Характеристики кт834а: Транзистор КТ834 — DataSheet

alexxlab | 04.01.1970 | 0 | Разное

Содержание

Транзистор КТ834 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ834

 

Параметры транзистора КТ834
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ834АSDN6002, NTD565 *2, ST6000, IR6000, SDM6000 *2, ST6061 *2, IR6061 *2, IR6251 *2, S637T *3, BUX30 *2, SDN6251 *2
КТ834БSDN6001, IR4039, S637T *1, STI4039 *1, DTS4039 *1, FT359 *2, TIP661 *2, ST661 *2
КТ834ВSDN6000, DT5335 *2, IDI8002, GT8002, IDI8005 *2, GT8005 *2, STI4010 *2, DTS4010 *3, IDI8001 *2, GT8001
*2
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ834А100*Вт
КТ834Б100*
КТ834В100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ834А≥4МГц
КТ834Б≥4
КТ834В≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ834А0.1к500*В
КТ834Б0.1к450*
КТ834В0.1к400*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ834А8В
КТ834Б8
КТ834В8
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ834А15(20*)
А
КТ834Б15(20*)
КТ834В15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ834А500 В≤3*мА
КТ834Б450 В≤3*
КТ834В400 В≤3*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ834А150…3000*
КТ834Б150…3000*
КТ834В150…3000*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ834А150 В≤100пФ
КТ834Б150 В≤100
КТ834В150 В≤100
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.КТ834А≤0.13Ом, дБ
КТ834Б≤0.13
КТ834В≤0.13
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ834АДб, Ом, Вт
КТ834Б
КТ834В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ834Аtсп≤1.2 мкспс
КТ834Бtсп≤1. 2 мкс
КТ834Вtсп≤1.2 мкс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ834А -

Драгоценные металлы в транзисторе КТ834А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ834А.
Золото: 0.01719 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ834А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ834А:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ834А включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.


В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ834А:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ834А:

Высоковольтные n-p-n составные биполярные мощные транзисторы кт834а кт848а кт890а и кт890а1

Силовые транзисторы

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ n-p-n СОСТАВНЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ Массивные ТРАНЗИСТОРЫ КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 созданы для использования в качестве выходных ключей электрических коммутаторов систем зажигания автомобилей, также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

КТ8ХА(1):

КТ — транзистор кремниевый биполярный-

8 — обозначение предназначения транзистора (большой мощности

с граничной частотой от 3 до 30 МГц)-

Х — порядковый номер разработки (34- 48- 90)-

А — классификационная группа по параметрам-

1 — конструктивное выполнение (тип корпуса КТ-43А-2).

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в согласовании с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95-аАО.336.539 ТУ-95-АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические свойства

Максимально допустимые значения характеристик приведены в табл. 1, статические и динамическое свойства в табл. 2.

Табл. 1

Табл. 2

Вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) — на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) — на рис. 3, электронные схемы транзисторов — на рис. 4, а-в.

Рис. 1.

Вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ848А в корпусе КТ-9: 1 — база-

2 — коллектор-

3 — эмиттер

Рис. 2.

Вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

Рис. 3.

Вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Рис. 4,а

Рис. 4,б

Рис. 4,в

Электронная схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы-

VD1 — ускоряющий диод-

VD2 — демпферный диод-

R1 — согласующий резистор 300 Ом-

R2 — согласующий резистор 40 Ом-

1-3 — по рис. 1-

б — КТ848А: VD1 — демпферный диод-

R1 — согласующий резистор 400 Ом-

R2 — согласующий резистор 50 Ом-

VT1, VT2 — по рис. 4, а-

1-3 — по рис. 1-

в — КТ890А — КТ890А1: VD1 — стабилитрон-

R1 — согласующий резистор 400 Ом-

R2 — согласующий резистор 50 Ом-

VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а-

1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А менее 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — менее 5 г. Характеристики надежности: малое время выработки 15 000 ч-

интенсивность отказов в течение времени выработки менее 10-6 1/ч-

малый 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В набор поставки входят: транзисторы — этикетка (паспорт) с короткими техническими данными транзисторов — потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

ИТЦ «ЛaбopКoмплeктCepвиc»

Вce пpaвa зaщищeны.

КТ838А технические характеристики, схемы применения и аналоги

В характеристиках кремниевого транзистор КТ838А указано что изготавливается он по мезапланарной технологии и применяется в каскадах строчной развертки телевизоров. Его структура n-p-n. Также его можно встретить в схемах видоеконтрольных устройств. Весит данный транзистор не более 20г, а выпускает его акционерное общество «Кремний» город Брянск.

Распиновка

Цоколевка КТ838А выполнена в металлическом корпусе типа КТ-9 (ТО-3) с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. На рисунке ниже представлена схема расположения выводов данного транзистора: 1 — база, 2 — эмиттер, 3 — коллектор.

Характеристики

Основные технические параметры кт838а:

  • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при использовании теплоотвода при температуре от -450С до +250С — 12,5 Вт.
  • Статический коэффициент передачи тока (при Uкэ=5 В, Iк=50 мА) не менее — 6.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=20В, Iк=0,3А не менее — 3 МГц.
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-база — 1500 В.
  • Предельно допустимый постоянный ток коллектора — 5 А.
  • Обратный ток коллектор-эмиттер (при Тк = +250С, Uкэ=1500 В, Uбэ=0) — 1 мА.
  • Типовое значение емкости коллекторного перехода при Uкб=170 пФ

Представленные значения даются самим производителем. При работе устройства в этих приделах гарантируется его целостность и долговечность. Ниже представлены все значение которые взяты из документации компании АО «Кремний».

Также у транзистора кт838а есть предельные значения, которые он может выдержать разово в короткий промежуток времени, если при неоднократном измерении одного из указанных параметров у вас любой из них совпадают или превышают значение из таблицы, то стоит проверить всю схему на неисправность.

Особенности монтажа

При пайке расстояние от корпуса транзистора до места пайки должно быть от 5 мм и более. Температура жала паяльника более +2500С, время пайки менее 3 с.

Аналоги

Наиболее подходящими для замены зарубежными аналогами кт838а являются транзисторы BU204, BU2506DF, 2SD380. Существуют также аналоги его с другим типом корпуса: BU2506DF, BU706D, BU706, BU506D, BU506, BU506DF, 2SD1738.

Производитель

Выпускает данное изделие акционерное общество «Кремний» г. Брянск. Одним из крупных поставщиков транзистора является компания «Вертекс».

Применение

На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.

Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.

При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.

Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.

В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см2.

Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.

Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.

Также можете скачать DataSheet от компании ООО «Электроника и Связь»

Кт 840 Технические Характеристики

Транзисторы составные биполярные переключательные КТА, КТА, КТА и КТА1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом. КТ8ХА 1 : КТ - транзистор кремниевый биполярный; 8 - обозначение назначения транзистора большой мощности с граничной частотой от 3 до 30 МГц ; Х - порядковый номер разработки 34; 48; 90 ; А - классификационная группа по параметрам; 1 - конструктивное исполнение тип корпуса КТА Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. Обратный ток коллектор-эмиттер, мА, при: заданном сопротивлении в цепи базы-эмиттер: типовой максимальный. Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТА в корпусе КТ - по рис.

Цена за всё. Или обмен на что либо для велоспорта или автозвука. Перейти к объявлению Пожаловаться. Ru является поисковиком по объявлениям с популярных площадок. Мы не производим реализацию товара, не храним изображения и персональные данные. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Проверка транзистора КТ 838.

Что можно сделать из транзисторов кт840б

Извлечением драгметаллов аффинаж занимаются только уполномоченные специализированные организации — аффинажные заводы, которые имеют соответствующие лицензии и необходимое оборудование для того чтобы проводить необходимые технологические операции без вреда для окружающей среды. Мы настоятельно не рекомендуем вам пытаться самостоятельно извлекать драгметаллы из радиодеталей, катализаторов и проч. На нашем сайте Вы можете ознакомиться с содержанием драгметаллов в радиодеталях и различном оборудовании. Данные драгметаллы находятся в природе в очень ограниченном количестве и поэтому имеют столь высокую ценность.

Удобная и простая в эксплуатации фритюрница Kitfort KT станет настоящей помощницей в создании кулинарных шедевров.

Грунтовые катки производства фирмы Bomag — универсальная, долговечная и надежная техника, предназначенная для уплотнения грунтовой поверхности в процессе строительства и реконструкции дорожного полотна, а также при выполнении ландшафтных работ. В продуктовом портфеле бренда в настоящее время представлены модели с гладким вальцом, с гладким вальцом и повышенным преодолеваемым уклоном, с кулачковым вальцом и повышенным преодолеваемым уклоном. По габаритным размерам выделяют как компактные и маневренные образцы весом от 4 до 8 т, так и тяжелые катки повышенной мощности весом от 7 до 26 т, что позволяет потребителям приобрести соответствующий их запросам, требованиям, сфере деятельности и бюджеты вариант. Так, небольшие катки являются рациональным инструментом для работы с песком, гравием, глиной и каменной крошкой, особенно в стесненных условиях и на некрупных объектах, к примеру, на парковках, дорожках. В то же время более габаритные образцы отлично проявляют себя при проведении уплотнительных работ на крупных строительных площадках, включая возведение аэропортов, плотин, а также больших участков автомагистралей. Подробнее характеристики катков рассмотрим на примере популярной серии катков Bomag BW , с помощью которых уплотняют полусвязные и зернистые типы грунтов, включая песок, гравий, каменную крошку, а также гидравлически вяжущие материалы.

Характеристики Миксер Kitfort КТ-1324-3 зеленый

Вы можете забрать товар со склада нашей компании по адресу: г. Чебоксары, пр-кт Мира, д. Стоимость доставки: бесплатно Доставка до терминала транспортной компании в г. Чебоксары осуществляется бесплатно. Стоимость доставки: 10 р. Регионы доставки нашим автотранспортом: Чувашская республика и республика Марий Эл.

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Чайник Kitfort KT 640

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Схема регулятора оборотов коллекторного двигателя в бывает двух типов — стандартная и модифицированная. Все зависит непосредственно от регулятора, который вы используете. Множество бытовых приборов и электроинструментов не обходятся без коллекторного электродвигателя. Такая популярность подобного электродвигателя обусловлена универсальностью. Для коллекторного электродвигателя может использование питание от тока постоянного или переменного напряжения. Дополнительным преимуществом является эффективный пусковой момент. При этом работа от постоянного или переменного тока электродвигателя сопровождается высокой частотой оборотом, что подходит далеко не всем пользователям. Чтобы обеспечить более плавный пуск и иметь возможность настраивать частоту вращения, используется регулятор оборотов. Простой регулятор вполне можно изготовить своими руками. Теперь возвращаемся к теме регулятора оборотов.

Высоковольтные -p- составные биполярные мощные транзисторы КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1

Приобретаем транзисторы КТА из сверхнормативных запасов, производственных остатков организаций. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 г.

Оставьте заявку.

Характеристики BMW 840i Gran Coupe

Справочник по транзисторам биполярным низкочастотным средней и большой мощности. Цены в магазинах. Входные и выходные характеристики транзисторов кта, ктб, ктв, ктг, аналоги, цена. Параметры кта, ктб, ктв, ктг, цоколевка. Область применения транзисторов, цена. Корпус ТО Графики входных характеристик.

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Компьютерная томография. Метод исследования - Телеканал «Доктор»

Аудио аксессуары. Измерительные приборы. Блоки питания, зарядки. Кабельная продукция. Компьютерные аксессуары.

Импульсный источник питания - Блоки питания (импульсные) - Источники питания


  Импульсный источник питания отличается большой мощностью, простотой схемы и высоким КПД. Он предназначен для питания мощной нагрузки, например УМЗЧ, а также других устройств, имеющих свою защиту от замыканий и токовых перегрузок.

  Технические характеристики:
Напряжение питающей сети, 220 В    
Выходное напряжение, 2x30 В
Максимальная    выходная мощность, 500 Вт    
Максимальный КПД, 92% 

Конструкция ИИП может быть произвольная, взаимное расположение элементов на плате не критично. Номинальное напряжение конденсаторов С1 и С2 — 630 В,    С4 и С5 — не меньше 250 В,
С10 — 63 В. Диоды сетевого выпрямителя КД202Р заменимы сборкой KBU610 (6 А, 1000 В).
 Каждый диод выходного выпрямителя КД213А (VD6—VD9) установлен на теплоотвод площадью 35 см2. Тринистор КУ221Д размещен на теплоотводе площадью 20 см2  Его можно заменить высоковольтным тринистором другой серии, например, КУ202М или КУ202Н. Транзисторы VT1, VT2 установлены на теплоотводах площадью 150 см? каждый. Вместо КТ812А можно применить КТ812Б , КТ828А, КТ834А, КТ840А. Однопереходный транзистор VT3 — любой из отечественной серии КТ117 или зарубежной 2N494. 
   Для намотки всех дросселей и трансформаторов в ИИП использован провод ПЭВ-2. Двухобмоточный дроссель L1 намотан на кольце из феррита М2000НМ-А типоразмера К28х16х9. Его обмотки содержат по 116 витков провода диаметром 0,8 мм. Намотка производится в два провода одновременно. Дроссель L2 аналогичен L1. Трансформатор Т1 наматывают на магнитопроводе из феррита М2000НМ1-17 (три сложенных вместе кольца К45х28х8). Обмотка I содержит 131 виток провода диаметром 0,8 мм. Обмотка II — 4 витка провода диаметром 0,3 мм. Обмотка III — 13 витков провода диаметром 0,5 мм. Выходная обмотка IV имеет отвод от середины и содержит 58 витков провода диаметром 1,5 мм. Каждую обмотку необходимо изолировать от других, например, фторопластовой пленкой. Для увеличения электропрочности изоляции трансформатор можно пропитать церезином или парафином. Пропитка эпоксидным компаундом предпочтительнее с точки зрения механической прочности и гигроскопичности, однако, такой трансформатор будет неразборным. Кольца, составляющие магнитопровод, полезно склеить.
  Трансформатор Т2 наматывают на кольце из феррита М2000НМ-А типоразмера К20х10х5. Обмотки I, II, III содержат по 6 витков провода диаметром 0,5 мм. Обмотка IV содержит 10 витков того же провода. Ее наматывают первой. Обмотки I и II наматывают в два провода. Провод следует равномерно распределить по кольцу. Между обмотками прокладьваю слои изоляции, например лакоткани.
Если в конструкции использованы исправные детали и монтаж выполнен без ошибок, ИИП должен заработать сразу после включения. Если генерация не возникнет, то необходимо поменять местами выводы обмотки III трансформатора Т2. Можно проверить ток и напряжение в характерных точках: постоянное напряжение на конденсаторе СЗ должно быть 290 В при максимальной нагрузке, а переменное напряжение на обмотке I трансформатора Т1 — 192 В, на его же обмотке III—16 В. Переменный ток, проходящий через обмотку I трансформатора Т1, равен 80 мА на холостом ходу. Переменный ток, протекающий через резистор обратной связи R6, — около 460 мА на холостом ходу ИИП. Переменный ток, потребляемый источником питания от сети на холостом ходу, — 38 мА.  

Е.Гайно, Е. Москатов;  Радио 2004, №9

Биполярные транзисторы серии КТ8хх

Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.

Подробная информация о производителях - в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах - здесь
типаналогклассUкэ, ВIк, Аh31Uнас, Вtрас, мкс
[fгр, МГц]
корпуспроизводительподробности
2Т803АBDY23npn601018...802.5[20]КТЮ-3-20ИСКРАГе3.365.008ТУ
2Т808АBLY47npn1201010...501.5[7]КТЮ-3-20ИСКРАГе3.365.004ТУ
2Т809АBLY49npn400315...1001.5[40]КТЮ-3-20ИСКРАГе3. 365.017ТУ
2Т812А npn700105...302.53,5КТ9ФЗМТаА0.339.193ТУ
КТ814ГBD135pnp1001.5400.6 КТ27КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР 
КТ815ГBD140npn1001.5400.6 КТ27КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР 
КТ816Г pnp1003250.6 КТ27КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР 
КТ817Г npn1003250.6 КТ27КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР 
КТ818Г/Г2BD239pnp901015...2751[3]КТ28/dpakКРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ819Г/Г2BD244npn1001015. ..2751[3]КТ28/dpakКРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ820В pnp1000.5400.2 б/кКРЕМНИЙ 
КТ821В npn1000.5400.2 б/кКРЕМНИЙ 
КТ822В pnp1002250.3 б/кКРЕМНИЙ 
КТ823В npn1002250.2 б/кКРЕМНИЙ 
КТ825АBDX64pnpD1002075024.5КТ9КРЕМНИЙ 
КТ825А2 pnpD1001550024. 5КТ28КРЕМНИЙ 
КТ826А2SC1101npn70011202,51.5КТ9ФЗМТ 
КТ827А2N6284npnD10020>75024,5KT9КРЕМНИЙ | ФЗМТаА0.336.356ТУ
КТ828А2SC1413npn800540.55КТ9ЭЛИЗ 
КТ829А/А2BD649npnD10087502[4]KT28/dpakИСКРА | КРЕМНИЙ | ЭПЛ 
КТ830Г2N4236pnp1002300.61КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ831Г2N4239npn1002420. 62КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ832А npn5000.15026   
КТ834АBUX30npnD50015>15026KT9КРЕМНИЙ | ФЗМТаА0.336.471ТУ
КТ835А2N6107pnp303250.35 КТ28ЭЛЕКТРОНИКА 
КТ836А pnp903200.61КТ3КРЕМНИЙ 
КТ837А2N6111pnp807.51200.91КТ28ЭЛЕКТРОНИКА | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР 
КТ838АBU208npn15005 510KT9ЭЛЕКТРОНПРИБОР | КРЕМНИЙ 
КТ839АBU2520npn15001071. 510КТ9ФЗМТаА0.336.485ТУ
КТ840АBU326Аnpn40061013.5КТ9КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ841АBDX96npn60010201.51.0КТ9КРЕМНИЙ 
КТ841А1 npn60010101.52.0КТ28КРЕМНИЙ 
КТ842А2SB506Apnp3005201.80.8КТ9КРЕМНИЙ 
КТ842А1 pnp3005101.82.2КТ28КРЕМНИЙ 
2Т844АUPT732npn2501010. ..502.32KT9ФЗМТ 
КТ845АBU126npn40051001.54.0КТ9ФЗМТаА0.336.595ТУ
КТ846АBU209npn15005 110KT9КРЕМНИЙ 
КТ847АBUW76npn36015101.53.0KT9КРЕМНИЙ | ФЗМТаА0.336.576ТУ
КТ848АBUX37npn40015>201.5 KT9ЭЛИЗ 
КТ850А/А2MJD340npn20024...2001[20]КТ28/dpakКРЕМНИЙ 
КТ851А/А2MJD350pnp200240. ..2001[20]КТ28/dpakКРЕМНИЙ 
КТ852АTIP117pnpD1002.55002,52,0КТ28КРЕМНИЙ 
КТ853А/A2MJD127pnpD10087502[7]КТ28/dpakКРЕМНИЙ 
КТ854АMJE3007npn500102021,2КТ28КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ855АMJE5852pnp2505201 КТ28КРЕМНИЙ 
КТ856АBUX48Anpn40010301.5[8]КТ9КРЕМНИЙ | ИСКРАаАО.339.383ТУ
КТ857АBU409npn1507>812,5КТ28КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ858АBU406npn2007>1011,2КТ28КРЕМНИЙ 
КТ859АBUX84npn4003101. 53,5КТ28КРЕМНИЙ 
КТ860А pnp9021600.350.1КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ861А npn9021000.350.1КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ862А npn4501510021КТ57ПУЛЬСАР 
КТ863А/А2 npn301030...1000.3[4]KT28/dpakКРЕМНИЙ 
КТ863БС/1 npn160122000.55 to220/to263СИТ
КТ864А npn200102000. 73КТ9КРЕМНИЙ 
КТ865А pnp200102002 КТ9КРЕМНИЙ 
КТ866А npn160201001.50,4 ПУЛЬСАР 
КТ867АBUY21npn20025>101.5[25]КТ9ИСКРАаАО.339.439ТУ
КТ868АBU426Anpn4006>101.50.6КТ43КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ872АBU508Аnpn15008>61<1,0KT43КРЕМНИЙ 
КТ873А npnD200810001. 6 КТ23  
КТ874А npn100301510,5КТ57ПУЛЬСАР 
КТ875А npn9010800.50.4КТ9КРЕМНИЙ 
КТ876А pnp9010800.51.0КТ9КРЕМНИЙ 
КТ877А pnpD8010>10k20.7КТ9КРЕМНИЙ 
КТ878АBUX98npn40025501.5[10]КТ9КРЕМНИЙ | ИСКРАаАО.339.574ТУ
КТ879А2N6279npn20050>201. 1[3]КТ5ИСКРАаАО.339.609ТУ
КТ880А pnp10022500.350.5КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ881А npn10022500.350.5КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ882А npn35011511,4КТ28КРЕМНИЙ 
КТ883А pnp3001251.82,8КТ28КРЕМНИЙ 
КТ884А npn8002250.82КТ28КРЕМНИЙ 
КТ885А npn40040122.52КТ9  
КТ886А npn14001061. 03.5КТ9ЭЛЕКТРОНПРИБОРразвертка
КТ886А12SC3412npn14001061.03.5КТ43ЭЛИЗ 
КТ887А pnp6002>105.0 КТ9КРЕМНИЙ 
КТ888А pnp8000.11001.0 КТ2-7КРЕМНИЙ 
КТ889А npn35010 1,50.3КТ9ИСКРА 
КТ890АBU931ZPnpn35020 <2.0 КТ43ЭЛИЗавтозажигание
КТ891А npn25040500. 71.0КТ61АПУЛЬСАР 
КТ892АBUZ931ZDnpnD350153001,85КТ9ИСКРА 
КТ892А1TIP661npnD350153001,85КТ43ИСКРА 
КТ893АBU826npnD80065002.00.8KT43ЭЛЕКТРОНПРИБОР 
КТ894А2SC3889npn7008 2.04.5КТ43ЭЛЕКТРОНПРИБОР 
КТ895АBU508DFnpn7008 1.06.5КТ43СЭЛЕКТРОНПРИБОР 
КТ896ABDW64ApnpD90518k  KT43КРЕМНИЙ 
КТ897ABU937npnD350204001. 8 КТ9КРЕМНИЙ 
КТ898АBU931ZPnpnD350204001.6 КТ43КРЕМНИЙ 
КТ899А2N6388npn1501010001.3 КТ28ИСКРА{=КТ829А}
КТ8101АBD245npn20016>202 КТ43КРЕМНИЙ 
КТ8102АBD246pnp20016>202 КТ43КРЕМНИЙ 
КТ8104А pnpD2002010k2.2 КТ9КРЕМНИЙ 
КТ8105А npnD2002010k2. 2 КТ9КРЕМНИЙ 
КТ8106АBDW65AnpnD902018k2,0 КТ43КРЕМНИЙ 
КТ8107АBU508npn7008>101.00.5КТ43КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ8108А2SC3750npn8505>101.03.2КТ28ЭЛИЗ 
КТ8109АTIP151npn3507>1801.51.5КТ28КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ8110А2SC4242npn4007>150.80.3КТ28КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ8111А npnD10020>7502. 01.5КТ43ЭЛИЗ 
КТ8112А npn4000.5>3002[10]КТ27КРЕМНИЙ | ИСКРА 
КТ8113А npn100011002.51.5КТ43ЭЛИЗ 
КТ8114А        ЭЛЕКТРОНПРИБОР 
КТ8115АTIP127pnpD1008>10002.0[4]КТ28ИСКРА | ТРАНЗИСТОР 
КТ8116АTIP122npnD1008>10002.0[4]КТ28ИСКРА | ТРАНЗИСТОР 
КТ8117А2SC3306npn40010501. 51.0КТ43ИСКРА 
КТ8118А2SC3150npn8003102.00.7КТ28ИСКРА 
КТ8120А npn4508 1.00.5   
КТ8121АMJE13005npn4004 1.03,5КТ28ИСКРА 
КТ8121А2BU208npn7008 1.00,5КТ9ИСКРА{=КТ838}
КТ8124А npn2007 1.00.7   
КТ8125А npn1006 1.50.3   
КТ8126АMJE13007npn4008>101. 00.4КТ28ИСКРА | ТРАНЗИСТОР 
КТ8127АBU508npn15005 1.00.7КТ43ЭЛИЗ 
КТ8127А1BU508Anpn15005 1.00.7КТ43ЭЛИЗ 
КТ8129А npn7005 5.0 КТ9КРЕМНИЙ 
КТ8130В2N6036pnpD80415k2.0 КТ27КРЕМНИЙ 
КТ8131В2N6039npnD80415k2.0 КТ27КРЕМНИЙ 
КТ8134Г pnp603   КТ27ЭЛЕКТРОНИКА 
КТ8135Г npn603   КТ27ЭЛЕКТРОНИКА 
КТ8136А2SC4106npn6001050<1,02. 5КТ28ЭЛИЗ 
КТ8136А1 npn6001050<1,02.5КТ28ЭЛИЗ+диод
КТ8137АNJE13003npn4001.5501.00.4КТ27ИСКРА 
КТ8138Г npn4007500,80.5КТ28ЭЛЕКТРОНПРИБОР 
КТ8140А1BU406Dnpn4007>10<1,0 КТ28ЭЛИЗ 
2Т8143хТК235-40npn24050150,8 КТ9М | КТ5ИСКРААЕЯР.432140.137ТУ
2Т8144В|В1BUX98npn45025   КТ9 | КТ9МИСКРААЕЯР. 432140.261ТУ
КТ8145А npn40012 1.00.9   
КТ8146АBUX48npn45015 1,52,5КТ9ИСКРА{=КТ856}
КТ8149АMJ2955pnp60151201.1[4]КТ9ИСКРА 
КТ8150А2N3055npn60151201.1[4]КТ9ИСКРА 
КТ8154А npn45030 1,52,5КТ9ИСКРА 
КТ8155АBUX348npn45050 1,52,5КТ9МИСКРА 
КТ8156БBU807npnD20081001. 5 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8157А2SC3688npn8001581.53,0КТ9ИСКРА 
КТ8158BBDV65CnpnD10012>10002.0 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8159BBDV64CpnpD10012>10002.0 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8164АMJE13005npn6004   КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8170А1MJE31003npn4001.5401.0[0.004]КТ27ТРАНЗИСТОР 
КТ8174А npnD50040 2,54,0КТ9МИСКРА{=2ТКД155-40}
КТ8175АMJE13003npn7001. 540 0.4КТ27ЭЛИЗ 
КТ8176BTIP31Cnpn1003.0251.2[0.003]КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8177BTIP32Cpnp1003.0251.2[0.003]КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8181АMJE13005npn700450 0.4КТ28ЭЛИЗ 
КТ8182АMJE13007npn700850 0.15КТ28ЭЛИЗ 
КТ8183А2SD900Bnpn150053 0.3КТ9ЭЛИЗ 
КТ8183А12SD1911npn150053 0. 3КТ43ЭЛИЗ 
КТ8190ГESM3003npn300100101,52,5КТ9МИСКРА 
КТ8191АSK200DA060DnpnD600200   модульИСКРА 
КТ8192АBUh2215npn70030101,53,0isotopИСКРА 
КТ8199АD45h3Apnp301085  КТ28МИКРОН 
КТ8201АMJE13001npn4000.640 0.3КТ27МИКРОН 
КТ8203АMJE13003npn4001.525 0. 7КТ27МИКРОН 
КТ8205АMJE13005npn400440 0.9КТ28МИКРОН 
КТ8207АMJE13007npn400830 0.7КТ28МИКРОН 
КТ8209АMJE13009npn4001230  КТ28МИКРОН 
КТ8210АSK100DB060DnpnD600100   модульИСКРА 
КТ8212АTIP41Cnpn     КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8213АTIP42Cpnp     КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8214АTIP110npn     КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8215АTIP115npn     КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8216Г1MJD31Cnpn1001012. ..2751,5[3]dpakКРЕМНИЙ 
КТ8217Г1MJD32Cpnp1001012...2751,5[3]dpakКРЕМНИЙ 
КТ8218Г1MJD112npnD1004100...15k3[25]dpakКРЕМНИЙ 
КТ8219Г1MJD117pnpD1004100...15k3[25]dpakКРЕМНИЙ 
КТ8221АESM7007npn700200   модульИСКРА 
КТ8223АSK1500A100Dnpn800150   модульИСКРА 
КТ8224АBU2508Anpn7008516КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8224БBU2508Dnpn7008516КТ43ТРАНЗИСТОРс обратным диодом
КТ8225АBU941ZPnpn     КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8228АBU2525Аnpn     КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8229АTIP35Fnpn     КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8230АTIP36Fpnp     КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8232А1BU941npn35020>3001,8[10]КТ43ВЗПП-СDarl | АДБК.432140.837ТУ
КТ8247АBUL45D2npn4005,0>220.5 КТ28ТРАНЗИСТОРс антинасыщающим элементом
КТ8248АBU2506Fnpn7005.093.0 КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8251АBDV65Fnpn     КТ43ТРАНЗИСТОР 
КТ8Д.252АBU941npnD350152k1.8 to218 | to220 | to263ЭПЛзажигание
КТ8254АКТ506Аnpn4002300,6[10]dpakКРЕМНИЙ 
КТ8255АBU407Cnpn1607.0>151.0 КТ28ТРАНЗИСТОР 
КТ8Д.257ВКТ829npnD100158501.8 to220 | to263ЭПЛзажигание
КТ8258АMJE13005npn4004600.8 to220 | to263ЭПЛзажигание
КТ8259АMJE13007npn4008601.2 to220 | to263ЭПЛзажигание
КТ8260АMJE13009npn40012601.2 to220 | to263ЭПЛзажигание
КТ8261АBUD44D2npn4002.0>100.65 КТ27ТРАНЗИСТОРс антинасыщающим элементом
КТ8Д.262АКТ8133npnD300 3001.8 to218ЭПЛзажигание
2Т8266АESM3001npn200300102,01,0модульИСКРА 
КТ8270АMJE13001npn4005.0900.5 КТ27ТРАНЗИСТОР 
КТ8271АBD136pnp     КТ27ТРАНЗИСТОР 
КТ8272АBD135npn     КТ27ТРАНЗИСТОР 
КТ8277АBUh2215npn70016 1,20,2КТ9МИСКРА 
КТ8290АBUh200npn40010.0>101.0 КТ28ТРАНЗИСТОРР 9/06
КТ8292АBUX348npn45060 0,92,5КТ9МИСКРА 
КТ8295АС npn8504.0 1.21,0КТ19A-3ФЗМТР9/06 сборка
2Т8308А9|А91BCP56npn80163...2500,5 КТ99-1 | КТ47КРЕМНИЙ 
2Т8309А9|А91BCP53pnp801100...2500,5 КТ99-1 | КТ47КРЕМНИЙ 
2Т8310А9|А91FZT658npn4000,5>400,5 КТ99-1 | КТ47КРЕМНИЙ 
Схема

Дарлингтона. Принцип работы. Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона. Пара Шиклай и Каско Схема

Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них - самый простой - это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллектор-эмиттер напряжения. О высокой цене Такие «высоковольтные» транзисторы приводят к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. для всего спектра радиотехнических устройств.А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B - или использовать устройства KP501A ... B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключен вместо базы VT1, а выход истока - вместо эмиттера VT2, выход потока - вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

После такой несложной доработки, т.е.е. Замена узлов Б. электрические схемы универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А ... в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014ct1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению - до 200 В постоянного напряжения. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a ... 1014K1V показано на рис. 1.25.

Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

Полевые транзисторы Codolve в микросхеме 1014ct1a ... в

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.

При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем те модели, которые предлагают фирмы-производители радиоэлектронных компонентов (или лучше, чем реализовать имеющуюся технологию изготовления транзисторов). Такая ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Обычно нам требуется большее усиление по току. ч. 21, большее значение входного сопротивления ч. 11 или менее выходная проводимость ч. 22.

Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшив при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на транзисторах NPN показан на рисунке 1.


Рисунок 1 Диаграмма Дарлингтона на транзисторах NPN

Схема эквивалентна одиночному транзистору NPN.В этой схеме эмиттерным током транзистора VT1 является ток базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основное преимущество схемы Дарлингтона - высокий средний коэффициент усиления по току ч. 21, что приблизительно можно определить как работу ч. 21 входящий транзистор:

(1)

Однако следует учитывать, что коэффициент ч. 21 сильно зависит от токоприемника.Поэтому при малых значениях токосъемника транзистора VT1 его величина может значительно уменьшиться. Пример наркомании ч. 21 от коллекторного тока для разных транзисторов показано на рисунке 2


Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора

Как видно из этих графиков, коэффициент h. 21Е практически не меняется только на двух транзисторах: отечественном CT361B и зарубежном BC846A. В других транзисторах коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.

В случае, когда базовый ток транзистора VT2 достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого коэффициента усиления по току h. 21. В этом случае увеличиваем коэффициент ч. 21 и соответственно уменьшения тока составного транзистора можно добиться за счет увеличения тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как показано на рисунке 3.


Рисунок 3 составного транзистора Дарлингтона с дополнительным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора

Для примера определим элементы схемы Дарлингтона, собранные на транзисторах BC846A, пусть ток транзистора VT2 составляет 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:

(2)

При таком токе коэффициент усиления ч. 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличенный токоприемник VT1 на транзисторе с резистором позволяет существенно выиграть по величине общего коэффициента усиления. ч. 21. Так как напряжение на основе транзистора является постоянным (для кремниевого транзистора u. BE = 0,7 В), то рассчитываем по закону Ома:

(3)

В этом случае мы имеем право ожидать увеличения тока до 40000. Таким образом, это много отечественных и зарубежных транзисторов superbett, таких как KT972, CT973 или CT825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах НЧ (), операционных усилителях и даже цифровых, например,.

Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как высокое напряжение U. CE Если в обычных транзисторах U. Ke составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение увеличивается до 0,9 В. Это связано с на необходимость открытия транзистора VT1, а для этого на его базу необходимо подать напряжение 0,7 В (если рассматривать кремниевые транзисторы).

Для устранения указанного недостатка разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах.В русском Интернете Ее назвали схемой Шиклая. Это название произошло из книги Титца и Шанки, хотя ранее эта схема имела другое название. Например, в советской литературе это называлось парадоксальной парой. В книге В. Е. Хелина и В. Холмса составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором. Схема составного PNP транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 4.


Рис. 4 Составной транзистор PNP на дополнительных транзисторах

Таким же образом формируется транзистор NPN.Схема составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 5.


Рисунок 5 составного NPN-транзистора на комплементарных транзисторах

На первом месте в первую очередь стоит книга 1974 года издания, но есть книги и другие публикации. Есть основы, которые долго не шевелятся, и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Вы должны четко сказать! За все это время профессиональной деятельности я встретил менее десяти книг.Я всегда рекомендую изучать разработку аналоговых схем из этой книги.

дата последнего обновления Файл 18.06.2018

Литература:

Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» читать:


http: // Сайт / SXEMOTEH / Shvkltrz / Kaskod /


http: // Сайт / SXEMOTEH / SHVKLTRZ / OE /

Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, в них стремительно стали появляться электрические накопительные устройства и, в частности, триоды.В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.

Бегинная, а иногда и опытный радиолюбитель-конструктор, не сразу может найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, намного проще построить «постройку» того или иного устройства.

Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.

Одна из первых проблем, встающих перед разработчиком - это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить путем параллельного включения транзисторов (). Изогнутые резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.

Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при наборе больших сигналов, но и для уменьшения шума при увеличении слабых. Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельных транзисторам.

Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант улучшения показан на. Благодаря введению герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.

Для защиты от обратного напряжения параллельно выходам эмиттерного коллектора обычно включают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.

При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется переключить его из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда используют принудительную RC-цепочку (). В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе данных, сокращая время простоя.

Увеличение крутизны транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения его изменения на базе (затворе) при постоянном УЗИ UK)) можно использовать по схеме Дарлингтона (). Резистор в базе базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для указания текущего тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (благодаря использованию полевого транзистора) присутствует. Составные транзисторы, представленные на рис.Причем, собранный на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.

Введение дополнительных транзисторов в схему Дарлингтона и шиклаи, как показано на рис. А, увеличивает входное сопротивление второго каскада переменного тока и, соответственно, коэффициент передачи. Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает соответственно схему и, линеаризуя крутизну транзистора.

Представлен высокоскоростной широкополосный транзистор.Увеличение скорости достигается за счет уменьшения эффекта Миллера аналогичным образом.

"Алмазный" транзистор по Патенту ФРГ представлен на. Возможные варианты На ней изображены включения. Характерная особенность этого транзистора - отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда и увеличение грузоподъемности схемы вдвое.

Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В изображен на рисунке 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 на составной транзистор ().

Аналогичные аргументы можно привести для транзистора типа p-N-P, а также для полевого транзистора с каналом P-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в коллекторную цепь () или в эмиттерную цепь ().

Как видно из полученных формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальное рассеивание мощности - на простом транзисторе с нагрузкой в ​​коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в ​​коллекторной цепи равнозначно.Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При включении нагрузки в цепи Эмиттера преимущество транзистора Шиклая очевидно.

Литература:

1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Puber. 20-133-83.
3. A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Puber.22-133-88. - 47 с.

1. Увеличьте мощность транзистора.

резисторов в цепях эмиттера необходимы для равномерного распределения нагрузки; Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.

2. Защита от токовой перегрузки.

Недостаток - снижение КПД из-за наличия датчика тока R.

Другой вариант - за счет введения герониевого диода или диода Шоттки можно уменьшить номинал резистора R в несколько раз, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.

3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.

За счет каскадирования транзисторов эффект Миллера значительно снижен.

Другая схема - за счет полного перехода второго транзистора от входа и питания первого транзистора с напряжением, пропорциональным входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие - второй транзистор должен иметь больше отключение высокого напряжения).Входной транзистор можно заменить на биполярный.

4. Защита транзистора от глубокого насыщения.

Предотвращение прямого смещения переходного коллектора с помощью диода Шоттки.

Более сложный вариант - Схема Бейкера. Когда напряжение достигает коллектора транзистора базы данных, ток базы сбрасывается через переход коллектора, предотвращая насыщение.

5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.

С датчиком тока базы данных.

С датчиком тока коллектора.

6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора за счет принудительного включения RC-цепочки.

7. Транзистор композитный.

Схема Дарлингтона.

Схема Шиклая.

Если подключить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов транзисторов.Такой прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных ступеней усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.

В транзистоне Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал транзисторный эмиттер по падению напряжения на диоде).Кроме того, транзисторы соединены между собой как один транзистор с достаточно низкой скоростью, так как транзистор не может быстро выключить транзистор. Учитывая это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора в зону проводимости за счет токов утечки транзистора и. Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в нанопарфюмерах для небольших транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и при этом Время, чтобы ток протек, мало по сравнению с ним Базовый ток транзистора.Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч Ом в небольшом транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный П-П-П-транзистор типа Дарлингтона, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) для тока коллектора, равного 10 А.

Рис. 2.62. Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).

Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai).

Подключение транзисторов по схеме Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, что мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор типа П-П с большим коэффициентом. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде.Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Дарлингтона, образованный транзисторами, ведет себя как одиночный транзистор транзистора P-P-типа с большим коэффициентом усиления по току.Транзисторы, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор P-P-R-TIAI с большим коэффициентом усиления.

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы.

Как и раньше, резисторы и имеют малое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В нынешнем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы будут подключены по схеме Дарлингтона.

Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока.

Компонентные транзисторы - транзистор Дарлингтона и не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых этот коэффициент очень велик в ходе технологического процесса изготовления изделия. Примером такого элемента является тип транзистора, для которого гарантирован минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от до этого транзистора, принадлежит к серии элементов, характеризующихся диапазоном Максимальные напряжения От 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то значение следует уменьшить).Промышленность производит согласованные пары транзисторов со значением коэффициента супергравия. Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются типовые схемы, это пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано с делением Милвольта (в наиболее хороших схемах согласование обеспечивается, а коэффициент типовой схемы является когерентным пара.

Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента можно комбинировать по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным только (примерами таких схем являются операционные усилители типа

).

№ 6. Синтез

Пришло время собрать все воедино и посмотреть, какие картины вырисовываются. Что эти шаблоны говорят нам об особенностях хоста?

Филогенетическая визуализация

Анализ IMNGS

Чтобы копнуть немного глубже, мы сравнили наши DA ASV с базой данных IMNGS.IMNGS содержит тщательно подобранную базу данных коротко читаемых последовательностей, извлеченных из International Nucleotide Sequence Database Collaboration (GenBank, DDBJ и EMBL). База данных обновляется ежемесячно и на момент анализа содержала 271 237 образцов. IMNG действительно разработан для скрининга полноразмерных последовательностей 16S рРНК и не идеален для более коротких чтений. Это связано с тем, что база данных строится из коротких чтений, и различные исследования нацелены на разные области гена. Например, если мы не получаем совпадений с ASV, это может означать, что организмы, от которых он произошел, на самом деле не были обнаружены ранее или что он находится в базе данных, но представлен другой областью 16S.Так что относитесь к этим данным с недоверием.

IMNGS не является высокопроизводительной системой . Пользователь может отправить не более 10 последовательностей на запрос, и это может (и будет) выполняться неделями. Так что внимательно выбирайте ASV.

IMNGS вернет много полезных данных для каждой последовательности запросов. Все, что нас здесь интересовало, это количество обращений, но здесь было гораздо больше действительно полезных данных. Среди других продуктов данных IMNGS возвращает таблицы отчетов, в которых подсчитано количество образцов , которые были положительными на присутствие подобных запросов последовательностей для каждой категории образцов - таких категорий, как метагенома кишечника креветок и метагенома морской воды .В каждой категории есть несколько выборок для краткого чтения, которые могут быть взяты из одного или нескольких исследований.

Отчет включает значения для нескольких процентных значений отсечения идентичности. Мы установили минимальный порог 97%, поэтому в наших отчетах есть значения 97 и 99%. Вы можете установить порог до 90%.

IMNGS предоставляет три таких отчета в зависимости от количества запросов.

  1. Образец, полученный из SRA, считается положительным, если сумма запросов, подобных запросу, составляет более 0% от общего числа последовательностей в этом образце (т.е. любое изобилие).

  2. Образец, полученный с помощью SRA, считается положительным, если сумма запрашиваемых последовательностей составляет более 0,1% от общего числа последовательностей в этом образце (т. Е. Исключая редкие количества).

  3. Выборка, полученная с помощью SRA, считается положительной, если сумма подобных запросов последовательностей составляет более 1% от общего числа последовательностей в этой выборке (т. Е. Включая только доминантные OTU).

Мы сообщаем данные для 97% -й граничной идентичности и 0.1% от общего количества чтений в выборке. Я думаю, что это немного сбивает с толку, поэтому позвольте мне объяснить на примере. В дереве ниже ASV398 наиболее тесно связан с Alphaproteobacteria, связанной с токсичной бентосной морской динофлагеллатой, Ostreopsis ovata . Мы получили эту последовательность во время анализа BLASTn, о котором говорилось выше. Так или иначе, ASV398 был проверен против IMNGS и вернул 2460 совпадений. Это означает, что при 97% идентичности 2460 образцов имели последовательность, подобную ASV398, составляющую более 0,1% от общего числа последовательностей данного образца.Если, например, мы увеличим процент идентичности до 99%, количество совпадений выборки упадет до 138. Если вместо этого мы посмотрим на отчет 0% (идентичность 97%), количество совпадений выборки увеличится до 6323.

Категории образа жизни Саллама

Мы также сравнили окончательный список лучших хитов с Sullam et. al. paper, а именно Table S1 из той бумаги. Поскольку эта статья была опубликована в 2012 году, в нашей базе данных было много совпадений с последовательностями, которых не было в исходной статье.Однако для тех, кто это сделал, мы добавили обозначения категории образа жизни Sullam в метаданные дерева.

Собираем кусочки вместе

Мы взяли все эти данные и использовали iTOL для визуализации дерева. Для каждого наиболее удачного результата мы добавили информацию об изолированном источнике / естественном хозяине, таксономическую принадлежность и категорию образа жизни Sullam . Мы также наложили количество обращений к базе данных IMNGS для каждого ASV.

Чтобы просмотреть полную интерактивную версию дерева, перейдите на эту страницу iTOL.

Рисунок 3

Вы можете панорамировать и увеличивать это дерево. Двойной щелчок увеличивает область.

Предполагаемая категория образа жизни

Мы использовали дерево, чтобы вывести категории образа жизни каждого ASV на основе ближайших родственников в их кладе. Это было не количественное определение, а определение, проводимое пользователем. Помимо MetaMetaDb (обсужденного выше), нам не известны какие-либо инструменты, доступные в настоящее время для количественной оценки предпочтения среды обитания последовательности 16S рРНК.

Для простоты мы сосредоточились на трех категориях образа жизни (хотя у нас есть семь категорий в дереве). Наши рассуждения - снова основанные на работе Sullam et. др. - состоял в том, что кишечник рыб содержит микробы универсального характера и, возможно, экологического происхождения (то, что они едят, где они живут), микробы, которые присутствуют, потому что рыба - это животные с кишками, и микробы, которые существуют, потому что рыба - это рыба и имеет физиология и эволюционная история, которые выбирают определенные организмы.Sullam et.al. также изучали рыб из разных мест обитания (пресноводные, устьевые, морские) и тропических (плотоядные, травоядные, всеядные), в то время как наше исследование было более узким по своему охвату.

  • ассоциированных с рыбами : ASV, наиболее близкие к последовательностям из кишечного тракта морских рыб.
  • ассоциированные с животными : ASV, наиболее тесно связанные с последовательностями других животных, включая одну пресноводную рыбу, других позвоночных и несколько неморских беспозвоночных.
  • универсалы : ASV, наиболее тесно связанные с последовательностями, широко распространены и, возможно, происходят из окружающей среды. В целом они имеют морское или морское происхождение (например, гиперсоленые маты, соленые озера) по происхождению, включая отложения, воду и потенциальную добычу (водоросли, растения, кораллы, губки). Однако на дереве есть листья из неморской среды (например, активный ил), которые мы сгруппировали в экологическую категорию.

Оценка специфики среды обитания.

Мы объединили эти прогнозы среды обитания с результатами анализа BLASTn, сканирования базы данных IMNGS, категорий образа жизни Саллама и т. Д.и поместите все это в одну редактируемую таблицу . Поэтому, если вы не согласны с прогнозом среды обитания, вы можете смело его изменить.

Стол S6

  habi_tab <- read.table ("ДАННЫЕ / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / habi_specificity.txt",
                       header = TRUE, sep = "\ t", check.names = FALSE)
# упорядочить по среде обитания и хозяину обогащено
habi_tab2 <- habi_tab [порядок (habi_tab $ hazabat_code, habi_tab $ Enriched),]
#habi_tab <- habi_tab [, -2] # удалить столбец кода
da_asvs_counts <- as.data.frame (taxa_sums (da_asvs))
colnames (da_asvs_counts) <- c ("total_reads")
# сделать rownames столбцом
da_asvs_counts <- cbind (ASV = rownames (da_asvs_counts), da_asvs_counts)
temp_table <- merge (da_asvs_counts, blast_tab, by = "ASV",
                    все = ИСТИНА, сортировка = ЛОЖЬ)

summ_table <- merge (temp_table, habi_tab2, by = "ASV",
                    all = TRUE, sort = FALSE, no.dups = TRUE)

summ_table <- summ_table [-c (22, 26, 27, 28, 29, 31)]
summ_table <- summ_table [c (1, 22, 23, 2, 24, 4, 3, 5, 6, 7, 8, 18, 19, 20,
                           9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 21, 25)]

datatable (summ_table, rownames = FALSE,
          colnames = c (
            «ASV», «Предполагаемая среда обитания», «Обогащенный», «Всего читает»,
            "Taxon", "Num perfect hits", "Top hit acc", "% identity",
            «Источник изоляции», «Нэт хост», «Общее название», «Год сбора»,
            «Страна», «Идентификатор PubMed», «Длина выравнивания», «Несоответствия»,
            «Разрыв открывается», «В.start "," Q. конец "," С. начало "," С. конец",
            "Evalue", "Bit score", "Num IMNGS hits", "Sullam lifestyle"),
          editable = TRUE, caption =
            htmltools :: tags $ caption (
              style = "caption-side: bottom; text-align: left;",
              «Дополнительная таблица 6:»,
              htmltools :: em ("Оценка специфики среды обитания.")),
          extension = "Кнопки",
          параметры = список (columnDefs =
                           список (список (className = "dt-center",
                                     цели = c (1, 2, 3, 4, 5,
                                                 6, 7, 8, 9, 10))),
                         dom = "Blfrtip", pageLength = 5,
                         lengthMenu = c (5, 10, 25, 60),
                         кнопки = c ("csv", "копировать"),
                         scrollX = TRUE, scrollCollapse = TRUE))  
  запись.таблица (summ_table, "ДАННЫЕ / PHYLOSEQ / TABLES / OUTPUT / SUPP / Table_S6.txt",
            sep = "\ t", col.names = c (
              «ASV», «Предполагаемая среда обитания», «Обогащенный», «Всего читает»,
              "Taxon", "Num perfect hits", "Top hit acc", "% identity",
              «Источник изоляции», «Нэт хост», «Общее имя»,
              «Год сбора», «Страна», «Идентификатор PubMed», «Длина выравнивания»,
              «Несоответствия», «Разрыв открывается», «Q. start», «Q. end», «S. start»,
              "S. end", "Evalue", "Bit score", "Num IMNGS hits",
              «Сулламский образ жизни»),
            строка.names = FALSE, quote = FALSE, fileEncoding = "UTF-8")  

Эта таблица также прокручивается по горизонтали.

NR указывает на отсутствие записи. Четыре ASV имели множество совпадений со 100% идентичностью. Мы не включали данные о самых популярных объявлениях для этих ASV.

Описание заголовков таблиц

  • ASV : Идентификатор ASV.
  • Всего чтений : Всего чтений ASV.
  • Предполагаемая среда обитания : Наше обозначение среды обитания на основе анализа.
  • Enriched : Какой из пяти растительноядных рифовых рыб была обогащена ASV.
  • Таксон : Таксономическая классификация ASV.
  • ближайшее соответствие БД : узел или среда с наибольшим совпадением.
  • % идентичности : процент идентичности самого популярного.
  • subject acc Инвентарный номер top BLAST hit
  • Хиты IMNGS : Количество совпадений в базе данных IMNGS. Значение указывает количество образцов, в которых было обнаружено совпадение с ASV.
  • Образ жизни Sullam : Категория образа жизни, определенная Sullam et. al., 2012. NLC указывает на отсутствие попадания в базу данных Sullam.
  • num perfect hits Количество совпадений 100% BLAST из 50 лучших.

Сводная информация о предпочтениях в среде обитания

Теперь мы можем суммировать данные по каждой категории образа жизни. Эта таблица была построена в текстовом файле и считана в R.

.

Таблица 1

  habi_summary <- читать.таблица ("DATA / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / Table_1.txt",
                           header = TRUE, sep = "\ t", check.names = FALSE)

данные (habi_summary,
          rownames = FALSE, editable = TRUE,
          caption = htmltools :: теги $ caption (
            style = "caption-side: bottom; text-align: left;",
            «Таблица 1:», htmltools :: em («Сводка специфики среды обитания.»)),
          extension = "Кнопки",
          options = list (columnDefs = list (list (className = "dt-center",
                                                target = c (1, 2, 3, 4, 5))),
                         dom = "Brti", buttons = c ("csv", "копировать"),
                         scrollX = TRUE, scrollCollapse = TRUE))  

Таксоны от хоста

Итак, мы знаем, что хозяин X обогащен некоторыми ASV из таксона Y.Это часть более крупного паттерна или единичный случай? Для данной таксономической группы и ранга, какая доля от общего числа считываний (от всех ASV) была обнаружена у конкретного вида-хозяина? В какой-то момент было бы неплохо, если бы это был интерактивный шаг, но пока мы должны изменить приведенный ниже код, чтобы посмотреть на разные таксоны. В этом примере будет рассмотрено семейство Desulfovibrionaceae (Deltaproteopbacteria)

.
Доля общего числа считываний для данного таксона и ранга
  # Измените это, чтобы выбрать разные таксоны
calc_tax_prop <- subset_taxa (mergedGP, Family == "Desulfovibrionaceae")
calc_tax_prop  
  ## объект уровня эксперимента класса phyloseq
## otu_table () Таблица OTU: [71 таксон и 5 образцов]
## sample_data () Пример данных: [5 выборок по 3 выборочным переменным]
## tax_table () Таблица таксономии: [71 таксон по 8 таксономическим рангам]  
  sample_sums_by_taxa <- sample_sums (calc_tax_prop)

total_taxa_reads <- сумма (sample_sums_by_taxa)
sample_sums_by_taxa <- as.data.frame (sample_sums_by_taxa)

sample_sums_by_taxa $ пропорция <-
                              (sample_sums_by_taxa $ sample_sums_by_taxa /
                                 total_taxa_reads) * 100
colnames (sample_sums_by_taxa) <- c ("всего таксонов прочитано", "Доля")
sample_sums_by_taxa $ Proportion <- round (sample_sums_by_taxa $ Proportion,
                                        цифры = 2)
total_taxa_reads_int <- as.integer (total_taxa_reads)
sample_sums_by_taxa  
  ## total taxa читает Доля
## AcCoe 133418 64.51
## AcTra 52223 25,25
## ScTae 805 0,39
## SpAur 5742 2,78
## SpVir 14643 7,08  

Отлично. Похоже, что существует 71 ASV Desulfovibrionaceae, и большинство (> 90%) считываний относятся к Acanthurus . Это интересно. Мы можем сделать это с любыми таксонами.

Доля всех считываний цианобактерий

Итак, давайте сделаем это, чтобы также посмотреть на долю цианобактерий, считываемых видами-хозяевами.

  # Измените это, чтобы выбрать разные таксоны
calc_tax_prop_Cyan <- subset_taxa (объединенныйGP, Phylum == "Cyanobacteria")
calc_tax_prop_Cyan  
  ## объект уровня эксперимента класса phyloseq
## otu_table () Таблица OTU: [484 таксона и 5 образцов]
## sample_data () Пример данных: [5 выборок по 3 выборочным переменным]
## tax_table () Таблица таксономии: [484 таксона по 8 таксономическим рангам]  
  sample_sums_by_taxa_Cyan <- sample_sums (calc_tax_prop_Cyan)

total_taxa_reads_Cyan <- сумма (sample_sums_by_taxa_Cyan)
sample_sums_by_taxa_Cyan <- as.data.frame (sample_sums_by_taxa_Cyan)

sample_sums_by_taxa_Cyan $ пропорция <-
  (sample_sums_by_taxa_Cyan $ sample_sums_by_taxa_Cyan / total_taxa_reads_Cyan) * 100

colnames (sample_sums_by_taxa_Cyan) <- c ("общее количество таксонов прочитано", "Пропорция")
sample_sums_by_taxa_Cyan $ Proportion <- round (sample_sums_by_taxa_Cyan $ Proportion,
                                             цифры = 2)
total_taxa_reads_Cyan_int <- as.integer (total_taxa_reads_Cyan)
sample_sums_by_taxa_Cyan  
  ## total taxa читает Доля
## AcCoe 9177 12.73
## AcTra 22781 31.61
## ScTae 26681 37.02
## SpAur 6283 8,72
## SpVir 7157 9,93  

Всего было обнаружено 484 ASV цианобактерий в 72079 чтениях.

DA ASV от хоста

На данный момент мы знаем, какие ASV обогащены какими видами хозяев, происхождение этих ASV и кое-что о том, где еще эти последовательности были обнаружены в природе. Затем мы хотели бы узнать долю общего числа считываний для каждого ASV, обнаруженного у каждого вида хозяев.Начнем со сводной таблицы этих данных.

Доля общего числа считываний ASV на вид хозяина
  # вычислить средние и объединить по видам
# взять объект da_asv ps и слить по образцам
daASV_mergedGP_BAR <- merge_samples (da_asvs_full, "Sp")
#daASV_SD_BAR <- merge_samples (sample_data (da_asvs_full), "Sp")
# вычислить процентную долю
daASV_AVG <- применить (t (otu_table (daASV_mergedGP_BAR)), 1, function (x) x / sum (x))
# транспонировать
daASV_t_AVG <- t (daASV_AVG)
daASV_t_AVG_df <- как.data.frame (daASV_t_AVG)

#####################
# выберите интересующие столбцы
da_ASV_tax <- habi_tab [c ("ASV", "Taxon", "Putative_habitat")]
da_ASV_tax2 <- da_ASV_tax [, -1]
rownames (da_ASV_tax2) <- da_ASV_tax [, 1]

#####################
# комбинировать на основе столбца ASV
daASV_work <- объединить (daASV_t_AVG_df, da_ASV_tax2, by = 0, sort = FALSE)

rownames (daASV_work) <- daASV_work [, 1]
daASV_work [, 1] <- NULL
#daASV_work

# затем сделать столбец row.names
daASV_work2 <- cbind (ASV = rownames (daASV_work), daASV_work)
# растопить df
# широкий формат в длинный?
daASV_work3 <- расплавить (daASV_work2, значение.name = "ASV")  
  ## Предупреждение в расплаве (daASV_work2, value.name = "ASV"):
## универсальному типу melt в data.table был передан data.frame
## и попытается перенаправить на соответствующий reshape2
## метод; обратите внимание, что reshape2 устарел, и
## это перенаправление также устарело. Продолжать
## используя методы melt из reshape2, в то время как обе библиотеки
## прикреплен, например melt.list, вы можете добавить пространство имен
## как reshape2 :: melt (daASV_work2). В следующей версии это
## предупреждение станет ошибкой. 
  colnames (daASV_work3) <- c ("ASV", "Taxon", "Putative_habitat",
                           «Образец», «Пропорция»)
daASV_work3 $ Пропорция <- округление (daASV_work3 $ Пропорция, цифры = 4)

с данными (daASV_work3,
          rownames = TRUE, editable = FALSE,
          caption =
            htmltools :: tags $ caption (
              style = "caption-side: bottom; text-align: left;", "Таблица 8:",
              htmltools :: em ("пропорция выборки DA ASV.")),
          extension = "Кнопки",
          options = list (columnDefs = list (list (className = "dt-center",
                                                target = c (1, 2, 3, 4, 5))),
                         dom = "Blfrtip", pageLength = 5,
                         lengthMenu = c (5, 10, 50, 100, 300),
                         buttons = c ("csv", "копировать"), scrollX = TRUE,
                         scrollCollapse = ИСТИНА))  
  запись.таблица (daASV_work3, "ДАННЫЕ / PHYLOSEQ / TABLES / OUTPUT / prop_ASV_reads_by_host.txt",
            sep = "\ t", row.names = FALSE, quote = FALSE)  

Теперь, когда у нас есть список DA ASV и назначенные им предпочтения среды обитания, мы хотим создать R-объект, который организует их некоторым логическим образом. Затем мы можем использовать этот объект для упорядочивания последующих графиков и таблиц. Итак, давайте упорядочим ASV по предполагаемому предпочтению среды обитания, а затем по виду хозяина, которым был обогащен этот ASV. Кажется достаточно разумным? В зависимости от команды R некоторые объекты должны располагаться в порядке возрастания, а другие - в порядке убывания.

  asv_order <- c («ASV450», «ASV165», «ASV395», «ASV284», «ASV56»,
               «АСВ6», «АСВ359», «АСВ128», «АСВ127», «АСВ91»,
               «ASV374», «ASV151», «ASV323», «ASV398», «ASV224»,
               «АСВ39», «АСВ34», «АСВ12», «АСВ32», «АСВ250»,
               «АСВ43», «АСВ54», «АСВ9», «АСВ5», «АСВ49», «АСВ8»,
               «ASV41», «ASV18», «ASV7», «ASV90», «ASV29», «ASV98»,
               «ASV23», «ASV30», «ASV226», «ASV48», «ASV70», «ASV1»,
               «ASV14», «ASV298», «ASV82», «ASV75», «ASV69», «ASV57»,
               «ASV20», «ASV15», «ASV2», «ASV268», «ASV114», «ASV234»,
               «АСВ174», «АСВ60», «АСВ17», «АСВ22», «АСВ159», «АСВ44»,
               «АСВ25», «АСВ21», «АСВ35»)
asv_order_rev <- rev (asv_order)  

Давайте посмотрим, сможем ли мы объединить всю эту информацию в один «легкий» для понимания сюжет.Первое, что нужно сделать, - это построить график доли считываний для данного ASV от каждого вида-хозяина.

График доли общего количества считываний ASV для каждого вида хозяина
  daASV_work3 $ ASV <- as.character (daASV_work3 $ ASV)
daASV_work3 $ ASV <- коэффициент (daASV_work3 $ ASV, уровни = уникальные (daASV_work3 $ ASV))
daASV_work3 $ ASV <- коэффициент (daASV_work3 $ ASV, levels = asv_order)  

Затем мы создали гистограмму доли чтения по видам-хозяевам для каждого ASV. И сохраните копию в каталоге DATA / PHYLOSEQ / FIGURES / .

Пропорциональная гистограмма

  # Гистограммы
ASV_bar <- ggplot (daASV_work3, aes_string (x = "ASV", y = "Пропорция",
                                          fill = "Образец"),
                  среда = .e, заказанный = ИСТИНА,
                  xlab = "метка оси x", ylab = "метка оси y")

ASV_bar <- ASV_bar +
  geom_bar (stat = "identity", position = position_stack (reverse = TRUE),
           ширина = 0,95) +
  corre_flip () +
  тема (aspect.ratio = 2/1)

ASV_bar <- ASV_bar +
  scale_fill_manual (значения = samp_pal)

ASV_bar <- ASV_bar +
  тема (ось.text.x = element_text (angle = 0, hjust = 0.95, vjust = 1))

ASV_bar <- ASV_bar +
  направляющие (fill = guide_legend (override.aes ​​= list (color = NULL),
                             обратное = ЛОЖЬ)) +
  тема (legend.key = element_rect (color = "black"))

ASV_bar <- ASV_bar +
  labs (x = "Вид-хозяин", y = "Пропорция (% от общего числа считываний)",
       title = "Соотношение ASV по видам-хозяевам")

ASV_bar <- ASV_bar +
  тема (axis.line = element_line (color = "black"),
        panel.grid.major = element_blank (),
        панель.grid.minor = element_blank (),
        panel.border = element_rect (color = "черный", fill = NA, size = 1))
ASV_bar  

Тепловая карта

Рисунок 4 (в основном)

  # Heatmap
библиотека (ComplexHeatmap)
библиотека (кружить)
библиотека (тепловая карта3)
библиотека (gdata)
fig4_heat <- as.data.frame (t (otu_table (da_asvs)))
# Преобразовать habi_table в df и сохранить в новой переменной
fig4_tax <- as.data.frame (habi_tab2)
# удалить 1-й столбец, чтобы можно было комбинировать на основе имен строк
fig4_tax_tab <- fig4_tax [, -1]
# Создать новую строку.имена из исходной таблицы
rownames (fig4_tax_tab) <- fig4_tax [, 1]
# Изменение порядка
fig4_tax_tab <- fig4_tax_tab [c (4, 2, 3, 1, 5, 6, 7, 8)]
# Выбрать столбцы
fig4_tax_tab <- fig4_tax_tab [c (1: 4)]

# Объединить два df по rowname Если совпадают имена строк,
# дополнительный символьный столбец с именем Row.names
# добавляется слева, и во всех случаях результат имеет «автоматические» имена строк.
fig4_heatmap2 <- объединить (fig4_tax_tab, fig4_heat, by = 0, all = TRUE)

fig4_heatmap <- subset (fig4_heatmap2, select = -c (Row.имена))
rownames (fig4_heatmap) <- fig4_heatmap2 [, "Row.names"]
# сделать rownames столбцом
fig4_heatmap <- cbind (ASV = rownames (fig4_heatmap), fig4_heatmap)

fig4_heatmap $ ASV <- коэффициент (fig4_heatmap $ ASV, levels = rev (asv_order))
fig4_heatmap <- fig4_heatmap [порядок (fig4_heatmap $ ASV),]
# объединяем столбцы, чтобы получилось одно имя
fig4_heatmap $ ID <- paste (fig4_heatmap $ ASV, fig4_heatmap $ Taxon,
                         fig4_heatmap $ Putative_habitat,
                         fig4_heatmap $ Enriched, sep = "_")
# удалить исходные столбцы
fig4_heatmap2 <- fig4_heatmap [-c (1: 5)]
# Изменение порядка
fig4_heatmap2 <- fig4_heatmap2 [c (6, 1, 2, 3, 4, 5)]
rownames (fig4_heatmap2) <- fig4_heatmap2 [, 1]
fig4_heatmap2 <- fig4_heatmap2 [-1]

#### Определить цвета
taxa_colors <- исключить из списка (lapply (row.имена (fig4_heatmap2), function (x) {
  если (grepl

     # универсал
               ("Alphaproteobacteria", x)) "# 000000"
  иначе if (grepl ("Pirellulaceae", x)) "# 000000"
  иначе if (grepl ("Rubritaleaceae", x)) "# 000000"
  иначе if (grepl ("Flavobacteriaceae", x)) "# 000000"

   # рыба / животное
  иначе if (grepl ("Desulfovibrionaceae", x)) "# 0072b2"
  иначе if (grepl ("Lachnospiraceae", x)) "# f0e442"
  иначе, если (grepl ("Erysipelotrichaceae", x)) "# 009e73"
  иначе if (grepl ("Ruminococcaceae", x)) "# e69f00"
  иначе if (grepl ("Bacteroidales", x)) "# d55e00"
  иначе if (grepl ("Fusobacteriaceae", x)) "# 56b4e9"
  иначе if (grepl ("Vibrionaceae", x)) "# cc79a7"

  # Другие
  иначе if (grepl ("Семья_XIII", x)) "# 808080"
  иначе if (grepl ("Mollicutes", x)) "# 808080"
  иначе if (grepl ("Brevinemataceae", x)) "# 808080"
  иначе if (grepl ("Peptostreptococcaceae", x)) "# 808080"
}))

Habitat_colors <- исключить из списка (lapply (row.имена (fig4_heatmap2), function (x) {
  если (grepl
               ("рыба", x)) "# 808080"
  иначе if (grepl ("животное", x)) "# 000000"
  иначе if (grepl ("универсальный", x)) "# 808080"
  #else if (grepl ("неопределенный", x)) "# 000000"
}))
heatColors <- cbind (taxa_colors, habat_colors)
colnames (heatColors) [1] <- "Таксоны"
colnames (heatColors) [2] <- "Среда обитания"
### СОХРАНИТЬ / отобразить тепловую карту
col <- colorRampPalette (bias = 1, c ("# 000033", "# 66CCFF")) (16)
pdf (file = "DATA / PHYLOSEQ / FIGURES / OUTPUT / Figure_4B.pdf")
heatmap3 (fig4_heatmap2, cexRow = 0.5, cexCol = 1,
         поля = c (3, 13), RowSideColors = heatColors, scale = "row",
         Colv = NA, Rowv = NA, revC = TRUE, balanceColor = FALSE, col = col)
невидимый (dev.off ())
heatmap3 (fig4_heatmap2, cexRow = 0.5, cexCol = 1,
         поля = c (3, 13), RowSideColors = heatColors, scale = "row",
         Colv = NA, Rowv = NA, revC = TRUE, balanceColor = FALSE, col = col)  

Объедините две диаграммы.

Либо сделайте это вне R, либо придумайте способ «поменять» тепловую карту. grid :: grid.grab казался многообещающим.

ASV и корреляция характеристик хозяина?

Чтобы проверить, связаны ли кишечные микробы с a ) филогенетическим анамнезом и / или b ) экологией кормления каждого травоядного животного, мы использовали серию простых и частичных тестов Мантеля. Поскольку мы ожидали, что отношения потенциально будут отличаться для предполагаемых резидентов-симбионтов и проглоченных универсальных микробов окружающей среды, мы построили отдельные матрицы различий для ASV, связанных с хозяином и окружающей средой.Эти матрицы были построены с использованием пакета vegan в R и основаны на различии данных, преобразованных по Хеллингеру, по Брею-Кертису. Матрица экологического несходства была основана на поведенческих данных, собранных для количественной оценки пространства трофической ниши травоядных животных.

Матрица филогенетических различий была основана на филогенетическом дереве пяти видов рыб, использованных в этом исследовании. Мы построили дерево, используя гены субъединицы 1 цитохромоксидазы (COI), полученные из базы данных нуклеотидов NCBI.Clustal Omega использовался для выравнивания последовательностей (настройки по умолчанию для ДНК). Затем мы использовали Jalview, чтобы вручную обработать и обрезать окончательное выравнивание до 593 пар оснований. Это выравнивание содержало гены COI из n = 5 Scarus taeniopterus , 22 Sparisoma aurofrenatum , 21 Sparisoma viride , 28 Acanthurus coeruleus и 23 Acanthurus tractus . Мы использовали членов Gerridae (2 Eucinostomus и 4 Gerres ) в качестве внешней группы. Мы использовали RAxML и модель GTR для вычисления дерева и модель скорости GAMMA для вероятностей.Затем дерево было преобразовано в матрицу расстояний с использованием кофенетической функции в р.

.
  отсоединить ("пакет: phyloseq", выгрузить = ИСТИНА)
библиотека (обезьяна)
библиотека (пиканте)
библиотека (ggtree)
библиотека (tidytree)
библиотека (treeio)
# Получить филогенетические данные ------------------
# Читать дерево Newick ------------------
дерево <- read.tree ("DATA / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / MANTEL_TEST / item_orders.txt")
#ggtree (дерево) + geom_tiplab (цвет = "синий")

host_tree <- knitr :: include_graphics ("images / collapse_tree.svg",
                                     dpi = 300)
host_tree  

Затем мы обрезали дерево до одного члена каждого вида, удалили внешнюю группу и изменили названия на названия видов.

  d <- матрица (nrow = 1, ncol = 5)
colnames (d) <- c ("HM379826_Acanthurus_coeruleus",
               "LIDM544-07_Acanthurus_tractus",
               "MXIV480-10_Scarus_taeniopterus",
               "JQ841390_Sparisoma_aurofrenatum",
               "JQ839595_Sparisoma_viride")
tree.p <- prune.sample (phylo = tree, samp = d)
# участок (tree.p)
# Измените названия на названия видов
tree.p $ tip.label [1] <- "Sparisoma_aurofrenatum"
tree.p $ tip.label [2] <- "Спарисома_вирид"
дерево.p $ tip.label [3] <- "Scarus_taeniopterus"
tree.p $ tip.label [4] <- "Acanthurus_tractus"
tree.p $ tip.label [5] <- "Acanthurus_coeruleus"
участок (дерево.п)  

Затем мы преобразовали дерево в матрицу расстояний и сгенерировали дендрограмму.

  # Преобразование дерева в матрицу расстояний
trx <- кофенетический (tree.p)
# это работает, но они нужны мне в алфавитном порядке по видам
T <- dist (кофенетический (tree.p))
порядок <- sort (attr (T, "Labels"))
T.mat <- as.матрица (T) [упорядочивание, упорядочивание]
T <- as.dist (T.mat)
# построить кластер матрицы расстояний
cluster_phylo <- hclust (T, method = "ward.D")
plot (cluster_phylo, main = "Филогенетическая кластеризация",
     xlab = "Вид-хозяин", ylab = "Расстояние",
     sub = "hellinger / bray-curtis / ward")  

Затем мы берем экологические данные и стандартизируем переменные, чтобы они имели одинаковый вес.

Сначала измените масштаб количественных признаков, чтобы они находились в диапазоне от 0 до 1, а затем разделите их на количество категорий диеты, чтобы они имели такое же влияние, как и переменные диеты.Затем измените масштаб всех «не диетических» черт, чтобы они оказали влияние на характеристики диеты, разделив их на количество категорий диеты, разделенное на количество категорий для каждой характеристики субстрата. Теперь объедините в единый фрейм данных для анализа и получите средние значения по каждому виду.

  all_traits <- read.csv (
  "DATA / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / MANTEL_TEST / Mean_bite_characteristics.csv",
  заголовок = ИСТИНА
  )
ids <- all_traits [, 1: 2]

Quant_traits_std <- decostand (all_traits [, 3: 4], "диапазон") / 10

Mean_prop_mark_on_substrate_std <- all_traits [, 5] / (10/2)
prop_vertical_std <- all_traits [, 6] / (10/2)
prop_concave_std <- all_traits [, 7] / (10/3)
prop_convex_std <- all_traits [, 8] / (10/3)

all_traits_std <- cbind (Quant_traits_std,
                      Mean_prop_mark_on_substrate_std,
                      prop_vertical_std, prop_concave_std,
                      prop_convex_std,
                      all_traits [, 9:18]
                      )

mean_traits <- совокупность (all_traits [, 3:18],
                         by = list (all_traits $ Species), среднее)
черты <- mean_traits [, 2:17]
rownames (черты характера) <- as.вектор (mean_traits [, 1])
Fish_species <- as.vector (mean_traits [, 1])  

И начнем с преобразования Хеллингера экологических черт.

  traits_trans <- decostand (traits, method = "hellinger")
traits_dist <- vegdist (traits_trans, method = "bray")
cluster_traits <- hclust (traits_dist, method = "ward.D")
сюжет (cluster_traits,
     label = Fish_species, main = "Экологические особенности",
     xlab = "Вид-хозяин", ylab = "Расстояние",
     sub = "hellinger / bray-curtis / ward")  

Итак, коррелируют ли экологические данные с филогенезом?

  # Связаны ли экологические данные с филогенезом?
mantel (traits_dist, T, method = "pearson", permutations = 9999)  
  ##
## Статистика Mantel на основе корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## mantel (xdis = traits_dist, ydis = T, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0.4816
## Значение: 0,175
##
## Верхние квантили перестановок (нулевая модель):
## 90% 95% 97,5% 99%
## 0,593 0,654 0,751 0,817
## Перестановка: бесплатно
## Количество перестановок: 119  

0K, похоже, нет корреляции между экологическими данными и филогенией. Затем мы рассмотрели различные ASV, разделенные на связанные с хостом и связанные с окружающей средой

.
  asv4 <- read.delim (
  "DATA / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / MANTEL_TEST / 2_da_asv_merged_fish.текст",
  заголовок = T
  )
asv5 <- read.delim (
  "DATA / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / MANTEL_TEST / 2_da_asv_merged_animal.txt",
  заголовок = T
  )
asv_host <- rbind (asv4, asv5)

# Объедините наборы данных о рыбах и животных вместе
# Транспонировать фрейм данных
asv_host_t <- data.frame (t (asv_host [-1]))
colnames (asv_host_t) <- asv_host [, 1]

библиотека (веганский)
# Создать дендрограмму на основе сходства в asv

Fish_species <- as.vector (colnames (asv_host [2: 6]))
Gut_contents <- sqrt (asv_host_t [])
# Попробуй трансформацию Хеллингера
Gut_contents <- decostand (asv_host_t, method = "hellinger")
Gut_dist_host <- vegdist (Gut_contents, method = "bray")
cluster_gut_host <- hclust (Gut_dist_host, method = "ward.D ")
plot (cluster_gut_host, labels = Fish_species, main = "Связанные с хостом ASV",
     xlab = "Вид-хозяин", ylab = "Расстояние", sub = "hellinger / bray-curtis / ward")  

Итак, коррелирует ли матрица расстояний (основанная на ASV, ассоциированных с хозяином) с экологическими данными или филогенезом?

  mantel (Gut_dist_host, T, method = "pearson", permutations = 9999)  
  ##
## Статистика Mantel на основе корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## mantel (xdis = Gut_dist_host, ydis = T, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0.8448
## Значение: 0,0083333
##
## Верхние квантили перестановок (нулевая модель):
## 90% 95% 97,5% 99%
## 0,556 0,711 0,754 0,820
## Перестановка: бесплатно
## Количество перестановок: 119  

Да, сильно коррелирует с филогенезом…

  mantel (Gut_dist_host, traits_dist, method = "pearson", permutations = 9999)  
  ##
## Статистика Mantel на основе корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## mantel (xdis = Gut_dist_host, ydis = traits_dist, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0.2511
## Значение: 0,25833
##
## Верхние квантили перестановок (нулевая модель):
## 90% 95% 97,5% 99%
## 0,490 0,585 0,662 0,752
## Перестановка: бесплатно
## Количество перестановок: 119  
  # Не связано с экологическими признаками  

… но не связано с экологическими признаками.

Как насчет матрицы расстояния, основанной на ASV, связанных с окружающей средой? Связано ли это с экологическими данными или филогенезом?

  asv6 <- читать.делим (
  "DATA / PHYLOSEQ / TABLES / INPUT / MANTEL_TEST / 2_da_asv_merged_environmental.txt",
  заголовок = T)
# Транспонировать фрейм данных
asv_env_t <- data.frame (t (asv6 [-1]))
colnames (asv_env_t) <- asv6 [, 1]

# Создать дендрограмму на основе сходства в asv
Fish_species <- as.vector (colnames (asv6 [2: 6]))
Gut_contents <- sqrt (asv_env_t [])
# Попробуй трансформацию Хеллингера
Gut_contents <- decostand (asv_env_t, method = "hellinger")
Gut_dist_env <- vegdist (Gut_contents, method = "bray")
cluster_gut_env <- hclust (Gut_dist_env, method = "ward.D ")
сюжет (cluster_gut_env, labels = Fish_species,
     main = "ASV, связанные со средой",
     xlab = "Вид-хозяин", ylab = "Расстояние",
     sub = "hellinger / bray-curtis / ward")  

  каминная (Gut_dist_env, T,
       method = "pearson", permutations = 9999
       )  
  ##
## Статистика Mantel на основе корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## mantel (xdis = Gut_dist_env, ydis = T, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0.8313
## Значение: 0,075
##
## Верхние квантили перестановок (нулевая модель):
## 90% 95% 97,5% 99%
## 0,455 0,862 0,893 0,931
## Перестановка: бесплатно
## Количество перестановок: 119  
  # Предельно значимая корреляция  

Не похоже на филогению…

  каминная полка (Gut_dist_env, traits_dist,
       method = "pearson", permutations = 9999
       )  
  ##
## Статистика Mantel на основе корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## mantel (xdis = Gut_dist_env, ydis = traits_dist, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0.5963
## Значение: 0,083333
##
## Верхние квантили перестановок (нулевая модель):
## 90% 95% 97,5% 99%
## 0,531 0,690 0,765 0,788
## Перестановка: бесплатно
## Количество перестановок: 119  

… или экологические данные.

Мы также можем провести частичных тестов Mantel .

  mantel.partial (Gut_dist_env, T, traits_dist,
               method = "pearson", permutations = 9999
               )  
  ##
## Частичная статистика Мантеля, основанная на корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## камин.частичный (xdis = Gut_dist_env, ydis = T, zdis = traits_dist, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0,7734
## Значение: 0,0

## ## Верхние квантили перестановок (нулевая модель): ## 90% 95% 97,5% 99% ## 0,497 0,829 0,871 0,914 ## Перестановка: бесплатно ## Количество перестановок: 119
  mantel.partial (Gut_dist_env, traits_dist, T,
               method = "pearson", permutations = 9999
               )  
  ##
## Частичная статистика Мантеля, основанная на корреляции продукта и момента Пирсона
##
## Вызов:
## камин.частичный (xdis = Gut_dist_env, ydis = traits_dist, zdis = T, method = "pearson", permutations = 9999)
##
## Статистика Mantel r: 0,4022
## Значение: 0,15
##
## Верхние квантили перестановок (нулевая модель):
## 90% 95% 97,5% 99%
## 0,516 0,632 0,830 0,839
## Перестановка: бесплатно
## Количество перестановок: 119  

Но опять же, никакого значения не обнаружено…

Предыдущий

N или 5. Дифференциально обильные ASV

Редактировать эту страницу

Компонентные транзисторы пары Дарлингтона.Составной транзистор (схема Дарлингтона и Шиклая). Транзисторная защита глубокого насыщения

Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них - самый простой - это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллектор-эмиттер напряжения. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. для всего спектра радиотехнических устройств.А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B - или использовать устройства KP501A ... B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключен вместо базы VT1, а выход истока - вместо эмиттера VT2, выход потока - вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

После такой несложной доработки, т.е.е. Замена узлов в электрических схемах универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А ... в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014T1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению - до 200 при постоянном напряжении. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a ... 1014K1V показано на рис. 1.25.

Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

Полевые транзисторы Codolve в микросхеме 1014ct1a ... в

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.

Если подключить транзисторы, как показано на рис. 2.60, получившаяся схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент β будет равен произведению коэффициентов компонентов транзисторов. Этот прием полезен для схем с защелкой (например, для стабилизаторов напряжения или выходных конденсаторов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора T 1 должен превышать потенциал транзистора. эмиттер транзистора Т 2, по падению напряжения на диоде). Кроме того, транзисторы соединены как один транзистор с достаточно малой скоростью, поскольку транзистор Т 1 не может быстро выключить транзистор Т 2.Принимая во внимание это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора Т 2 включается резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора Т 2 в зону проводимости из-за токов утечки Т 1 и Т 2. Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в наноперфюмерах для несигнальных транзисторов и в сотнях микроамперов для мощных транзисторов) создали на нем падение напряжения, не превышающее падение напряжения на диоде, и при этом так, чтобы по нему протекал ток.Маленький по сравнению с основным током транзистора Т 2. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом у мощного транзистора Дарлингтона и несколько тысяч Ом у небольшого транзистора Дарлингтона.

Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный транзистор Н-П-Н-Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) при токе коллектора, равном 10 А.

Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai). Подключение транзисторов по схеме ЧИКЛАЯ - схема, аналогичная этой. который мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента β. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор N-P-N, который имеет большой коэффициент β. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде.Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Т 1. Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т 2 и Т 3, ведет себя как один транзистор N-P-N - типа. С большим усилением тока.Транзисторы Т 4 и Т 5, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор П-Н-П - типа. с большим выигрышем. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В представленном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы Т 4 и Т 5 будут подключены по схеме Дарлингтона.

Рис. 2.62. Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются выходные транзисторы только N-P-N - типа.

Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока. Составные транзисторы - транзистор Дарлингтона и им подобные - не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых очень большое значение коэффициента H 21E получается в процессе технологического процесса изготовления. элемент.Примером такого элемента служит транзистор типа 2Н5962. Для которых гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; Этот транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений U Ke от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то следует уменьшить значение C). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхвысокими значениями коэффициента β.Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются схемы типа LM394 и MAT-01; они представляют собой пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение U BE согласовано с долей Milcivolt (в самых хороших схемах предоставляется Допуск до 50 мкВ), а коэффициент H 21E - до 1%. Схема MAT-03 представляет собой согласованную пару p-N-P - транзисторы.

Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента β можно комбинировать по схеме Дарлингтона.В этом случае базовый ток смещения можно сделать равным всего 50 ПКА (примерами таких схем являются операционные усилители типа LM111 и LM316.

Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем транзисторов, они стали стремительно вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.

Бегинная, а иногда и опытный радиолюбитель-конструктор, не сразу может найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме.Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, намного проще построить «постройку» того или иного устройства.

Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.

Одна из первых проблем, встающих перед разработчиком - это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить путем параллельного включения транзисторов ().Изогнутые резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.

Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при наборе больших сигналов, но и для уменьшения шума при увеличении слабых. Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельных транзисторам.

Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R.Возможный вариант улучшения показан на. Благодаря введению герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.

Для защиты от обратного напряжения параллельно выходам эмиттерного коллектора обычно включают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.

При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется переключить его из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда используют принудительную RC-цепочку ().В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе данных, сокращая время простоя.

Увеличение крутизны транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения его изменения на базе (затворе) при постоянном УЗИ UK)) можно использовать по схеме Дарлингтона ().Резистор в базе базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для указания текущего тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (благодаря использованию полевого транзистора) присутствует. Составные транзисторы, представленные на рис. А, собраны на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.

Введение дополнительных транзисторов в схему Дарлингтона и шиклай, как показано на рис. А, увеличивает входное сопротивление второго каскада переменного тока и, соответственно, коэффициент передачи.Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает соответственно схему и, линеаризуя крутизну транзистора.

Представлен высокоскоростной широкополосный транзистор. Увеличение скорости достигается за счет уменьшения эффекта Миллера аналогичным образом.

"Алмазный" транзистор по Патенту ФРГ представлен на. Возможные варианты На ней изображены включения. Характерная особенность этого транзистора - отсутствие инверсии на коллекторе.Отсюда и увеличение грузоподъемности схемы вдвое.

Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В изображен на рисунке 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 на составной транзистор ().

Аналогичные аргументы можно привести для транзистора типа p-N-P, а также для полевого транзистора с каналом P-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в коллекторную цепь () или в эмиттерную цепь ().

Как видно из полученных формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальное рассеивание мощности приходится на простой транзистор с нагрузкой в ​​коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в ​​коллекторной цепи равнозначно. Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При включении нагрузки в цепи Эмиттера преимущество транзистора Шиклая очевидно.

Литература:

1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. - М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Puber. 20-133-83.
3. A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Puber.22-133-88. - 47 с.

1. Увеличьте мощность транзистора.

резисторов в цепях эмиттера необходимы для равномерного распределения нагрузки; Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.

2. Защита от токовой перегрузки.

Недостаток - снижение КПД из-за наличия датчика тока R.

Другой вариант - за счет введения герониевого диода или диода Шоттки можно уменьшить номинал резистора R в несколько раз, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.

3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.

За счет каскадирования транзисторов эффект Миллера значительно снижен.

Другая схема - за счет полного перехода второго транзистора от входа и питания первого транзистора с напряжением, пропорциональным входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие - второй транзистор должен иметь больше отключение высокого напряжения). Входной транзистор можно заменить на биполярный.

4. Защита транзистора от глубокого насыщения.

Предотвращение прямого смещения переходного коллектора с помощью диода Шоттки.

Более сложный вариант - Схема Бейкера. Когда напряжение достигает коллектора транзистора базы данных, ток базы сбрасывается через переход коллектора, предотвращая насыщение.

5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.

С датчиком тока базы данных.

С датчиком тока коллектора.

6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора за счет принудительного включения RC-цепочки.

7.Композитный транзистор.

Схема Дарлингтона.

Схема Шиклая.

Интегральные схемы

IN И два типа составных транзисторов получили широкий спектр дискретной электроники: по схеме Дарлингтона и Шиклая. Например, в микромогенных схемах входных каскадов операционных усилителей составные транзисторы обеспечивают большое входное сопротивление и малые входные токи. В устройствах, работающих с большими токами (например, в стабилизаторах мощности или выходных накопителях), для повышения эффективности необходимо обеспечить высокий коэффициент усиления мощных транзисторов.

Схема Шиклая

реализует мощный транзистор p-N-P с большим коэффициентом усиления с маломощным транзистором p-N-P с малым IN IN и мощным транзистором n-P-N ( рисунок 7.51, ). В интегральных схемах это включение реализует транзистор горизонтальной развертки p-N-P, , транзистор p-N-P и вертикальный транзистор n-P-N . Также эта схема используется в мощных двухтактных выходных каскадах, когда используются выходные транзисторы одинаковой полярности ( n-P-N ).

Рисунок 7.51 - Составной транзистор p-N-P Рисунок 7.52 - Составной n-P-N По схеме транзистора Шиклая по схеме Дарлингтона

Шиклаи или комплементарный транзистор Дарлингтона ведет себя как транзистор p-N-P типа ( рисунок 7.51 ) с большим коэффициентом усиления по току

Входное напряжение идентично одиночному транзистору. Напряжение насыщения выше, чем у одиночного транзистора до падения напряжения на эмиттерном переходе n-P-N транзистора. Для кремниевых транзисторов это напряжение составляет порядка одного вольта, в отличие от доли Вольта на один транзистор. Между базой и эмиттером n-P-N В транзистор (VT2) рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением для подавления неуправляемого тока и улучшения теплового сопротивления.

Транзистор Дарлингтона реализован на униполярных транзисторах ( рисунок 7.52. ). Коэффициент усиления по току определяется произведением коэффициентов компонентов транзисторов.

Входное напряжение транзистора по схеме Дарлингтона вдвое больше, чем у одиночного транзистора. Напряжение насыщения превышает выходной транзистор. Операционный усилитель входного сопротивления для

.

Схема

Дарлингтона используется в дискретных монолитных импульсных транзисторах.На одном кристалле сформированы два транзистора, два шунтирующих резистора и защитный диод ( рисунок 7.53. ). Резисторы R. 1 I. R. 2 подавляют коэффициент усиления в слаботочном режиме, ( рисунок 7.38, ), что обеспечивает малое значение неуправляемого тока и увеличивает рабочее напряжение закрытого транзистора,

Рисунок 7.53 - Электрическая схема монолитного импульсного транзистора Дарлингтона

Резистор R2 (около 100 Ом) выполнен в виде технологического шунта, наподобие шунтов катодного перехода тиристоров. Для этого при формировании излучателя с помощью фотолитографии на определенных локальных участках оставляют оксидную маску в виде круга. Эти локальные маски не позволяют диффундировать донорной примеси, и под ними остаются p- столбиков ( рисунок 7.54. ). После металлизации по всей площади Эмиттера в этих столбцах распределены сопротивление R2 и защитный диод D ( рисунок 7.53. ). Защитный диод защищает эмиттерные переходы от пробоя при преобразовании коллекторного напряжения. Входная мощность потребляемого транзистора по схеме Дарлингтона на полтора-два порядка ниже, чем у одиночного транзистора. Максимальная частота переключения зависит от предельного напряжения и тока коллектора. Токные транзисторы успешно работают в импульсных преобразователях до частот около 100 кГц. Отличительная особенность Монолитный транзистор Дарлингтона - квадратичное передаточное число, так как IN- амперная характеристика линейно возрастает с увеличением тока коллектора до максимального значения,

.

Транзистор Дарлингтона состоит из пары стандартных транзисторов в сочетании с кристаллом и общим защитным покрытием.Обычно на чертежах для обозначения положения такого транзистора не наносят специальных символов, только один обозначает транзисторы стандартного типа.

Нагрузочный резистор присоединен к эмиттерной цепи одного из элементов. Выводы транзистора Дарлингтона аналогичны биполярному полупроводниковому триггеру:

  • цоколь;
  • Эмиттер
  • ;
  • коллектор.

Кроме общепринятой версии составного транзистора, существует несколько разновидностей его разновидностей.

Схема пары Шиклай и Каско

Другое название тройки композитных полупроводников - пара Дарлингтона. Кроме того, есть еще пара шиклай. Это аналогичная комбинация папок основных элементов, отличающаяся тем, что в нее входят транзисторы разного типа.

Что касается кузодической схемы, то это тоже вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый тригод включен по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОВ.Такое устройство аналогично простому транзистору, включенному в схему OE, но с более высокими частотными показателями, большим входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Преимущества и недостатки составных транзисторов

Мощность и сложность транзистора Дарлингтона можно регулировать за счет увеличения количества включенных в него биполярных транзисторов. Есть еще, в том числе биполярный, и используется в сфере высоковольтной электроники.

Основным преимуществом композитных транзисторов является их способность давать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что если коэффициент усиления каждого из двух транзисторов равен 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов транзисторов, входящих в его состав (в данном случае - 3600). В результате потребуется довольно небольшая токовая база для открытия транзистона Дарлингтона.

Недостатком составных транзисторов считается низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах, работающих на низких частотах.Часто составные транзисторы выступают в составе выходных каскадов мощных усилителей низкой частоты.

Особенности устройства

Композитные транзисторы имеют постепенное снижение напряжения по проводнику на переходе база-эмиттер вдвое больше стандартного. Уровень снижения напряжения на открытом транзисторе примерно равен падению напряжения, которое имеет диод.

По этому показателю составной транзистор аналогичен выходному трансформатору.Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона имеет гораздо больший выигрыш по мощности. Такие транзисторы могут работать с частотой коммутации до 25 Гц.

Система промышленного производства композитных транзисторов построена таким образом, что модуль полностью укомплектован эмиттерным резистором.

Как проверить транзистор Дарлингтона

Проще всего проверить составной транзистор:

  • Излучатель подключен к «минусовой» цепи питания;
  • Коллектор подключен к одному из выходов лампочки, второй выход перенаправлен на «плюс» питания;
  • Через резистор БД транслирует положительное напряжение, лампочка горит;
  • Через резистор на базу передается минусовое напряжение, лампочка не перегорает.

Если все произошло как описано, транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то упустил. Посмотрите, буду рад, если вы найдете на моем что-нибудь более полезное.

Схема Дарлингтона

на полевых транзисторах. Составной транзистор (схема Дарлингтона). Примеры применения составного транзистора

Если подключить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а его коэффициент β будет равна работе коэффициентов β компонентов транзисторов.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтон .

Этот прием полезен для схем с защелкой (например, для стабилизаторов напряжения или выходных конденсаторов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше, чем обычно, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора T 1 должен превышать потенциал транзисторного эмиттера Тл 2. По величине падения напряжения на диоде). Кроме того, транзисторы соединены таким образом как один транзистор с достаточно малой скоростью, так как транзистор Т 1, не может быстро выключить транзистор Т 2. . Принимая во внимание это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора Т 2. Включает резистор (рис. 2.61).

Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.

Резистор R. Предотвращает смещение транзистора Тл 2. в зоне проводимости из-за утечки тока транзисторов Тл 1, и Тл 2. . Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в нанопарфюмерах для небольших транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и при этом Время, чтобы ток протек, мало по сравнению с ним Ток базового транзистора Тл 2.. Обычно сопротивление Р. Это несколько сотен Ом у мощного транзистора Дарлингтона и несколько тысяч Ом у маленького транзистора Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный N-P-N -Транзистор Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) при токе коллектора, равном 10 А.

Подключение транзисторов по схеме Шикла ( Sziklai.). Подключение транзисторов по схеме Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, которую мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента β . Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62).

Рис. 2.62. . Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).

Схема ведет себя как транзистор n-P-N -типа с большим коэффициентом β .В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Т 2. Рекомендуется включать резистор с малым сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63.

Фиг.2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы N-P-N - Тип.

Как и прежде, резистор является коллекторным резистором транзистора 1. . Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т 2. и Т. 3, ведет себя как один транзистор N-P-N -типа, с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т 4. и Т 5. , подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор p-N-P -типа с большим коэффициентом усиления.Как и прежде, резисторы R 3. и R 4. имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В представленном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы Т 4. и Т 5. будут подключены по схеме Дарлингтона.

Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока. Композитные транзисторы - транзистор Дарлингтона и им подобные - не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, в которых очень важно значение коэффициента H 21E., полученный в технологическом процессе изготовления элемента. Примером такого элемента является транзистор типа 2N5962, для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току равный 450 при изменении тока коллектора в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; Этот транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений U CE от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то значение должно быть уменьшено β ).Промышленность производит согласованные пары транзисторов со сверхвысоким значением коэффициента β. . Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому вопросу посвящен раздел. 2.18. . Примерами таких типовых схем являются схемы типа LM394 и MAT-01; Это пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение U BE, согласовано с долями Милливольт (в лучших схемах предусмотрено согласование до 50 мкВ), а коэффициент h 21E. - до 1%. Схема MAT-03 представляет собой последовательную пару транзисторов p-N-P .

Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента β Можно комбинировать по схеме Дарлингтона. В этом случае ток сдвига базы можно сделать равным всего 50 ПКА (примерами таких схем служат операционные усилители типа LM111 и LM316.

Взаимосвязь поездов

Когда напряжение смещения задано, например, в репитере эмиттера, делители в базовых цепях выбираются так, чтобы делитель базы данных действовал как жесткий источник напряжения, т.е.е. так что сопротивление параллельных приемным резисторам было значительно меньше входного сопротивления схемы со стороны Базы. В связи с этим входное сопротивление всей схемы определяется делителем напряжения - для сигнала, поступающего на его вход, входное сопротивление оказывается намного меньше, чем это действительно необходимо. На рис. 2.64 показывает соответствующий пример.

Рис. 2.64.

Общий входной импеданс схемы составляет примерно 9 кОм, а сопротивление делителя напряжения для входного сигнала составляет 10 Ом.Желательно, чтобы входное сопротивление всегда было большим, и в любом случае неразумно нагружать источник входного сигнала делителем, который в конечном итоге нужен только для обеспечения смещения транзистора. Сложность выхода позволяет использовать метод следящей связи (рис. 2.65).

Рис. 2.65. Увеличить входной импеданс эмиттера-повторителя на частотах сигнала за счет включения в схему связи образца делителя, обеспечивающего смещение базы данных.

Транзистор смещения обеспечивают резисторы R 1, R 2, R 3 . Конденсатор С 2 выбран так, чтобы его полного сопротивления на частотах сигнала было недостаточно по сравнению с сопротивлением резисторов смещения. Как всегда, смещение будет стабильным, если сопротивление его источника по dC, заданное в базе данных (в данном случае 9,7 кОм), значительно меньше сопротивления для постоянного тока от базы (в данном случае ~ 100 кОм). Но здесь входное сопротивление для частот сигнала не равно сопротивлению постоянного тока.

Рассмотрим путь прохождения: входной сигнал U Vh генерирует сигнал на эмиттере U E. ~ = u Vh , поэтому приращение тока, протекающего через резистор смещения R 3. , будет I . = ( u Vh - u E. ) / R 3. ~ = 0, т.е. Z. Vh =. u Vh / i Vh ) ~ =

Получили, что входное (шунтирующее) сопротивление схемы вытеснения очень велико для частот сигнала .

Другой подход к анализу схемы основан на том, что падение напряжения на резисторе R 3. Для всех частот сигнал одинаково (так как напряжение между его выводами меняется одинаково), т.е. он является источником тока. Но сопротивление источника тока бесконечно. На самом деле фактическое значение сопротивления не бесконечно, так как коэффициент реабилитации немного меньше 1. Последнее вызвано тем, что падение напряжения между базой и эмиттером зависит от тока коллектора, который изменяется при изменении уровня сигнала. изменения.Тот же результат может быть получен, если мы рассмотрим делитель, образованный выходным сопротивлением эмиттера [ r E. = 25/ I K. (MA) OM] и резистором эмиттера. Если коэффициент усиления повторителя напряжения обозначить А ( А ~ = 1), то значение активного сопротивления R 3. На частотах сигнала равно R 3. / (1 - НО ). На практике значение активного сопротивления R 3. Оно более чем в 100 раз превышает его номинальное значение, и входное сопротивление транзистора от базы преобладает над входным сопротивлением.В инвертирующем усилителе с общим эмиттером может быть выполнено аналогичное отслеживающее соединение, поскольку сигнал на эмиттере повторяет сигнал на базе. Обратите внимание, что схема делителя напряжения смещения питается переменным током (на частотах сигнала) с выходом эмиттера низкого уровня, поэтому входной сигнал не должен этого делать.

Из-за нагрузки коллектора. Принцип трекинговой связи может быть использован для увеличения активного (эффективного) сопротивления резистора нагрузки коллектора, если каскад загружен на повторитель.Это значительно увеличит коэффициент усиления каскада напряжений [Напомним, что K U. = - gmrk , но g M. = 1 / ( R 3. + R E. )] ·

На рис. 2.66 показан пример двухтактного выходного каскада с последующим соединением, построенного аналогично рассмотренной выше схеме двухтактного повторителя.

Рис. 2.66. Следующее подключение в коллекторе нагрузки усилителя мощности, которое представляет собой каскад нагрузки.

Так как на выходе повторяется сигнал на основе транзистора Т 2. , конденсатор ОТ Создает дополнительное соединение с коллекторной нагрузкой транзистора Т 1 и поддерживает постоянное падение напряжения на резисторе R 2. При наличии сигнала (импеданс конденсатора ОТ должен быть мал по сравнению с R 1, и R 2. во всей полосе частот). Благодаря этому резистору R 2. Становится похожим на источник тока, возрастающий коэффициент транзистора увеличивается Тл 1, по напряжению и достаточному напряжению на основе транзистора Тл 2. Даже при пиковых значениях сигнала. Когда сигнал становится близким к силовому напряжению U QK Потенциал в точке соединения резисторов R 1, и R 2. становится больше U QK , благодаря заряду, накопленному конденсатору ОТ .В этом случае R 1, = R 2. (хороший вариант подбора резисторов), потенциал в точке их подключения превысит U QK в 1,5 раза в момент, когда выходная мощность будет равна U QK . Эта схема приобрела большую популярность при разработке низкочастотных бытовых усилителей, хотя простой источник тока имеет преимущества перед схемой с последующей связью, поскольку устраняет необходимость в использовании нежелательного элемента - электролитического конденсатора - и лучшие характеристики обеспечиваются на низких частотах.

Составной транзистор (транзистор Дарлингтона) представляет собой комбинацию двух или более биполярных транзисторов для увеличения коэффициента усиления по току. Такой транзистор используется в схемах, работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных конденсаторах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Обычный транзистор

Составной транзистор имеет три выхода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора.Коэффициент усиления типичного составного транзистора (иногда ошибочно называемого «супербет») в мощных транзисторах ≈ 1000, а в маломощных транзисторах ≈ 50000. Это означает, что для открытия составного транзистора достаточно небольшого тока базы.

В отличие от биполярных, полевые транзисторы в составном включении не используются. Комбинировать полевые транзисторы нет необходимости, так как они уже имеют крайне малый входной ток. Однако есть схемы (например, биполярный транзистор с изолированным затвором), где полевые и биполярные транзисторы используются совместно.В известном смысле такие схемы также можно рассматривать как составные транзисторы. Также для композитного транзистора можно добиться увеличения значения усиления за счет уменьшения толщины базы, но это представляет определенные технологические трудности.

Примером superBet (супер-β) транзисторов могут служить серии КТ3102, КТ3107. Однако их можно комбинировать и по схеме Дарлингтона. В этом случае базовый ток смещения можно сделать равным всего 50 ПКА (примерами таких схем являются операционные усилители типа LM111 и LM316).

Фотография типового усилителя на композитных транзисторах

Схема Дарлингтона

Один из видов такого транзистора изобрел инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington).

Концепция составного транзистора

Составной транзистор представляет собой каскадное соединение нескольких транзисторов, включенных таким образом, что нагрузка в эмиттере предыдущего каскада является базой-эмиттером транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединены коллекторами, а эмиттер входного транзистора подключен к выходной базе.Кроме того, резистивная нагрузка первого транзистора может использоваться как часть схемы ускорения закрытия. Такое соединение обычно рассматривается как один транзистор, коэффициент усиления которого при переходе транзисторов в активный режим приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:

β c = β 1 ∙ β 2

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β , намного больше, чем его компоненты.Приращение костюма d. л. Б. = Д. л. В1. Получаем:

г. л. e1 = (1 + β 1) ∙ D л. Б. = Д. л. B2.

г. л. до = Д. л. К1. + Д. л. К2. = β 1 ∙ D л. Б. + β 2 ∙ ((1 + β 1) ∙ D л. Б. )

Обмен г. l K. на dL B. , находим результирующий коэффициент передачи дифференциала:

β σ = β 1 + β 2 + β 1 ∙ β 2

Так как всегда β > 1 , можно было считать:

β Σ = β 1 β 1

Следует подчеркнуть, что коэффициенты β 1 и β 1 может отличаться даже в случае однотипных транзисторов, так как ток эмиттера I E2. в 1 + β 2 в раз больше эмиттерного тока I E1 (это следует из очевидного равенства I B2 = I E1 ).

Схема Шиклая

Пара Дарлингтона аналогична соединению транзисторов по схеме Шиклая, названной так в честь своего изобретателя Джорджа Шиклая, также иногда называемого комплементарным транзистором Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема ЧИКЛАИ содержит транзисторы разной полярности (p - n - p и n - p - n).Пара Шиклай ведет себя аналогично - П - Н - транзистору с большим коэффициентом усиления. Входное напряжение - это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения - это, по крайней мере, падение напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Q2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема используется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной полярности.

Каскад Шиклай, аналог транзистора с переходом n - P - n

Схема Каско

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскадной схеме, отличается тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 - по схеме с общей базой.Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но он имеет гораздо лучшие частотные свойства и большую неразряженную мощность в нагрузке, а также позволяет значительно снизить влияние Миллера (увеличение в эквивалентном контейнере инвертирующего усилительного элемента за счет обратной связи с выхода On вход этого элемента при его выключении).

Преимущества и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы получили широкое распространение во входных каскадах операционных усилителей.В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ - граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше одинаковых параметров для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

Преимущества:

а) Высокий коэффициент усиления.

б) Darlington CHEMA изготавливается в виде интегральных схем и при том же токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов.Эти схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки:

а) Низкая скорость, особенно переход из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются в основном в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

б) Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти вдвое больше, чем в обычном транзисторе, и составляет около 1.2 - кремниевые транзисторы 1,4 В (не менее двойного падения напряжения на p-N переходе).

in) Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В в обычных транзисторах) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (оно не может быть меньше падение напряжения на переходе PN плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).

Использование нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора.Размер резистора подбирается с таким расчетом, чтобы коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшая общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, использование резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счет замыкания транзистора VT2 замыканием.Обычно сопротивление R1 составляет сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько Ом в неподключенном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы с эмиттерным резистором служит мощный транзистор N-P-N - Darlington Type CT825, его коэффициент усиления по току 10000 (типовое значение) при токе коллектора, равном 10 А.

Дарлингтон), часто представляют собой составные элементы любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад.Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них - самый простой - это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллектор-эмиттер напряжения. О высокой цене Такие «высоковольтные» транзисторы приводят к удорожанию конструкции.Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. для всего спектра радиотехнических устройств. А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B - или использовать устройства KP501A ... B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключен вместо базы VT1, а выход истока - вместо эмиттера VT2, выход потока - вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов Б. электрические схемы универсального использования, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10х и более перегрузках по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А ... в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014ct1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению - до 200 В постоянного напряжения. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a... 1014K1V показан на рис. 1.25.

Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

Полевые транзисторы Codolve в микросхеме 1014ct1a ... в

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток.Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.


Если взять, например, транзистор MJE3055T. Он имеет максимальный ток 10а, а коэффициент усиления всего около 50 соответственно, так что он открывается полностью, ему нужно прокачать около двухсот перм на базе. Обычный вывод МК не так сильно потянет, а если между транзистором встанет с вызовом (какой-то BC337), который может эти 200мА перетащить, то запросто.Но это так, что я знал. Вдруг придется взяться за девичью ловушку - это пригодится.

На практике готово транзисторных сборок . Внешне транзистор от обычного ничем не отличается. Такое же тело, те же три ноги. Вот только мощность в нем мучительно дофига, а управляющий ток микроскопический 🙂 В ценах обычно не заморачиваются и пишут просто - транзистор Дарлигнтона или композитный транзистор.

Например, пункт BDW93C. (NPN) и BDW94S. (PNP) Вот их внутренняя структура из таблицы.


Кроме того, существуют сборки Дарлингтон . Когда в один ящик упаковывают сразу несколько. Незаменимая вещь, когда нужно управлять каким-нибудь мощным светодиодным столом или шаговым двигателем (). Отличный пример такой сборки - очень популярный и легкодоступный ULN2003. может протащить вверх 500 мА для каждой из семи его сборок. Выходы можно включить параллельно Для увеличения лимита.Итого один ULN можно протащить через себя 3.5а, если выложить все его входы и выходы. Что меня радует - ставить напротив входа, очень удобно заводить плату за это. Straight

В даташите указано внутреннее устройство этой микросхемы. Как видите, здесь тоже есть защитные диоды. Несмотря на то, что операционные усилители нарисованы, здесь вывод с открытым коллектором. То есть он умеет приближаться только к Земле. Что становится ясно из того же даташета, если посмотреть на структуру одного клапана.

При проектировании радиоэлектронных схем часто возникают ситуации, когда желательно иметь транзисторы с лучшими параметрами, которые предлагают производители радиоэлементов. В некоторых случаях нам может потребоваться большее усиление тока в токе H 21, в другом - большее значение входного сопротивления H 11, а в третьем - меньшее значение выходной проводимости H 22. Для решения перечисленных Проблемы, вариант использования идеального электронного компонента, о котором мы поговорим ниже.

Устройство составного транзистора и обозначение на схемах

Следующая схема эквивалентна одиночному полупроводнику N-P-N. В этой схеме ток эмиттера VT1 - это ток базы VT2. Коллекторный ток составного транзистора определяется в основном током VT2.

Это два отдельных биполярных транзистора, выполненные на одном кристалле и в одном корпусе.Также имеется нагрузочный резистор в эмиттерной цепи первого биполярного транзистора. У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у стандартного биполярного транзистора - база, коллектор и эмиттер.

Как видно из рисунка выше, стандартный составной транзистор представляет собой комбинацию нескольких транзисторов. В зависимости от уровня сложности и рассеянной мощности в составе транзистора Дарлингтона их может быть больше двух.

Главный плюс составного транзистора - значительно больший коэффициент усиления по току H 21, который можно приблизительно рассчитать по формуле как произведение параметров H 21, включенных в схему транзистора.

ч 21 = H 21VT1 × h31VT2 (1)

Значит, если коэффициент усиления первого равен 120, а второго 60, то общий коэффициент усиления схемы Дарлингтона равен произведению этих значений - 7200.

Но учтите, что параметр h31 сильно зависит от тока коллектора. В случае, когда базовый ток транзистора VT2 достаточно мал, коллектора VT1 может не хватить для обеспечения желаемого значения коэффициента усиления H 21.Тогда увеличения h31 и соответственно уменьшения тока составного транзистора можно добиться током коллектора RT1. Для этого между эмиттером и базой VT2 есть дополнительное сопротивление, как показано на схеме ниже.

Рассчитаем элементы по схеме Дарлингтона, собранные, например, на биполярных транзисторах BC846A, ток VT2 равен 1 мА. Тогда его базовый ток определяется из выражения:

i KVT1 = I BVT2 = I KVT2 / H 21VT2 = 1 × 10-3 А / 200 = 5 × 10-6 А

При таком небольшом токе в 5 мкА коэффициент H 21 резко уменьшается и суммарный коэффициент может быть на порядок меньше расчетного.Увеличив ток резервуара первого транзистора с помощью дополнительного резистора, можно значительно выиграть в цене. общий параметр H 21. Поскольку напряжение базы данных является постоянным (для типичного кремния с тремя выходами полупроводника U BE = 0,7 В), то сопротивление можно рассчитать по формуле:

R = U BEVT2 / I EVT1 - I BVT2 = 0,7 Вольта / 0,1 Ма - 0,005МА = 7к

При этом можно рассчитывать на коэффициент усиления по току до 40000. Именно по такой схеме строятся многие супербетские транзисторы.

Добавляя нацеливание, что эта схема Дарлингтона имеет такой существенный недостаток, как повышенное напряжение U CE. Если в обычных транзисторах напряжение составляет 0,2 В, то в составном транзисторе оно увеличивается до уровня 0,9 В. Это связано с необходимостью открытия VT1, а для этого необходимо подать на него напряжение 0,7 В. база (если при изготовлении полупроводника используется кремний).

В результате для исключения указанного недостатка были внесены незначительные изменения в классическую схему и получен комплементарный транзистор Дарлингтона.Такой составной транзистор состоит из биполярных устройств, но уже разной проводимости: П-Н-П и Н-П-Н.

Российские, а многие зарубежные радиолюбители такое соединение называют схемой Шиклая, хотя эту схему назвали парадоксальной парой.

Типичный минус составных транзисторов, ограничивающий их применение, - низкая скорость, поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Они отлично работают в каскадах мощных УНГ выходного дня, в устройствах управления и автоматики двигателя, в схемах зажигания автомобилей.

О принципиальных схемах Составной транзистор обозначается как обычный биполярный. Хотя, редко, используется условно графическое изображение составного транзистора в схеме.

Одним из самых распространенных считается интегральная сборка L293D - это четыре усилителя тока в одном корпусе. Кроме того, микросайт L293 можно определить как четыре транзисторных электронных ключа.

Выходной каскад микросхемы состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклая.

Кроме того, уважение радиолюбителей получили специализированные микропилы по схеме Дарлингтона. Например . Эта интегральная схема по своей сути представляет собой матрицу из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки прекрасно декорируются. Radio Affective Schemes И сделать их более функциональными.

Микросхема представляет собой семиканальный переключатель мощных нагрузок на композитных транзисторах Дарлингтона с открытым коллектором. Выключатели содержат защитные диоды, что позволяет переключать индуктивные нагрузки, например обмотку реле.Коммутатор ULN2004 необходим при отображении мощных нагрузок с помощью логических микросхем CMOS.

Зарядный ток через аккумулятор в зависимости от напряжения на нем (приложенного к переходу VT1 Bt), регулируется транзистором VT1, напряжение коллектора которого контролируется индикатором заряда на светодиоде (по мере зарядки ток заряда Светодиод постепенно гаснет) и мощный составной транзистор, содержащий VT2, VT3, VT4.


Сигнал, требующий усиления через предварительный СВУ, подается на предварительный дифференциальный усилительный каскад, построенный на соединении VT1 ​​и VT2.Использование дифференциальной схемы в усилительном каскаде снижает шумовые эффекты и обеспечивает отрицательную работу. Обратная связь. Напряжение ОС поступает в базу данных транзисторов VT2 с выходного усилителя мощности. ОС по постоянному току реализована через резистор R6.

В момент включения генератора конденсатор С1 начинает заряжаться, затем размыкается стабилизация и сработает реле К1. Конденсатор начинает разряжаться через резистор и составной транзистор. Через короткий промежуток времени реле выключается, и начинается новый рабочий цикл генератора.

Составной полевой транзистор Типовые схемы. Особенности работы и схема транзистора Дарлингтона

Если открыть любую книгу по электронной технике, это сразу видно, так как многие элементы названы именами их создателей: диод Шоттки, диод Зенера (он же Стабилод), Диод Ганна, Транзистор Дарлингтона.

Электрик-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington) экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них.В схемах использованы усилители тока.

Инженер Дарлингтон изобрел и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненных на одном кристалле кремния с диффузором n. (негатив) и п. (положительный) переход. Новое полупроводниковое устройство было названо его именем.

В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называется композитным. Так что познакомимся с ним поближе!

Устройство составного транзистора.

Как уже было сказано, это два и более транзистора, выполненных на одном кристалле полупроводника и переведенных в один общий корпус.Также имеется нагрузочный резистор в эмиттерной цепи первого транзистора.

У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у всех знакомых биполярных: база (BASE), эмиттер (Emitter) и Collector (коллектор).


Схема Дарлингтона

Как видите, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности в его составе может быть более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что транзистор, состоящий из биполярного и полевого, также используется в высоковольтной электронике.Это транзистор IGBT. Его также можно найти в композитных гибридных полупроводниковых устройствах.

Основные характеристики транзистора Дарлингтона.

Основное преимущество составного транзистора - большой коэффициент усиления по току.

Следует помнить об одном из основных параметров биполярного транзистора. Это прирост ( х 21. ). Обозначается он еще буквой β. («Бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго - 60, то увеличение составного коэффициента уже равно произведению этих величин, то есть 7200, и оно равно очень хороший.В результате очень малая токовая база, так что транзистор открылся.

Инженер

Шиклай (Sziklai) несколько модифицировал соединение Дарлингтона и получил транзистор, который получил название комплементарного транзистора Дарлингтона. Напомним, что дополнительной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимостью. Такой парой в свое время были CT315 и KT361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклая собран из биполярных разной проводимости: p-N-P и n-P-N .Вот пример составного транзистора по схеме Шиклая, который работает как транзистор с N-P-N проводимостью, хотя состоит из двух разных структур.


шиклай схема

К недостаткам составных транзисторов следует отнести низкоскоростной , поэтому широкое применение они нашли только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы отлично зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в цепях управления электродвигателями, в переключателях цепей электронного зажигания автомобилей.

Основные электрические параметры:

    Коллектор напряжения - эмиттер 500 В;

    Напряжение эмиттера - база 5 В;

    Коллекторный ток - 15 А;

    Максимальный ток коллектора - 30 А;

    Мощность рассеивания при 25 0 с - 135 Вт;

    Температура кристалла (переходная) - 175 0 С.

На концептуальных схемах нет специального значка символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве он обозначен на схеме как обычный транзистор.Хотя бывают исключения. Вот одно из его возможных обозначений на концепте.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как структуру P-N-P, так и n-p-n. В связи с этим производители электронных компонентов выпускают дополнительные пары. Такие можно отнести к сериям TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-P-N , а TIP125, TIP126, TIP127 - p-N-P .

Также на концептуальных схемах можно найти и вот такое обозначение.

Примеры применения составного транзистора.

Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем с использованием транзистора Дарлингтона.

Когда транзистор тока подключен к базе данных транзистора тока порядка 1 мА через его коллектор, ток будет протекать в 1000 раз больше, то есть 1000 мА. Оказывается, простая схема имеет приличный коэффициент усиления. Вместо двигателя можно подключить лампочку или реле, с помощью которого можно переключать мощные нагрузки.

Если вместо сборки Дарлингтона использовать сборку сиквела, нагрузка подключается к эмиттерной цепи второго транзистора и подключается не к плюсу, а с минусовой мощностью.

Если совместить транзистор Дарлингтона и сборку sciclae, то будет двухтактный усилитель тока. Он называется двухтактным, потому что в определенный момент времени может быть только один из двух транзисторов, верхний или нижний. Эта схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение будет обратно входным.

Это не всегда удобно, поэтому на входе двухтактного усилителя добавляется еще один инвертор. В этом случае выходной сигнал сразу повторяет входной сигнал.

Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.

Широко используются интегральные микросхемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одним из наиболее распространенных является интегральная сборка L293D. Его часто используют домохозяйки любители робототехники. Микросхема L293D представляет собой четырехканальный усилитель тока в общем корпусе.Поскольку только один транзистор всегда открыт в двухтактном выше вышеуказанном транзисторе, то выход усилителя поочередно подключается либо к плюсовому, либо к минусному источнику питания. Это зависит от величины входного напряжения. По сути, у нас есть электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.

Вот «кусочек» схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятый из ее даташета (справочного листа).

Как видим, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклая.Верхняя часть схемы представляет собой составной транзистор по схеме Шиклая, а нижняя часть выполнена по схеме Дарлингтона.

Многие помнят те времена, когда видеомагнитофоны были видео вместо DVD-плееров. Причем с помощью микросхемы L293 он управлялся двумя электродвигателями видеорегистратора, причем в полнофункциональном режиме. Каждым двигателем можно было управлять не только направлением вращения, но и управляющими сигналами от контроллера PWM можно было управлять в высоких пределах для управления скоростью вращения.

Специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона получили очень широкое распространение. Примером может служить микросхема ULN2003A (Аналог К1109Т22). Эта интегральная схема представляет собой матрицу из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки можно легко применить в любительских схемах, например, в радиоуправляемом реле. Об этом I.

Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз.Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочной литературе.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них - самый простой - это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллектор-эмиттер напряжения.Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. для всего спектра радиотехнических устройств. А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B - или использовать устройства KP501A... Б, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключен вместо базы VT1, а выход истока - вместо эмиттера VT2, выход потока - вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах универсального использования, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению.Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А ... в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B.В отличие, например, от 1014T1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению - до 200 при постоянном напряжении. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a ... 1014K1V показано на рис. 1.25.

Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

Полевые транзисторы Codolve в микросхеме 1014ct1a ... в

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов.К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.

Обозначение составного транзистора, состоящего из двух отдельных транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона, показано на рисунке No.1. Первый из этих транзисторов включен по схеме эмиттер-повторитель, сигнал с эмиттера первого транзистора поступает на базу второго транзистора. Преимущество этой схемы - исключительно высокий коэффициент усиления. Суммарный коэффициент усиления по току для этой схемы равен произведению коэффициентов усиления по току транзисторов: p = rgr2.

Например, если входной транзистор пары Дарлингтона имеет коэффициент усиления, равный 120, а коэффициент усиления второго транзистора равен 50, то общее P равно 6000.Фактически, коэффициент усиления будет даже несколько большим, поскольку полный коллекторный ток составного транзистора равен величине коллекторных токов пары входящих в него транзисторов.
Полная схема составного транзистора показана на рисунке 2. В этой схеме резисторы R 1 и R 2 представляют собой делитель напряжения, который создает смещение на основе первого транзистора. Резистор RN, подключенный к эмиттеру составного транзистора, образует выходную цепь. Такое устройство широко применяется на практике, особенно в случаях, когда требуется большое усиление по току.Схема имеет высокую чувствительность к входному сигналу и отличается высоким уровнем выходного тока коллектора, что позволяет использовать этот ток в качестве регулятора (особенно при низком напряжении питания). Использование схемы Дарлингтона помогает уменьшить количество компонентов в схемах.

Схема Дарлингтона используется в усилителях низкой частоты, в генераторах и коммутационных устройствах. Выходное сопротивление схемы Дарлингтона во много раз ниже входного. В этом смысле его характеристики аналогичны характеристикам понижающего трансформатора.Однако в отличие от трансформатора схема Дарлингтона позволяет получить большой прирост мощности. Входное сопротивление схемы примерно равно $ ²RN, а ее выходное сопротивление обычно меньше RN. В коммутационных устройствах используется схема Дарлингтона в диапазоне частот до 25 кГц.

Литература: Мать Мандл. 200 избранных схем электроники. Редакция по информатике и электронике. © 1978 Prenice-Hall, Inc. © Перевод на русский язык, «Мир», 1985, 1980

Войти с помощью:

Случайные статьи
  • 08.10.2014

    Регулятор громкости, баланса и тембра стерео на TCA5550 имеет следующие параметры: Небольшие нелинейные искажения не более 0,1% Питание 10-16 В (номинальное напряжение 12 В) Ток тока 15 ... 30 мА Входное напряжение 0,5 В (коэффициент усиления при блоке питания 12 В) Диапазон регулировки тембра -14 ... + 14 дБ Диапазон регулировки баланса 3 дБ разница между каналами 45 дБ отношение сигнал шум ...

Усилитель назван так не из-за его автора Дарлингтона, а из-за того, что выходной каскад усилителя мощности построен на транзисторах Дарлингтона (составных).

Для справки : Два транзистора одинаковой структуры соединены особым образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона - по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работы с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.Составной транзистор имеет три выхода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления типичного составного транзистора, в мощных транзисторах ≈1000 и в транзисторах малой мощности ≈50000.

Преимущества транзистора Дарлингтона

Высокий коэффициент усиления.

Darlington CHEMA изготавливается в виде интегральных схем и при том же токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов.Эти схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

Низкая скорость, особенно переход из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются в основном в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти вдвое больше, чем в обычном транзисторе, и составляет около 1.2 - 1,4 В для кремниевых транзисторов

Коллектор-эмиттер с большим напряжением насыщения, для кремниевого транзистора около 0,9 В для транзисторов малой мощности и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Принципиальная схема УНГ.

Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом для самостоятельного построения усилителя сабвуфера. Самым ценным в схеме являются транзисторы выходного дня, цена которых не превышает 1 доллар. Теоретически этот усилитель можно собрать за 3-5 долларов без блока питания.Сделаем небольшое сравнение, какая из микросхем может выдать мощность 100-200 Вт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитости. Но если сравнивать цены, то схема Дарлингтона и дешевле и мощнее TDA7294!

Сама микросхема, без комплектующих, стоит минимум 3 доллара, а цена активных компонентов схемы Дарлингтона не более 2-25 долларов! Причем схема Дарлингтона на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

При нагрузке 4 Ом усилитель выдает 150 Вт, это самый дешевый и хороший вариант усилителя сабвуфера.В схеме усилителя используются недорогие выпрямительные диоды, которые есть в любом электронном устройстве.

Усилитель может обеспечить такую ​​мощность за счет того, что на выходе используются составные транзисторы, но при желании их можно заменить на обычные. Комплиментарную пару CT827 / 25 удобно использовать, но, конечно, мощность усилителя упадет до 50-70 Вт. В дифференциальном каскаде можно использовать бытовой CT361 или CT3107.

Полный аналог транзистора TIP41 - наш КТ819А, этот транзистор используется для усиления сигнала от дифракции и смещения выходов. Эмиттерные резисторы можно использовать мощностью 2-5 Вт, они служат для защиты выходного каскада. Подробнее о технических характеристиках транзистора TIP41C. Лист данных для TIP41 и TIP42.

Переходный материал PNN: Si

Структура транзистора: NPN

Коллектор мощности постоянного рассеяния (ПК) с ограничением постоянного напряжения Транзистор: 65 Вт

Коллектор-база предельного постоянного напряжения (UCB): 140 В

Предел постоянного напряжения коллектор-эмиттер ( UCE) транзистора: 100 В

Предельное постоянное напряжение База эмиттера (UEB): 5 В

Условия постоянного коллектора транзистора (IC MAX): 6 A

Предельная температура Pn перехода (TJ): 150 C

Граничная частота коэффициента передачи тока (FT) транзистора: 3 МГц

- Емкость коллекторного перехода (CC): PF

Коэффициент передачи статического тока в цепи с общим эмиттером (HFE), MIN: 20

Такой усилитель можно использовать как в качестве сабвуфера, так и в качестве широкополосной акустики.Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке 4 Ом выходная мощность усилителя около 150 Вт, при нагрузке в 8 Ом мощностью 100 Вт максимальная мощность усилителя может достигать 200 Вт при +/- 50 вольт.

Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов транзисторов. Такой прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных ступеней усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.

В транзистоне Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал транзисторный эмиттер по падению напряжения на диоде).Кроме того, транзисторы соединены между собой как один транзистор с достаточно низкой скоростью, так как транзистор не может быстро выключить транзистор. Учитывая это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора в зону проводимости за счет токов утечки транзистора и. Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в нанопарфюмерах для небольших транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и при этом Время, чтобы ток протек, мало по сравнению с ним Базовый ток транзистора.Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч Ом в небольшом транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы может служить мощный П-П-П-П-П-П-П-П-П-транзистор типа Дарлингтона, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) при токе коллектора, равном 10 А.

Рис. 2.62.Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).

Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai).

Подключение транзисторов по схеме Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, что мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор P-P-типа с большим коэффициентом.В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде. Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор является коллекторным резистором транзистора Дарлингтона, образованный транзисторами, ведет себя как одиночный транзистор P-P-типа с большим коэффициентом усиления по току.Транзисторы, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор P-P-R-TIAI с большим коэффициентом усиления.

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы.

Как и раньше, резисторы и имеют малое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В нынешнем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы будут подключены по схеме Дарлингтона.

Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока.

Компонентные транзисторы - транзистор Дарлингтона и не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых этот коэффициент очень велик в процессе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента является тип транзистора, для которого гарантируется минимальное усиление по току, равное 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от до этого транзистора, принадлежит к серии элементов, которая характеризуется диапазон максимальных напряжений от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то следует уменьшить значение).Промышленность производит согласованные пары транзисторов со значением коэффициента супергравия. Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются типовые схемы, это пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано с долей Милливольт (коэффициент типа указан в высших схемах.

Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента можно комбинировать по схеме Дарлингтона.При этом базовый ток смещения можно сделать равным только (примерами таких схем являются операционные усилители типа

).

Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги КТ 819 технические характеристики

    Фото транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2Н6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам широко используется в отечественной радиотехнике.Максимум. бывший. k b при заданном обратном токе k ... Википедия

    Структура p n p Uce 10 25V ... Википедия

    Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая визуальная схема устройства транзистора Биполярный транзистор представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. Электроды подключены по три последовательно ... ... Википедия

    Распиновка КТ3102 КТ3102 - тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначен для использования в усилителях и г ... Википедия

    Транзисторы КТ3107 КТ3107 - кремниевый биполярный транзистор p n p проводимости высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителях и генераторах ... ... Википедия

    Распиновка КТ815 КТ815 представляет собой кремниевый биполярный транзистор n p n проводимости, универсальный низкочастотный мощный транзистор. Предназначен для работы с усилителями низкой частоты, операционными и дифференциальными... Википедия

Транзистор КТ819 представляет собой кремниевый полупроводниковый прибор с n - p - n структурой. Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах - в металлическом и пластиковом корпусе. Основная область применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звука.

Отличительной особенностью является невысокая стоимость при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому этот полупроводниковый прибор широко используется при производстве радиоаппаратуры в республиках бывшего СССР, а после его распада - в странах СНГ.Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Распиновка транзистора

Распиновка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как вы можете видеть, коллекторный штырь соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. В версии с пластиковым корпусом один язычок с 3.Отверстие 6 мм предназначено для крепления к радиатору охлаждения.

основные параметры

Основные характеристики КТ819 приведены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь. Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог - то есть транзистор, максимально соответствующий его характеристикам. В целом при подборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

  • допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эмиттера;
  • допустимый коллекторный ток;
  • усиление;
  • рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену на те или иные отечественные и зарубежные транзисторы.

Отечественные аналоги

Можно заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

  • КТ834;
  • КТ841;
  • КТ844;
  • КТ847.

Зарубежные аналоги

Вы можете заменить КТ819 на следующие зарубежные полупроводниковые приборы:

  • 2 N6288;
  • BD705;
  • TIP41;
  • BD533.

Отдельно стоит сказать об аналоге КТ819ГМ. Дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используется именно КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора нет. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор - 2 Н 3055. Кроме того, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с Б Д 183, 2 Н 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обычным тестером.Для поверки измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления. По схеме КТ819ГМ (расположение выводов) или другой составляющей этой серии подключаем положительный щуп прибора к клемме базы, а отрицательный - к клемме коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение пробоя. Далее, не отсоединяя положительный щуп от базы, подключаем отрицательный щуп к выводу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать почти такое же значение, как и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры проверяем обратные коммутационные переходы ... По схеме КТ819 (расположение выводов) подключаем отрицательный щуп тестера к клемме базы, а положительный - к клемме коллектора. На приборе не должно быть никаких показаний. После этого, не отключая отрицательный щуп от базы, подключаем положительный щуп к эмиттеру - как и в случае перехода база-коллектор, на тестере не должно быть показаний.Проверку можно считать успешной, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: любой полупроводниковый элемент следует проверять только после его удаления из схемы. Проще говоря, проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» даем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Простейшая схема усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, показанного на рисунке 2, является питание от биполярного источника ... Благодаря такой схемной конструкции можно подключать нагрузку напрямую между выходом каскада усилителя и общим проводом. Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термической стабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при напряжении питания ± 40 В и нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт.Коэффициент нелинейных искажений - 0,07%.

После сборки усилителя никаких операций по настройке не требуется. ... Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использоваться один общий радиатор, транзисторы необходимо прикрепить к нему через изолирующие прокладки.

Схема регулятора напряжения 0 12в. Большая энциклопедия нефти и газа

Стр. 1

Контактно-транзисторный регулятор напряжения (рис.2.10) работает следующим образом. Пока напряжение генератора Ur не достигнет регулируемого значения, контакты реле вибрации разомкнуты. При этом транзистор VT открыт, так как ток базы B от генератора проходит через переход эмиттер-база через переход эмиттер-база транзистора, а резистор подключен к генератору. Сопротивление резистора R6 выбрано таким, чтобы ток базы обеспечивал полную разблокировку транзистора. По обмотке возбуждения - 0В через эмиттер Е и коллектор К транзистора в этом случае протекает полный ток возбуждения, а напряжение генератора возрастает с увеличением скорости.

Контактно-транзисторные регуляторы напряжения частично лишены недостатка регуляторов вибрации - малый срок службы контактных пар.

В контактно-транзисторном регуляторе напряжения окисление контактов, обрыв или короткое замыкание обмоток, нарушение зазоров между контактами и между якорем и сердечником, в бесконтактном транзисторе - пробой транзистора, обрыв его электродов или поломка стабилизатора.

Контактный или контактно-транзисторный регулятор напряжения можно попытаться отрегулировать, уменьшив натяжение пружины.Бесконтактный регулятор напряжения (не подвержен перекосам) подлежит замене.

Реле защиты контактно-транзисторного регулятора напряжения защищает транзистор от пробоя при коротком замыкании в цепи обмотки возбуждения генератора. Сопротивление реостата вводится полностью. Когда переключатель замкнут, сопротивление реостата плавно снижается, а амперметр контролируется. В момент срабатывания реле защиты слышен щелчок контактов реле, и стрелка амперметра опускается на ноль.Если сила тока большая, то натяжение пружины ослабляется, и наоборот. Контакты реле защиты должны находиться в замкнутом состоянии до отключения выключателя.

В настоящее время все большее распространение получают контактно-транзисторные регуляторы напряжения, которые работают вместе с генераторами. переменный ток.

Генераторы G306 и G250 работают с контактно-транзисторными регуляторами напряжения, которые обеспечивают относительно высокую надежность, долговечность и точность регулирования, а также повышенную мощность генераторных установок.

Благодаря малой величине тока, проходящего через контакты контактно-транзисторного регулятора напряжения, эрозия контактов не происходит и очистка их в процессе эксплуатации не требуется. В случае загрязнения контакты промываются.

Чтобы проверить, работает ли двигатель, отключите регулятор напряжения. Если заряд не прекращается, возможна проводка. Если заряд прекратился, то могут быть следующие неисправности: увеличение сопротивления цепи от выхода генератора до выхода регулятора напряжения -), нарушение регулирования контактного или контактно-транзисторного регулятора напряжения. , выход из строя регулятора напряжения.

Недостатком контактного транзистора напряжения являются случаи изменения регулируемого напряжения в процессе работы из-за несоосности. Регулятор вибрации, управляющий транзистором, подлежит дерегулированию из-за изменения характеристик возвратной пружины из-за старения. В этом отношении контактно-транзисторные регуляторы и регуляторы вибрации эквивалентны. В процессе эксплуатации контактно-транзисторный регулятор напряжения следует периодически проверять и при необходимости настраивать, не отличаясь в этом отношении от обычного регулятора вибрации.

Страниц: 1

В последнее время в нашей жизни используется все больше электронных устройств для плавной регулировки сетевого напряжения. С помощью таких устройств регулируют яркость ламп, температуру электронагревателей и частоту вращения электродвигателей.

Подавляющее большинство регуляторов напряжения, собранных на тиристорах, имеют существенные недостатки, ограничивающие их возможности. Во-первых, они вносят довольно заметные помехи в электрическую сеть, что часто отрицательно сказывается на работе телевизоров, радио, магнитофонов.Во-вторых, их можно использовать только для управления нагрузкой с сопротивлением - лампочка или нагревательный элемент, и нельзя использовать вместе с нагрузкой индуктивного характера - электродвигателем, трансформатором.

Между тем, все эти проблемы легко решаются сборкой электронного устройства, в котором роль регулирующего элемента будет выполнять не тиристор, а мощный транзистор.

Принципиальная схема

Транзисторный стабилизатор напряжения (рис. 9.6) содержит минимум радиоэлементов, не вносит помех в электрическую сеть и работает на нагрузке как с активным, так и с индуктивным сопротивлением.С его помощью можно регулировать яркость люстры или настольной лампы, температуру нагрева паяльника или электрической плиты, скорость вращения электродвигателя вентилятора или дрели, напряжение на обмотке трансформатора. Устройство имеет следующие параметры: диапазон регулировки напряжения - от 0 до 218 В; Максимальная мощность нагрузки при использовании в цепи управления одним транзистором не более 100 Вт.

Регулирующим элементом устройства является транзистор VT1. Диодный мост VD1... VD4 выпрямляет сетевое напряжение, так что на коллектор VT1 всегда подается положительное напряжение. Трансформатор Т1 понижает напряжение 220 В до 5 ... 8 В, которое выпрямляется диодным блоком VD6 и сглаживается конденсатором С1.

Рис. Принципиальная схема Мощный стабилизатор напряжения сети 220В.

Переменный резистор R1 используется для регулировки величины управляющего напряжения, а резистор R2 ограничивает базовый ток транзистора. Диод VD5 защищает VT1 от падения на его базу напряжения отрицательной полярности.Устройство подключается к сети с помощью вилки XP1. Гнездо XS1 используется для подключения нагрузки.

Регулятор работает следующим образом. После включения тумблером S1 сетевое напряжение подается одновременно на диоды VD1, VD2 и первичную обмотку трансформатора Т1.

В этом случае выпрямитель, состоящий из диодного моста VD6, конденсатора С1 и переменного резистора R1, формирует управляющее напряжение, которое поступает на базу транзистора и открывает его.Если в момент включения регулятора в сети присутствует напряжение отрицательной полярности, ток нагрузки протекает по цепи VD2 - эмиттер-коллектор VT1, VD3. Если полярность сетевого напряжения положительная, ток протекает по цепи VD1 - коллектор-эмиттер VT1, VD4.

Величина тока нагрузки зависит от величины управляющего напряжения на базе VT1. Вращая ползунок R1 и изменяя значение управляющего напряжения, регулируйте величину тока коллектора VT1.Этот ток, а следовательно, и ток, протекающий в нагрузке, будет тем больше, чем выше уровень управляющего напряжения, и наоборот.

В крайнем правом углу схемы положения двигателя переменного резистора транзистор будет полностью открыт и «доза» электроэнергии, потребляемая нагрузкой, будет соответствовать номиналу. Если двигатель R1 переместить в крайнее левое положение, VT1 будет заблокирован, и ток не будет проходить через нагрузку.

Управляя транзистором, мы фактически регулируем амплитуду переменного напряжения и тока, действующих в нагрузке.При этом транзистор работает в непрерывном режиме, благодаря чему такой регулятор лишен недостатков тиристорного устройства.

Конструкция и детали

Теперь перейдем к дизайну устройства. Диодные мосты, конденсатор, резистор R2 и диод VD6 смонтированы на печатной плате размером 55х35 мм из фольгированного гетеро- или текстолита толщиной 1 ... 2 мм (рис. 9.7).

Устройство может использовать следующие детали. Транзистор - КТ812А (В), КТ824А (В), КТ828А (В), КТ834А (В, С), КТ840А (В), КТ847А или КТ856А.Диодные мосты: VD1 ... VD4 - КЦ410В или КЦ412В, VD6 - КЦ405 или КЦ407 с любым буквенным индексом; Диод VD5 - серии D7, D226 или D237.

Резистор переменный - типа СП, СПО, ППБ мощностью не менее 2 Вт, постоянный - Сан, МДЖИТ, АМЛТ, С2-23. Конденсатор оксидный - К50-6, К50-16. Сетевой трансформатор - ТВЗ-1-6 от ламповых телевизоров, ТС-25, ТС-27 - от телевизоров «Юность» или любой другой маломощный с напряжением вторичной обмотки 5 ... 8 В.

Предохранитель рассчитан на максимальный ток 1 А. Тумблер - TZ-S или любой другой сетевой.XP1 - вилка стандартная, XS1 - розетка.

Все элементы регулятора помещены в пластиковый корпус размером 150x100x80 мм. На верхней панели корпуса установлены тумблер и переменный резистор с декоративной ручкой. Гнездо для подключения нагрузки и гнездо предохранителя смонтированы на одной из боковых стенок корпуса.

На этой же стороне проделано отверстие для шнура питания. Внизу корпуса установлены транзистор, трансформатор и печатная плата.Транзистор должен быть оборудован радиатором с площадью рассеяния не менее 200 см2 и толщиной 3 ... 5 мм.


Рис. Печатная плата мощного регулятора напряжения сети 220В.

Регулятор не требует регулировки. При правильной установке и исправности запчастей он начинает работать сразу после включения в сеть.

А теперь несколько рекомендаций для желающих улучшить устройство. Изменения в основном касаются увеличения выходной мощности регулятора.Так, например, при использовании транзистора КТ856 мощность, потребляемая нагрузкой от сети, может составлять 150 Вт, для КТ834 - 200 Вт, а для КТ847 - 250 Вт.

Если необходимо дополнительно увеличить выходную мощность устройства, можно использовать несколько параллельно соединенных транзисторов в качестве регулирующего элемента, подключив их соответствующие выходы.

Вероятно, в этом случае регулятор придется снабдить небольшим вентилятором для более интенсивного воздушного охлаждения полупроводниковых приборов.Кроме того, диодный мост VD1 ... VD4 потребуется заменить на четыре более мощных диода, рассчитанных на рабочее напряжение не менее 600 В и величину тока в соответствии с потребляемой нагрузкой.

Для этой цели подходят аппараты серий D231 ... D234, D242, D243, D245 .. D248. Также необходимо будет заменить VD5 на более мощный диод, рассчитанный на ток до I А. Также больший ток должен выдерживать предохранитель.

Всем привет 🙂 В этой статье я хочу показать, как сделать стабилизатор напряжения на одном транзисторе, который пригодится для изготовления простого блочного блока питания или универсального адаптера к радиоустройствам, на разные напряжения.Создать такую ​​схему сможет даже начинающий радиолюбитель. Из необходимых нам комплектующих:

1. Транзистор КТ817Г, его можно заменить на КТ815Г.
2. Переменный резистор 10 кОм.
3. Резистор нормальный 0,125 Вт на 1ком.

В виде рисунка я решил сделать полную картину, чтобы новичку было легче разучить работу и представить схему.


Приступим к сборке. Для начала распечатываем этот рисунок, и ножницами вырезаем его без рисунков, прикрепляем рисунок к плате и начинаем сначала сверлить отверстия, потому что потом будет проще рисовать.





Отрезаем остатки тестолита и приступаем к пайке компонентов. Сначала припаяйте транзистор, только будьте осторожны - не перепутайте ножки на транзисторе в некоторых местах (эмиттер и база).



Далее устанавливаем резистор на 1ком, затем припаиваем переменный резистор к 10к. Можно поставить другой резистор, сразу без этих соплей припаять резистор, но мой резистор этого не позволял и пришлось повесить на провода... Осталось припаять 4 клеммы к питанию и к выводам.



Готово! Подключаем питание, к выходу - светодиод, мотор, лампу, в моем случае это был светодиод и вращая регулятор визуально смотрим на изменение напряжения. Демонстрацию работы этой конструкции, а также подробное объяснение подключения вы можете увидеть на видео ниже.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *