Bs170 характеристики: BS170, Транзистор полевой 60В 0.5А 0.83Вт ON Semiconductor купить оптом и в розницу

alexxlab | 15.05.2023 | 0 | Разное

BS170-D26Z от 27 рублей в наличии 2455 шт производства ONSEMI BS170D26Z

всего в наличии 2455 шт

Количество	Цена ₽/шт
5	100
10	32100″> 81
100	55
500	12300″> 31
2000	28.6
6000	11100″> 28
16000	27.3
30000	10600″> 27

В корзину

и получите

+4 балла

Бесплатная доставка

Транзистор полевой BS170

• Arduino, модули, датчики
• DC-DC преобразователи
• Flash карты и адаптеры
• Wi-Fi адаптеры и повторители
• Аудио усилители
• Батарейки, аккумуляторы
• Бытовые удлинители, адаптеры и разветвители
• Вентиляторы
• Граверы и аксессуары
• Дисплеи и индикаторы
• Зарядные устройства
• Измерительные приборы
• Инструменты
• Источники питания
• Кабели и шнуры
• Калькуляторы
• Клеевые пистолеты
• Коммутация
• Компьютерные аксессуары
• Компьютерные комплектующие
• Материалы для пайки и монтажа
• Наушники
• Паяльное оборудование
• Паяльные станции и фены
• Пульты
• Радиодетали
  • Конденсаторы
  • Резисторы
  • Диодный мост
  • Стабилизаторы напряжения и тока
  • Датчики
  • Транзисторы
    • Полевые транзисторы
    • Биполярные транзисторы
    • Транзисторы IGBT
  • Микросхемы
  • Катушка индуктивности
  • Ионистор
  • Реле
  • Диоды
  • Тиристоры и симисторы
  • Оптопары
• Разъемы
• Светодиодное освещение
• Радиоприемники
• Текстолит и макетные платы
• Трансформаторы
• Фонари
• Электрика
• Электромоторы

Новые поступления:

• Понижающий DC-DC преобразователь XH-M133
• ШИМ генератор XY-LPWM
• Райзер PCI-E 16x to 1x 60cm USB 3. 0

  25.00 руб

• Кабель HDMI 5м

  17.00 руб

• Кабель HDMI 1.5м

  8.00 руб

MMBF170 – Полевой транзистор

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (MMBF170 — полевой транзистор — N-канальный, улучшенный режим) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать 2022-04-29T09:33:31-07:00BroadVision, Inc.2022-04-29T09:36:22-07:002022-04-29T09:36:22-07:00Acrobat Distiller 22.0 (Windows)application/pdf

MMBF170 – полевой транзистор – N-канальный, режим расширения

онсеми

Эти полевые транзисторы с улучшенным N-канальным режимом производятся с использованием запатентованной onsemi технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Эти продукты были разработаны для минимизации сопротивления во включенном состоянии, обеспечивая при этом прочную, надежную и быструю коммутацию. Их можно использовать в большинстве приложений, требующих постоянного тока до 500 мА. Эти продукты особенно подходят для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление небольшими серводвигателями, драйверы затворов мощных полевых МОП-транзисторов и другие коммутационные приложения.

UUID: a19cde3f-6d0c-46c2-a5d3-2cae0956d96fuuid: 450d816f-1861-4727-a242-f82f352b39bd конечный поток эндообъект 6 0 объект > эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > эндообъект 24 0 объект > транслировать HTVIn-7)Ќ rE)RjC(=~KI~/N?8J-S’FK咾mfj

BS170 N-channel MOSFET Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание

15 марта 2018 – 0 комментариев

BS170 N-канальный МОП-транзистор
BS170 N-канальный MOSFET Распиновка

Конфигурация контактов

Номер контакта	Название контакта	Описание
1	Д	Дренажный терминал
2	Г	Клемма ворот, используется для включения
3	С	Терминал источника

 

Характеристики

• Бессвинцовое устройство
• Низкое напряжение смещения и ошибки
• Простой привод без буфера
• Конструкция ячейки с высокой плотностью для минимизации сопротивления во включенном состоянии RDS(ON)
• Малый сигнальный выключатель, управляемый напряжением
• Особенно подходит для низковольтных и слаботочных приложений
• Способность к высокому току насыщения
• Прочный и надежный
• Быстрое переключение (TON = 4 нс)

 

Технические характеристики

• Напряжение сток-исток (VDS): 60 В
• Напряжение затвор-исток (VGS):
  • Длительно: ±20 В
  • Неповторяющийся: ±40 Впик
• Ток стока (ID):
  • Непрерывный: 500 мА
  • Неповторяющийся: 1200 мА
• Низкое сопротивление во включенном состоянии: 2,5 Ом
• Низкая входная емкость: 22 пФ
• Температура свинца для пайки: 300 ℃ (макс. )
• Характеристики переключения:
  • Время включения (TON): от 4 до 10 нс
  • Время выключения (TOFF): от 4 до 10 нс
• Диапазон рабочих температур и температур хранения: от -55 до 150 ℃

 

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в Техническом описании BS170 , ссылка на которое находится внизу этой страницы.

 

BS170 Эквивалент MOSFET

2N7000, 2N7002, VQ1000J, VQ1000P, IRLML2502

 

4 Где использовать SFET

4?

Изготовлено по технологии DMOS , лучше всего подходит для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление серводвигателями, силовые драйверы затворов MOSFET и другие переключающие приложения. BS170 используется в большинстве приложений, требующих постоянного тока до 500 мА. Также используется в высокоскоростных цепях.