Диод 105 характеристики: КД105Б, Диффузионный кремниевый диод, Россия

alexxlab | 14.09.1973 | 0 | Разное

Содержание

Диод КД105 — DataSheet

Корпус диода КД105

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цветной точкой на корпусе: КД105В — зеленой; КД105Г —красной; у КД105Б точка отсутствует. Положительный вывод диода обозначается желтой полоской. Масса диода не более 0,3 г.

При работе на емкостную нагрузку действующее значение го тока не должно превышать 1,57Iпр,ср макс.

 

Параметры диода КД105
ПараметрОбозначениеМаркировкаЗначениеЕд. изм.
АналогиКД105В1N535
КД105Г1N1257
Максимальное постоянное обратное напряжение.		Uo6p max, Uo6p и maxКД105Б400*В
КД105В800*
КД105Г800*
Максимальный постоянный прямой ток.Iпp max, Iпp ср max, I*пp и maxКД105Б300мА
КД105В300
КД105Г300
Максимальная рабочая частота диодаfд maxКД105Б1кГц
КД105В1
КД105Г1
Постоянное прямое напряжениеUпр не более (при Iпр, мА)КД105Б1 (300)В
КД105В1 (300)
КД105Г1 (300)
Постоянный обратный токIобр не более (при Uобр, В)КД105Б100 (400)мкА
КД105В100 (600)
КД105Г100 (800)
Время обратного восстановления — время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значенияtвос, обрКД105Б—мкс
КД105В—
КД105Г—
Общая емкостьСд (при Uобр, В)КД105Б—пФ
КД105В—
КД105Г—

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

 

Зависимость прямого тока от напряжения

Зависимость допустимого обратного напряжения от температуры

Зависимость обратного тока от напряжения для КД105Б

Зависимость обратного тока от напряжения для КД105В

Зависимость обратного тока от напряжения для КД105Г

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

описание и применение, технические характеристики, аналоги

Практически в любых импортных электронных устройствах можно встретить диоды 1n400х. Учитывая популярность этой серии, имеет смысл детально ознакомиться с описанием ее топового элемента. Речь идет о диоде 1N4007.Давайте рассмотрим его основные технические характеристики, назначение, маркировку и возможность замены отечественными и зарубежными аналогами.

Описание и применение диода 1n4007

В даташите этого элемента указано, что он является выпрямительным маломощным кремниевым диодом, который производится в корпусе из негорючего пластика (тип D0-41).

Конструкция, цоколевка и типовые размеры устройства приведены ниже.

Конструкция полупроводникового элемента

Допустимые отклонения в размерах приведены в таблице:

Обозначения на рисункеМиллиметрыДюймы
minMaxminmax
A4,105,200,1610,205
В2,002,700,0790,106
С0,710,860,0280,034
D25,40—1,000—
E—1.27—0.05

Эти полупроводники также выпускаются в стандартном smd-корпусе (тип  D0-214), что делает возможным их использование в миниатюрных электронных устройствах.

1N4007 (M7) в SMD исполнении (катод отмечен полоской на корпусе)

Типовые размеры в миллиметрах для элементов SMD исполнения приведены ниже.

Размеры корпуса D0-214

Основное назначение устройства – преобразование переменного напряжение с рабочей частотой не более 70 Гц. Данный вид кремневых полупроводниковых элементов применяется в цепях и блоках питания различных электронных приборов малой и средней мощности.

Монтаж

Для установки элементов в корпусе D0-41 используется выводная схема монтажа, при этом допускается как горизонтальное, так и вертикальное положение детали (относительно печатной платы). Пайка должна производится «мягким» (низкотемпературным) припоем с точкой плавления менее 210-220°С, например, ПОС-61. Процесс должен занимать не более 10 секунд, чтобы не допустить перегрев элемента.

Заметим, что в даташите указана пороговая температура 260°С, но, как показывает практика, в данном случае лучше перестраховаться, чем испортить деталь и тратить время на ее выпаивание обратно.

Диоды в корпусе D0-215, как и все SMD элементы, устанавливаются по методике поверхностного монтажа, с применением для этой цели специальной паяльной пасты.

Технические характеристики in4007

Перечислим основные параметры для всей серии (информация взята с официального даташита производителя). Начнем с VRM (reverse voltage max) — допустимой величины обратного напряжения 1n400x (здесь и далее последняя цифра модели соответствует порядковому номеру в списке):

  1. 50 В;
  2. 100 В;
  3. 200 В;
  4. 500 В;
  5. 600 В;
  6. 800 В;
  7. 1000 В.

Допустимое RMS (среднеквадратическая величина):

  1. 35 В;
  2. 70 В;
  3. 140 В;
  4. 280 В;
  5. 420 В;
  6. 560 В;
  7. 700 В.

Пиковое значение Vdc:

  1. 50 В;
  2. 100 В;
  3. 200 В;
  4. 400 В;
  5. 600 В;
  6. 800 В;
  7. 1000 В.

Другие технические параметры:

  • Максимальное значение выпрямленного тока при работе в штатном режиме и температуре элемента 50 °С – 1 Ампер.
  • Допустимая величина тока при импульсе длительностью до 8 мсек – 30 Ампер.
  • Допустимый уровень падения напряжения на открытом переходе при силе тока 1 Ампер не более 1-го Вольта.
  • Пиковая величина обратного тока при штатном напряжении, при температуре элемента 30 °С – 5 мА, 90 °С – 50 мА.
  • Уровень емкости перехода – 15 пФ (значение приводится для постоянного напряжения 4,00 Вольта и частоты 1 МГц).
  • Уровень типичного теплового сопротивления – 50°С/Вт.
  • Максимальный уровень рабочей частоты – 1 МГц.
  • Границы диапазона рабочей температуры от -50 до 125 °С.
  • Быстродействие (стандартное время восстановления) более 500 нс;
  • Скорость обратного восстановления – 2 мс.
  • Допустимая температура хранения от -50 до 125 °С.
  • Вес элемента в корпусе в пластиковом корпусе D0-41 в пределах 0,33-0,35 грамм, для D0-214 – не более 0,3 г.

Маркировка диода in4007

Начнем с расшифровки для деталей в корпусе DO-41. Варианты нанесенных на него обозначений приводятся на рисунке.

Значимые элементы маркировки

Расшифровка:

  1. Наименование модели серии 1N4001-4007.
  2. Графический или буквенный или буквенно-цифровой код производителя радиодетали.
  3. Дата производства в формате месяц/год (приводится последние две цифры).

Поскольку SMD корпус имеет небольшой размер, то если нанести на него полное наименование модели, распознать надпись невооруженным глазом будет затруднительно. Поэтому название кодируется в соответствии с таблицей.

Таблица маркировки для smd-диодов серии 1N400x.

М1М2М3М4М5М6М7
1N4001!N40021N4003 1N40041N40051N40061N4007

Замена

Несмотря на распространенность данной модели, может возникнуть ситуация, при которой нужного диода не окажется в домашнем запаснике. В таком случае следует прибегнуть к поиску альтернативы. С этим не будет проблем, поскольку есть компоненты, полностью совместимые или близкие по характеристикам.

Отечественные аналоги 1n4007

Идеальный вариант для замены – КД 258Д, его характеристики практически идентичны импортной модели, а по некоторым параметрам он даже превосходит ее.

КД 258Д – практически полный аналог 1N4007

Не смотря на очевидные преимущества отечественного аналога, у него есть существенный недостаток – высокая стоимость (по сравнению с 1N4007). Оригинал стоит порядка $0.05, в то время, как наша деталь порядка $1. Согласитесь, разница существенная.

В некоторых случаях можно использовать диоды Д226, КД208-209, КД243 и КД105, но предварительно потребуется проанализировать их характеристики на предмет совместимости с режимом работы в том или ином устройстве.

Зарубежные аналоги

Среди импортных деталей более широкий выбор для полноценной замены, в качестве примера можно привести следующие модели:

  • HEPR0056RT, выпускается компанией Моторола;
  • среди продукции Томпсон есть два полных аналога: BYW27-1000 и BY156;
  • у Филипса это BYW43;
  • и три компонента (10D4, 1N2070, 1N3549) от компании Diotec Semiconductor.

Кратко о достоинствах

Следует признать, что модельный ряд 1n400x получился довольно удачным. Отличные характеристики для своего класса, универсальность и самая низкая цена по сравнению с аналогами, сыграли немаловажную роль в популярности диодов этой серии.

Также следует отметить высокий уровень взаимозаменяемости, в частности элемент 1N4007 можно смело устанавливать в качестве альтернативы любой модели этого семейства.

Как проверить 1N4007?

С проверкой данного полупроводникового компонента проблем не возникнет, он тестируется так же, как и обычные диоды. Для этого процесса нам понадобится только мультиметр или омметр.

Расскажем пошаговый алгоритм тестирования:

  1. включаем прибор и переводим его в режим «Прозвонка» так, как продемонстрировано на рисунке. Если у вас другая модель мультиметра, обратитесь к руководству пользователя, оно прилагается к каждому измерительному прибору. Режим для проверки диодов отмечен синим квадратом
  2. Подключаем щупы к проверяемой детали, причем красный к аноду, а черный к катоду. При такой полярности через диод 1N4007 будет проходить ток, что отобразится на дисплее прибора. Если он показывает бесконечно большое сопротивление, значит, можно с уверенностью констатировать внутренний обрыв, и на этом заканчивать тестирование.
  3. Меняем полярность подключения и смотрим на показания мультиметра. При смене направления (полярности) диод не пропускает через себя напряжение, следовательно, сопротивление будет бесконечно большим. Другие показания говорят о пробое перехода.

Этих действий вполне достаточно для определения работоспособности полупроводниковых диодов этой серии.

Роторный диод Д105-630

Код товара (131-143-17767)

МенеджерАлександр Сергеевич Игнатухин
E-Mail[email protected]
Многоканальный телефон/факс:
Харьков+38 (057) 729-80-81 (доб. 131)
Киевстар+38 (067) 573-21-01 (доб. 131)
МТС+38 (066) 750-14-96 (доб. 131)
Лайф+38 (093) 963-12-34 (доб. 131)

Количество Заказать

  • VRRM = 2000 – 2800 В
  • IF(AV) = 725 А (TC = 100 °C)
  • IF(AV) = 920 А (TC = 70 °C)
  • IFSM = 15 кA (Tj  = 175 °C)
  • фланцевая конструкция корпуса
  • допускают эксплуатацию в условиях центробежных и тангенциальных ускорении
 
 
МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
 
Наименование параметра		 Условное обозначение Значения параметров Единица измерения
мин. тип. макс.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение, Tj = – 60 °C …+ 175 °C VRRM 2000 – 2800  
 
В
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение,
Tj = – 60 °C …+ 175 °C		  
VRSM		  
2100		  
–		  
2900
Повторяющийся импульсный обратный ток, Tj  = 175 °C, VR =VRRM IRRM – – 50 мА
Максимально допустимый средний прямой ток, f = 50 Гц,
ТС = 100 °C ТС  = 70 °C		  
IF(AV)		  
–		  
–		  
 
725
920		  
 
А
Действующий прямой ток, f = 50 Гц, ТС = 70 °C IFRMS – – 1440
Ударный прямой ток,
VR = 0, Tj = 175 °C, tp = 10 мс		 IFSM – – 15 кА
Защитный показатель I2t – – 1125 кА2c
Температура перехода Tj – 60 – + 175 °C
Температура хранения Tstg – 60 – + 50
 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Импульсное прямое напряжение, IF  = 1978 A, Tj  = 25 °C VFM – – 1,60  
 
В
Пороговое  напряжение,
Tj  = 175 °C, IF = 950 – 3000 A		 V(TO) – – 1,00
Динамическое сопротивление, Tj  = 175 °C, IF  = 950 – 3000 A rT – – 0,40 мОм
Заряд обратного восстановления,
diF/dt = – 5 A/мкс, Tj = 175 °C, IF = 630 А, VR ? 100 В		 Qrr – – 1800 мкКл
 
ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ
Тепловое сопротивление переход – корпус, Rthjc – – 0,06 °С/Вт
 
МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Масса w – 0,58 – кг
Усилие прижима диодов к охладителям  
F		 10 – 14  
кН
Усилие прижима болтов для крепления диодов на вращающихся  выпрямителях 13 – 17
Центробежные ускорения, действующие вдоль оси симметрии диода в сторону основания:
длительные кратковременные (5 мин)		  
 
 
a		  
 
 
–		  
 
 
–		  
 
4800
6800		  
 
 
g
Длительные тангенциальные ускорения, действующие перпендикулярно оси диода 500
 
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ
Климатическое исполнение по ГОСТ 15150 УХЛ2, Т2

 

Диоды – Радиодетали

Под диодом обычно понимают электровакуумные или полупроводниковые приборы, которые пропускают переменный электрический ток только в одном направлении и имеют два контакта для включения в электрическую цепь. Односторонняя проводимость диода является его основным свойством.

В соответствии с системой обозначений, разработанной до 1964 г., сокращенное обозначение диодов состояло из двух или трех элементов.

Первый элемент буквенный, Д — диод.

Второй элемент — номер, соответствующий типу диода:

• 1…100 — точечные германиевые;
• 101…200— точечные кремниевые;
• 201…300 — плоскостные кремниевые;
• 801…900 — стабилитроны;
• 901…950 — варикапы;
• 1001…1100 — выпрямительные столбы;

Третий элемент — буква, указывающая разновидность прибора. Этот элемент может отсутствовать, если разновидностей диода нет.

НазваниеХарактеристикиАналоги
Д 2В30 V 25mA 150 МГцAA  131,GG 66H,IN128A
Д 2Е100 V 16mA 150 МГцCV 448
Д 2Ж150 V  8 mA 150 МГц
Д 2И150 V  8 mA 150 МГц
Д 7 А50 V 300mA
Д 7 Б100V 300mA
Д 7 В150V 300mA
Д 7 Г200 V 300mA
Д 7 Д300 V 300mA
Д 7 Е500 V 300mA
Д 7 Ж400 V 300mAS 19
Д 9 A10 V 40mA
Д 9 Б10 V 40mA
Д 9 В30 V 20mA
Д 9 Г30 V 30mA
Д 9 Д30 V 30mA
Д 9 Е50 V 20mA
Д 9 Ж100 V 15mA
Д 9 К30 V 30mA
Д 9 Л100 V 15mA
Д 9 М30 V 30mA
Д 1820V  16mA1S 307
Д 2010V  20mAдетекторные
Д 10175 V 30mA
Д 101А75 V 30mA
Д 101Б75 V 30mA
Д 10250 V 30mA
Д 102 А50 V 30mA
Д 10350 V 30mA
Д 104100 V 30mA
Д 105 А75 V 30mA
Д 10650 V 30mA
Д 106 А50 V 30mA
Д 203200 V 400mA
Д 204300 V 400mA
Д 205400 V 400mA
Д 206100 V 100mA
Д 207200 V 100mA
Д 208300 V 100mA
Д 209400 V 100mA
Д 210500 V 100mA
Д 211600 V 100mA
Д 214100 V 10A
Д 214 А100 V 10A
Д 214 Б100 V 5 A
Д 215200 V 10A
Д 215-ВП200 V 10A
Д 219 А70 V 50mA
Д 22050 V 50mA1N 3121
Д 220 А70 V 50mA1N 3121
Д 220 Б50 V 50mA1N 3121
Д 223150 V 50mA
Д 223 А150 V 50mA24J2
Д 223 Б150 V 50mA1N 5209
Д 226400 V 300mA1N 4001…07
Д 226 Б400 V 300mAO502
Д 226 В300 V 300mAO502
Д 226 Г200 V 300mA1N487A
Д 226 Д100 V 300mA
Д 226 Е200 V 300mA
Д 226 Ж100 V 300mA
Д 229 А200 V 400mA
Д 229 Б400 V 400mA
Д 229 Г200 V 300mA
Д 229 Д300 V 400mA
Д 231300 V 10A
Д 231 А300 V 10A
Д 231 Б300 V 5A
Д 232400 V 10A
Д 232 А400 V 10A
Д 232 Б400 V 5A
Д 233 Б500 V 5A
Д 235 А50V  2Aтиристор
Д 235 Б100 V 2Aтиристор
Д 235 В50 V 2Aтиристор
Д 235 Г100 V 2Aтиристор
Д 237 А200 V 0.3A
Д 237 Б400 V 0.3A
Д 237 В600 V 0.3A
Д 237 Е200 V 0,4 A
Д 237 Ж400 V 0.4A
Д 238 А50V  5Aтиристор
Д 238 Д100V  5Aтиристор
Д 242100 V 10A
Д 242 А100 V 10A
Д 242 Б100 V  5A
Д 243200 V 10A1S 162.,1S 421.
Д 243 А200 V 10A
Д 243 Б200 V  5A
Д 245300 V 10A1S 163
Д 245 А300 V 10A
Д 245 Б300 V  5A
Д 246400 V 10A1S 423
Д 246 А400 V 10A1N 4437
Д 246 Б400 V  5A
Д 247500 V 10A
Д 247 Б500 V  5A
Д 248 Б600 V  5A
Д 302200 V  1A
Д 304100 V 5 A
Д 30550V 10A
Д 31020V 0.5A
Д 31130V 40mA
Д 311 А30V 40mA
Д 312100V 50mA
Д 403 В, 405 Б,В, 408смотри  ВЧ- ДИОДЫ
Д 603, Д 605 , Д 608смотри  ВЧ- ДИОДЫ
2Д 918Б-1Н
КД 101 А30 V 20mA
КД 102 А250 V  100мА
КД 102 Б300 V 100mA
КД 10350 V 100mA
КД 103 А50 V 100mA
КД 103 Б50 V 100mA
КД 104 А    пластм.500 V 10mA 20 kГц
КД 104 Ж    металл500 V 10mA 20 kГц
КД 105 А400 V 300mA
КД 105 Б500 V 300mA
КД 105 В600 V 300mA
КД 105 Г800 V 300mA1N3228
КД 105 Д800 V 300mA
КД 106 А100 V 300 mA
КД 201 Б100 V 10A
КД 201 Г200 V 10A
КД 202 А50 V  5A
КД 202 Б50 V  3,5A
КД 202 В100 V  5A
КД 202 Д200 V  5A
КД 202 Ж300 V  5A
КД 202 К400 V  5A
КД 202 Л400 V  3, 5A
КД 202 М500 V  5A
КД 202 Р600 V  5A
КД 202 С600 V 3, 5A
КД 202 Т800 V  3A
КД 203 А = (2Д 203А) ВП420 V 10A
КД 203 Б560 V 5 A
КД 203 Г700 V 5 A
КД 203 Д700 V 10A
КД 204 В50  V  1A
КД 205 А (два диода)500V 0.5A1N 3184,3229, 1S 1231
КД 205 Б (два диода)400V 0.5A1N 3083, 1S 1230
КД 205 Г (два диода)200V 0.5A1N 3082, 2T 504
КД 205 Д (два диода)100V 0.5A
КД 205 Ж (два диода)600V 0.5A1N 3750,1S 1944,1T506
КД 205 И (два диода)100 V 0.5A
КД 205 К (два диода)100 V 0.5A
КД 206 А400 V 10A
КД 206 Б500 V 10A
КД 206 В600 V 10A1N 4438
КД 208 А   длин. выв100 V 1.5A
КД 208 А   коротк.100 V 1.5A
КД 209 А  керам .400 V 0.7A
КД 209 Б  пластм600 V 0.7A
КД 209 В800 V 0.5Aоптом-2р00коп
КД 210 Б800 V 10A1N4439 (в имп.-50 А)
КД 212 А200 V 1A ( мет.)в имп. -50 А
КД 212 АМ  (Пластм.)200 Вв имп. -50 А
КД 212 Г200 V 1A ( мет.)в имп. -50 А
КД 213 А200 V 10Aв имп. -100 А
КД 213 А = (2Д 213А)200 V 10Aв имп. -100 А
КД 213 Б200 V 10Aв имп. -100 А
КД 213 В200 V 10Aв имп. -100 А
КД 213 Г100 V 10Aв имп. -100 А
КД 221 А600 V 0,7A
КД 226 В500 V 1.3A1N 5406
КД 226 Г600 V 1.3A1N 5406
КД 226 Д800 V 1.3A1N 5408(BY299P)
КД 238 ВС45 V 7.5AДИОДЫ  ШОТТКИ
КД 243 Б100 V 1A1N4002
КД 243 В200 V 1A1N4003
КД 243 Г400 V 1A1N4004
КД 243 Ж1000 V 1A1N4007
КД 247100 .. ..1000 V 1AFR 101  … 107
КД 257Б400 V 3AFR 304(RGP30.)
КД 257В600 V 3AFR 305(RGP30.)
КД 257Г800 V 3AFR 306(RGP30.)
КД 257Д400 V 3AFR 307(RGP30.)
КД 258 Б400 V 1.5A(RGP) GP15g
КД 258 В600 V 1.5A(RGP )GP15j
КД 258 Г800 V 1.5A(RGP )GP15k
КД 258 Д1000 V 1.5A(RGP) GP15m
КД 273 Г (=50SQ100)100 V 20AДИОДЫ  ШОТТКИ
КД 273 ЕC(=30CPQ200)200 V 20A2 ДИОДA  ШОТТКИ
КД 275 В200 V 2,2A
КД 2997 А200 V 30A
КД 2997 Б100 V 30A
КД 2997 В50 V 30A
КД 2998 А15 V 30A
КД 2998 В20 V 30A
КД 2999 А200 V 20A
КД 2999 В50 V 20A
КД 410 А1000 V 50 mA
КД 411 АМ700 V 2A
КД 411 БМ750 V 2A
КД 411 ВМ600 V 2A
КД 411 ГМ500 V 2A
КД 417 А24 V 20mA
КД 419 А15 V 10mA
КД 503 А30 V 20mA
КД 503 Б30 V 20mA
КД 503 Д30 V 20mA
КД 504 А ЖЕЛТ.40 V 240mA
КД 509 А50 V 100mA
КД 510 А50 V 200mA
КД 512 А15 V 20mA
КД 513 А50 V 100mA
КД 514 А10 V  50mA
КД 518 А0 V  100mA
КД 521 А75 V 50mA
КД 521 Б60 V 50mA
КД 521 В50 V 50mA
КД 521 Г30 V 50mA
КД 522 А30 V 100mA
КД 522 Б50 V 100mA = 1N 4148
КД 524 А ЖЕЛТ.9 V    2 mA
КД 524 А ЖЕЛТ.9 V    2 mA
КД 636 АС ЖЕЛТ.

Технические характеристики кремниевых выпрямительных столбов

Подробности
Категория: Справка

Тип

Максимально допустимый средний прямой ток, А

Максимально допустимое обратное напряжение, В

Максимально допустимый обратный ток, мА

Прямое падение напряжения, В

Напряжение пробоя, В

Габариты,
мм

КЦ 105 В

100

6000

—

—

_

_

КЦ 105 Г

75

8000

—

—

—

—

КЦ 105 Д

50

10000

—

—

–

—

КЦ 201 А

1000

2000

30 -103

3

–

58 х 18 х 19

КЦ 201 Б

1000

4000

30-103

3

—

58x18x19

КЦ 201 В

1000

6000

30 -103

6

—

100x18x19

КЦ 201 Г

1000

8000

30-103

6

—

100 х. 18 х 19

КЦ 201 Д

1000

10000

30-103

6

–

100x18x19

КЦ 201 F,

1000

15000

30-103

10

—

100x18x25

СДЛ 0,4-750

400

75 000

0,4

75

100000

СДЛ 0,4 1250

400

125000

0,4

120

167000

СДЛ 0,4-1500

400

150000

0,4

135

200000

СДЛ 2 — 100

2000

10000

1

12

13000

2СДЛ 2-100

2000

20000

1

24

26000

5СДЛ 2-100

2000

50000

1

60

65000

7 СДЛ 2 100

2000

70 000

1

84

91000

10СДЛ 2-100

2000

100000

1

120

130000

12СДЛ 2-100

2000

120000

1

144

156000

15 СДЛ 2 -100

2000

150000

1

180

195000

Примечания:

  1. Столбы серии КЦ — кремниевые высоковольтные, – скомплектованы диффузионными лавинными элементами. Столбы серии СДЛ — диодные, лавинные, предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока высоковольтных установок при частоте до 500 Гц. Рабочая среда столбов серий КЦ и СДЛ — трансформаторное масло в диапазоне температур от —40 до +45 °С.
  2. Допускается параллельное соединение столбов одного типа, при этом должны соблюдаться условия, обеспечивающие отсутствие перегрузки любого параллельно подключенного столба по максимально допустимому, среднему прямому току.
  3. Допускается последовательное соединение столбов одного типа до 100 кВ, при этом каждый столб необходимо шунтировать емкостью

С = 2,8 Сстn2,
где От — емкость столбов относительно земли; к — число последовательно соединенных столбов.
Допускается последовательное соединение двух столбов КЦ 201 Е и трех столбов одного типа КЦ 201 А, КЦ 201 Б, КЦ 201 В, КЦ 201 Г и КЦ 201 Д — без применения внешних шунтирующих емкостей.

| Полупроводниковые диоды | Fiziku5

Оглавление

Работа № 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ.. 3

Работа № 2. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ.. 8

Работа № 3. ОДНОФАЗНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ. 12

Работа № 4. ОДНОФАЗНЫЙ УПРАВЛЯЕМЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ. 18

Работа №5. ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ. 24

Работа № 6. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ.. 31

Работа № 7. ТРИГГЕРЫ И СЧЕТЧИКИ НА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ. 37

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ПРОВЕДЕНИЮ

ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ ПО РАЗЕЛУ «ЭЛЕКТРОНИКА»

Работа № 3-1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

1.  Цель работы

Ознакомиться с принципом действия, основными характеристиками и применением полупроводникового выпрямительного диода, стабилитрона и светоизлучающего диода.

2.  Описание лабораторного модуля

В лабораторной работе изучаются характеристики полупроводникового диода КД105Б, стабилитрона типа КС156А и светоизлучающего диода

типа АЛ307А. Их основные параметры приведены в таблицах 1…3.

Таблица 1. Характеристики диода 2Д105Б

fд — Рабочая частота диода

1 кГц

Uобр.max – Максимальное обратное напряжение

250 В

Inp max — Максимальный прямой ток

100 мА

Unp — Постоянное прямое напряжение при

Inp 50 мА

не более 1 В

Ioбp — Постоянный обратный ток: при Uoбp 250 В

не более 1 мкА

Конструкция корпуса

Диоды маркируются цветными точками у плюсового вывода: КД102А-зеленая,

КД102Б-синяя, 2Д102Б — красная

Обозначение диода в электрических схемах

Таблица 2. Характеристики стабилитрона КС156А

Напряжение стабилизации, UCT, В

5.6 (при 10 мА)

Номинальный ток стабилизации, 1ст ном, мА

10

Минимальный ток стабилизации, 1ст min, мА

3

Максимальный ток стабилизации, Iст mах, мА

55

Дифференциальное сопротивление, rd, Ом

46 (при 10 мА)

Максимальная рассеиваемая мощность, Рmax, мВт

300

Конструкция корпуса

Обозначение стабилитрона

в электрических схемах

Таблица 3. Характеристики светодиода АЛ307А

Цвет свечения

Красный

Длина волны

665 нм

Сила света

0.15 мкд

Постоянный прямой ток

10 мА

Постоянное прямое напряжение

2 В

Постоянное обратное напряжение

2 В

Постоянный максимальный прямой ток

22 мА

Конструкция корпуса

Обозначение светодиода в электрических схемах

Передняя панель лабораторного модуля представлена на рис.1. На ней изображена мнемосхема исследуемых цепей, на которой установлены гнезда для подключения измерительных приборов и соединительных проводников. Выпрямительный диод вставляется в гнезда, обозначенные (*) с наружи панели, а стабилитрон и светодиод расположены за панелью и подсоединяются в схему проводниками, вставляемыми в соответствующие гнезда. Сопротивления резисторов RP1 равно 100 Ом, RД -240 Ом, Rн – 4,7 кОм.

Рисунок 1. Мнемосхема исследования диодов

3.  Теоретические положения. Принцип действия. Характеристики.

3.1.  Диод – это полупроводниковый прибор с одним p-n переходом, имеющий два вывода (анод и катод), и предназначенный для выпрямления, детектирования, стабилизации, модуляции, ограничения и преобразования электрических сигналов.

Схематично диод можно представить состоящим из двух соприкасающихся друг с другом разных полупроводников (областей). Одна область обладает проводимостью p-типа (дырочной проводимостью), а другая – проводимостью n-типа (электронной проводимостью). Слой между ними называется p-n переходом. Здесь буквы p и n — первые в латинских словах: positive — «положительный» и negative — «отрицательный». Область p-типа, у полупроводникового прибора является анодом (положительным электродом), а область n-типа — катодом (отрицательным электродом) диода. На внешние поверхности областей нанесены контактные металлические слои, к которым припаяны проволочные выводы электродов диода.

Принцип действия полупроводникового диода основывается на специфике процессов переноса зарядов через p-n переход.

Вольтамперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода показана на рисунке 2. Здесь в одном рисунке показаны ВАХ германиевого и кремниевого диодов. На координатных осях нет никаких цифр, поскольку для разных типов диодов они могут существенно различаться: силовой диод может пропустить прямой ток тысячи ампер, в то время как маломощный всего несколько десятков миллиампер, а обратное максимальное напряжение может быть от десятков вольт до 5000 В.

Рисунок 2. ВАХ диода

В первом квадранте системы координат расположена прямая ветвь характеристики, когда диод находится в прямом включении, — к аноду подключен положительный вывод источника тока, соответственно отрицательный вывод к катоду.

По мере увеличения от нуля прямого напряжения Uпр, начинает возрастать и прямой ток Iпр. Но пока это возрастание незначительно, диод практически заперт.

При достижении определенного уровня напряжения UД на характеристике появляется излом: напряжение практически не меняется, а ток стремительно растет. Диод открывается. Для большинства современных диодов это напряжение находится в пределах 0,3…1.1 В. При максимальном прямом токе Iпр. мах диода

На рисунке видно, что для германиевого диода прямое напряжение несколько меньше (0,3…0,4 В), чем для кремниевого (0,7…1,1 В). Если прямой ток через диод умножить на прямое напряжение, то полученный результат будет не что иное, как мощность, рассеиваемая на диоде Pд. пр =Uпр*Iпр. мах. Если эта мощность будет превышена относительно допустимой, то может произойти перегрев и разрушение p-n перехода. Поэтому в справочниках ограничивается максимальный прямой ток, а не мощность так как считается, что прямое напряжение известно и изменяется незначительно. Для отведения излишнего тепла мощные диоды устанавливаются на теплоотводы — радиаторы. Существенно уменьшить такие потери можно, если снизить прямое падение напряжения Uпр на диоде. Вместо p-n перехода в них используется переход металл – полупроводник. Эти диоды имеют прямое падение напряжения 0,2…0,4 В, что значительно снижает мощность PД, а соответственно и нагрев диода. Такие диоды получили название диодов Шоттки. Практически все блоки питания современной электронной аппаратуры имеют выпрямители на диодах Шоттки.

В третьем квадранте системы координат расположена обратная ветвь характеристики, когда диод находится в обратном включении, — к аноду подключен отрицательный вывод источника тока, соответственно положительный вывод к катоду. Как видно из характеристики, при включении диода в обратном направлении через него все равно протекает небольшой обратный ток. В зависимости от модели диода он может варьироваться от наноампер до десятков миллиампер.

Вместе с обратным током на диоде выделяется некоторая мощность, численно равная произведению обратного тока на обратное напряжение. Если эта мощность равная Рд. обр =Uобр. макс*Iобр будет превышена, то возможен пробой p-n перехода, диод превращается в обычный резистор или даже проводник. На обратной ветви ВАХ этой точке соответствует загиб характеристики вниз. Обычно в справочниках указывается не допустимая мощность, а максимальное предельно допустимое обратное напряжение Uобр. макс.

Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Диоды кремниевые микросплавные: Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса диода не более 0,53 гр.

Чертеж диода Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А

Электрические параметры.

Постоянное прямое напряжение при Iпр=30 мА, не более: при 25°С
Д104, Д105, Д106 2 В
Д104А, Д105А, Д106А 1 В
при -60°С
Д104, Д105, Д106 2,3 В
Д104А, Д105А, Д106А 1,2 В
Постоянный обратный ток при Uобр=Uобр. макс, не более:
при 25°С 5 мкА
при 125°С
Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106 100 мкА
Д106А 50 мкА
Ёмкость диода, не более:
при Uобр=0,3 В для Д104А, Д105А, Д106А 0,7 пФ
при Uобр=1,0 В для Д104, Д105, Д106 0,7 пФ
при Uобр=10 В 0,6 пФ
Отношение выпрямленного тока на высокой частоте к
выпрямленному току на частоте 0,15 МГц, не менее:
при ƒ=5 МГц, Rн=1 кОм 0,14
при ƒ=25 МГц, Rн=10 кОм 0,15
при ƒ=100 МГц, Rн=100 кОм 0,1
Время восстановления обратного сопротивления, не более 0,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное и импульсное обратное напряжение: от -60°С до 32°С
Д104, Д104А 100 В
Д105, Д105А 75 В
Д106, Д106А 30 В
при 125°С
Д104, Д104А 50 В
Д105, Д105А, Д106, Д106А 20 В
Средний выпрямленный ток: от -60°С до 35°С 30 мА
при 125°С 8 мА
Частота без снижения режимов 0,15 МГц
Температура окружаюющей среды от -60°С до 125°С

MMBV105GLT1 – Кремниевый настраивающий диод

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / ModDate (D: 20201120132655 + 08’00 ‘) / Производитель (Acrobat Distiller 8.1.0 \ (Windows \)) / Title (MMBV105GLT1 – Кремниевый настраивающий диод) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > транслировать application / pdf

  • ON Semiconductor
  • MMBV105GLT1 – Кремниевый настраивающий диод
  • Это устройство разработано в корпусе для поверхностного монтажа для общего
  • приложения для управления и настройки частоты.Он обеспечивает твердотельный
  • надежность при замене механических методов настройки.
    • 2009-08-21T13: 55: 22-07: 00BroadVision, Inc.2020-11-20T13: 26: 55 + 08: 002020-11-20T13: 26: 55 + 08: 00Acrobat Distiller 8.1.0 (Windows) Это устройство разработан в пакете поверхностного монтажа для общего приложения для контроля и настройки частоты. Он обеспечивает твердотельное надежность при замене механических методов настройки. uuid: 9125950c-9628-47ee-a755-4bdb19f94c69uuid: eb19a3d3-f4bd-409b-a059-8f0281b5798e конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > транслировать HT [o6_qe IJb ($ s “X [> (m% EwHJt [w; # pgp_du1A? DBcQl ڽ Ip * VdC> ˔-Q.ͻq | 4G [8Rle`bÀtXEHW ؇ rWhs | 2φm0> ֏ {8 C “Fww q & onIR_zh $ 4] K1e’BC5 @! _ 9qbTDG {ة 65} g89.BO {] $! ؔ˶0 S4’ѴV9 / h / {(spw} kLefu ׎

    Диодный полупроводниковый прибор NSN 5961-01-105-2031 [наличие запчастей]

    Особенности и характеристики

    Общая длина

    От 0,293 дюйма до 0,357 дюйма

    Длина клеммы

    Между 1.000 дюймов и 1,625 дюймов

    Общий диаметр

    От 0,215 дюйма до 0,235 дюйма

    Объединенный совет по проектированию электронных устройств / jedec / case Краткое обозначение

    Do-13

    Предоставляемые функции

    Герметичный корпус

    Полупроводниковый материал

    Кремний

    Номинальное напряжение в вольтах на характеристику

    15.8 напряжение пробоя, пост. Тока

    Текущий рейтинг по характеристике

    Прямой ток 1,00 миллиампер, средний пик

    Номинальная мощность согласно характеристике

    Входная мощность для слабого сигнала 1,0 Вт, главный коллектор

    Максимальная рабочая температура на точку измерения

    175.0 градусов Цельсия окружающего воздуха

    Документ с данными испытаний

    Спецификация 81349-mil-s-19500 (включает бюллетени инженерного типа, брошюры и т. Д., Которые отражают данные типа спецификации в формате спецификации; исключая коммерческие каталоги, отраслевые каталоги и аналогичные торговые публикации, отражающие общие данные типа по определенным требованиям к окружающей среде и производительности и условия испытаний, которые отображаются как «типовые», «средние», «» и т. д.).

    Тип и количество клемм

    2 неизолированных провода

    Технические характеристики

    81349-mil-s-19500/500 ГОСТ

    FSC

    5961 Полупроводниковые приборы и связанное с ними оборудование

    Стабилитрон

    – обзор

    Пример 3.4

    Желательно поддерживать сопротивление нагрузки R L при постоянном напряжении 100 В, когда входное напряжение изменяется от 120 до 110 В. Если регулятор напряжения типа, показанного на рис. 3.10a, должен Для достижения этой цели найдите наилучшее значение R s , учитывая, что R L = 10 кОм.

    Сначала мы выбираем стабилитрон с напряжением В z = 100 В. Во-вторых, мы должны определить максимальный ток через стабилитрон при нормальной работе и убедиться, что он не превышает максимально допустимый ток стабилитрона.Затем определяем R s .

    Для начала предположим, что входное напряжение зафиксировано на уровне В мин. = 110 В; тогда падение напряжения 10 В на последовательном сопротивлении R s оставит R L с падением напряжения 100 В – желаемое состояние. Чтобы это произошло, ток 10 мА должен протекать через R L и R с , что определило бы последовательное сопротивление как R с = 10 В / 10 мА = 1 кОм. .Если бы напряжение оставалось на уровне 110 В, стабилитрон не понадобился бы, так как стабилитрон не протекал бы, даже если бы стабилитрон присутствовал. Однако входное напряжение изменяется, как показано на рис. 3.10b. Переключение с 110 В на 120 В обычно происходит не быстро, но может происходить за секунды, минуты или даже часы.

    При повышении входного напряжения до 120 В ток через R s будет увеличиваться пропорционально. Чтобы поддерживать R L при 100 В, ток через R L должен оставаться на уровне 10 мА, а любой избыточный ток должен течь через стабилитрон.Когда входное напряжение составляет В max = 120 В, 20 В падает через R с и 20 мА течет через R с (от 10 мА до R L и 10 мА через стабилитрон). Следовательно, как показано на рис. 3.10b, ток стабилитрона изменяется между I z , мин. = 0 и I z , макс. = 10 мА в ответ на изменения входного напряжения, в то время как нагрузка напряжение остается постоянным на уровне 100 В.

    Условие I z , min = 0 может использоваться для определения оптимального значения для R s , т. Е.

    Rs, оптимальный = Vmin − VzIL

    , который для нашего примера дает R с , opt = (110 В – 100 В ) / 10 мА = 1 кОм.

    Если мы знаем максимальный ток I z , max , который может выдержать стабилитрон, мы можем указать минимальное значение R s , которое можно использовать в цепи стабилизатора напряжения на стабилитроне. как

    Rs, min = Vmax − VzIz, max + IL

    Если предположить, что I z , max = 30 мА, то для R s = (120 – 100 ) / (30 + 10) = 0.5 кОм = 500 Ом. Преимущество использования меньшего сопротивления для R s состоит в том, что если входное напряжение упадет ниже 110 В, действие регулятора все еще может иметь место. Недостатком является то, что (i) R s , min рассеивает больше мощности, чем R s , opt , (ii) ток стабилитрона варьируется в пределах I z , min = 10 мА и I z , макс. = 30 мА, тогда как с R s , opt ток Зенера изменяется только от 0 до 10 мА, и (iii) если входное напряжение превышает 120 В, ток стабилитрона превысит максимально допустимый ток I z , max и, скорее всего, повредит диод.

    Всегда существует некоторая опасность превышения максимального тока диода либо из-за неожиданного восходящего колебания входного напряжения, либо из-за внезапного отключения нагрузки, в результате чего весь входной ток будет протекать через диод. Последний случай, случай внезапной разомкнутой нагрузки ( R L = ∞), обычно приводит к выходу из строя стабилитрона, так как наиболее вероятно, что I z , max будет превышено.

    Напряжение Зенера – обзор

    Регулировка напряжения

    Блоки питания от сети (часто сделанные с возможностью подключения к обычной сетевой розетке) иногда продаются как «разрядники батарей».Они используются для обеспечения питания радиоприемника или магнитофона и более экономичны, чем батарейки. Их выход – постоянный ток. и может быть рассчитано на 6 В, 9 В, а иногда и на другое установленное напряжение. Если вы измеряете выходную мощность с помощью тестера, вы можете обнаружить, что напряжение намного выше, чем номинальное напряжение, когда к устройству подключен только измеритель. При подключении радиоприемника или другого оборудования выходная мощность падает до номинального уровня, но может быть на несколько вольт ниже. Это связано с тем, что напряжение простого трансформатора-выпрямителя-стабилизатора падает с увеличением тока, потребляемого от него.Обычно это не имеет значения для радиоприемников и аналогичного оборудования, но имеет значение, предназначены ли части схемы для работы при фиксированном напряжении.

    Если необходимо регулировать напряжение от источника питания, требуется дополнительный каскад. На схеме на странице 105 дополнительный каскад состоит из резистора и стабилитрона. Стабилитрон выбирается так, чтобы напряжение стабилитрона (стр. 79) было равным тому, которое требуется для цепи, которая должна быть запитана. Оно должно быть ниже, чем предусмотрено схемой выпрямителя.Когда ток течет во внешнюю цепь, возникает p.d. через резистор. Значение выбирается таким образом, чтобы напряжение было немного больше, чем требуется для внешней цепи, когда она использует свой максимальный ток.

    Стабилитрон проводит небольшой избыточный ток, а остаток идет во внешнюю цепь. П. через постоянный ток выходные клеммы – это напряжение стабилитрона. Если внешняя цепь изменяет свои требования так, что ей требуется меньший ток, избыточный ток утекает через диод.Питание внешней цепи остается на стабилитроне. Регулировка стабилитроном не идеальна, но подходит для многих целей.

    Опорное напряжение запрещенной зоны действует аналогично стабилитрону. На странице 116 объясняется, как устройство с запрещенной зоной можно использовать в качестве датчика температуры, регулируя скорость изменения двух противоположных п.о. В опорном напряжении запрещенной зоны настройки таковы, что одинаковая разница напряжений достигается при всех температурах в широком диапазоне.Таким образом, эталон дает постоянное напряжение при любой температуре, что делает его пригодным для прецизионных схем. Он может заменить стабилитрон на стр. 105, чтобы обеспечить лучшую степень регулирования выходного напряжения.

    Еще лучший способ регулировать выходное напряжение – использовать усилитель эмиттерного повторителя (стр. 99) в качестве регулятора напряжения. На нерегулируемой стороне схемы (после сглаживающего конденсатора) ток протекает через резистор и стабилитрон. Диод смещен в обратном направлении в область лавинного пробоя (стр.79). Номинал резистора таков, что обратный ток довольно мал, скажем 5 мА.

    В UNREG изменяется по мере того, как ток, потребляемый из цепи, возрастает и падает. Ток, протекающий через диод, увеличивается выше 5 мА или уменьшается ниже 5 мА, но p.d. на диоде остается близким к стабилитрону. Таким образом, стабилитрон удерживает базу транзистора при его напряжении стабилитрона В z.

    Изменения величины тока, потребляемого от цепи (в определенных пределах), не влияют на напряжение на базе транзистора.Транзистор обычно рассчитан на пропускание тока 1 А, возможно, больше. Ток через коллектор и эмиттер попадает во внешнюю цепь.

    Пока транзистор находится в проводящем состоянии, между базой и эмиттером существует обычный p.d ( В, BE ) около 0,6 В. Это связано с виртуальной ячейкой на p-n-переходе. Таким образом, регулируемое выходное напряжение В REG на 0,6 В меньше, чем В z . Например, если напряжение стабилитрона равно 4.7 В, регулируемое выходное напряжение составляет 4,1 В.

    Транзисторная схема, такая как вышеупомянутая, может быть включена в тип интегральной схемы (стр. 159), известный как регулятор напряжения . Такие устройства также могут иметь функции ограничения тока. Если в нагрузке возникает короткое замыкание или если потребляемый ток превышает безопасную величину по любой другой причине, это состояние обнаруживается регулятором, и выходное напряжение резко снижается. Схема также может включать в себя схему термистора (стр.115), который обеспечивает тепловое отключение, отключая ток при перегреве устройства. Стабилизаторы напряжения предназначены для обеспечения одного фиксированного напряжения в стандартном диапазоне, включая 5 В, 6 В и 12 В, а также в диапазоне отрицательных напряжений. Также доступны регулируемые регуляторы.

    Лист данных FR105 – 50 В, 1 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением

    Некоторые номера деталей того же производителя EIC Semiconductor Incorporated
    FR105G 50 В, 1 А, выпрямитель с пассивным стеклом и быстрым восстановлением
    FR106 50 В, 1 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением
    FR106G 50 В, 1 А, выпрямитель с пассивированным стеклом и быстрым восстановлением
    FR107 50 В, 1 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением
    FR107G 50 В, 1 А, выпрямитель с пассивированным стеклом и быстрым восстановлением
    FR151 50 В, 1.5 А, выпрямительный диод быстрого восстановления
    FR151G, 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивным стеклом и быстрым восстановлением
    FR152 50 В, 1,5 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением
    FR152G 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивным стеклом и быстрым восстановлением
    FR153 50 В, 1,5 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением
    FR153G 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивированным стеклом и быстрым восстановлением
    FR154 50 В, 1.5 А, выпрямительный диод быстрого восстановления
    FR154G 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивированным стеклом и быстрым восстановлением
    FR155 50 В, 1,5 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением
    FR155G 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивированным стеклом и быстрым восстановлением
    FR156 50 В, 1,5 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением
    FR156G 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивированным стеклом и быстрым восстановлением
    FR157 50 В, 1.5 А, выпрямительный диод быстрого восстановления
    FR157G 50 В, 1,5 А, выпрямитель с пассивным стеклом и быстрым восстановлением
    FR201
    FR201G Стеклянные пассивированные выпрямительные диоды

    1.5KE9.1A: Диод-ограничитель переходных напряжений

    SFO3: сверхбыстрые выпрямительные диоды

    W02: 50 В, 1,5 А, выпрямитель с кремниевым мостом

    D3SBA80: Кремниевый мостовой выпрямитель

    SZ5047: Кремниевые стабилитроны для поверхностного монтажа

    MMZJ8.2: Стабилитроны

    BZW06P136B: Подавитель двунаправленных переходных процессов

    1N4764CG: Стабилитроны

    GRTM: Выпрямители FAST Recovery с пассивированным стеклом

    Что такое стабилитрон? – Определение и характеристики

    Характеристики стабилитрона

    Стабилитрон имеет два соединения: катод и анод. Иногда анод имеет форму болта (шпильки), поэтому диод можно легко прикрепить к печатной плате.Мы видим это в стабилитроне ECG 5182A.

    Форма стабилитрона

    Мы собираемся провести только два измерения напряжения с помощью портативного цифрового вольтметра. Эти измерения будут на «ВХОДЕ» и «ВЫХОДЕ». Батарея – это переменная батарея (источник питания постоянного тока).

    Тестовая схема на бумаге

    Если вы посмотрите на схему на бумаге (называемую «схемой») и сравните ее с реальной испытательной схемой, вы сможете идентифицировать разъем «IN», стабилитрон, резистор и Разъем OUT.

    Батарея переменной емкости подключится к IN

    Как выглядит тестовое измерение? Аккумулятор переменного тока подключается к «IN» тестовой цепи. Вольтметр имеет два щупа: черный щуп подключается к заземлению цепи, а красный щуп подключается к «IN» или «OUT».

    -0,69 В измерено на OUT

    На блоке питания постоянного тока есть ручка для регулировки напряжения.Измерьте напряжение на «IN» и запишите его. Например, -4,64В. Переместите щуп вольтметра к «ВЫХОДУ» цепи, снимите показания напряжения и запишите его. Мы измеряем -0,69В. Затем отрегулируйте источник питания постоянного тока на другое напряжение и повторите измерения. Вот и все.

    Глядя на первый столбец измеренных данных, мы видим, что напряжение «IN» изменялось от -4,64 В до 15,32 В. Второй столбец – это напряжение, измеренное на «OUT».

    Стабилитрон ECG 5182A рассчитан на 7.5В

    7,5 В ± 5% – это 7,5 ± 0,375 или некоторое число от 7,125 В до 7,875 В. Это стабилитрон, который регулирует напряжение. Для положительных напряжений «IN» меньше 7,54 В, напряжение «OUT» очень похоже на напряжение «IN». Но когда входной сигнал начинает превышать 7,54 В, стабилитрон остается на уровне 7,54 В. Это похоже на то, как Фред пытается снять больше, пока банк регулирует и устанавливает максимальную сумму.

    Символ стабилитрона

    Вы видите стрелку в символе стабилитрона?

    Стрелка в символе стабилитрона определяет направление тока. i обозначает ток через диод. Помните названия двух диодных соединений? Конец диода с буквой Z на его стороне является катодом. Другая сторона диода – анод. v обозначает напряжение на диоде, измеренное от анода до катода.

    Теперь мы можем объяснить два других столбца чисел в наших данных. Крайний правый столбец помечен как «НАПРЯЖЕНИЕ». Условно это напряжение v на диоде, определяемое от анода к катоду.

    Однако измеренное нами выходное напряжение в столбце 2 – это напряжение на диоде в противоположном смысле; от катода к аноду. Без проблем. Напряжение на диоде, v , просто отрицательное значение измеренного выходного напряжения.

    Ток через диод, i , такой же, как ток через резистор. Этот ток равен (” OUT ” – ” IN ”) / R, где R = 1000 Ом. Выполнение математических расчетов дает нам столбец 3.

    Теперь мы можем суммировать эти результаты с графиком i vs v .Это называется характеристической кривой .

    точки – координаты номеров I и V.
    Стабилитрон

    очень похож на обычные старые диоды с P-N переходом. Оба диода позволяют току течь от анода к катоду (в направлении стрелки на символе), когда напряжение на переходе составляет не менее 0,7 вольт. Мы называем это областью прямого смещения . Напряжение больше или равно 0.7 В будет смещать диод в прямом направлении, и, как переключатель, диод включен.

    Когда напряжение меньше 0,7 В, диод смещен в обратном направлении, и протекает лишь незначительное количество тока. Мы говорим, что диод выключен. Обычный диод с P-N переходом предназначен для работы в этих двух регионах.

    У диодов есть регионы работы

    Когда напряжение на диоде становится достаточно отрицательным, переход выходит из строя, и токи текут от катода к аноду; в противоположном смысле стрелки в символе.Это область поломки. Диоды с обычным P-N переходом не предназначены для пробоя, они могут самоуничтожиться при таком высоком напряжении.

    Не так для стабилитрона . Этот диод предназначен для работы в области пробоя. Кроме того, стабилитрон имеет гораздо более низкое напряжение пробоя (так называемое напряжение стабилитрона ).

    Использует

    Применения стабилитронов включают блоки эффектов искажения, используемые музыкантами, где стабилитрон «фиксирует» амплитуды сигналов.Это преднамеренное искажение сигнала.

    Мы также находим стабилитроны там, где нам нужно более низкое напряжение для питания определенных устройств. Например, 8-битный микроконтроллер CMOS требует напряжения от 2,0 до 5,5 В. Если бы мы хотели запитать это устройство от батареи 9 В, мы могли бы использовать стабилитрон 3,3 В.

    Стабилитрон 1N5226, регулирующий напряжение на микроконтроллер PIC12F629

    Еще одно применение стабилитронов – объединение их с другими компонентами для формирования опорного напряжения.В качестве источника опорного напряжения можно использовать схемы, сравнивающие напряжения.

    Резюме урока

    Стабилитрон – это диод, предназначенный для работы в области пробоя и имеющий определенное отрицательное напряжение, называемое напряжением стабилитрона . При таком напряжении диод уйдет в пробой . Это условие, позволяющее току течь при поддержании постоянного напряжения на диоде. Приложения включают ограничение, регулировку напряжения и привязку напряжения.

    LDX-XXXX-860 | 860нм 5Вт ИК-лазерный диод

    LDX-3103-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, C-крепление
    LDX-3103-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3103-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, корпус TO-3
    LDX-3103-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, корпус 9 мм-SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3103-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, 2-контактный корпус FCP с косичками, выходная мощность по оптоволокну> 80%, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3103-860-HHL-TEC-PD Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, корпус HHL с TEC, термистор, PD
    LDX-3103-860-HHL-105 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 30 мкм, волоконно-оптический кабель HHL с косичками, с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% по оптоволокну, включает 105 мкм, 0,22NA, оптоволоконный пигтейл длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3105-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, C-крепление
    LDX-3105-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3105-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, корпус TO-3
    LDX-3105-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, корпус 9 мм-SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3105-860-TO3-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, корпус TO-3 с TEC, термистор
    LDX-3105-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, 2-контактный корпус FCP с косичками, выходная мощность по оптоволокну> 80%, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3105-860-HHL-TEC-PD Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, корпус HHL с TEC, термистор, PD
    LDX-3105-860-BFC-105-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, 8-контактный корпус BFC с оптоволоконным соединением с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0,22NA, оптоволоконный пигтейл длиной 1 м с Разъем SMA
    LDX-3105-860-HHL-105 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1000 мВт, излучатель 50 мкм, волоконно-оптический корпус HHL с косичками с TEC, термистором, частичным разрядом, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3110-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, C-крепление
    LDX-3110-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3110-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, корпус TO-3
    LDX-3110-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, корпус 9 мм SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3110-860-TO3-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, корпус TO-3 с TEC, термистор
    LDX-3110-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, 2-контактный корпус FCP с оптоволоконным соединением, выходная мощность> 80% по оптоволокну, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3110-860-HHL-TEC-PD Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, корпус HHL с TEC, термистор, PD
    LDX-3110-860-BFC-105-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, 8-контактный корпус BFC с оптоволоконным соединением с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0,22NA, оптоволоконный пигтейл длиной 1 м с Разъем SMA
    LDX-3110-860-HHL-105 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 1500 мВт, излучатель 100 мкм, волоконно-оптический корпус HHL с косичками и TEC, термистор, частичный разряд, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3210-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, C-крепление
    LDX-3210-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3210-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус TO-3
    LDX-3210-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус 9 мм-SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3210-860-TO3-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус TO-3 с TEC, термистор
    LDX-3210-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, 2-контактный корпус FCP с косичками, выходная мощность по оптоволокну> 80%, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3210-860-HHL-TEC-PD Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус HHL с TEC, термистор, PD
    LDX-3210-860-BFC-105-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, 8-контактный корпус BFC с оптоволоконным соединением с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0,22NA, оптоволоконный пигтейл длиной 1 м с Разъем SMA
    LDX-3210-860-HHL-105 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 2000 мВт, излучатель 100 мкм, волоконно-оптический корпус HHL с косичками и TEC, термистор, частичный разряд, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3310-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, C-крепление
    LDX-3310-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3310-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус TO-3
    LDX-3310-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус 9 мм-SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3310-860-TO3-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус TO-3 с TEC, термистор
    LDX-3310-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, 2-контактный корпус FCP с косичками, выходная мощность по оптоволокну> 80%, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3310-860-HHL-TEC-PD Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, корпус HHL с TEC, термистор, PD
    LDX-3310-860-BFC-105-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, 8-контактный корпус BFC с оптоволоконным соединением с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0,22NA, оптоволоконный пигтейл длиной 1 м с Разъем SMA
    LDX-3310-860-HHL-105 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 3000 мВт, излучатель 100 мкм, волоконно-оптический корпус HHL с косичками с TEC, термистором, частичным разрядом, выходная мощность> 80% от волокна, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3415-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, C-крепление
    LDX-3415-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3415-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, корпус TO-3
    LDX-3415-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, корпус 9 мм SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3415-860-TO3-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, корпус TO-3 с TEC, термистор
    LDX-3415-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, 2-контактный корпус FCP с оптоволоконным соединением, выходная мощность> 80% по оптоволокну, включает 105 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3415-860-HHL-TEC-PD Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, корпус HHL с TEC, термистор, PD
    LDX-3415-860-BFC-200-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, 8-контактный корпус BFC с оптоволоконным соединением с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% от волокна, включает 200 мкм, 0,22NA, оптоволоконный пигтейл длиной 1 м с Разъем SMA
    LDX-3415-860-HHL-200 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 4000 мВт, излучатель 150 мкм, корпус HHL с косичкой оптоволоконной связью с TEC, термистором, PD, выходная мощность> 80% от волокна, включая 200 мкм, 0.22NA, оптоволоконный кабель длиной 1 м с разъемом SMA
    LDX-3520-860-C Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 5000 мВт, излучатель 200 мкм, C-крепление
    LDX-3520-860-9 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 5000 мВт, излучатель 200 мкм, 9 мм Упаковка
    LDX-3520-860-TO3 Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 5000 мВт, излучатель 200 мкм, корпус TO-3
    LDX-3520-860-9-SMA Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 5000 мВт, излучатель 200 мкм, корпус 9 мм SMA, съемное волокно в комплект не входит
    LDX-3520-860-TO3-TEC Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 5000 мВт, излучатель 200 мкм, корпус TO-3 с TEC, термистор
    LDX-3520-860-FCP Полупроводниковый лазерный диод, 860 ± 10 нм, 5000 мВт, излучатель 200 мкм, 2-контактный корпус FCP с оптоволоконным соединением, выходная мощность> 80% по оптоволокну, включает 105 мкм, 0.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *