Bs170 характеристики: BS170, Транзистор полевой 60В 0.5А 0.83Вт ON Semiconductor купить оптом и в розницу

alexxlab | 15.05.2023 | 0 | Разное

BS170-D26Z от 27 рублей в наличии 2455 шт производства ONSEMI BS170D26Z

всего в наличии 2455 шт

Количество Цена ₽/шт
5 100
10 32100″> 81
100 55
500
12300″> 31
2000 28.6
6000 11100″> 28
16000 27.3
30000 10600″> 27

В корзину

и получите

+4 балла

Бесплатная доставка

Транзистор полевой BS170

  • Arduino, модули, датчики
  • DC-DC преобразователи
  • Flash карты и адаптеры
  • Wi-Fi адаптеры и повторители
  • Аудио усилители
  • Батарейки, аккумуляторы
  • Бытовые удлинители, адаптеры и разветвители
  • Вентиляторы
  • Граверы и аксессуары
  • Дисплеи и индикаторы
  • Зарядные устройства
  • Измерительные приборы
  • Инструменты
  • Источники питания
  • Кабели и шнуры
  • Калькуляторы
  • Клеевые пистолеты
  • Коммутация
  • Компьютерные аксессуары
  • Компьютерные комплектующие
  • Материалы для пайки и монтажа
  • Наушники
  • Паяльное оборудование
  • Паяльные станции и фены
  • Пульты
  • Радиодетали
    • Конденсаторы
    • Резисторы
    • Диодный мост
    • Стабилизаторы напряжения и тока
    • Датчики
    • Транзисторы
      • Полевые транзисторы
      • Биполярные транзисторы
      • Транзисторы IGBT
    • Микросхемы
    • Катушка индуктивности
    • Ионистор
    • Реле
    • Диоды
    • Тиристоры и симисторы
    • Оптопары
  • Разъемы
  • Светодиодное освещение
  • Радиоприемники
  • Текстолит и макетные платы
  • Трансформаторы
  • Фонари
  • Электрика
  • Электромоторы

    Новые поступления:

  • Понижающий DC-DC преобразователь XH-M133
  • ШИМ генератор XY-LPWM
  • Райзер PCI-E 16x to 1x 60cm USB 3. 0

    25.00 руб

  • Кабель HDMI 5м

    17.00 руб

  • Кабель HDMI 1.5м

    8.00 руб

MMBF170 – Полевой транзистор

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 5 0 объект /Title (MMBF170 — полевой транзистор — N-канальный, улучшенный режим) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > транслировать 2022-04-29T09:33:31-07:00BroadVision, Inc.2022-04-29T09:36:22-07:002022-04-29T09:36:22-07:00Acrobat Distiller 22.0 (Windows)application/pdf

  • MMBF170 – полевой транзистор – N-канальный, режим расширения
  • онсеми
  • Эти полевые транзисторы с улучшенным N-канальным режимом производятся с использованием запатентованной onsemi технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Эти продукты были разработаны для минимизации сопротивления во включенном состоянии, обеспечивая при этом прочную, надежную и быструю коммутацию.
    Их можно использовать в большинстве приложений, требующих постоянного тока до 500 мА. Эти продукты особенно подходят для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление небольшими серводвигателями, драйверы затворов мощных полевых МОП-транзисторов и другие коммутационные приложения.
  • UUID: a19cde3f-6d0c-46c2-a5d3-2cae0956d96fuuid: 450d816f-1861-4727-a242-f82f352b39bd конечный поток эндообъект 6 0 объект >
    эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 90 объект > эндообъект 10 0 объект > эндообъект 11 0 объект > эндообъект 12 0 объект > эндообъект 13 0 объект > эндообъект 14 0 объект > эндообъект 15 0 объект > эндообъект 16 0 объект > эндообъект 17 0 объект > эндообъект 18 0 объект > эндообъект 19 0 объект > эндообъект 20 0 объект > эндообъект 21 0 объект > эндообъект 22 0 объект > эндообъект 23 0 объект > эндообъект 24 0 объект > транслировать HTVIn-7)Ќ rE)RjC(=~KI~/N?8J-S’FK咾mfj

    BS170 N-channel MOSFET Распиновка, характеристики, эквивалент и техническое описание

    15 марта 2018 – 0 комментариев

        BS170 N-канальный МОП-транзистор
        BS170 N-канальный MOSFET Распиновка

    Конфигурация контактов

    Номер контакта

    Название контакта

    Описание

    1

    Д

    Дренажный терминал

    2

    Г

    Клемма ворот, используется для включения

    3

    С

    Терминал источника

     

    Характеристики
    • Бессвинцовое устройство
    • Низкое напряжение смещения и ошибки
    • Простой привод без буфера
    • Конструкция ячейки с высокой плотностью для минимизации сопротивления во включенном состоянии RDS(ON)
    • Малый сигнальный выключатель, управляемый напряжением
    • Особенно подходит для низковольтных и слаботочных приложений
    • Способность к высокому току насыщения
    • Прочный и надежный
    • Быстрое переключение (TON = 4 нс)

     

    Технические характеристики
    • Напряжение сток-исток (VDS): 60 В
    • Напряжение затвор-исток (VGS):
      • Длительно: ±20 В
      • Неповторяющийся: ±40 Впик
    • Ток стока (ID):
      • Непрерывный: 500 мА
      • Неповторяющийся: 1200 мА
    • Низкое сопротивление во включенном состоянии: 2,5 Ом
    • Низкая входная емкость: 22 пФ
    • Температура свинца для пайки: 300 ℃ (макс. )
    • Характеристики переключения:
      • Время включения (TON): от 4 до 10 нс
      • Время выключения (TOFF): от 4 до 10 нс
    • Диапазон рабочих температур и температур хранения: от -55 до 150 ℃

     

    Примечание: Полную техническую информацию можно найти в Техническом описании BS170 , ссылка на которое находится внизу этой страницы.

     

    BS170 Эквивалент MOSFET

    2N7000, 2N7002, VQ1000J, VQ1000P, IRLML2502

     

    4 Где использовать SFET

    4?

    Изготовлено по технологии DMOS , лучше всего подходит для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление серводвигателями, силовые драйверы затворов MOSFET и другие переключающие приложения. BS170 используется в большинстве приложений, требующих постоянного тока до 500 мА. Также используется в высокоскоростных цепях.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *