости. 42 , 143 (2007).

    КАС Статья Google ученый

  • Корк Т.С., Пост М.Л. и Орлов Д.М. Плазменная аэродинамика SDBD: концепции, оптимизация и приложения. Прог. Аэрокосмическая наука. 43 , 193 (2007).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Грундманн, С.& Tropea, C. Экспериментальное демпфирование колебаний пограничного слоя с использованием плазменных приводов DBD. Междунар. J. Heat Fluid Flow 30 , 394 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Рихерд М. и Рой С. Затухание волн Толлмина-Шлихтинга в пограничном слое с помощью плазменных приводов. J. Phys. Д: заявл. физ. 46 , 485203 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Бенар, Н.& Moreau, E. Электрические и механические характеристики плазменных приводов переменного тока с диэлектрическим барьерным разрядом, применяемых для управления воздушным потоком. Экспл. Жидкости 55 , 1846 (2014).

    Артикул Google ученый

  • Неретти Г., Кристофолини А., Борги К. А., Гуриоли А. и Пертиле Р. Результаты экспериментов с плазменными приводами DBD для управления воздушным потоком. IEEE Trans. Плазменные науки. 40 , 1678 (2012).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Мерфи, Дж. П., Кригсейс, Дж. и Лавуа, П. Масштабирование максимальной скорости, объемной силы и потребляемой мощности плазменных приводов диэлектрического барьерного разряда с помощью велосиметрии изображения частиц. J. Appl. физ. 113 , 243301 (2013).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Форте, М. и др. .Оптимизация привода разряда диэлектрического барьера путем стационарных и нестационарных измерений скорости индуцированного потока: приложение к управлению воздушным потоком. Экспл. Жидкости 43 , 917 (2007).

    Артикул Google ученый

  • Мюллер, Т.Дж. и ДеЛорье, Дж.Д. Аэродинамика малых транспортных средств. год. Преподобный Жидкостный Мех. 35 , 89 (2003).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • До, Х., Ким, В., Каппелли, М.А. и Мунгал, М.Г. Перекрестные помехи в нескольких приводах разряда диэлектрического барьера. Заяв. физ. лат. 92 , 071504 (2008).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Неретти, Г. и др. . Оптимизация геометрии линейных и кольцевых плазменных синтетических струйных приводов. J. Phys. Д: заявл. физ. 50 , 015210 (2017).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Сато С., Takahashi, M. & Ohnishi, N. Повышенная электрогидродинамическая генерация силы в двухтактном плазменном приводе с диэлектрическим барьерным разрядом. Заяв. физ. лат. 110 , 194101 (2017).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Corke, T.C. & Thomas, F.O. Активное и пассивное снижение сопротивления турбулентного пограничного слоя. AIAA J. 56 , 3835 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Бёф, Дж.П., Лагмич Ю. и Питчфорд Л. К. Вклад положительных и отрицательных ионов в электрогидродинамическую силу в плазменном приводе с диэлектрическим барьерным разрядом, работающем в воздухе. J. Appl. физ. 106 , 023115 (2009 г.).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Нисида, Х., Нономура, Т. и Абэ, Т. Трехмерное моделирование эволюции разрядной плазмы на приводе плазменного разряда с диэлектрическим барьером. J. Appl. физ. 115 , 133301 (2014).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Сато, С. и Охниши, Н. Теоретическое моделирование цикла импульсного разряда в плазменном приводе с диэлектрическим барьерным разрядом. Япония. Дж. Заявл. физ. 55 , 07LD04 (2016).

    Артикул Google ученый

  • Сато, С. и Ониши, Н.Влияние формы напряжения на электрогидродинамическую силу в плазменном актуаторе с диэлектрическим барьерным разрядом. Документ AIAA № 2017–1804 (2017).

  • Сато, С., Такахаши, М. и Ониши, Н. Вычислительное исследование процесса производства объемной силы и улучшения характеристик плазменного привода с диэлектрическим барьерным разрядом. Пер. Япония. соц. Аэронавт. Космические науки. 16 , 550 (2018).

    Google ученый

  • Симень, М.С., Танг Ю., Фредериксон К. и Адамович И.В. Распределение электрического поля в приводе поверхностного плазменного потока с питанием от последовательностей импульсов нс-разряда. Источники плазмы Sci. Технол. 27 , 104001 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Сато, С. Такахаши, М. и Ониши, Н. Процесс разряда и эффект нагрева газа в плазменном приводе с наносекундным импульсом Документ AIAA № 2019–1001 (2019).

  • Курцанидис, К. и Раджа, Л.Л. Трехэлектродный скользящий наносекундный привод диэлектрического барьерного разряда: моделирование и физика. AIAA J. 55 , 1393 (2017).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Опайц Д. Ф., Шнейдер М. Н., Майлз Р. Б., Лиханский А. В. и Мачерет С. О. Поверхностный заряд в плазменных актуаторах диэлектрического барьерного разряда. Физ. Плазма 15 , 073505 (2008).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Майлз, Р. Б., Опайтс, Д. Ф., Шнайдер, М. Н., Заиди, С. Х. и Мачерет, С. О. Нетепловая плазма атмосферного давления для авиационных применений. евро. физ. Дж. Заявл. физ. 47 , 22802 (2009).

    Артикул Google ученый

  • Томас Ф.О., Корк Т.С., Икбал М., Козлов А. и Шацман Д.Оптимизация плазменных приводов диэлектрического барьерного разряда для активного аэродинамического управления потоком. AIAA J. 47 , 2169 (2009).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Такашима, К. и Канеко, Т. Производство озона и окиси азота в воздухе при атмосферном давлении, диэлектрический барьерный разряд, плазменный поток, генерируемый наносекундным импульсом, наложенным на переменное напряжение. Источники плазмы Sci.Технол. 26 , 065018 (2017).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Опайтс, Д. Ф. и др. . Улучшение тяги за счет подавления накопления заряда в импульсных плазменных приводах DBD. Документ AIAA № 2009–487 (2009 г.).

  • Конг Ф. и др. . Электрические и оптические характеристики поверхностного плазменного актуатора на основе трехэлектродной геометрии, возбуждаемой источниками наносекундного импульса и постоянного тока. Физ. Плазма. 24 , 123503 (2017).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Бенар, Н., Зузу, Н., Клавери, А., Соттон, Дж. и Моро, Э. Оптическая визуализация и электрические характеристики быстро нарастающего импульсного диэлектрического барьерного разряда для приложений управления воздушным потоком. J. Appl. физ. 111 , 033303 (2012).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Байода К.Д., Бенар, Н. и Моро, Э. Наносекундный импульсный плазменный привод с диэлектрическим барьерным разрядом для управления воздушным потоком: электрические, оптические и механические характеристики. J. Appl. физ. 118 , 063301 (2015).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Райзер, Ю. П. Физика газового разряда (Спрингер, Нью-Йорк, глава 7, 1991).

  • Нисида Х. и Сираиси Т.Экспериментальная характеристика трехэлектродного плазменного актуатора с двойным заземлением. AIAA J. 53 , 3483 (2015).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Такашима К., Зузик Ю., Лемперт В. Р. и Адамович И. В. Характеристика плазмы поверхностного диэлектрического барьерного разряда, поддерживаемого повторяющимися наносекундными импульсами. Источники плазмы Sci. Технол. 20 , 055009 (2011).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Моро, Э., Соса, Р. и Артана, Г. Электрический ветер, создаваемый поверхностными плазменными приводами: новый диэлектрический барьерный разряд на основе трехэлектродной геометрии. J. Phys. Д: заявл. физ. 41 , 115204 (2008 г.).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Pescini, E., Francioso, L., Giorgi, M.G.D. & Ficarella, A. Исследование микродиэлектрического барьерного плазменного привода для активного управления воздушным потоком. IEEE Trans. Плазменные науки. 43 , 3668 (2015).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Шарфеттер, Д. Л. и Гаммель, Х. К. Анализ больших сигналов кремниевого считывающего диода генератора. IEEE Trans. Электронные устройства 16 , 64 (1969).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Пансет, К., Кани, С. и Бёф, Дж.P. Адресация и поддержание в копланарных плазменных панелях переменного тока. J. Appl. физ. 86 , 124 (1999).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Hagelaar, G.J.M. & Pitchford, L.C. Решение уравнения Больцмана для получения коэффициентов переноса электронов и коэффициентов скорости для моделей жидкости. Источники плазмы Sci. Технол. 14 , 722 (2005).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

  • Унфер, Т.& Boeuf, JP. Моделирование привода наносекундного поверхностного разряда. J. Phys. Д: заявл. физ. 42 , 194017 (2009).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Kriegseis, J., Grundmann, S. & Tropea, C. Потребляемая мощность, разрядная емкость и световое излучение как меры для создания тяги плазменных приводов с диэлектрическим барьерным разрядом. J. Appl. физ.   110 , 013305 (2011 г.).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

  • Durscher, R. & Roy, S. Оценка методов измерения тяги для приводов разряда диэлектрического барьера. Экспл. Жидкости 53 , 1165 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Макмиллан, Ф. А. Эксперименты с трубками Пито в сдвиговом течении. ARC Технический отчет , R. & M.№ 3028 (1957).

  • Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка браузера на прием файлов cookie

    Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файле cookie может храниться только та информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка браузера на прием файлов cookie

    Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файле cookie может храниться только та информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

    ОДНОЖИЛЬНЫЙ ОГНЕСТОЙКИЙ, СИЛОВОЙ КАБЕЛЬ 0,6/1 кВ HFS-110-TP

    — Выберите –1000МГц10МГц2000МГц200МГц50МГц700МГцAC при 90°C Ом/кмПо угламПо плоскостямКвасцыАмперыПрименениеПрибл. ПлощадьПрибл. Вес кабеля, кг/км, прибл. Вес кабеля, кг/м, прибл. Диаметр прибл. Масса кг/100 м прибл. Наружный диаметр, сплошной, ммПрибл. Внешний диаметр, многожильный, ммПрибл. ШиринаПлощадьБронированныйAS3103 WS Класс огнестойкостиСборкаЗатуханиеДоступный цветAWGРадиус изгибаДиаметр отверстия.Примечание внизуТекст внизуТекст внизу 2Диаметр оплеткиПриемка кабеляПриемка кабеля ммКонструкция кабеляДиаметр кабеляДиаметр кабеля Макс. Диаметр кабеля. Мин. кабель IDCИмя кабеляЕмкостьКатегория IDCСертификатКоаксиальная оболочка ЦветаКоаксиальный типКодЦветЦветаСоответствиеКонд. ЦветаКонд. СтроительствоCond. МатериалКонд. Максимум. Диаметр ммКонд. №/диам.конд. №/диам. ммКонд. Сопротивление.Конд. СкруткаКонд. СкруткаКонд. ТолщинапроводникаСопротивление проводника при 20°C Ом/кмФорма проводникаКол. № провода Экран медного провода (одна сек.) kACCore ColorCore No.Cores Sectionscr10%cr100%cr20%cr30%cr60%cr85%CSACCurrentТок-несущая способностьНоминальный токDC при 20°C Ом/кмDC СопротивлениеОписаниеDia.Dia провода mmDia. Диаметр провода, ммДиэлектрическая прочность, испытание на электрическую прочность, тип диэлектрика, диаметр, размеры, название категории дисплея, конструкция слива, материал слива, двойной цвет, жилы заземления, мм², метка заземления. Диаметр входной резьбы. Входная резьба, длина, температура окружающей среды, экв. ПлощадьДиаметр внутренней резьбыФайлИнструкция по установкеОгнезащитаФормаГалОбщая информацияID ммИзображениеИзображение_1Изображение_1_Альтернативное изображение_2Изображение_2_Альтернативное изображение_2_ИмяИзображение_3Изображение_3_ИмяИзображение_4Изображение_4_ИмяИзображение_5Изображение_5_имяИзображение_6Изображение_6_ИмяИмя изображенияИмпедансИндуктивностьЦвет внутренней оболочкиМатериал внутренней оболочки Наружный диаметр внутренней оболочки.Толщина внутренней оболочкиВнутренняя оболочкаИнструкция ИзображениеИнструкция Изображение Альтернативная изоляция Цвет изоляции Диаметр изоляции. ммКонтргайкаОтношение L/RДиаметр наружной резьбыМаркировкаМассаМатериалыМакс. АмперМакс. Ампер 40°C Без корпуса ПрикосновениеМакс. конд. Оказывать сопротивление.(20°C) Ом/ммМакс. DCМакс. Диаметр Макс. Диаметр над Инс. ммМаксимальный радиус изгибаМаксимальная температура проводникаМаксимальное усилие натяжения кНМаксимальная рабочая температураМакс. Общий диаметр ммМакс. Общий диаметр ммМакс. Выступ Максимум. V Макс. изображение. НапряжениеМакс. Значок напряженияМеханические свойстваМин. Диаметр над Инс. ммМинимальный радиус изгибаМин. Инс. Оказывать сопротивление. МОм-км 20°Cмин. Инс. Оказывать сопротивление. МОм-км 90°Cмин. НагрузкаМин. Ном. Инс. Толщина ммМин. Общий диаметр ммМин. Общий диаметр ммМин. НапряжениеМин. Значок напряженияМин. Напряжение ImageModel DescriptionModel ImageModel Image AlternateModel No.NameName 2Nearest AWGNo.No. Диаметр № и диам. проводов №/мм Н.О.Д под SreeenNom. Ампер 30°C Открытый воздухНом. Ампер 40°C Ном. Площадь мм²Ном. Площадь кв.ном. Диаметр броневой проволоки. ммНом. ЕмкостьНом. Диаметр ммНом. Диаметр Над броней ммном. Диаметр Над броней ммном. Диаметр Под броней ммном. Диаметр Под броней ммном. Сопротивление Ном. Диаметр внутренней оболочки. ммНом. Толщина внутренней оболочки, мм ном. Изоляция диам. ммНом. Толщина изоляции ммНом. О.Д. ммНом. Толщина внешней оболочки, мм ном. Общий диаметр ммНом. Площадь экрана мм²Ном.Толщина оболочки, мм ном. Размеры Ном. Скрутка №/мм ном. Емкость между проводами Количество коаксиалов коаксиалов Количество проводников № CoreNo. Конечно Кол-во парNo. пар Количество прядей № провода № Или ядра ПримечаниеРабочая температураШаг заказа 1Шаг заказа 2Шаг заказа 3Шаг заказа 4Внешний диаметр. Под экраном Внешняя оболочкаВнешний диаметр. ммОбщий диаметр. Общий диаметр Броня Общий диаметр Постельные принадлежности Общий диаметр Изгиб Общий диаметр Над доспехами Общий диаметр оболочки. OverleadPackPack Units ПарыПары / ТриадыНомер партииАртикул СуффиксФаза Проводник (одна сек.) кАМощностьМощность ядер мм²Категория продуктаИдентификатор продуктаИзображение продуктаИзображение продуктаИзображение продуктаИзображение продукта 2Изображение продукта 2 АльтернативныйИзображение продукта АльтернативныйИзображение продукта АльтернативныйИзображение продуктаАльтернативныйНазвание продуктаПодимя продуктаСвойстваДиапазон Макс. Диапазон Мин. Номинальное напряжениеСоответствующее напряжениеСоответствующие стандартыRipcordСеткаУплотнительная шайба Разд. Область СерияОболочкаЦвет оболочкиОболочка диам. Толщина оболочкиТип оболочки Диам. Защитная оплеткаЗащитная фольгаКожухРазмер, мм²РазмерыСпециальныйСкруткаСтильПодимяНаменная нитьSWA Диаметр.Таблица № Таблица TypeTail Dia. Хвост ДлинаТемп. Диапазон температурИспытательное напряжение в течение 5 мин. kVTitleTube Dia. ТипТип коаксиального Типовое использованиеЕдиница использованияUtilux Die No.Скорость распространенияНапряжениеНапряжение Падение напряжения Mv/A/MДиапазон напряженияНоминальное напряжениеВесПроводДиаметр провода. Провода № Обертка Фольга

    Повышенная электросопротивление сверхтонких эпитаксиальных туннельных барьеров с колпачком Hf0,5Zr0,5O2: APL Материалы: Том 10, № 3

    ВВЕДЕНИЕ

    Раздел:

    в то время как уменьшение разброса значений ER в различных устройствах на пластине является предпосылкой для реализации туннельных барьеров на основе сегнетоэлектрика HfO 2 в системах хранения данных и вычислительных архитектурах.Легирование HfO 2 обычно требуется для получения сегнетоэлектрической орторомбической фазы (о-фазы), и, вероятно, Hf 0,5 Zr 0,5 O 2 (HZO) является наиболее изученным составом. 1,2 1. М. Х. Парк и др. , J. Mater. хим. С 5 , 4677 (2017). https://doi.org/10.1039/C7TC01200D2. У. Шредер и др. , Япония. Дж. Заявл. физ. 53 , 08LE02 (2014). https://doi.org/10.7567/jjap.53.08le02 Известно, что в отличие от обычных сегнетоэлектриков сегнетоэлектричество в легированных пленках HfO 2 более заметно при уменьшении толщины пленки. 3 3. M.H. Park et al. , Доп. Матер. 27 , 1811 (2015). https://doi.org/10.1002/adma.201404531 Было высказано предположение, что это необычное поведение является результатом того факта, что метастабильная орторомбическая (о-) фаза возникает в результате конкурирующих объемных и межфазных вкладов в энергию стабилизации, 4 4. Матерлик Р. и др. , J. Appl. физ. 117 , 134109 (2015). https://doi.org/10.1063/1.4916707, хотя недавние сообщения, показывающие огромное влияние природы электродов на стабилизацию о-фазы в эпитаксиальных пленках, предполагают, что понимание вклада энергии интерфейса далеко не полное. 5 5. S. Estandía et al. , J. Mater. хим. С 9 , 3486 (2021). https://doi.org/10.1039/D0TC05853J Наличие границ зерен (ГЗ) в HZO отрицательно сказывается на работе устройства. Действительно, было показано, что границы зерен в поликристаллических пленках обеспечивают проводящие пути для движения заряда 6 6. G. Bersuker et al. , J. Appl. физ. 110 , 124518 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3671565, которые могут маскировать или даже исключать подлинное внутреннее электросопротивление, связанное с переключением сегнетоэлектрической поляризации. 7 ​​ 7. B. Max и др. , J. Appl. физ. 123 , 134102 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5015985 Аналогично, в эпитаксиальных пленках HZO, выращенных на монокристаллических подложках, наличие в пленке двойников орторомбической фазы или различных полиморфных модификаций HZO создает сеть границ зерен, которые являются источник проводящих каналов. Эти проводящие каналы открываются при некотором напряжении и индуцируют неферроэлектрический ЭР, который нарушает работу устройства. 6,8–13 6. Г. Берсукер и др. , J. Appl. физ. 110 , 124518 (2011). https://doi.org/10.1063/1.36715658. K.McKenna и A.Shluger, Appl. физ. лат. 95 , 222111 (2009 г.). https://doi.org/10.1063/1.32711849. К.-Х. Сюэ и др. , заявл. физ. лат. 102 , 201908 (2013). https://doi.org/10.1063/1.480766610. Г. Берсукер и др. , Твердотельный электрон. 65–66 , 146 (2011). https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.06.03111. М. Lanza и др. , заявл. физ. лат. 101 , 193502 (2012). https://doi.org/10.1063/1.476534212. М. Lanza и др. , заявл. физ. лат. 100 , 123508 (2012). https://doi.org/10.1063/1.369764813. П. Калка и др. , Нанотехнологии 24 , 085706 (2013). https://doi.org/10.1088/0957-4484/24/8/085706 Интересно, что было показано, что относительное количество различных полиморфов HZO определяется выбором субстрата. 14 14. С. Эстандиа и др. , Приложение ACS. Электрон. Матер. 1 , 1449 (2019). https://doi.org/10.1021/acsaelm.9b00256 Например, пленки HZO толщиной всего несколько нанометров (5–10 нм), выращенные на SrTiO 3 (STO), обычно содержат моноклинную (m-) и о- фазы и соответствующие скрученные кристаллы. Напротив, пленки, выращенные на скандатах, например, GdScO 3 (GSO), демонстрируют почти исключительно двойниковую о-фазу. Отсюда следует, что границы зерен и впоследствии ложные проводящие каналы более распространены в пленках HZO, выращенных на STO, чем на GSO, причем последний демонстрирует более устойчивый отклик ER. 15 15. M.C. Sulzbach et al. , Доп. Электрон. Матер. 6 , 12 (2019). https://doi.org/10.1002/aelm.2012 Sulzbach et al. 16 16. M.C. Sulzbach et al. , Доп. Функц. Матер. 30 , 2002638 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.202002638 показали, что способ уменьшить роль границ зерен на ЭР заключается в использовании диэлектрического слоя в качестве покрытия эпитаксиальной пленки. Исследуя ER фильмов HZO 4.5 нм, выращенных на STO и GSO и ​​покрытых сверхтонким слоем (≈1 нм) STO или AlO x , можно было значительно увеличить выход туннельных барьеров на пластине, и, что важно, разброс значений ER был снижается, а выносливость значительно повышается. Кроме того, в поисках ультратонких функциональных сегнетоэлектрических эпитаксиальных пленок HZO было показано 17 17. M. Cervo Sulzbach et al. , Приложение ACS. Электрон. Матер. 3 , 3657 (2021). https://дои.org/10.1021/acsaelm.1c00604 говорится, что пластичность, зависящая от времени всплеска (STDP), обнаружена в эпитаксиальных тонких сегнетоэлектрических пленках HZO толщиной всего 2 нм. Таким образом, естественным следующим шагом является изучение того, в какой степени диэлектрическое покрытие ультратонких барьеров HZO также может быть эффективным для повышения выхода, однородного сопротивления и увеличения срока службы, как это было обнаружено ранее для более толстых пленок, что имело бы дополнительное преимущество в виде относительно уменьшенного устройства. сопротивление.

    Здесь будет показано, что покрытие ультратонкой сегнетоэлектрической пленки HZO (≈2 нм), выращенной на STO и GSO, 1 нм STO определенно приводит к более прочным сегнетоэлектрическим туннельным переходам, где ER демонстрирует большую долговечность и более высокий выход.Данные рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и сканирующей переходной электронной микроскопии использовались для понимания механизмов, приводящих к более высокой производительности закрытых устройств. Утверждается, что основная роль покрывающего слоя заключается в блокировании проводящих каналов через границы зерен.

    Экспериментальный

    Раздел:

    Раздел:

    Выборный вариант PAGEABSTRACTINTRODECTEXPERICALE << Результаты значенияSConclusionssupplementary MaterialReferencePitaxial HZO пленки 2,2 нм Номинальная толщина выросла на SRTIO 3 (001) -Orented (sto) и Gdsco 3 (001) -Oriented (GSO) (с псевдокубической укладкой) монокристаллические подложки (5 × 5 мм 2 ), забуференные La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO, толщина 22 нм) проводящие электроды с помощью импульсного лазерного осаждения (PLD), как описано в другом месте. 18 18. Дж. Лю и др. , заявл. физ. лат. 113 , 082902 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5041715 Затем HZO покрывали слоем STO, нанесенным путем абляции мишени SrTiO 3 при P(O 2 ) = 0,02 мбар и T = 700 °C, и охлаждали до комнатной температуры. при P(O 2 ) = 0,2 мбар. Толщина (t) покрывающего слоя STO была выбрана равной t ≈ 1 нм, что контролировалось количеством лазерных импульсов на основе ранее определенных калиброванных скоростей роста.Круглые верхние Pt-электроды диаметром 20 мкм м и толщиной 20 нм были выращены при комнатной температуре через теневые маски методом напыления. Структура соединения голых и закрытых образцов представлена ​​на рис. 1(а)–1(в). Образец сравнения, т. е. в котором между слоем HZO и Pt не осаждался диэлектрический материал, обозначается как HZO. Пленки, выращенные на подложках STO и GSO, имеют маркировку STO//HZO и GSO//HZO. Сегнетоэлектрические характеристики образцов, выращенных на STO, методом пьезоэлектрической силовой микроскопии показаны в дополнительном материале S1.Образцы, выращенные на GSO, были подробно охарактеризованы в другом месте. 17 17. M. Cervo Sulzbach et al. , Приложение ACS. Электрон. Матер. 3 , 3657 (2021). https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00604 Образцы с покрытием STO (1 нм) получили названия STO//HZO/STO1 и GSO//HZO/STO1. Электрические измерения проводились путем контактирования нижнего электрода LSMO и одного верхний платиновый электрод. Все электрические характеристики были выполнены с использованием платформы TFAnalyser2000 (aixACCT Systems GmbH).Сопротивление измеряют после каждых импульсов записи (V w ) и после времени задержки τ D = 1 с подачей линейного V R (t) треугольного импульса длительностью 1 с в небольшом диапазоне напряжений (от от −0,5 до +0,5 В). Сопротивление рассчитывается при V R = 0,5 В. Импульс V w подается с использованием трапециевидного сигнала длительностью τ w . Дальнейшие подробности описаны в другом месте. 17 17. M. Cervo Sulzbach et al. , Приложение ACS.Электрон. Матер. 3 , 3657 (2021). https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00604 Электрическое циклирование узлов (называемое в данной работе обучением) осуществлялось биполярными прямоугольными импульсами указанного числа (N C = 10 4 раз) при 5 кГц и амплитудой 2,5 В.

    Рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию (РФЭС) проводили в сверхвысоком вакууме 5 × 10 -10 мбар с помощью полусферического анализатора SPECS Phoibos 150 с использованием монохроматического излучения Al Kα с энергией 1486.6 эВ. Для исследования зависимости данных XPS от глубины угол излучения был выбран равным 0°, 45° и 60° по отношению к нормали к поверхности образца. Образцы находились в контакте с воздухом при переносе из камеры PLD в камеру UHV XPS. Энергетическая калибровка проводилась путем фиксации энергии линии Pt. Деконволюцию спектров основного уровня Hf и Ti проводили с использованием программного обеспечения CasaXPS, а фоны вычитали с использованием функции типа Ширли.

    Характеристика сканирующей просвечивающей электронной микроскопии: Сканирующая просвечивающая электронная микроскопия (STEM) с коррекцией аберраций использовалась для анализа микроструктуры с атомарным разрешением.Пленка HZO с покрытием STO толщиной 1 нм была охарактеризована с использованием прибора JEOL JEM-ARM200CF, работающего при напряжении 200 кВ, оснащенного корректором аберраций CEOS GmbH и спектрометром GIF Quantum ER в Университете Комплутенсе в Мадриде, Испания. Изображения STEM были получены в режиме изображения с большим углом кольцевого темного поля (HAADF), также называемом Z-контрастом, поскольку яркость, связанная с каждым атомным столбцом, примерно пропорциональна квадрату атомного номера Z. 19 19. P.D. Неллист и С.Дж. Пенникук, Ультрамикроскопия 78 , 111 (1999). https://doi.org/10.1016/s0304-3991(99)00017-0 Химические карты спектроскопии потерь энергии электронов (EELS) были получены путем интегрирования характеристических краев каждого элемента в каждом месте. Образцы STEM были приготовлены с использованием FEI Helios NanoLab 650.1(г). Можно заметить [вставки на рис. 1(d)], что в соответствии с более ранними отчетами 17 17. M. Cervo Sulzbach et al. , Приложение ACS. Электрон. Матер. 3 , 3657 (2021). https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00604 сопротивление увеличивается после тренировки с напряжением. Аналогичная тенденция наблюдается в образцах с покрытием STO//HZO/STO1 (см. дополнительный материал, S2), а менее ощутимый рост сопротивления наблюдается в пленках GSO//HZO и GSO//HZO/STO1 (см. дополнительный материал). материал, S3).Здесь больший интерес представляет влияние покрывающего слоя на сопротивление перехода. На рис. 1(e) и 1(f) (основные панели и вставки) показаны ВАХ, полученные на обученных образцах STO//HZO, STO//HZO/STO1 и GSO//HZO/STO1. Легко понять, что независимо от субстрата сопротивление после тренировки выше в образцах с крышками (STO//HZO/STO1 и GSO//HZO/STO1), чем в образцах без покрытия (STO, GSO)//HZO. , что согласуется с диэлектрической природой тонкого покрывающего слоя STO.Различные состояния сопротивления могут быть записаны на переходах путем подачи записывающих импульсов напряжения различной амплитуды и полярности. На рис. 2(а) показаны данные, полученные от устройств STO//HZO (черные символы) и STO//HZO/STO1 (красные символы), электрически записанные с помощью V W до ±20 В и с использованием τ Вт = 100 мкс с. На рис. 2(а) видно, что для STO//HZO происходит резкое падение сопротивления при некотором критическом напряжении записи (V Вт, C ≈ 10 В). О подобном поведении сообщалось ранее в более толстом HZO (≈4.5 нм), выращенных на STO, и это было связано с порогом напряжения между сопротивлением, контролируемым поляризацией, и ионным движением. 15 15. M.C. Sulzbach et al. , Доп. Электрон. Матер. 6 , 12 (2019). https://doi.org/10.1002/aelm.2012 Очевидно, что образец STO//HZO/STO1 с крышкой (красные символы) демонстрирует большее сопротивление, чем образец без крышки. В отличие от наблюдений в относительно более толстых пленках HZO (4,5 нм), в этих ультратонких барьерах HZO покрывающий слой не дает заметного увеличения V W, C . 16 16. M.C. Sulzbach et al. , Доп. Функц. Матер. 30 , 2002638 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.202002638 С другой стороны, сопротивление GSO//HZO остается устойчивым, по крайней мере, до V W 20 В [Рис. 2(b)], что согласуется с утверждением о том, что пленки HZO на подложках GSO имеют пониженную плотность границ зерен. Кроме того, покрытие STO (GSO//HZO/STO1) увеличивает общее сопротивление перехода. На рисунках 3(a) и 3(b) показаны петли ER R(V w ), собранные на обученном STO//HZO. и образцы STO//HZO/STO1, с −V max w max , с V max = 2.5 В и V max = 5 В соответственно, а время записи τ w = 100 мкс с. Очевидные состояния ON/OFF (низкое сопротивление/высокое сопротивление, LRS/HRS) развиваются примерно при V W ≈ 2,5 В во всех образцах. Из данных на рис. 3(a) и 3(b): (a) электросопротивление увеличивается с напряжением записи и (b) введение покрывающего слоя STO приводит к очевидному увеличению сопротивления перехода. Как следует из данных рис.3(a) и 3(b), значения ER находятся в диапазоне от 112% (STO//HZO) до 183% (STO//HZO/STO1). Амбриз-Варгас и др. измерил электросопротивление барьеров HZO аналогичной толщины, зажатых между TiN и Pt. Эти авторы сообщили о значениях ER, достигающих 1500%. 20,21 20. Ф. Амбриз-Варгас и др. , Приложение ACS. Матер. Интерфейсы 9 , 13262 (2017). https://doi.org/10.1021/acsami.6b1617321. Ф. Амбриз-Варгас и др. , заявл. физ. лат. 110 , 093106 (2017).https://doi.org/10.1063/1.4977028 Однако сопротивление переходов 20 20. F. Ambriz-Vargas et al. , Приложение ACS. Матер. Интерфейсы 9 , 13262 (2017). https://doi.org/10.1021/acsami.6b16173 интригующе на несколько порядков меньше, чем в данном случае, что затрудняет понимание и сравнение. Недавние результаты, полученные в эпитаксиальных пленках, аналогичным образом выращенных на LSMO и использующих Pt в качестве верхних электродов, показывают аналогичные значения сопротивления. 22 22.Б. Прасад и др. , Доп. Электрон. Матер. 7 , 2001074 (2021). https://doi.org/10.1002/aelm.202001074 В поликристаллическом HZO такие большие значения сопротивления, как измеренные в эпитаксиальных пленках, наблюдаются только в более толстых пленках. 23 23. Y. Goh et al. , заявл. физ. лат. 117 , 242901 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0029516 Это согласуется с заявленным вкладом границ зерен в электрический транспорт. На рисунках 3(c) и 3(d) показано электросопротивление GSO//HZO и GSO//HZO/STO1. образцы.Можно понять, что влияние напряжения записи аналогично тому, которое наблюдается для HZO на подложках STO [Фиг. 3(а) и 3(б)]. Однако очевидно, что полезная роль укупорки STO менее заметна. Это наблюдение предполагает, что покрывающий слой STO оказывает большое влияние на перенос заряда вдоль границ зерен, которых больше в STO//HZO, чем в GSO//HZO. Обратите внимание, что GSO//HZO демонстрирует меньшее сопротивление (9,3–17 МОм) и электросопротивление (0,8%–1,2%), чем аналогичные образцы, о которых сообщалось в другом месте, 17 17.М. Черво Сульцбах и др. , Приложение ACS. Электрон. Матер. 3 , 3657 (2021). https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c00604, вероятно, из-за сильной зависимости туннельного тока от толщины и небольших различий в толщине образцов. Данные, приведенные выше, показывают, что покрытие STO образцов STO//HZO и GSO//HZO увеличивает общее сопротивление устройства, как показано на рис. 3 (e), где LRS и HRS для образцов с и без покрывающего слоя, выращенных на обоих STO. показаны субстраты GSO.Затем мы переходим к изучению роли покрывающего слоя в изменчивости ER от соединения к соединению (было измерено до 15 соединений) на том же образце. Необработанные данные о состояниях сопротивления ВКЛ и ВЫКЛ (LRS и HRS), записанные на соединениях STO//HZO и STO//HZO/STO1 соответственно, включены в дополнительный материал S4. Наиболее показательные результаты представлены на рис. 4(a) и 4(b), где показано распределение R N /R означает зарегистрированных значений, где R означает – среднее значение распределения сопротивления {R N } для STO/ ХЗО и СТО//ХЗО/СТО1.Данные наглядно показывают, что покрытие диэлектриком STO позволяет уменьшить разброс значений сопротивления туннельных переходов в устройстве. Обратите внимание, что ER был измерен с контактным наконечником, помещенным непосредственно на электроды. Следовательно, нельзя исключать, что на наблюдаемую более высокую воспроизводимость состояний сопротивления в устройствах с колпачками может также влиять различная механическая стабильность устройства с колпачками. В то же время выносливость определенно повышается, как показано на рис.4(с) и 4(d). Действительно, очевидная деградация состояний LRS/HRS и контраст их сопротивлений в переходах на голых STO//HZO (рис. 4(c)] пленка значительно улучшается за счет покрытия STO [Рис. 4(г)]. Обратите внимание, что в образцах STO//HZO/STO1 сопротивление увеличивается во время езды на велосипеде, вероятно, благодаря тому же механизму, который вызывает увеличение сопротивления во время тренировки на устройстве. Аналогично, как видно на рис. 5(a) и 5(b), разброс значений сопротивления между различными переходами HZO, выращенными на GSO, также уменьшается за счет покрытия STO.Соответствующие необработанные данные включены в дополнительный материал S5. Вместо этого выносливость переходов на ГСО/ГЗО/СТО1 [рис. 5(d)] подобен образцу GSO/HZO без колпачка [на рис. 5(c) не наблюдается заметного ЭР]. Для образцов STO//HZO/STO1 и GSO//HZO и GSO//HZO/STO1 были собраны соответствующие РФЭС-спектры. Чтобы иметь возможность исследовать различные глубины под поверхностью HZO, данные были собраны при различных углах излучения θ (θ = 0 °, 45 ° и 60 °) по отношению к нормальному направлению образца.На рис. 6(a) и 6(b) показаны спектры основного уровня Hf-4f образцов STO//HZO и STO//HZO/STO1. Во всех спектрах доминирует спин-орбитальный дублет с линией Hf-4f 7/2 при энергии связи (BE) BE = 17,58 эВ, соответствующей Hf 4+ в стехиометрических соединениях HfO 2 . 24,25 24. Черникова А. и др. , Приложение ACS. Матер. Интерфейсы 8 , 7232 (2016 г.). https://doi.org/10.1021/acsami.5b1165325. В. Хамуда и др. , Дж.заявл. физ. 127 , 064105 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5128502 Интенсивность линий Hf 4f в STO//HZO/STO слабее, чем в голом образце STO//HZO из-за ослабления убегающих электронов на верхнем покрывающем слое STO . Поэтому, чтобы можно было сравнить форму РФЭС при разных углах излучения и на разных образцах, измеренная интенсивность нормирована на максимум линии Hf-4f 7/2 . Слабый синглет, видимый при BE = 22,6 эВ, происходит от основных уровней O 2s .Интересно, что в STO//HZO интенсивность линии O 2s явно более выражена при нормальном падении, чем при наклонном падении, что свидетельствует о том, что поверхность STO//HZO каким-то образом подавлена ​​кислородом. Примечательно, что в STO//HZO/STO1 [рис. 6(b)], эта угловая эмиссионная зависимость линии O 2s исчезает, и исследуемая глубина образца оказывается однородной по содержанию кислорода. В какой степени это изменение отражает модификацию (обогащение) концентрации кислорода в верхних слоях HZO в закрытом образце или просто является результатом дополнительного вклада сигнала O 2s от покрытия STO, эти эксперименты не могут различить.С другой стороны, исследование нижнего края энергии связи Hf 4f представляет интерес, так как возможное присутствие восстановленных частиц Hf, таких как Hf 3+ , может привести к появлению соответствующих основных уровней, как это наблюдается в HfO 2-x . 26 26. Л. Порте и др. , физ. Ред. В 28 , 3214 (1983). https://doi.org/10.1103/physrevb.28.3214 Данные на рис. 6(a) и 6(b) показаны спектры XPS Hf-4f голой пленки HZO и пленок HZO/STO. Вертикальными пунктирными линиями показаны ожидаемые положения линий Hf 4+ и Hf 3+ .Сравнение данных на рис. 6(а) и 6(б) обнаруживает небольшую, но заметную разницу в низкоэнергетическом хвосте, где ожидается положение Hf 3+ , которое определенно более выражено в закрытом образце. Спектры XPS на уровне ядра Hf-4f для GSO//HZO и GSO//HZO/STO показывают меньшие различия (см. дополнительный материал, S6). Кроме того, данные, зависящие от угловой эмиссии, на рис. 6(b) предполагают, что вклад Hf 3+ в хвост более выражен при приближении к скользящему падению.Это можно ясно оценить на рис. 6(d)–6(f), где указана деконволюция линий XPS на линии Hf 4+ и Hf 3+ (и O-2s). Наблюдаемая вариация Hf 3+ /Hf 4+ предполагает более богатую фракцию Hf 3+ на границе раздела HZO/STO. Следовательно, поверхность раздела будет более уменьшенной, возможно, из-за поглощения кислорода выращенным слоем STO (количественная оценка вклада Hf 3+ включена в дополнительный материал, S7).Спектры Ti 2p покрывающего слоя STO также были зарегистрированы при различных углах излучения [рис. 6(с)]. В спектрах Ti 2p наблюдается спин-орбитальный дублет 2p 3/2 и 2p 1/2 , где EB(2p 3/2 ) = 458,7 эВ характерно для Ti 4+ , а данные зарегистрированные под разными углами излучения, совпадают. Никаких особенностей, указывающих на присутствие Ti 3+ , не наблюдается ни при каком угле эмиссии. Спектры Ti 2p покровного слоя STO также практически неотличимы от спектров голых подложек STO.Здесь уместно напомнить, что более ранний спектр потерь энергии электронов (EELS), зарегистрированный на (толщиной 4,5 нм) пленках HZO, покрытых STO, предполагал присутствие восстановленных частиц Ti 3+ в покрывающем слое, 16 16. M.C. Sulzbach et al. , Доп. Функц. Матер. 30 , 2002638 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.202002638, которые не видны в данных XPS настоящей гетероструктуры HZO/STO. В любом случае, как показано ниже, покрывающий слой имеет то преимущество, что создает конформное покрытие слоя HZO.Высокое пространственное разрешение, обеспечиваемое сканирующей просвечивающей электронной микроскопией (STEM) с коррекцией аберраций, позволяет наблюдать конформное покрытие пленки HZO защитной пленкой STO толщиной 1 нм. На рисунке 7 (а) показано изображение кольцевого темного поля под большим углом (HAADF) в поперечном сечении, где нижний электрод LSMO (выращенный на STO), пленка HZO, покрывающая пленка STO (1 нм) и верхний электрод Pt могут наблюдается снизу вверх по изображению. В частности, конформное покрытие HZO слоем STO (1 нм) становится очевидным при наложении химической карты L-края Ti, интегрированной из соответствующего спектра потерь энергии электронов (EELS), на изображение HAADF, как показано на правой вставке. рис.7(а). Отметим, что покрывающий слой STO конформно покрывает границы между зернами (ГЗ) в пленке HZO. Дальнейшее доказательство высокого качества стека представлено на рис. 7 (б), где изображение HAADF и соответствующие химические карты Pt–M, Sr–L, Ti–L, Hf–M и Zr–L EELS показана более широкая горизонтальная область. Разрешение изображения не позволяет раскрыть кристаллическое состояние верхнего слоя STO. Однако изображения STEM аналогичного покрытия на относительно более толстых пленках HZO (4,8 нм), выращенных в номинально идентичных условиях, позволили нам наблюдать кристаллическую природу покровного слоя STO. 16 16. M.C. Sulzbach et al. , Доп. Функц. Матер. 30 , 2002638 (2020). https://doi.org/10.1002/adfm.202002638 Поэтому вполне вероятно, что верхний слой STO здесь, кроме того, что конформно покрывает HZO, еще и кристаллический. Обратите внимание, что в образцах с колпачком интерфейс (STO/Pt) должен отличаться от интерфейса без колпачка (HZO/Pt) из-за химического состава дефектов, электронных реконструкций и/или выравнивания полос. Имеющиеся данные, включая EELS и STEM, не позволяют решить этот вопрос.

    %PDF-1.7 % 367 0 объект > эндообъект внешняя ссылка 367 174 0000000016 00000 н 0000005972 00000 н 0000006129 00000 н 0000006173 00000 н 0000006660 00000 н 0000007286 00000 н 0000007323 00000 н 0000007946 00000 н 0000008060 00000 н 0000008176 00000 н 0000008271 00000 н 0000008816 00000 н 0000009586 00000 н 0000009977 00000 н 0000010509 00000 н 0000010906 00000 н 0000011362 00000 н 0000011742 00000 н 0000012059 00000 н 0000012640 00000 н 0000013127 00000 н 0000013671 00000 н 0000014363 00000 н 0000014487 00000 н 0000015231 00000 н 0000015954 00000 н 0000016067 00000 н 0000018717 00000 н 0000024407 00000 н 0000027065 00000 н 0000030874 00000 н 0000035440 00000 н 0000036670 00000 н 0000036794 00000 н 0000036910 00000 н 0000036989 00000 н 0000037068 00000 н 0000037143 00000 н 0000037289 00000 н 0000037446 00000 н 0000037592 00000 н 0000037749 00000 н 0000037863 00000 н 0000038094 00000 н 0000038486 00000 н 0000038874 00000 н 0000039103 00000 н 0000039274 00000 н 0000039420 00000 н 0000039650 00000 н 0000040024 00000 н 0000040311 00000 н 0000040713 00000 н 0000041092 00000 н 0000041412 00000 н 0000041643 00000 н 0000041890 00000 н 0000042036 00000 н 0000042267 00000 н 0000042618 00000 н 0000042992 00000 н 0000043380 00000 н 0000043611 00000 н 0000043807 00000 н 0000043961 00000 н 0000044349 00000 н 0000044737 00000 н 0000044883 00000 н 0000045037 00000 н 0000045268 00000 н 0000045579 00000 н 0000045967 00000 н 0000046355 00000 н 0000046551 00000 н 0000046697 00000 н 0000047085 00000 н 0000047491 00000 н 0000047775 00000 н 0000048006 00000 н 0000048177 00000 н 0000048331 00000 н 0000048678 00000 н 0000048799 00000 н 0000048945 00000 н 0000049333 00000 н 0000049564 00000 н 0000049736 00000 н 0000049890 00000 н 0000050278 00000 н 0000050666 00000 н 0000050811 00000 н 0000050965 00000 н 0000051353 00000 н 0000051759 00000 н 0000052043 00000 н 0000052214 00000 н 0000052368 00000 н 0000052514 00000 н 0000052668 00000 н 0000052899 00000 н 0000053256 00000 н 0000053644 00000 н 0000053875 00000 н 0000054044 00000 н 0000054190 00000 н 0000054336 00000 н 0000054490 00000 н 0000054603 00000 н 0000054907 00000 н 0000054954 00000 н 0000059141 00000 н 0000059220 00000 н 0000059295 00000 н 0000059441 00000 н 0000059598 00000 н 0000059986 00000 н 0000060217 00000 н 0000060363 00000 н 0000060517 00000 н 0000060592 00000 н 0000060667 00000 н 0000060813 00000 н 0000060970 00000 н 0000061116 00000 н 0000061270 00000 н 0000061345 00000 н 0000061659 00000 н 0000061733 00000 н 0000061756 00000 н 0000061834 00000 н 0000062207 00000 н 0000062273 00000 н 0000062390 00000 н 0000062413 00000 н 0000062491 00000 н 0000062838 00000 н 0000062904 00000 н 0000063021 00000 н 0000069356 00000 н 0000069395 00000 н 0000069470 00000 н 0000069493 00000 н 0000069571 00000 н 0000069950 00000 н 0000070016 00000 н 0000070133 00000 н 0000070645 00000 н 0000070720 00000 н 0000070743 00000 н 0000070821 00000 н 0000070895 00000 н 0000071259 00000 н 0000071542 00000 н 0000071608 00000 н 0000071724 00000 н 0000071799 00000 н 0000071822 00000 н 0000071900 00000 н 0000072273 00000 н 0000072339 00000 н 0000072456 00000 н 0000072953 00000 н 0000073273 00000 н 0000073348 00000 н 0000073371 00000 н 0000073449 00000 н 0000073818 00000 н 0000073884 00000 н 0000074001 00000 н 0000074572 00000 н 0000081099 00000 н 0000086159 00000 н 0000149528 00000 н 0000003776 00000 н трейлер ]/предыдущая 1443992>> startxref 0 %%EOF 540 0 объект >поток hV{PSW?$7`%ѲbkFAL1*`NJ^@*iq:3 ENA]j:kGuum~&(j{s}I”Мой D!A(x7ϊ)JFQ” D!P3##λ\̎J4~Gu.ÌK[tk+]4&,wy`m?qno_ǹ];vZ̊x

    Страница не найдена | Группа Присмиан

    ДАННЫЙ ВЕБ-САЙТ (И ИНФОРМАЦИЯ, СОДЕРЖАЩАЯСЯ НА НЕГО) НЕ СОДЕРЖИТ И НЕ ПРЕДСТАВЛЯЕТ СОБОЙ ПРЕДЛОЖЕНИЕ О ПРОДАЖЕ ЦЕННЫХ БУМАГ ИЛИ ПРЕДЛОЖЕНИЕ О ПРЕДЛОЖЕНИИ ПОКУПКИ ИЛИ ПОДПИСКИ НА ПРЕДЛОЖЕНИЕ ИЛИ ТРЕБОВАНИЕ ТРЕБУЕТ УТВЕРЖДЕНИЯ МЕСТНЫХ ВЛАСТЕЙ ИЛИ ИНЫМ ОБРАЗОМ ЯВЛЯЕТСЯ НЕЗАКОННЫМ (« ДРУГИЕ СТРАНЫ »). ЛЮБОЕ ПУБЛИЧНОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ БУДЕТ ПРОВОДИТЬСЯ В ИТАЛИИ В СООТВЕТСТВИИ С ПРОСПЕКТОМ, НАДЛЕЖАЩИМ РАЗРЕШЕНИЕМ CONSOB В СООТВЕТСТВИИ С ПРИМЕНИМЫМИ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВАМИ.ЦЕННЫЕ БУМАГИ, УКАЗАННЫЕ ЗДЕСЬ, НЕ БЫЛИ ЗАРЕГИСТРИРОВАНЫ И НЕ БУДУТ РЕГИСТРИРОВАНЫ В СОЕДИНЕННЫХ ШТАТАХ В СООТВЕТСТВИИ С ЗАКОНОМ США О ЦЕННЫХ БУМАГАХ 1933 ГОДА С ПОПРАВКАМИ (« ЗАКОН О ЦЕННЫХ БУМАГАХ ») ИЛИ В СООТВЕТСТВИИ С СООТВЕТСТВУЮЩИМИ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВАМИ, ДЕЙСТВУЮЩИМИ В ДРУГИХ СТРАНАХ И НЕ МОЖЕТ БЫТЬ ПРЕДЛОЖЕН ИЛИ ПРОДАН В США ИЛИ КОМПАНИИ «U. S. ЛИЦА», ЕСЛИ ТАКИЕ ЦЕННЫЕ БУМАГИ НЕ ЗАРЕГИСТРИРОВАНЫ В СООТВЕТСТВИИ С ЗАКОНОМ О ЦЕННЫХ БУМАГАХ ИЛИ ЕСТЬ ОСВОБОЖДЕНИЕ ОТ ТРЕБОВАНИЙ РЕГИСТРАЦИИ ЗАКОНА О ЦЕННЫХ БУМАГАХ. КОМПАНИЯ НЕ НАМЕРЕНА РЕГИСТРИРОВАТЬ ЛЮБУЮ ЧАСТЬ ЛЮБОГО ПРЕДЛОЖЕНИЯ В СОЕДИНЕННЫХ ШТАТАХ.

    ЛЮБОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ ЦЕННЫХ БУМАГ В ЛЮБОЙ СТРАНЕ-ЧЛЕНЕ ЕВРОПЕЙСКОЙ ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЗОНЫ (« ЕЭЗ »), ПРИНЯВШЕЙ ДИРЕКТИВУ О ПРОСПЕКТАХ (КАЖДОЕ, « СООТВЕТСТВУЮЩЕЕ ГОСУДАРСТВО-Член »), БУДЕТ СОВЕРШЕНО НА ОСНОВЕ ПРОСП УТВЕРЖДЕНО КОМПЕТЕНТНЫМ ОРГАНОМ И ПУБЛИКУЕТСЯ В СООТВЕТСТВИИ С ДИРЕКТИВОЙ О ПРОСПЕКТАХ (« РАЗРЕШЕННАЯ ПУБЛИЧНАЯ ОФЕРТА ») И/ИЛИ В СООТВЕТСТВИИ С ОСВОБОЖДЕНИЕМ В СООТВЕТСТВИИ С ДИРЕКТИВОЙ О ПРОСПЕКТАХ ОТ ТРЕБОВАНИЯ О ПУБЛИКАЦИИ ПРОСПЕКТА ПРЕДЛОЖЕНИЙ ЦЕННЫХ БУМАГ.

     СООТВЕТСТВЕННО ЛЮБОЕ ЛИЦО, ДЕЛАЮЩЕЕ ИЛИ НАМЕРЕННОЕ СДЕЛАТЬ ЛЮБОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ ЦЕННЫХ БУМАГ В СООТВЕТСТВУЮЩЕМ ГОСУДАРСТВЕ-ЧЛЕНЕ, КРОМЕ РАЗРЕШЕННОГО ПУБЛИЧНОГО ПРЕДЛОЖЕНИЯ, МОЖЕТ СДЕЛАТЬ ЭТО ТОЛЬКО В ОБСТОЯТЕЛЬСТВАХ, ПРИ КОТОРЫХ НЕ ВОЗНИКАЕТ ОБЯЗАТЕЛЬСТВ ПЕРЕД КОМПАНИЕЙ ИЛИ ЛЮБЫМ СОВМЕСТНЫМ ГЛОБАЛЬНЫМ КООРДИНАТОРОМ МЕНЕДЖЕРОВ ПУБЛИКУЮТ ПРОСПЕКТ В СООТВЕТСТВИИ СО СТАТЬЕЙ 3 ДИРЕКТИВЫ О ПРОСПЕКТАХ ИЛИ ДОПОЛНЯЮТ ПРОСПЕКТ В СООТВЕТСТВИИ СО СТАТЬЕЙ 16 ДИРЕКТИВЫ О ПРОСПЕКТАХ, В КАЖДОМ СЛУЧАЕ В ОТНОШЕНИИ ТАКОГО ПРЕДЛОЖЕНИЯ.

    ВЫРАЖЕНИЕ «ДИРЕКТИВА ПРОСПЕКТА» ОЗНАЧАЕТ ДИРЕКТИВУ 2003/71/EC (НАСТОЯЩАЯ ДИРЕКТИВА И ПОПРАВКИ К НЕЙ, ВКЛЮЧАЯ ДИРЕКТИВУ 2010/73/EC, В ТОМ ЧИСЛЕ, КОТОРЫЙ ПРИМЕНЯЕТСЯ В СООТВЕТСТВУЮЩЕМ ГОСУДАРСТВЕ-ЧЛЕНЕ, ВМЕСТЕ С ЛЮБЫМИ МЕРАМИ ПО РЕАЛИЗАЦИИ В ЛЮБОМ ГОСУДАРСТВЕ-ЧЛЕНЕ) .ИНВЕСТОРЫ НЕ ДОЛЖНЫ ПОДПИСЫВАТЬСЯ НА ЛЮБЫЕ ЦЕННЫЕ БУМАГИ, УПОМЯНУТЫЕ В ЭТОМ ДОКУМЕНТЕ, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ ОСНОВАНИЯ НА ОСНОВЕ ИНФОРМАЦИИ, СОДЕРЖАЩЕЙСЯ В ЛЮБОМ ПРОСПЕКТЕ.

    Подтверждение того, что удостоверяющая сторона понимает и принимает приведенный выше отказ от ответственности.

    Информация, содержащаяся в этом разделе, предназначена только для информационных целей и не предназначена и не открыта для доступа кем-либо, кто находится или является резидентом США, Австралии, Канады, Японии или любой из других стран.Я заявляю, что я не являюсь резидентом и не нахожусь в Соединенных Штатах, Австралии, Канаде или Японии или любых других странах, и я не являюсь «американцем». Лицо» (согласно Положению S Закона о ценных бумагах). Я прочитал и понял приведенный выше отказ от ответственности. Я понимаю, что это может повлиять на мои права. Я согласен быть связанным его условиями.

     

    Questo Sito Web NEL QUALE L’OFFERTA O SOLLECITAZIONE DEGLI STRUMENTI FINANZIARI SAREBBERO SOGGETTE ALL’AUTORIZZAZIONE DA PARTE DI AUTORITÀ LOCALI O COMUNQUE VIETATE AI SENSI DI LEGGE (GLI “ ALTRI PAESI “).QUALUNQUE OFFERTA PUBBLICA SARÀ REALIZZATA IN ITALIA SULLA BASE DI UN PROSPETTO, APPROVATO DA CONSOB IN CONFORMITÀ ALLA REGOLAMENTAZIONE APPLICABILE. GLI STRUMENTI FINANZIARI IVI INDICATI NON SONO STATI E NON SARANNO REGISTRATI AI SENSI DELLO U.S. SECURITIES ACT DEL 1933, COME SUCCESSIVAMENTE MODIFICATO (IL « SECURITIES ACT »), O AI SENSI DELLE CORRISPONDENTI NORMATIVE NEVIGENTI PAELI «AL EGENTI NEGLI» OFFERTI O VENDUTI NEGLI STATI UNITI O A «U.S. ЛИЦА» ЗАПИСАТЬСЯ НА ПРАВА РЕГИСТРАЦИИ ЗАКОНА О БУМАГАХ О БУМАГАХ В РЕГИСТРАЦИЯХ, ПРИМЕНЯЕМЫХ ЗАКОНОМ О БУМАГАХ О БУМАГАХ.NON SI INTENDE EFFETTUARE ALCUNA OFFERTA AL PUBBLICO DI TALI STRUMENTI FINANZIARI NEGLI STATI UNITI.

    Qualsiasi Offerta di Strumenti Finanziari в квааллизиазском статинском мембро Dello Spazio Everny Europeo (“ см. “) Che Abbia Recepito La Direttiva Prospetti (Ciascuno, Un ‘ Stato Membro Rilevante “) Sarà Effettuata Sulla Base Di O ООН проспект Approvato Dall’auTraità COMPETENTE E PUBBLICATO IN CONFORMITÀ A QUANTO PREVISTO DALLA DIRETTIVA PROSPETTI (L’“ OFFERTA PUBBLICA CONSENTITA ”) E/O AI SENSI DI UN’ESENZIONE DAL REQUISITO DI PUBBLICAZIONE DI UN PROSPETTO PER OFFERTIET PROFIETTID DVISTAMENTI FINANZI.

    Conseguentemente, Chiunque Effettui o Intenda Effettuare Un’Offerta di Strumenti Finanziari в Uno Stato Membro Rilevante Diversa Dall ‘”Offerta Pubblica Consentita” Può Farlo Esclusivamente Laddovy Non Sia Previsto Alcun Obligo на La Società o Uno Dei Совместный Глобальный координатор O DEI Manager Di Pubboy RISPETTIVAMENTE UN PROSPETTO AI SENSI DELL’ARTICOLO 3 DELLA DIRETTIVA PROSPETTO O INTEGRARE UN PROSPETTO AI SENSI DELL’ARTICOLO 16 DELLA DIRETTIVA PROSPETTO, IN RELAZIONE A TALE OFFERTA.

    L’ESPRESSIONE “DIRETTIVA PROSPETTI” INDICA LA DIRETTIVA 2003/71/CE (TALE DIRETTIVA E LE RELATIVE MODIFICHE, NONCHÉ LA DIRETTIVA 2010/73/UE, NELLA MISURA IN CUI SIA RECEPITA NELLO STATO MEMBRO AZTULSIAMENTI ASURADIMENTE ASURADIMENTE ASURADIMENTE НЕЛ ОТНОСИТЕЛЬНО СТАТУСА ЧЛЕНА). GLI INVESTITORI NON DOVREBBERO SOTTOSCRIVERE ALCUNO STRUMENTO FINANZIARIO SE NON SULLA BASE DELLE INFORMAZIONI CONTENUTE NEL RELATIVO PROSPETTO.

     

    Conferma che il certificante comprende e accetta il disclaimer sopraesposto.

    Документы, подтверждающие содержание, представляют собой раздел, в котором было выделено окончательное информационное сообщение, и не могут быть направлены или назначены всем лицам, которым предоставлен доступ или является резидентом, не принадлежащим государству, в Австралии, Канаде или Джаппоне или в одном из Альтри Паэси. Dichiaro di non essere soggetto residente o trovarmi negli Stati Uniti, in Australia, Canada o Giappone o uno degli Altri Paesi e di non essere una «резидент США» (ai sensi della Regulation S del Securities Act).

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.