К30Т60 характеристики: IKW30N60TFKSA1 (K30T60), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 30А, [TO-247], Infineon
alexxlab | 25.11.2022 | 0 | Разное
IKW30N60T (K30T60) | IGBT транзисторы
Транзистор IKW30N60T (маркировка K30T60)
IKW30N60T – Power IGBT, with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode, 30A, 600V, TO-247
Features:
- Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)
- Maximum Junction Temperature 175°C
- Short circuit withstand time 5s
- Designed for :
- – Frequency Converters
- – Uninterruptible Power Supply
- TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers :
- – very tight parameter distribution
- – high ruggedness, temperature stable behavior
- – very high switching speed
- – low VCE(sat)
- Positive temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Low Gate Charge
- Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
Извините, на данный момент, этого товара нет в наличии на складе. Выберите аналогичный товар как “IKW30N60T (K30T60)”. Рекомендуем начать просмор сайта с главной страницы сайта магазина Dalincom, или с начала каталога Микросхемы. Кроме того, мы стараемся как можно быстрее восполнять складской запас, ожидайте поступление.
| Код товара : | M-161-10734 |
|---|---|
| Обновление: | 2022-09-22 |
| Тип корпуса : | TO-247 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IKW30N60T (K30T60), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку “ремонт”, этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.
Что еще купить вместе с IKW30N60T (K30T60) ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
| Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
| 10734 | IKW30N60T (K30T60) | Транзистор IKW30N60T (маркировка K30T60) – Power IGBT, with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode, 30A, 600V, TO-247 | 70 pyб. |
| 8905 | FJP13007 (J13007-2) | Транзистор FJP13007 (маркировка J13007-2) – Power NPN Transistor, 400V, 8A, TO-220 | 17 pyб. |
| 3316 | FQPF12N60C | Транзистор FQPF12N60 (FQPF12N60C) – Power MOSFET N-Channel, 12A, 600V, TO-220FP | 37 pyб. |
| 4333 | EN25Q64-104HIP (Q64-104HIP) | Микросхема EN25Q64-104HIP (маркировка Q64-104HIP) – 64 Megabit Serial Flash Memory with 4Kbyte Uniform Sector, SOP-8 | 65 pyб. |
| 1098 | THX203H | Микросхемы THX203H – Switching Power Controller IC, DIP-8 | 32 pyб. |
| 3604 | AO4435 | Транзистор AO4435 (аналог FDS4435BZ, SI4435, FDS4435) – 30V P-Channel MOSFET, SOP-8 | 19 pyб. |
| 6755 | IRF5305S to-263 | Транзистор IRF5305S (маркировка F5305S) – MOSFET, P-Channel, 55V, 31A, TO-263 | 32 pyб. |
| 7203 | NTC-10D20 | NTC термистор NTC-10D20 (аналог MF72-8D20) (для ограничения пускового тока в блоках питания различной аппаратуры) | 27 pyб. |
| 7056 | MPSA13 | Транзистор MPSA13 – NPN Darlington Transistor, 30V, 0.5A, TO-92 | 3.2 pyб. |
| 1318 | OB2269CP sop-8 | Микросхема OB2269CP – highly integrated current mode PWM control IC optimized for high performance, SOP-8 | 32 pyб. |
IGBT IKW 30N60T(K30T60)
Описание
Описание Наличие
Описание
Описание
Структура n-канал+диод
Максимальное напряжение кэ ,В600
Максимальный ток кэ при 25 гр.
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.5
Управляющее напряжение,В4.9
Мощность макс.,Вт187
Крутизна характеристики, S16.7
Дополнительные опцииtrench and fieldstop
Корпусto-247
Наличие
Доступно на складах
Адрес магазина
Режим работы
Наличие
Волгоградская улица, 105
с 8:00 до 19:00
Наличие:
Нет в наличии
Сухумское шоссе, 110А
с 8:00 до 19:00
Наличие:
Нет в наличии
Шоссейная улица, 150
с 8:00 до 20:00
Наличие:
Нет в наличии
Волгоградская улица, 99
с 8:00 до 19:00
Наличие:
Нет в наличии
Просмотренные товары
В корзину
3 шт.
Артикул: 30N60T(K30T60)
На складе 3 шт.
IGBT IKW 30N60T(K30T60)
В корзину
Полупроводниковые и системные решения – Infineon Technologies
Применение водородных электролизеров становится зеленым
Получите представление о применении электролизеров переменного и постоянного тока и о преимуществах наших лучших в своем классе мощных полупроводниковых решений.
Смотреть видео
electronica 2022
Посетите нас на выставке electronica в этом году – живите в Мюнхене или в цифровом формате!
Учить больше
Присоединяйтесь к нам на TRUSTECH 2022
Погрузитесь в самое сердце безопасности на выставке TRUSTECH этого года с семейством универсальных решений Infineon SECORA™.
Узнать больше
Тяговые преобразователи для электромобилей
Высокая эффективность увеличивает радиус действия и снижает усилия по охлаждению, пространство и вес.
Учить больше
Интеллектуальные полупроводниковые решения делают здания и дома настраиваемыми, обеспечивая больше комфорта жителям и работникам и экономя энергию
Взглянем
Машинное зрение для Industry 4.0
Веб-семинар: USB SuperSpeed (от 5 до 20 Гбит/с) для высокоскоростной обработки изображений и видео.
Ускорьте промышленную автоматизацию производства с помощью решений Infineon EZ-USB™.
Сохраните свое место
Tech for — события о влиянии технологий
Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции «Технологии для устойчивого будущего»! Следите за нашими панельными дискуссиями о роли и потенциале технологий для создания будущего, достойного жизни
Присоединяйтесь к нашей прямой трансляции
Новости
14 ноября 2022 г. | Ежеквартальный отчет
После рекордного 2022 финансового года Infineon значительно увеличивает свои долгосрочные финансовые цели и планирует крупные инвестиции в новый завод в Дрездене; позитивный прогноз на 2023 год
14 ноября 2022 г.