Кт829 параметры транзистора: КТ829 характеристики транзистора, распиновка, даташит, аналоги

alexxlab | 21.08.2021 | 0 | Разное

Содержание

КТ829 характеристики транзистора, распиновка, даташит, аналоги

Технические характеристики транзистор КТ829 сделали его одним из известных, мощных, составных устройств советских времен данного типа, производимый по мезапланарной технологии. Схематично сделан по схеме Дарлингтона и состоит из двух биполярных транзисторов. Имеет структуру n-p-n. Их используют в усилителях низкой частоты и электронных переключателях. Обычно встречаются в выходных каскадах автомобильных регуляторов напряжения или в схемах управления сервоприводом.

Распиновка

Производят данный транзистор в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса данного прибора — КТ-28 по ГОСТ 18472-2 (зарубежный ТО-220). Весит он не более двух грамм. Имеет следующую цоколевку: 1 — база, 2 — коллектор, 3 — эмиттер.

Очень редко встречается в пластиковом корпусе ТО-252 (КТ-89), например КТ829-А2, со схожей распиновкой. Если смотреть на маркировку указанную на корпусе, то слева на право будут — база, коллектор, эмиттер.

Характеристики

Транзистор КТ829 обладает следующими максимально допустимыми предельными эксплуатационными характеристиками:

максимальное напряжение: коллектор-эмиттер до 120 В; коллектор-база до 120 В;
постоянное напряжение между базой и эмиттером до 5 В;
ток коллектора: постоянный до 8 А; импульсный до 12 А;
рассеиваемая мощность коллектора до 60 Вт;
статический коэффициент передачи тока (H_21Э) — до 750;
ток базы до 0,2 А;
температура: перехода до +150 °C; окружающей среды от – 40 до + 85 °C.

Ниже приведены значения электрических параметров КТ829, при определенных условиях эксплуатации.

Серия КТ829 классифицируется по группам от «А» до «Г». Группа «Г» имеет худшие характеристиками во всей серии, а современный КТ829АТ лучшими. КТ829АТ представляет собой улучшенный вариант КТ829А. У него расширен температурный диапазон до военных рамок от -60 до +125°С, а статический коэффициент передачи тока H_21Э.достигает аж 8000.

Значительно меньшая рассеиваемая мощностью на коллекторе (до 20 Вт) у КТ829А2 (ТО-252), отличает его от всей серии. У него так же снижен рабочий диапазон температур от -60 до +1оо °С, по сравнению с «АТ».

Аналоги

Транзистор КТ829А можно заменить такими зарубежными аналогами: BD267B, 2SD686, 2SD691, 2SD692, BDW23C, BDх53C, TIP122, BD263A, BD265A, BD267A, BD335, BD647, BD681. Наиболее мощным из них является TIP122. КТ829А также прекрасно заменяется отечественным аналогом КТ827, который по мощности не уступает рассматриваемому. Еще один способ заменить его, это спаять схему из двух транзисторов КТ817 и КТ819.

Можно также найти данный транзистор в старой аппаратуре, производившейся еще при СССР. Так, он точно есть в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео», «Радиотехника У-101 стерео» и видеомагнитофоне «Электроника ВМ-12». Также данный транзистор использовался в старых советских телевизорах в модуле коррекции растра.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для КТ829 является КТ853. У него как и у рассматриваемого устройства, ток коллектора 8 А, рассеиваемая мощность с теплоотводом 60 Вт, граничная частота передачи тока 4 МГц.

Производители

В СССР эти приборы изготавливались на Фрязинском заводе имени 50-летия СССР и возможно на Хасавюртском заводе «Эльтав». В настоящее время продолжают выпускать этот транзистор АО «Группа кремний ЭЛ», АО «Элиз» г. Фрязино, а также ЗАО «Кремний Маркетинг» г. Брянск. Кликнув по наименованию предприятия, можно скачать техническое описание (DataShet) на кт829.

Транзистор КТ829 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ829

Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)

Описание

Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.

**Параметры транзистора КТ829**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ829А		*BD267B, TIP122, BD901, BDW23C ^2, BDW73C, BDW63C ^2, 2SD1128 ^2, 2SD1740 ^2, BD267A ^2**
		КТ829Б		BD267A, BD263, TIP121, *BD899A, BD899, BDW23B ^2, BDW73B ^2, BD267^2**
		КТ829В		BD331, TIP120, BD897A, *BD897, BDW23A, ТIР120 ^2**
		КТ829Г		BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73, *BDW63 ^2, BD695^1*
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ829А	—	60*	Вт
		КТ829Б	—	60*
		КТ829В	—	60*
		КТ829Г	—	60*
		КТ829АТ	—	50
		КТ829АП	—	50
		КТ829АМ	—	60
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ829А	—	≥4	МГц
		КТ829Б	—	≥4
		КТ829В	—	≥4
		КТ829Г	—	≥4
		КТ829АТ	—	≥4
		КТ829АП	—	≥4
		КТ829АМ	—	≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ829А	1к	100*	В
		КТ829Б	1к	80*
		КТ829В	1к	60*
		КТ829Г	1к	45*
		КТ829АТ	—	100
		КТ829АП	—	160
		КТ829АМ	—	240
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ829А	—	5	В
		КТ829Б	—	5
		КТ829В	—	5
		КТ829Г	—	5
		КТ829АТ	—	5
		КТ829АП	—	5
		КТ829АМ	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ829А	—	*8(12)**	А
		КТ829Б	—	*8(12)**
		КТ829В	—	*8(12)**
		КТ829Г	—	*8(12)**
		КТ829АТ	—	5
		КТ829АП	—	5
		КТ829АМ	—	8
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ829А	100 В	≤1.5*	мА
		КТ829Б	80 В	≤1.5*
		КТ829В	60 В	≤1.5*
		КТ829Г	60 В	≤1.5*
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ829А	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829Б	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829В	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829Г	3 В; 3 А	≥750*
		КТ829АТ	—	≥1000
		КТ829АП	—	≥700
		КТ829АМ	—	400…3000
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ829А	—	≤120	пФ
		КТ829Б	—	≤120
		КТ829В	—	≤120
		КТ829Г	—	≤120
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ829А	—	≤0.57	Ом, дБ
		КТ829Б	—	≤0.57
		КТ829В	—	≤0.57
		КТ829Г	—	≤0.57
		КТ829АТ	—	≤0.3
		КТ829АП	—	≤0.25
		КТ829АМ	—	≤0.66
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ829А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ829Б	—	—
		КТ829В	—	—
		КТ829Г	—	—
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ829А	—	—	пс
		КТ829Б	—	—
		КТ829В	—	—
		КТ829Г	—	—
		КТ829АТ	—	—
		КТ829АП	—	—
		КТ829АМ	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Входные характеристики	Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб	Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса	Область максимальных режимов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet)

Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены.

КТ829 – мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ829 отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т.п.

Рис. 1. Изображение транзистора N-P-N структуры на принципиальных схемах.

Внешний вид и описание

Рис. 2. Внешний вид составных транзисторов КТ829.

Транзисторы КТ829 выпускаются в пластмассовом корпусе TO-220. Цоколевка у транзисторов КТ829 – перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ827. Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP122.

Масса транзистора КТ829 составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.

Рис. 3. Размеры корпуса и цоколевка транзистора КТ829.

Рис. 4. Электрическая схема транзистора КТ829.

Технические параметры

Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.

Транзистор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											R_{Т п-к}, °C/Вт
			при T = 25°C							Параметры при T = 25°C
	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, Вт	_при T_К, °C	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	h_21Э	U_КЭ, В	I_К, А	U_{КЭ нас}, В	I_КЭR, мА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ829А	8	12	100	100	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829Б	8	12	80	80	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829В	8	12	60	60	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08
КТ829Г	8	12	45	45	5	60	25	150	85	750	3	3	2	1,5	4	–	–	–	–	–	2,08

Схема эквивалентной замены

Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.

Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.

Скачать даташит на транзистор КТ829: transistor-kt829-datasheet.pdf (75 КБ).

RadioStorage.net.

Характеристики транзисторов кт829, схема, аналоги, цоколевка

КТ829 – кремниевые мезапланарные составные усилительные n-p-n транзисторы большой мощности средней частоты. Применяются в переключающих устройствах, усилителях низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ829

Во многих случаях можно заменить на 2SD691, BD335, BD263A, BDX53C

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара KT853

Корпусное исполнение и цоколевка КТ829

Схема КТ829

Характеристики транзистора КТ829

Предельные параметры КТ829

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т = 25° C:

КТ829Г – 45 В
КТ829В – 60 В
КТ829Б – 80 В
КТ829А – 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (U_{КБ0 max}) при Т = 25° C:

КТ829Г – 45 В
КТ829В – 60 В
КТ829Б – 80 В
КТ829А – 100 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т = 25° C:

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (P_{К, max}) при Т_к = 25° C:

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

Электрические характеристики транзисторов КТ829 при Т

_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (U_КЭ) 3 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 3 А:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (I_КЭR)

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

КТ829А-Г – 2,08 ° C/Вт

Опубликовано 12.02.2020

Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г не более 2 гр.

Чертёж транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г

Электрические параметры транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Граничное напряжение при I_К=100 мА, не менее
КТ829А	100 В
КТ829Б	80 В
КТ829В	60 В
КТ829Г	45 В
КТ827В, 2Т827В	60-80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К=3,5 А, I_Б=14 мА, не более	2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=3,5 А, I_Б=14 мА, не более	2,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КЭ=3 В, I_К=3 А, не менее
при Т_К=24,85°С и Т_К=84,85°С	750
при Т_К=-40,15°С	100
при Т=Т_{К макс}, не менее	750
при Т=-60,15°С, не менее	100
Модуль коэффициента передачи тока при U_КЭ=3 В, I_К=3 А, ƒ=10 МГц, не менее	0,4
Обратный ток коллектор-эмиттер при R_БЭ=1 кОм, U_КЭ=U_{КЭ макс}, не более
при Т=24,85°С и Т=-40,15°С	1,5 мА
при Т_К=84,85°С	3 мА
Обратный ток эмиттера при U_БЭ=5 В, не более	2 мА

Предельные эксплуатационные данные КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ≤1 кОм, постоянное напряжение коллектор база
КТ829А	100 В
КТ829Б	80 В
КТ829В	60 В
КТ829Г	45 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	5 В
Постоянный ток коллектора	8 А
Постоянный ток базы	0,5 А
Импульсный ток коллектора при τ_и≤500 мкс, Q≥10	12 А
Постоянный ток базы	0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т_к≤24,85°С	60 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	2,08 К/Вт
Температура перехода	149,85°С
Температура окружающей среды	От -40,15 до Т_к=84,85°С

Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Т_к>298÷358 К рассчитывается по формуле:

Р_{К макс}=(423-Т_к)/2,08.

2. Пайка выводов транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать 84,85°С.

Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032-77.

Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.

1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от I_К/I_Б. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.

КТ829 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet. – Биполярные отечественные транзисторы – Транзисторы – Справочник Радиокомпонентов – РадиоДом

КТ829 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.

Основные технические параметры кремниевого NPN транзистора КТ829.

Транз истор	I_{К, макс} А	U_{КЭ макс} В	U_{КБ макс} В	U_{ЭБ макс} В	P_{К макс} Вт	h_21Э	U_{КЭ нас} В	I_КБ0 мА	f_гр МГц
КТ829А	8 (12)	100	100	5	60	750	2	–	4
КТ829Б	8 (12)	80	80	5	60	750	2	–	4
КТ829В	8 (12)	60	80	5	60	750	2	–	4
КТ829Г	8 (12)	45	80	5	60	750	2	–	4

Обозначение на схеме кремниевого NPN транзистора КТ829

Цоколёвка и размеры NPN транзистора КТ829

Внешний вид NPN транзистора КТ829

Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 – маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ829

Транзисторы КТ829 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n.
Корпус металло-пластиковый. Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ829А – 100в.
У транзисторов КТ829Б – 80в.
У транзисторов КТ829А – 60в.
У транзисторов КТ829Г – 45в.

Максимальный ток коллектора – 8 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию – не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию – не более 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в – не более 2 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА – не более 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
– не более 2,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 60 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока – 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ829

КТ829А – 2SD686
КТ829Б – BD263
КТ829В – TIP122
КТ829Д – BDX53E

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно – это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка “подпирает” транзистор.

На главную страницу

kt% 20829% 20b техническое описание и примечания к применению

КТ3102 Реферат: KT 3127 TM100 UF 3004 lg led схема kt3117 LED Tr KT 1117 3121 LG LED Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
кт 30 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
MA704WA Аннотация: MA700 MA4S713 MA2S784 HSU88 HSU276 HSS102 610C 420C ma741 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 MA743 MA704AÂ MA721В MA744 MA704WA MA700 610C 420C ma741
кабель Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2008 – КТ 6396 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
КТ920Б Аннотация: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 UdSSR BT320 920a 920B4 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	175 МГц КТ920Б КТ920А KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 СССР BT320 920a 920B4
пластик Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
кт21 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1827 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1827 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
узлы 6306 Абстракция: KT5211 KT6396 kt 6217 KT6209 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

какой транзистор заменить или откуда припаять транзистор kt829a

какой транзистор заменить или откуда испарить транзистор kt829a

Результаты: приблизительно 3 410 (0,28 секунды)
результаты поиска
Фотографии по запросу kt829a AnalogПресс на изображениях
Изображения по запросу kt829a аналог
Фотографии по запросу kt829a аналог
Фотографии по запросу kt829a аналог
Фотографии по запросу kt829a аналог
Другие изображения по запросу “kt829a аналог”
Транзистор KT829, характеристики, аналог, замена 50 Ом
www .50om.com/tranzistor-kt829-xarakteristiki-analog-zamena/
12 марта 2015 г. – Транзисторы КТ829 структуры npn, кремниевый композитный усилитель. Предназначен для использования в усилителях малой мощности …
Аналоги кт829а – Аналоги – приднестровский портал …
radio-hobby.org/modules/analog/kt829a
Аналоги кт829а – Аналоги, поиск аналогов микросхем и транзисторов.
Параметры, цоколевка и аналоги транзистора КТ829А …
www.radiolibrary.ru/reference/transistor/kt829a.html
Характеристики транзистора КТ829А.Структура нпн; Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В; Максимально …
Транзисторы КТ837 (2Т837) и КТ829 – маркировка и …
elektrikaetoprosto.ru/trans13.html
Транзисторы КТ837 (2Т837) и КТ829. . Транзисторы КТ829 – кремниевые, мощные, низкочастотные … Зарубежные аналоги транзисторов КТ829.
Таблица зарубежных аналогов (ООО «Радиосеть»)
www.radio-komplekt.ru/analog.php?page=9
В базе данных 5637 позиций (таблица зарубежных аналогов). В базе (табл… БД263А, ТО-126, КТ829А, Транзисторы. BD265, TO-220, KT829B …
аналог КТ829А решен – Список форумов – ESpec – мир электроники …
monitor.espec.ws datashits
14 авг 2011 – Сообщений: 9 – Авторов: 4
попробуй не доволен . просто чтобы знать. там не понятно в чем именно косяк. Брал в магазине. Не раб. От 3уст поставил …
Помогите определить транзистор, по … Сообщений: 1216 декабрь 2013
Транзистор КТ829 ??? Сообщений: 429 Май 2012
Транзистор 2SC5707 аналог.Сообщений: 2026 дек 2011
Другие результаты с monitor.espec.ws
KT829A – параметры транзистора, его аналоги …
alltransistors.com/transistor.php?transistor=39378
KT829A – описание производителя. аналоги. Основные характеристики и параметры. Даташиты. Справочник транзисторов.
Каким транзистором можно заменить транзистор КТ829
otvet.mail.ru Наука, технологии, языки Технологии
Добрый вечер, мне очень нужен аналог транзистора КТ829, желательно советский аналог, у меня много разных советских транзисторов.. Транзистор …
аналоги транзистора КТ829А
tranzistor.kolossale.ru/TrOA.php?tr=48398
Аналоги транзистора КТ829А. Справочник основных характеристик транзисторов.
KT829A можно заменить на BDX53C. КТ829А можно найти в «потрохах» советского полупроводникового телевизора: там небольшая плата – модуль растровой коррекции – вот тут он 🙂
Это то, что вы выкидываете из головы? Транзистор подбирается под конкретное реле, это реле есть, что на схеме?

Схема Дарлингтона.Принцип работы. Составной транзистор. Транзисторная сборка Дарлингтона. Пара Шиклай и Каско Схема

Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них – самый простой – это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллектор-эмиттер напряжения. О высокой цене Такие «высоковольтные» транзисторы приводят к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. для всего спектра радиотехнических устройств.А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B – или использовать устройства KP501A … B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключается вместо базы VT1, а выход истока – вместо эмиттера VT2, выход потока – вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

После такой несложной доработки, т.е.е. Замена узлов Б. электрические схемы универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А … в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014ct1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению – до 200 В постоянного напряжения. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a … 1014K1V показано на рис. 1.25.

Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

Codolve полевые транзисторы в микросхеме 1014ct1a … в

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.

При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем те модели, которые предлагают фирмы-производители радиоэлектронных компонентов (или лучше, чем реализовать имеющуюся технологию изготовления транзисторов). Такая ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных микросхем. Обычно нам требуется большее усиление по току. ч. 21, большее значение входного сопротивления ч. 11 или менее выходная проводимость ч. 22.

Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшив при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности. Пример схемы Дарлингтона на транзисторах NPN показан на рисунке 1.

Рисунок 1 Диаграмма Дарлингтона на транзисторах NPN

Схема эквивалентна одиночному транзистору NPN.В этой схеме эмиттерным током транзистора VT1 является ток базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокий средний коэффициент усиления по току ч. 21, что приблизительно можно определить как произведение ч. 21 входящий транзистор:

(1)

Однако следует учитывать, что коэффициент ч. 21 сильно зависит от токоприемника.Поэтому при малых значениях токосъемника транзистора VT1 его величина может значительно уменьшиться. Пример наркомании ч. 21 от коллекторного тока для разных транзисторов показано на рисунке 2

Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора

Как видно из этих графиков, коэффициент ч. 21Е практически не меняется только на двух транзисторах: отечественном CT361B и зарубежном BC846A. В других транзисторах коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.

В случае, когда базовый ток транзистора VT2 достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого коэффициента усиления по току h. 21. В данном случае увеличиваем коэффициент ч. 21 и соответственно уменьшения тока составного транзистора можно добиться за счет увеличения тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как показано на рисунке 3.

Рисунок 3 составного транзистора Дарлингтона с дополнительным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора

Для примера определим элементы схемы Дарлингтона, собранные на транзисторах BC846A, пусть ток транзистора VT2 составляет 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:

(2)

При таком токе коэффициент усиления ч. 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличенный токоприемник VT1 на транзисторе с резистором позволяет существенно выиграть по величине общего коэффициента усиления. ч. 21. Поскольку напряжение на основе транзистора является постоянным (для кремниевого транзистора мк. ВЕ = 0,7 В), то рассчитываем по закону Ома:

(3)

В этом случае мы имеем право ожидать увеличения тока до 40000. Таким образом, это много отечественных и зарубежных транзисторов superbett, таких как KT972, CT973 или CT825, TIP41C, TIP42C. Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах НЧ (), операционных усилителях и даже цифровых, например,.

Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как высокое напряжение U. CE Если в обычных транзисторах U. Ke составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с на необходимость открытия транзистора VT1, а для этого на его базу необходимо подать напряжение 0,7 В (если рассматривать кремниевые транзисторы).

Для устранения указанного недостатка разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах.В русском Интернете Ее назвали схемой Шиклая. Это название произошло из книги Титца и Шанки, хотя ранее эта схема имела другое название. Например, в советской литературе это называлось парадоксальной парой. В книге В. Е. Хелина и В. Холмса составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором. Схема составного PNP транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 4.

Рис. 4 Составной транзистор PNP на дополнительных транзисторах

Таким же образом формируется транзистор NPN.Схема составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 5.

Рисунок 5 составного NPN-транзистора на комплементарных транзисторах

На первом месте в первую очередь стоит книга 1974 года издания, но есть книги и другие публикации. Есть основы, которые долго не шевелятся, и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Вы должны четко сказать! За все это время профессиональной деятельности я познакомился менее чем с десятью книгами.Я всегда рекомендую изучать разработку аналоговых схем из этой книги.

дата последнего обновления Файл 18.06.2018

Литература:

Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» читать:

http: // Сайт / SXEMOTEH / Shvkltrz / Kaskod /

http: // Сайт / SXEMOTEH / SHVKLTRZ / OE /

Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, в них стремительно стали появляться электрические накопительные устройства и, в частности, триоды.В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.

Бегинная, а иногда и опытный радиолюбитель-конструктор, не сразу может найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме. Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, намного проще построить «постройку» того или иного устройства.

Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в), рассмотрим только отдельные свойства и способы их улучшения.

Одна из первых проблем, встающих перед разработчиком – это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить путем параллельного включения транзисторов (). Изогнутые резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.

Оказывается, параллельное включение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при наборе больших сигналов, но и для уменьшения шума при увеличении слабых. Уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельных транзисторов.

Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант улучшения показан на. Благодаря введению герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.

Для защиты от обратного напряжения параллельно выходам эмиттерного коллектора обычно включают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.

При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется переключить его из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда используют принудительную RC-цепочку (). В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе данных, сокращая время простоя.

Повышение крутизны транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения его изменения на базе (затворе) при постоянном УЗИ UK)) можно использовать по схеме Дарлингтона (). Резистор в базе базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для указания текущего тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (благодаря использованию полевого транзистора) присутствует. Составные транзисторы, представленные на рис.Причем, собранный на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.

Введение дополнительных транзисторов в схему Дарлингтона и шиклаи, как показано на рис. А, увеличивает входное сопротивление второго каскада переменного тока и, соответственно, коэффициент передачи. Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает соответственно схему и, линеаризуя крутизну транзистора.

Представлен широкополосный транзистор с высоким быстродействием.Увеличение скорости достигается за счет уменьшения эффекта Миллера аналогичным образом.

«Алмазный» транзистор по Патенту ФРГ представлен на. Возможные варианты На ней изображены включения. Характерная особенность этого транзистора – отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда и увеличение грузоподъемности схемы вдвое.

Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В изображен на рисунке 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 на составной транзистор ().

Аналогичные аргументы можно привести для транзистора типа p-N-P, а также для полевого транзистора с каналом P-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: в коллекторную цепь () или в эмиттерную цепь ().

Как видно из полученных формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальное рассеивание мощности – на простом транзисторе с нагрузкой в коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в коллекторной цепи равнозначно.Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При включении нагрузки в цепи Эмиттера преимущество транзистора Шиклая очевидно.

Литература:

1. Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М .: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Puber. 20-133-83.
3. A.S. 810093.
4. Патент США 4730124: Puber.22-133-88. – 47 с.

1. Увеличьте мощность транзистора.

резисторов в цепях эмиттера необходимы для равномерного распределения нагрузки; Уровень шума снижается пропорционально квадратному корню из числа параллельно включенных транзисторов.

2. Защита от токовой перегрузки.

Недостаток – снижение КПД из-за наличия датчика тока Р.

Другой вариант – за счет введения герониевого диода или диода Шоттки можно уменьшить номинал резистора R в несколько раз, и на нем будет рассеиваться меньшая мощность.

3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.

За счет каскадирования транзисторов эффект Миллера значительно снижен.

Другая схема – за счет полного перехода второго транзистора от входа и питания первого транзистора с напряжением, пропорциональным входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие – второй транзистор должен иметь больше отключение высокого напряжения).Входной транзистор можно заменить на биполярный.

4. Защита транзистора от глубокого насыщения.

Предотвращение прямого смещения переходного коллектора с помощью диода Шоттки.

Более сложный вариант – Схема Бейкера. Когда напряжение достигает коллектора транзистора базы данных, ток базы сбрасывается через переход коллектора, предотвращая насыщение.

5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.

С датчиком тока базы данных.

С датчиком тока коллектора.

6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора путем принудительного включения RC-цепочки.

7. Транзистор композитный.

Схема Дарлингтона.

Схема Шиклая.

Если подключить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов транзисторов.Такой прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных ступеней усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.

В транзистоне Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером вдвое больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (поскольку потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал транзисторный эмиттер по падению напряжения на диоде).Кроме того, транзисторы соединены между собой как один транзистор с достаточно низкой скоростью, так как транзистор не может быстро выключить транзистор. Учитывая это свойство, обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора в зону проводимости за счет токов утечки транзисторов и. Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в нанопарфюмерах для небольших транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и при этом Время, чтобы ток протек, мало по сравнению с ним Базовый ток транзистора.Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч Ом в небольшом транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный П-П-П-транзистор типа Дарлингтона, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) для тока коллектора, равного 10 А.

Рис. 2.62. Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).

Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai).

Подключение транзисторов по схеме Шиклая представляет собой схему, аналогичную той, что мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор P-P-типа с большим коэффициентом. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде.Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Дарлингтона, образованный транзисторами, ведет себя как одиночный транзистор транзистора P-P-типа с большим коэффициентом усиления по току.Транзисторы, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор P-P-R-TIAI с большим коэффициентом усиления.

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы.

Как и раньше, резисторы и имеют малое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В нынешнем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы будут подключены по схеме Дарлингтона.

Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока.

Компонентные транзисторы – транзистор Дарлингтона и не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых этот коэффициент очень велик в ходе технологического процесса изготовления изделия. Примером такого элемента является тип транзистора, для которого гарантирован минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от до этого транзистора, принадлежит к серии элементов, которая характеризуется диапазоном Максимальные напряжения От 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то значение следует уменьшить).Промышленность производит согласованные пары транзисторов со значением коэффициента супергравия. Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются типовые схемы, это пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано с делением Милвольта (в наиболее хороших схемах согласование обеспечивается, а коэффициент типовой схемы является когерентным пара.

Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента можно комбинировать по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным только (примерами таких схем являются операционные усилители типа

Транзисторный регулятор. Схема регулятора напряжения

Регулятор напряжения используется для автоматического поддержания напряжения, установленного автомобильным генератором, работающим в широком диапазоне скоростей ротора и тока нагрузки.Основное техническое требование к регулирующему устройству – поддержание в очень узком диапазоне выходного напряжения генератора, что, в свою очередь, продиктовано надежностью работы и долговечностью различных потребителей.

До недавнего времени регулирование напряжения осуществлялось с помощью регуляторов вибрации. В последнее время на автомобили устанавливаются контактно-транзисторные и бесконтактные регуляторы, выполненные как на дискетных элементах, так и по интегрированной технологии.

В контактно-транзисторных регуляторах напряжения функцию регулирующего элемента, входящего в цепь обмотки возбуждения генератора, выполняет транзистор, а контрольно-измерительный элемент – вибрационное реле.В бесконтактных и интегральных бесконтактных контроллерах используются транзисторы и тиристор в качестве элементов управления и контроля, а в измерительных элементах используются стабилизаторы. Замена вибрационных регуляторов напряжения на транзисторные позволила удовлетворить требования к электрооборудованию.

Стало возможным увеличить возбуждение генераторов до 3 А и более; добиться высокой точности и стабильности регулируемого напряжения; увеличить срок службы регулятора напряжения; упростить обслуживание систем электропитания автомобиля.В настоящее время в схемах с генераторами Г 250 используются транзисторные реле – регуляторы напряжения РР-362 и РР-350. Транзисторный стабилизатор напряжения РР-356 предназначен для работы с генератором Г272. Интегральные стабилизаторы напряжения I 112A предназначены для работы с генератором на 14 вольт.

Интегральный стабилизатор напряжения I 120 предназначен для автомобильного генератора большой мощности G272. На рис. На фиг.1 изображена схема контактно-транзисторного регулятора. Регулятор состоит из транзистора Т (регулирующий элемент), виброрелейного регулятора напряжения РН (управляющего элемента) и реле защиты РЗ.Реле-регулятор имеет одну шунтирующую обмотку РНо, подключенную к генератору выпрямленного напряжения через запорный диод D2, ускоряющий резистор Rу и резистор термокомпенсации RT. Реле имеет нормально разомкнутые контакты, включенные в цепь управления транзистора. Когда скорость вращения ротора генератора невысока и напряжение генератора еще не достигло заданного значения, контакты PH разомкнуты, транзистор T разблокирован. База транзистора подключается к полюсу источника питания, и транзистор запирается.В этом случае ток возбуждения проходит через дополнительные ускоряющие резисторы RD и R, шунтирующие транзистор, что вызывает уменьшение тока возбуждения и, следовательно, напряжения генератора.

Рис.1.

Контакты реле-регулятора снова размыкаются и транзистор разблокируется. Затем процесс повторяется с определенной периодичностью. Ru – позволяет увеличить частоту срабатывания и отпускания реле регулятора напряжения PH за счет изменения падения напряжения на резисторе при разблокировке и блокировке транзистора, что приводит к более резкому изменению напряжения на обмотке PHO.Включенный в эмиттерную цепь транзистора Т диод D2 служит для активной блокировки выходного транзистора, что необходимо для обеспечения надежной работы транзистора при повышенных температурах.

Запирание происходит из-за того, что падение напряжения на D2 от тока, протекающего через Rу и Rd, при блокировке транзистора прикладывается к переходному эмиттеру – базе транзистора в направлении блокировки. Термокомпенсационный резистор RT необходим для поддержания напряжения на заданном уровне при широком изменении температуры.Диод Dg служит для гашения ЭДС самоиндукции обмотки возбуждения и защиты транзистора от перенапряжения в момент его запирания. Реле релейной защиты предназначено для защиты транзистора от больших токов, возникающих при коротком замыкании зажима W на корпусе генератора или регулятора. Реле имеет главную обмотку RZO, соединенную последовательно с AVH, вспомогательное реле подключено параллельно AVG и удерживает реле, реле и реле соединены в противоположных направлениях.

При токе короткого замыкания ток через RZO увеличивается, реле при этом шунтируется, контакты реле замыкаются, транзистор запирается и обмотка реле включается. Резисторы Rу и Rd ограничивают ток короткого замыкания до 0,3 А. Только после устранения короткого замыкания и отключения АБ от РЗ отключится РЗ. Диод D1 используется для исключения срабатывания реле при замкнутых контактах регулятора напряжения PH, так как при отсутствии этого диода реле будет включаться на напряжение генератора.Надежность регулятора обусловлена снижением отключающей способности контактов. Однако износ и эрозия контактов, наличие пружинной и колебательной систем часто становятся причиной их выхода из строя. На рис. 2 показан бесконтактный регулятор напряжения типа ПП-350, который используется в автомобилях ГАЗ Волга.

Фиг.2

Бесконтактный стабилизатор напряжения состоит из транзисторов Т2 и Т3 – германий; Т1 – кремниевые резисторы R6 – R9 и диоды D2 и D3, стабилитрон D1, делитель входного напряжения R1, R2, R3, RT и дроссель dr.Если выпрямленное напряжение генератора, подаваемое на входной делитель, меньше значения, на которое настроен регулятор, стабилитрон D1 блокируется, а транзисторы T2 и T3 разблокируются по (+) схеме выпрямителя – диод D3 – эмиттерный переход – коллектор транзистора ТЗ – обмотка возбуждения ОВГ – (-) Протекает максимальный ток возбуждения. Как только выпрямленное напряжение достигает заданного уровня, стабилитрон «пробивается» и транзистор Т1 разблокируется.Сопротивление этого транзистора становится минимальным и шунтирует переходы эмиттер-база транзисторов Т2 и Т3, что приводит к их блокировке. Текущий HBV начинает спадать. Схема переключения выполнена с определенной частотой и создает такую величину тока возбуждения, при которой среднее значение регулируемого напряжения поддерживается на заданном уровне.

Для повышения четкости переключения транзисторов и уменьшения времени перехода схемы из одного состояния в другое в ней предусмотрена цепная обратная связь с включением резистора R4.При повышении входного напряжения (+) выпрямитель – диод D3 – переходный эмиттер – база транзистора T3 – диод D2 – переходный эмиттер – коллектор транзистора T2 – резистор R4 – обмотка дросселя DR – (-) уменьшается, что приводит к уменьшение падения напряжения на др. В этом случае падение напряжения на стабилитроне D1 увеличивается, вызывая увеличение тока базы T1 и более быстрое переключение этого транзистора. Когда входное напряжение понижается, цепь обратной связи способствует быстрой блокировке транзистора T1.

Для активной блокировки выходного транзистора Т3 и надежной работы при повышенных температурах окружающей среды в эмиттерную цепь транзистора Т3 включен диод D3. Падение напряжения на диоде выбирается резистором R9. Диод D2 используется для улучшения блокировки транзистора T2, когда транзистор T1 разблокирован из-за дополнительного падения напряжения на этом диоде. Для фильтрации входного напряжения применяется дроссель др. Термистор РТ компенсирует изменение падения напряжения на переходе эмиттер – база транзистора Т1 и стабилизатор D1 от температуры окружающей среды.Стабилизатор напряжения для большегрузных автомобилей МАЗ, КАМАЗ, КрАЗ выполнен на кремниевых транзисторах (рис. 3).

Фиг.3

Схема регулятора упрощена по сравнению с ПП-350, количество транзисторов уменьшено. Диоды D2 и D3, входящие в базовую схему транзистора Т2, позволяют использовать транзисторы с более широкими допусками по параметрам, в частности по величине напряжения насыщения Т1. При питании 24 В в делителе напряжения должна использоваться дополнительная цепь, включающая термистор RT и резистор R7.На рис. 4 представлена схема используемого в УАЗе стабилизатора напряжения ПП132А.

Рис. Четыре. Схема регулятора напряжения РР 132А:

1 – дроссельная заслонка; 2, 3, 4, 5, 6, 13, 14, 15, 16, 18, 20, 22, 23, 24 – резисторы; 7 – диод; 8, 9, 17 – транзисторы; 10, 11, 12, 19 – стабилитроны. Эта схема представляет собой бесконтактный транзисторный стабилизатор напряжения, имеющий три регулируемых диапазона настройки напряжения. Изменение диапазонов регулируемого напряжения осуществляется переключателем 25, расположенным в верхней части корпуса регулятора.Регулируемое напряжение при частоте вращения ротора генератора – 35 мин-1, нагрузка 14 А, температура 20 o

Регулятор работает следующим образом. После включения силового выключателя Q1 сетевое напряжение одновременно поступает на диоды VD1, VD2 и первичную обмотку трансформатора Т1. В этом случае выпрямитель, состоящий из диодного блока VD6-VD9, конденсатора С1 и переменного резистора R1, формирует управляющее напряжение, которое поступает на базу транзистора и открывает его. Если в момент включения регулятора сеть имеет отрицательную полярность, ток нагрузки протекает по цепи VD2 – эмиттер-коллектор VT1-VD3.При положительной полярности сетевого напряжения ток протекает по цепи VD1 – коллектор-эмиттер VT1-VD4. Величина тока нагрузки зависит от величины управляющего напряжения на базе VT1. Вращая ползунок R1 и изменяя значение управляющего напряжения, регулируйте величину тока коллектора VT1. Этот ток, а следовательно, и ток, протекающий в нагрузке, будет тем больше, чем выше уровень управляющего напряжения, и наоборот. В крайнем правом углу схемы положения двигателя переменного резистора транзистор будет полностью открыт и «доза» электроэнергии, потребляемая нагрузкой, будет соответствовать номиналу.Если двигатель R1 переместить в крайнее левое положение, VT1 будет заблокирован, и ток не будет проходить через нагрузку.
Управляя транзистором, мы фактически регулируем амплитуду переменного напряжения и тока, действующих в нагрузке. При этом транзистор работает в непрерывном режиме, благодаря чему такой регулятор лишен недостатков, присущих тиристорным устройствам.
Теперь перейдем к дизайну устройства. Диодные блоки, конденсатор, резистор R2 и диод VD6 смонтированы на печатной плате размером 55х35 мм, изготовленной из фольгированного гетинакса или текстолита толщиной 1-2 мм (рисунок 2).
Устройство может использовать следующие детали. Транзистор – КТ812А (В), КТ824А (В), КТ828А (В), КТ834А (В, С), КТ840А (В), КТ847А или КТ856А. Диодные блоки: VD1-VD4-KTS410B или KTS412V. VD6- VD9 – КЦ405 или КЦ407 с любым буквенным индексом; Диод VD5 – серии D7, D226 или D237. Переменный резистор типа СП, СПО, ППБ мощностью не менее 2 Вт, постоянный резистор – ВС, МЛТ, АМЛТ, С2-23. Конденсатор оксидный – К50-6, К50-16. Сетевой трансформатор – ТВ3-1-6 от ламповых радиоприемников и усилителей, ТС-25, ТС-27 – от ТВ «Юность» или любой другой маломощный с напряжением вторичной обмотки 5-8 В.Предохранитель рассчитан на максимальный ток 1 А. Тумблер – Т3-С или любой другой сетевой. XP1 – вилка стандартная, XS1 – розетка.
Все элементы регулятора помещены в пластиковый корпус размером 150x100x80 мм. На верхней панели корпуса установлены тумблер и переменный резистор с декоративной ручкой. Гнездо для подключения нагрузки и гнездо предохранителя смонтированы на одной из боковых стенок корпуса. На этой же стороне есть отверстие для шнура питания.Внизу корпуса установлены транзистор, трансформатор и печатная плата. Транзистор должен быть оборудован радиатором с площадью рассеяния не менее 200 см 2 и толщиной 3-5 мм.
Регулятор не требует регулировки. При правильной установке и исправности запчастей он начинает работать сразу после включения в сеть.
А теперь несколько рекомендаций для желающих улучшить устройство. Изменения в основном касаются увеличения выходной мощности регулятора.Так, например, при использовании транзистора КТ856 мощность, потребляемая нагрузкой от сети, может составить 150 Вт, для КТ834 – 200 Вт, а для КТ847-250 Вт. При необходимости дополнительно увеличить выходную мощность транзистора. В устройстве несколько параллельно соединенных транзисторов можно использовать в качестве регулирующего элемента, подключив их соответствующие выходы. Вероятно, в этом случае регулятор придется снабдить небольшим вентилятором для более интенсивного воздушного охлаждения полупроводниковых приборов. Кроме того, диодный блок VD1-VD4 потребуется заменить на четыре более мощных диода, рассчитанных на рабочее напряжение не менее 250 В и значение тока в соответствии с потребляемой нагрузкой.Для этого подойдут аппараты серий D231-D234, D242, D243, D245-D248. Также необходимо будет заменить VD5 на более мощный диод, рассчитанный на ток до 1 А. Также больший ток должен выдерживать предохранитель.

Транзисторный регулятор напряжения

В нескольких выпусках журнала «РадиоАматор» были напечатаны схемы тиристорных регуляторов напряжения сети, но такие устройства имеют ряд существенных недостатков, ограничивающих их возможности. Во-первых, они вносят довольно заметные помехи в электрическую сеть, что часто отрицательно сказывается на работе телевизоров, радиоприемников, магнитофонов.Во-вторых, они могут использоваться только для управления нагрузкой с сопротивлением (электрическая лампа, нагревательный элемент) и не могут использоваться одновременно с индуктивной нагрузкой (электродвигатель, трансформатор).

Между тем все эти проблемы легко решаются сборкой электронного устройства, в котором роль регулирующего элемента выполнял бы не тиристор, а мощный транзистор. Я предлагаю такую конструкцию, и повторить ее сможет любой, даже неопытный радиолюбитель, затратив минимум времени и денег.Транзисторный стабилизатор напряжения содержит мало радиоэлементов, не вносит помех в электрическую сеть и работает с нагрузкой как с активным, так и с индуктивным сопротивлением. С его помощью можно регулировать яркость люстры или настольной лампы, температуру нагрева паяльника или электроплиты, электрокамина, скорость вращения электродвигателя, вентилятора, электродрели или напряжение на обмотке трансформатора.

Устройство имеет следующие параметры: диапазон регулировки напряжения от 0 до 218 В; Максимальная мощность нагрузки зависит от используемого транзистора и может составлять 500 Вт и более.Регулирующим элементом устройства является транзистор VT1 (см. Рисунок).

Диодный блок VD1-VD4 в зависимости от фазы сетевого напряжения подает это напряжение на коллектор или эмиттер VT1. Трансформатор Т1 понижает напряжение 220 В до 5-8 В., которое выпрямляется диодным блоком VD6-VD9 и сглаживается конденсатором С1. Переменный резистор R1 используется для регулировки величины управляющего напряжения, а резистор R2 ограничивает базовый ток транзистора.

Диод VD5 защищает VT1 от падения на его базу напряжения отрицательной полярности.Устройство подключается к сети с помощью вилки XP1. Гнездо XS1 используется для подключения нагрузки. Регулятор работает следующим образом. После включения тумблером S1 сетевое напряжение подается одновременно на диоды VD1, VD2 и первичную обмотку трансформатора Т1. В этом случае выпрямитель, состоящий из диодного блока VD6-VD9, конденсатора С1 и переменного резистора R1, генерирует управляющее напряжение, которое поступает на базу транзистора и открывает его.

Если в момент включения регулятора в сети присутствует напряжение отрицательной полярности, ток нагрузки протекает по цепи VD1-коллектор-эмиттер VT1-VD4.Вращая ползунок R1 и изменяя управляющее напряжение, вы можете контролировать величину тока коллектора VT1. Этот ток и, следовательно, ток, протекающий в нагрузке, будет тем больше, чем выше уровень контроллера, и наоборот. В крайнем правом положении на схеме положения ползунка R1 транзистор будет полностью открыт, а «доза» потребляемой нагрузкой электроэнергии будет соответствовать номинальной. Если двигатель R1 переместить в крайнее левое положение, VT1 будет заблокирован, и ток не будет проходить через нагрузку.Управляя транзистором, мы фактически контролируем амплитуду переменного напряжения и тока, действующих в нагрузке. При этом транзистор работает в непрерывном режиме, поэтому такой регулятор лишен недостатков, присущих тиристорным устройствам.

Дизайн . Диодный блок, диоды, конденсатор и резистор R2 смонтированы на печатной плате размером 55×35 мм, изготовленной из текстолита, покрытого фольгой, толщиной 1-2 мм.

В устройстве могут использоваться следующие детали: транзисторы КТ840А, Б (П = 100 Вт), КТ856А (П = 150 Вт), КТ834А, Б, Б (П = 200 Вт), КТ847А (П = 250 Вт).

Если необходимо еще больше увеличить мощность регулятора, необходимо использовать несколько транзисторов, подключив их соответствующие выводы. Вероятно, в этом случае регулятор придется снабдить небольшим вентилятором для более интенсивного воздушного охлаждения полупроводниковых приборов.

Диоды ВД1-ВД4 типа КД202Р, КД206Б или любые другие компактные на напряжение свыше 250 В и ток в соответствии с потребляемым нагрузкой током.

Блок диодный ВД6-ВД9 типа КЦ405, КЦ407 с любым буквенным индексом.Диод VD5 – D229B, K, L или любой другой на ток до 1 А. Переменный резистор R1 типа СП, СПО, ППБ мощностью не менее 2 Вт. Постоянный резистор R2 типа ВС, МЛТ, ОМПТ, С2-23 мощностью не менее 2 Вт. Конденсатор оксидный типа К50-6, К50-16. Сетевой трансформатор типа ТВЗ-1-6 – от ламповых радиоприемников и усилителей, ТС-25, ТС-27 – от ТВ Юность, но может успешно применяться любой другой маломощный вторичный предохранитель 5-8 В. напряжение 250 В и ток в соответствии с максимально допустимой мощностью транзистора.Транзистор должен быть оборудован радиатором с площадью рассеяния не менее 200 см2 и толщиной 3-5 мм.

Регулятор не требует регулировки. При правильной установке и обслуживаемых деталях он начинает работать сразу после подключения к сети.

После сборки простейший стабилизатор напряжения на одном транзисторе был разработан для конкретного блока питания и конкретного потребителя, конечно, больше не было необходимости его подключать, но как всегда наступает момент, когда мы перестаем поступать правильно.Следствием этого являются усилия и размышления о том, как жить, быть дальше и принять решение восстановить то, что было создано ранее, или продолжать творить.

Схема № 1

Был стабилизированный импульсный блок питания, дававший выходное напряжение 17 вольт и ток 500 миллиампер. Требовалось периодическое изменение напряжения в диапазоне 11–13 вольт. И знаменитый на одном транзисторе с этим отлично справился. От себя добавил к нему только светодиодную индикацию и ограничивающий резистор.Кстати, светодиод здесь не только «светлячок», сигнализирующий о наличии выходного напряжения. При правильно подобранном ограничивающем резисторе даже небольшое изменение выходного напряжения влияет на яркость светодиода, что дает дополнительную информацию о ее повышении или понижении. Выходное напряжение можно было изменять от 1,3 до 16 вольт.

КТ829 – мощный низкочастотный кремниевый композитный транзистор, устанавливался на мощный металлический радиатор и казалось, что при необходимости он вполне выдерживает большую нагрузку, но в цепи потребителя произошло короткое замыкание и он сгорел.Транзистор отличается высоким коэффициентом усиления и используется в усилителях низкой частоты – действительно видно его место там, а не в регуляторах напряжения.

Слева снятые электронные компоненты, справа подготовленные ими к замене. Разница в количестве двух наименований и качестве схем, бывшей и той, которую решено было собрать, несопоставима. Напрашивается вопрос: «Стоит ли собирать схему с ограниченными возможностями, когда есть более продвинутая версия« за те же деньги »в прямом и переносном смысле этого высказывания?»

Схема № 2

В новой схеме также есть электронная почта с тремя выходами.Компонент (но это уже не транзистор) представляет собой постоянный и переменный резистор, светодиод со своим ограничителем. Добавлены всего два электролитических конденсатора. Обычно на типовых схемах указываются минимальные значения C1 и C2 (C1 = 0,1 мкФ и C2 = 1 мкФ), которые необходимы для стабильной работы стабилизатора. На практике значения емкости колеблются от десятков до сотен микрофарад. Емкости следует располагать как можно ближе к микросхеме. Для больших мощностей условие C1 → C2.Если емкость конденсатора на выходе превышает емкость конденсатора на входе, то возникает ситуация, при которой выходное напряжение превышает входное, что приводит к выходу из строя микросхемы стабилизатора. Для его устранения устанавливают защитный диод VD1.

Эта схема имеет совершенно другие возможности. Входное напряжение от 5 до 40 вольт, выходное 1,2 – 37 вольт. Да, есть падение напряжения на входе – на выходе около 3,5 вольт, но роз без шипов не бывает.А вот микросхема КР142ЕН12А под названием линейный регулируемый стабилизатор напряжения имеет хорошую защиту от перегрузки по току нагрузки и кратковременную защиту от короткого замыкания на выходе. Его рабочая температура до + 70 градусов по Цельсию, работает с внешним делителем напряжения. Выходной ток нагрузки до 1 А для длительной работы и 1,5 А для кратковременной. Максимально допустимая мощность при работе без радиатора – 1 Вт, при установке микросхемы на радиатор достаточного размера (100 см²) P max.= 10 Вт.

Что случилось

Сам процесс установки обновленной версии занял не больше времени, чем предыдущий. В этом случае получается не простой регулятор напряжения, который подключается к блоку питания стабилизированного напряжения; Собранная схема при подключении даже к сетевому понижающему преобразователю с выпрямителем на выходе сама дает необходимое стабилизированное напряжение. Естественно, что выходное напряжение трансформатора должно соответствовать допустимым параметрам входного напряжения микросхемы КР142ЕН12А.Вместо этого вы можете использовать и импортировать аналоговый интегральный стабилизатор. Автор Бабай из Барнаула .

Обсудить статью ДВА ПРОСТЫХ РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ

Компонентные транзисторы пары Дарлингтона. Составной транзистор (схема Дарлингтона и Шиклая). Транзисторная защита глубокого насыщения

Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз.Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя под воздействием импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочнике.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них – самый простой – это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллектор-эмиттер напряжения.Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. для всего спектра радиотехнических устройств. А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B – или использовать устройства KP501A… Б, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключается вместо базы VT1, а выход истока – вместо эмиттера VT2, выход потока – вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах универсального использования, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению.Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А … в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B.В отличие, например, от 1014T1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению – до 200 при постоянном напряжении. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a … 1014K1V показано на рис. 1.25.

Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

Codolve полевые транзисторы в микросхеме 1014ct1a … в

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов.К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.

Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент β будет равен произведению коэффициентов компонентов транзисторов.Этот прием полезен для схем с защелкой (например, для стабилизаторов напряжения или выходных конденсаторов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно как минимум падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора T 1 должен превышать потенциал транзистора. эмиттер транзистора Т 2, по падению напряжения на диоде).Кроме того, транзисторы соединены как один транзистор с достаточно малой скоростью, так как транзистор Т 1 не может быстро выключить транзистор Т 2. С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора Т 2 резистор включает (Рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора Т 2 в зону проводимости из-за токов утечки Т 1 и Т 2. Сопротивление резистора выбирается таким образом, чтобы токи утечки (измеренные в наноперфюмерах для несигнальных транзисторов и в сотнях микроамперов для мощных транзисторов) создали на нем падение напряжения, не превышающее падение напряжения на диоде, и при этом так, чтобы по нему протекал ток.Маленький по сравнению с основным током транзистора Т 2. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом у мощного транзистора Дарлингтона и несколько тысяч Ом у небольшого транзистора Дарлингтона.

Рис. 2.61. Увеличьте скорость отключения в составном транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде готовых модулей, включая, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный транзистор Н-П-Н-Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току составляет 4000 (типовое значение) при токе коллектора, равном 10 А.

Подключение транзисторов по схеме Шиклай (Sziklai). Подключение транзисторов по схеме ЧИКЛАЯ – схема, аналогичная этой. который мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента β. Иногда такое соединение называют дополнительным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор N-P-N, который имеет большой коэффициент β. В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, составляет как минимум падение на диоде.Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Т 1. Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т 2 и Т 3, ведет себя как один транзистор N-P-N – типа. С большим усилением тока.Транзисторы Т 4 и Т 5, подключенные по схеме Шиклая, ведут себя как мощный транзистор П-Н-П – типа. с большим выигрышем. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазифармацевтической симметрией. В представленном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарными) транзисторы Т 4 и Т 5 будут подключены по схеме Дарлингтона.

Рис. 2.62. Подключение транзисторов по схеме Шиклая («Дополнительный транзистор Дарлингтона»).

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются выходные транзисторы только N-P-N – типа.

Транзистор со сверхвысоким значением коэффициента усиления тока. Составные транзисторы – транзистор Дарлингтона и им подобные – не следует путать с транзисторами со сверхвысоким значением коэффициента усиления по току, у которых очень большое значение коэффициента H 21E получается в процессе технологического процесса изготовления. элемент.Примером такого элемента служит транзистор типа 2Н5962. При этом гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; Этот транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений U Ke от 30 до 60 В (если напряжение на коллекторе должно быть больше, то следует уменьшать значение C). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхвысокими значениями коэффициента β.Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; Этому выпуску посвящен раздел. 2.18. Примерами таких типовых схем являются схемы типа LM394 и MAT-01; они представляют собой пары транзисторов с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение U BE согласовано с долей Milcivolt (в наиболее хороших схемах предоставляется Допуск до 50 мкВ), а коэффициент H 21E – до 1%. Схема MAT-03 представляет собой согласованную пару p-N-P – транзисторы.

Транзисторы со сверхвысоким значением коэффициента β можно комбинировать по схеме Дарлингтона.В этом случае базовый ток смещения можно сделать равным всего 50 ПКА (примерами таких схем являются операционные усилители типа LM111 и LM316.

Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем транзисторов, они стали стремительно вытеснять электровакуумные приборы и, в частности, триоды. В настоящее время транзисторы занимают лидирующие позиции в схемотехнике.

Бегинная, а иногда и опытный радиолюбитель-конструктор, не сразу может найти нужное схемотехническое решение или разобраться в назначении тех или иных элементов в схеме.Имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, намного проще построить «постройку» того или иного устройства.

Одна из первых проблем, встающих перед разработчиком – это увеличение мощности транзистора. Ее можно решить путем параллельного включения транзисторов ().Изогнутые резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.

Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащищающегося транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R.Возможный вариант улучшения показан на. Благодаря введению герониевого диода или диода Шоттки можно в несколько раз уменьшить номинал резистора R и, следовательно, рассеиваемую на нем мощность.

При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется переключить его из открытого состояния в закрытое и обратно, иногда используют принудительную RC-цепочку ().В момент открытия транзистора заряд конденсатора увеличивает его базовый ток, что помогает сократить время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на резисторе базы, вызванного током базы. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе данных, сокращая время простоя.

Повышение крутизны транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения его изменения на базе (затворе) при постоянном УЗИ UK)) можно использовать по схеме Дарлингтона ().Резистор в базе базы второго транзистора (может отсутствовать) используется для указания текущего тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с высоким входным сопротивлением (благодаря использованию полевого транзистора) присутствует. Составные транзисторы, представленные на рис. А, собраны на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклая.

Введение дополнительных транзисторов в схему Дарлингтона и шиклай, как показано на рис. А, увеличивает входное сопротивление второго каскада переменного тока и, соответственно, коэффициент передачи.Применение аналогичного решения в транзисторах Рис. И дает соответственно схему и, линеаризуя крутизну транзистора.

Представлен широкополосный транзистор с высоким быстродействием. Увеличение скорости достигается за счет уменьшения эффекта Миллера аналогичным образом.

«Алмазный» транзистор по Патенту ФРГ представлен на. Возможные варианты На ней изображены включения. Характерная особенность этого транзистора – отсутствие инверсии на коллекторе.Отсюда и увеличение грузоподъемности схемы вдвое.

Как видно из полученных формул, наименьшее падение напряжения и, соответственно, минимальная рассеиваемая мощность приходится на простой транзистор с нагрузкой в коллекторной цепи. Использование составного транзистора Дарлингтона и Шиклая с нагрузкой в коллекторной цепи равнозначно. Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При включении нагрузки в цепи Эмиттера преимущество транзистора Шиклая очевидно.

Литература:

1. Увеличьте мощность транзистора.

2. Защита от токовой перегрузки.

Недостаток – снижение КПД из-за наличия датчика тока Р.

3. Транзистор композитный с высоким выходным сопротивлением.

За счет каскадирования транзисторов эффект Миллера значительно снижен.

Другая схема – за счет полного перехода второго транзистора от входа и питания первого транзистора с напряжением, пропорциональным входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие – второй транзистор должен иметь больше отключение высокого напряжения). Входной транзистор можно заменить на биполярный.

4. Защита транзистора от глубокого насыщения.

Предотвращение прямого смещения переходного коллектора с помощью диода Шоттки.

5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных ключей.

С датчиком тока базы данных.

С датчиком тока коллектора.

6. Уменьшение времени включения / выключения транзистора путем принудительного включения RC-цепочки.

7.Композитный транзистор.

Схема Дарлингтона.

Схема Шиклая.

Интегральные схемы

IN И два типа составных транзисторов получили широкий спектр дискретной электроники: по схеме Дарлингтона и Шиклая. Например, в микромогенных схемах входных каскадов операционных усилителей составные транзисторы обеспечивают большое входное сопротивление и малые входные токи. В устройствах, работающих с большими токами (например, в стабилизаторах мощности или выходных накопителях), для повышения КПД необходимо обеспечить высокий коэффициент усиления мощных транзисторов.

Схема Шиклая

реализует мощный транзистор p-N-P с большим коэффициентом усиления с маломощным транзистором p-N-P с малым IN IN и мощный транзистор n-P-N ( рисунок 7.51 ). В интегральных схемах это включение реализует высокий транзистор p-N-P, горизонтальный, p-N-P и вертикальный транзистор n-P-N . Также эта схема используется в мощных двухтактных выходных каскадах, когда используются выходные транзисторы одинаковой полярности ( n-P-N ).

Рисунок 7.51 – Составной транзистор p-N-P Рисунок 7.52 – Составной n-P-N По схеме транзистора Шиклая по схеме Дарлингтона

транзистор Шиклая или комплементарный транзистор Дарлингтона ведет себя как транзистор p-N-P типа ( рисунок 7.51 ) с большим коэффициентом усиления по току

Входное напряжение идентично одиночному транзистору. Напряжение насыщения выше, чем у одиночного транзистора, до падения напряжения на эмиттерном переходе n-P-N транзистора. Для кремниевых транзисторов это напряжение составляет порядка одного вольта, в отличие от доли Вольта на один транзистор. Между базой и эмиттером n-P-N В транзистор (VT2) рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением для подавления неуправляемого тока и улучшения теплового сопротивления.

Транзистор Дарлингтона реализован на униполярных транзисторах ( рисунок 7.52. ). Коэффициент усиления по току определяется произведением коэффициентов компонентов транзисторов.

Входное напряжение транзистора по схеме Дарлингтона вдвое больше, чем у одиночного транзистора. Напряжение насыщения превышает выходной транзистор. Операционный усилитель входного сопротивления для

Схема

Дарлингтона используется в дискретных монолитных импульсных транзисторах.На одном кристалле сформированы два транзистора, два шунтирующих резистора и защитный диод ( рисунок 7.53. ). Резисторы R. 1 I. R. 2 подавляют коэффициент усиления в слаботочном режиме, ( рисунок 7.38 ), что обеспечивает малое значение неуправляемого тока и увеличивает рабочее напряжение закрытого транзистора,

Рисунок 7.53 – Электрическая схема монолитного импульсного транзистора Дарлингтона

Резистор R2 (около 100 Ом) выполнен в виде технологического шунта, наподобие шунтов катодного перехода тиристоров. Для этого при формировании излучателя с помощью фотолитографии на определенных локальных участках оставляют оксидную маску в виде круга. Эти локальные маски не позволяют диффундировать донорной примеси, и под ними остаются р- столбцов ( рисунок 7.54. ). После металлизации по всей площади Эмиттера в этих столбцах распределены сопротивление R2 и защитный диод D ( рисунок 7.53. ). Защитный диод защищает эмиттерные переходы от пробоя при преобразовании коллекторного напряжения. Входная мощность потребляемого транзистора по схеме Дарлингтона на полтора-два порядка ниже, чем у одиночного транзистора. Максимальная частота переключения зависит от предельного напряжения и тока коллектора. Токные транзисторы успешно работают в импульсных преобразователях до частот около 100 кГц. Отличительная особенность Монолитный транзистор Дарлингтона – квадратичное передаточное число, так как IN- амперная характеристика линейно возрастает с увеличением тока коллектора до максимального значения,

Транзистор Дарлингтона состоит из пары стандартных транзисторов в сочетании с кристаллом и общим защитным покрытием.Обычно на чертежах для обозначения положения такого транзистора не наносят специальных символов, только один обозначает транзисторы стандартного типа.

Нагрузочный резистор присоединен к эмиттерной цепи одного из элементов. Выводы транзистора Дарлингтона аналогичны биполярному полупроводниковому триггеру:

база;
;
коллектор.

Помимо общепринятой версии составного транзистора, существует несколько разновидностей его разновидностей.

Схема пары Шиклай и Каско

Другое название тройки композитных полупроводников – пара Дарлингтона. Кроме того, есть еще пара шиклай. Это аналогичная комбинация папок основных элементов, отличающаяся тем, что в нее входят транзисторы разного типа.

Что касается кузодической схемы, то это тоже вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый тригод включен по схеме с ОЭ, а другой по схеме с ОВ.Такое устройство аналогично простому транзистору, включенному в схему OE, но с более высокими частотными показателями, большим входным сопротивлением и большим линейным диапазоном с меньшими искажениями транслируемого сигнала.

Преимущества и недостатки составных транзисторов

Мощность и сложность транзистора Дарлингтона можно регулировать за счет увеличения количества включенных в него биполярных транзисторов. Есть еще, в том числе биполярный, и используется в сфере высоковольтной электроники.

Основным преимуществом композитных транзисторов является их способность давать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что если коэффициент усиления каждого из двух транзисторов равен 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов транзисторов, входящих в его состав (в данном случае – 3600). В результате потребуется довольно небольшая токовая база для открытия транзистона Дарлингтона.

Недостатком составных транзисторов считается низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах, работающих на низких частотах.Часто составные транзисторы выступают в составе выходных каскадов мощных усилителей низкой частоты.

Особенности устройства

Композитные транзисторы имеют постепенное снижение напряжения по проводнику на переходе база-эмиттер вдвое больше стандартного. Уровень снижения напряжения на открытом транзисторе примерно равен падению напряжения, которое имеет диод.

По этому показателю составной транзистор аналогичен выходному трансформатору.Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона имеет гораздо больший выигрыш по мощности. Такие транзисторы могут работать с частотой коммутации до 25 Гц.

Система промышленного производства композитных транзисторов налажена таким образом, что модуль полностью укомплектован эмиттерным резистором.

Как проверить транзистор Дарлингтона

Проще всего проверить составной транзистор:

Излучатель подключен к «минусовой» цепи питания;
Коллектор подключен к одному из выходов лампочки, второй выход перенаправлен на «плюс» питания;
Через резистор БД транслирует положительное напряжение, лампочка горит;
Через резистор на базу передается минусовое напряжение, лампочка не перегорает.

Если все произошло как описано, транзистор исправен.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то упустил. Посмотрите, буду рад, если вы найдете на моем что-нибудь более полезное.

Симметричный мультивибратор на полевых транзисторах. Мультивибраторы на полевых транзисторах КР504Т. Работа симметричного мультивибратора в режиме «Установленная» генерация

Мультивибратор на полевых транзисторах

Новички радиолюбителей, конечно, знают, что мультивибраторы (симметричные и асимметричные) выполняются на биполярных транзисторах.К сожалению, у таких мультивибраторов есть недостаток – при работе с достаточно мощной нагрузкой, например, лампами накаливания, для полного открытия транзисторов необходимы большие базовые токи.

В случае переключения плеч Мультивибратора с частотой 3 … 0,2 Гц необходимо установить в цепи частотной цепи гидроксидные конденсаторы большой емкости, а значит, и габаритов. Не следует забывать об относительно большом напряжении насыщения открытых транзисторов.

В предлагаемом мультивибраторе (см. Рисунок) используются отечественные полевые N-канальные транзисторы с изолированной заслонкой и индуцированным каналом. Внутри корпуса между выводами затвора и истока находится защитная стабилизация, что значительно снижает вероятность выхода из строя транзистора при несогласовании с ним.

Частота переключения транзисторов мультивибратора около 2 Гц, определяется конденсаторами и резисторами. Нагрузка транзисторов мультивибратора – лампы накаливания EL1, EL2.

Резисторы, включенные между стоком и затвором транзисторов, обеспечивают мягкий запуск мультивибратора. К сожалению, они немного «задерживают» выключение транзисторов.

Вместо ламп накаливания в цепи транзисторов допустимо включать светодиоды с ограничительными резисторами сопротивлением 360 Ом или телефонными цоколями, например, ТК-47 (для этого варианта должен работать мультивибратор. в области звуковых частот). В случае использования только одной капсулы в цепи потока другого транзистора необходимо включить в качестве резистора нагрузки сопротивление 100… 200 Ом.

Резисторы R1, R2, указанные на номинальной схеме, могут быть составлены из нескольких последовательно соединенных меньших сопротивлений. Если такого варианта нет, устанавливайте резисторы меньшего номинала, а конденсаторы – большего размера.

Конденсаторы могут быть неполярные керамические или пленочные, например серии КМ-5, КМ-6, К73-17. Применяются лампы накаливания из «мигающих» рождественских гирлянд китайского производства на напряжение 6 В и ток 100 мА. Также подойдут малогабаритные лампы на напряжение 6 В и ток 60 или 20 мА.

Вместо транзисторов указанной серии, выдерживающих постоянный ток до 180 мА, допустимо применять ключи серии КР1064Т1, рассчитанные на больший ток, кр1014кт1. В случае использования мультивибратора с более мощной нагрузкой, скажем, автомобильных ламп накаливания, вам потребуются другие транзисторы, например КП744Г, позволяющие протекать ток до 9 А. Но при этом необходимо установить защитные стабилизаторы на напряжение до 8 … 10 В (от катода до затвора) – кс191ж или аналогичный.При больших токах нагрузки транзисторы придется устанавливать на радиаторах.

Выберите мультивибратор путем подбора конденсаторов, чтобы получить желаемую частоту транзисторов. Для работы устройства на звуковых частотах конденсаторы должны быть емкостью 300 … 600 ПФ. Если оставить конденсаторы, указанные на схеме контейнера, придется выбирать резисторы меньшего сопротивления – до 47 кОм.

Мультивибратор исправен при напряжении питания 3 … 10 В, естественно, с соответствующей нагрузкой.Если предполагается использовать его в качестве узла в разрабатываемой конструкции, то между проводами питания мультивибратора устанавливается блокировочный конденсатор емкостью 0,1 … 100 мкФ.

Мультивибратор, схема которого показана на рисунке 1, представляет собой каскадное соединение транзисторных усилителей, где выход первого каскада подключен ко второму входу через цепь, содержащую конденсатор, а выход второго каскада подключен к ввод первого через контур, содержащий конденсатор.Усилители-мультивибраторы представляют собой транзисторные ключи, которые могут находиться в двух состояниях. Схема мультивибратора на рисунке 1 отличается от триггерной схемы, рассмотренной в статье «». В связи с тем, что он имеет в цепях обратной связи реактивные элементы, поэтому схема может генерировать несинусоидальные колебания. Найдите сопротивление резисторов R1 и R4 из соотношений 1 и 2:

Где I CBO = 0,5 MAK – максимальный обратный ток коллектора транзистора Kt315a,

Ikmax = 0.1а – максимальный ток коллектора CT315A, UP = 3B – напряжение питания. Выбираем R1 = R4 = 100. Конденсаторы С1 и С2 подбираются в зависимости от того, какая частота колебаний мультивибратора требуется.

Рисунок 1 – Мультивибратор на транзисторах CT315A

Вы можете убрать напряжение между точками 2 и 3 или между точками 2 и 1. На графиках ниже показано, как будет изменяться напряжение между точками 2 и 3 и между точками 2 и 1.

T – период колебаний, T1 – постоянная времени левого плеча мультивибратора, T2 – постоянная времени правого плеча мультивибратора, рассчитывается по формулам:

Установите частоту и разнесение импульсов генерируемые мультивибратором могут изменяться сопротивления резисторов R2 и R3.Конденсаторы C1 и C2 также можно заменить переменными (или обманом) и изменить их емкость, чтобы установить частоту и разнесение импульсов, генерируемых мультивибратором, такой метод даже более предпочтителен, поэтому, если есть обрезанные (или лучшие переменные ) конденсаторы, лучше их использовать, но вместо резисторов R2 и R3 переменные постоянны. На фото ниже собранный мультивибратор:

Для того, чтобы на него работал собранный мультивибратор (между точками 2 и 3 была подключена пьезодинамика).После подачи питания на схему PiezoDynamic начало трещать. Изменения сопротивления подстроечных резисторов приводили либо к увеличению частоты звука издаваемого PiezoDynamic, либо к ее уменьшению, либо к тому, что мультивибратор перестал генерировать.
Программа для расчета частоты, периода и постоянной времени, импульсов, снимаемая с мультивибратора:

Если программа не работает, скопируйте ее HTML-код в блокнот и сохраните в HTML-формате.
Если вы используете браузер Internet Explorier и он блокирует работу программы, то необходимо устранить заблокированный контент.

jS Disabled

Другие мультивибраторы:

В этой статье мы расскажем о мультивибраторе, как он работает, способах подключения нагрузки на мультивибраторе и расчете транзисторного симметричного мультивибратора.

Мультивибратор – это простой генератор прямоугольных импульсов, работающий в режиме автогенератора. Для его работы необходимо только питание от аккумулятора или другого источника питания. Рассмотрим простейший симметричный мультивибратор на транзисторах.Схема представлена на картинке. Мультивибратор может быть усложнен в зависимости от выполняемых необходимых функций, но все элементы, представленные на рисунке, являются обязательными, без них мультивибратора не будет.

Работа симметричного мультивибратора основана на процессах заряда и разряда конденсаторов, образующихся вместе с RC цепными резисторами.

О том, как работают RC-цепи, я писал ранее в своей статье «Конденсатор», которую вы можете прочитать на моем сайте.В Интернете, если вы найдете материал про симметричный мультивибратор, то он изложен кратко и невнятно. Это обстоятельство не дает ничего понять начинающим радиолюбителям, а только помогает опытной электронике или что-либо запоминать. По просьбе одного из посетителей моего сайта я решил исключить этот пробел.

Как работает мультивибратор?

В начальный момент подачи питания конденсаторы С1 и С2 разряжены, поэтому их текущее сопротивление невелико.Малое сопротивление конденсаторов приводит к тому, что происходит «быстрое» открытие транзисторов, вызванное протеканием тока:

– VT2 в пути (показан красным): «+ питание> резистор R1> Малое сопротивление разряженный C1> Базовый эмиттерный переход VT2> – источник питания »;

– VT1 по ходу (показан синим цветом): «+ источник питания> резистор R4> Малое сопротивление разряженного C2> базисно-эмиттерный переход VT1> – источник питания.

Это« нестационарный » режим работы мультивибратора.Он длится очень небольшое время, определяемое только скоростью транзисторов. И двух абсолютно одинаковых по параметрам транзисторов не существует. Какой транзистор откроется быстрее, он останется открытым – «победителем». Предположим, что на нашей схеме это оказался VT2. Тогда за счет малого сопротивления разряженного конденсатора С2 и малого сопротивления перехода коллектор-эмиттер VT2 база транзистора VT1 будет замкнута на эмиттере VT1. В результате транзистор VT1 будет принудительно закрываться – «выйти из строя».«

Так как транзистор VT1 закрыт, то« быстрый »заряд конденсатора С1 по пути:« + питание> Резистор R1> Малое сопротивление разряженного С1> Базовый эмиттерный переход VT2> – источник питания ». Этот заряд происходит почти до напряжения источника питания.

При этом конденсатор С2 – конденсатор обратной полярности попутно:« + источник питания> резистор R3> Малое сопротивление разряженного С2 > Переход коллектор-эмиттер VT2> – источник питания.«Продолжительность заряда определяется показателями R3 и C2. Они определяют время, в течение которого VT1 находится в закрытом состоянии.

Когда конденсатор C2 заряжается до напряжения примерно равного напряжения 0,7–1,0 вольт, его сопротивление увеличивается. и транзистор VT1 откроется при приложенном по пути напряжении: “+ питание> Резистор R3> Базовый эмиттерный переход VT1> – Блок питания. В этом случае напряжение заряженного конденсатора C1 через переход открытый коллектор-эмиттер VT1 будет подаваться на транзистор эмиттер-основной транзистор VT2 обратной полярности.В результате VT2 закроется, а ток, который ранее прошел через переход открытый коллектор-эмиттер VT2, будет проходить по цепочке: «+ источник питания> резистор R4> Малое сопротивление C2> переход базовый эмиттер VT1> – питание. По этой цепочке произойдет скорейшее возликование конденсатора С2. С этого момента начинается «установившийся» режим автогенерации.

Работа симметричного мультивибратора в режиме «Установлено»

Начинается первый полупериод работы (колебаний) мультивибратора.

При открытом транзисторе VT1 и закрытом VT2, как я только что написал, происходит быстрое ликование конденсатора С2 (от напряжения 0,7 … 1,0 вольт одной полярности, до напряжения источника питания противоположной полярности ) по цепочке: «+ источник питания> резистор R4> малое сопротивление C2> переход базовый эмиттер VT1> – источник питания». Кроме того, имеется медленный высвобождающийся конденсатор С1 (от напряжения источника питания одной полярности на напряжение 0,7… 1,0 вольт противоположной полярности) по цепочке: «+ источник питания> резистор R2> Правая операция C1> Левая операция C1> Коллектор Эмиттерный переход транзистора VT1> является источником питания».

Когда в результате перезагрузки С1 напряжение базы данных VT2 достигнет значения +0,6 В относительно эмиттера VT2, транзистор откроется. Следовательно, напряжение заряженного конденсатора C2 через переход VT2 открытый коллектор-эмиттер будет подаваться на транзистор VT1 эмиттер-базис с обратной полярностью.VT1 закрывается.

Начинается второй полупериод работы (колебания) мультивибратора.

При открытом транзисторе VT2 и закрытом VT1 конденсатор С1 быстро перезагружается (с напряжения 0,7 … 1,0 вольт одной полярности до напряжения источника питания противоположной полярности) цепочками: “+ источник питания> резистор R1> Малое сопротивление C1> Базовый эмиттерный переход VT2> – источник питания. Кроме того, происходит медленная перезагрузка конденсатора С2 (с напряжения блока питания одной полярности на напряжение 0.7 … 1,0 вольт противоположной полярности) по цепочке: «Правая операция С2> Транзистор цветного эмиттера VT2> – блок питания> + источник питания> Резистор R3> Левая операция С2». Когда напряжение базы данных VT1 достигнет значения +0,6 В относительно эмиттера VT1, транзистор откроется. Следовательно, напряжение заряженного конденсатора C1 через переход VT1 открытый коллектор-эмиттер будет подаваться на транзистор VT2 эмиттер-базовый транзистор обратной полярности. VT2 закрывается.На этом второй полупериод колебания мультивибратора заканчивается, а первый полупериод начинается заново.

Процесс повторяется до отключения мультивибратора от источника питания.

Способы подключения нагрузки к симметричному мультивибратору

Прямоугольные импульсы снимаются с двух точек симметричного мультивибратора – Коллекторы транзисторов. Когда на одном коллекторе «высокий» потенциал, то на другом – «низкий» потенциал (он отсутствует), и наоборот – когда на одном выходе «низкий» потенциал, то на другом – «высокий».Это ясно показано на временной диаграмме, изображенной ниже.

Нагрузку мультивибратора следует подключать параллельно одному из коллекторных резисторов, но ни в коем случае не параллельно переходу коллектор-эмиттер транзистора. Закрыть транзисторную нагрузку невозможно. Если это условие не выполняется, по крайней мере, длительность импульсов изменится, а как максимум – мультивибратор работать не будет. На рисунке ниже показано, как правильно подключить нагрузку, а как этого не делать.

Для того, чтобы нагрузка не влияла на сам мультивибратор, он должен иметь достаточное входное сопротивление.Для этого обычно используются каскады буферных транзисторов.

Показан пример подключения динамической головки малого объема к мультивибратору . Добавленный резистор увеличивает входное сопротивление буферного каскада и, таким образом, устраняет влияние буферного каскада на мультивибраторный транзистор. Его величина должна не менее чем в 10 раз превышать номинал коллекторного резистора. Соединение двух транзисторов по схеме «составной транзистор» значительно увеличивает выходной ток.При этом схему базового эмиттера буферного каскада правильно подключать параллельно коллекторному резистору мультивибратора, а не параллельно переходу коллектор-эмиттер мультивибраторного транзистора.

Для подключения к мультивибратору высокорасположенной динамической головки Буферный каскад не нужен. Головка подключается вместо одного из коллекторных резисторов. Должно быть выполнено единственное условие – ток, протекающий через динамическую головку, не должен превышать максимальный ток коллектора транзистора.

Если вы хотите подключить к мультивибратору обычные светодиоды – сделайте «флешер», то для этого буферные каскады не требуются. Их можно подключать последовательно с коллекторными резисторами. Это связано с тем, что ток светодиода небольшой, а падение напряжения на нем при работе не более одного вольта. Следовательно, они не влияют на работу мультивибратора. Правда, это не касается сверхстенных светодиодов, у которых рабочий ток выше, а падение напряжения может быть от 3.От 5 до 10 вольт. Но в этом случае выход есть – увеличить напряжение питания и использовать транзисторы с большой мощностью, обеспечивающие достаточный ток коллектора.

Обратите внимание, что оксидные (электролитические) конденсаторы подключены плюсами к коллекторам транзисторов. Это связано с тем, что на базах биполярных транзисторов напряжение не поднимается выше 0,7 вольт относительно эмиттера, а в нашем случае эмиттеры имеют минусовую мощность. А вот на коллекторах транзисторов напряжение меняется практически от нуля до напряжения питания.Оксидные конденсаторы не могут выполнять свою функцию при подключении с обратной полярностью. Естественно, если применить транзисторы другой структуры (non-npn, структура pnp), то помимо изменения полярности блока питания необходимо развернуть светодиоды катодами «вверх по схеме», а конденсаторы – это плюсы к базам транзисторов.

Разберемся теперь какие параметры элементов мультивибратора задают выходные токи и частоту генерации мультивибратора?

На какие показатели коллекторных резисторов влияют? Я встречал в некоторых посредственных инет исполнителях, что коллекторные резисторы немного оценивают, но влияют на частоту мультивибратора.Все это ерунда полная! При правильном расчете мультивибратора отклонение номиналов этих резисторов более чем в пять раз от расчетных, не изменит частоту мультипулятора. Главное, чтобы их сопротивление было меньше основных резисторов, ведь коллекторные резисторы обеспечивают быструю зарядку конденсаторов. Но, номиналы коллекторных резисторов являются основными для расчета мощности, потребляемой от источника питания, значение которой не должно превышать мощность транзисторов.Если разобраться, то при правильном подключении они даже не имеют прямого влияния на выходную мощность мультипулятора. Но время между переключениями (частота мультивибратора) определяется «медленной» перезагрузкой конденсаторов. Время перезарядки определяется номиналами RC цепочек – основных резисторов и конденсаторов (R2C1 и R3C2).

Мультивибратор, хотя и называется симметричным, это относится только к схемотехнике его конструкции, и он может генерировать как симметричные, так и несимметричные выходные импульсы.Длительность импульса (высокий уровень) на коллекторе VT1 определяется скоростями R3 и C2, а длительность импульса (высокий уровень) на коллекторе VT2 определяется отношениями R2 и C1.

Продолжительность понижения конденсаторов определяется по простой формуле где Тау, – длительность импульса в секундах, Р., – сопротивление резистора в Омах, ОТ – Емкостная емкость в Фарадах:

Таким образом , если вы уже не забыли написанное в этой статье на пару абзацев ранее:

В равенстве R2 = R3. и C1 = C2. На выходах мультивибратора будут «меандры» – прямоугольные импульсы длительностью равной паузам между импульсами, которые вы видите на рисунке.

Полный период колебаний медивибратора – Т. равен сумме длительностей импульса и паузы:

Частота колебаний F. (Гц) связана с периодом Т. (сек) через соотношение:

Как правило, в Интернете, если есть какие-то расчеты радиожурналов, то их мало.поэтому вычисляет элементы симметричного мультивибратора на примере .

Как и у любых транзисторных каскадов, расчет нужно вести с конца – выхода. А на выходе у нас стоит буферный каскад, потом коллекторные резисторы. Коллекторные резисторы R1 и R4 выполняют функцию нагрузки транзистора. Коллекторные резисторы не влияют на частоту генерации. Они рассчитываются исходя из параметров выбранных транзисторов. Таким образом, сначала рассчитываем коллективные резисторы, затем базовые резисторы, затем конденсаторы, а затем буферный каскад.

Порядок и пример расчета транзисторного симметричного мультивибратора

Исходные данные:

Блок питания UI.P. = 12 В. .

Требуемая частота мультивибратора F = 0,2 Гц (T = 5 секунд) , а длительность импульса равна 1 (одна) секунда.

В качестве нагрузки используется автомобильная лампа накаливания 12 вольт, ватт.

Как вы уже догадались, мы рассчитаем «флешер», который будет мигать раз в пять секунд, а продолжительность свечения составляет 1 секунду.

Выбрать транзисторы для мультивибратора. Например, у нас самые распространенные в советское время транзисторы Кт315г .

Для них: Pmax = 150 МВт; Imax = 150 мА; h31> 50. .

Транзисторы для буферного каскада выбираются исходя из тока нагрузки.

Чтобы не изображать схему дважды, я уже подписал номинации элементов на схеме. Их расчет позже приводится в решении.

Решение:

1. Прежде всего, необходимо понимать, что работа транзистора на больших токах в ключевом режиме более безопасна для самого транзистора, чем работа в режиме усиления. Следовательно, расчет мощности для переходного состояния в момент прохождения переменного сигнала, через рабочую точку «в» статического режима транзистора – переход из открытого состояния в закрытое и обратно не требуется. . Для импульсных схем, построенных на биполярных транзисторах, обычно рассчитывается мощность транзисторов в открытом состоянии.

Сначала мы определяем максимальную рассеянную мощность транзисторов, которая должна быть на 20 процентов меньше (коэффициент 0,8) максимальной мощности транзистора, указанной в справочнике. Но зачем гонять мультивибратор в жестких рамках больших токов? Да и от большой мощности энергопотребление от блока питания будет большим, а пользы маленькой. Поэтому определил максимальную рассеиваемую мощность транзисторов, которая уменьшила ее в 3 раза. Дальнейшее снижение рассеиваемой мощности нежелательно, так как работа мультибулятора на биполярных транзисторах в режиме слабого тока является явлением «неустойчивого».Если блок питания используется не только для мультивибратора или он не совсем стабильный, будет «плавать» и частота мультивибратора.

Определите максимальную рассеиваемую мощность: Pras.max = 0,8 * pmax = 0,8 * 150 мВт = 120 МВт

Определите номинальную мощность рассеяния: PRAC. = 120/3 = 40мВт

2. Определить ток коллектора в открытом состоянии: IK0 = PRAC. / UI.P. = 40 МВт / 12В = 3,3м

Примем за максимальный токоприемник.

3. Найдите значение сопротивления и мощность коллекторной нагрузки: РК. Сущность = UI.P. / Ik0 = 12В / 3,3м = 3,6 ком

Выбираем в имеющемся номинальном диапазоне резисторов максимально приближенные к 3,6 ком. В номинальном диапазоне резисторов есть номинал 3,6 ком, поэтому считаем номинал коллекторных резисторов R1 и R4 мультивибратора: RK = R1 = R4 = 3,6 ком .

Мощность коллекторных резисторов R1 и R4 равна номинальной рассеянной мощности транзисторов PRAC.= 40 МВт. Мы используем резисторы с мощностью, превышающей указанный PRAC. – Тип МЛТ-0,125.

4. Перейдем к расчету основных резисторов R2 и R3 . Их номиналы найдены исходя из коэффициента усиления транзисторов h31. При этом для надежной работы мультивибратора значение сопротивления должно быть в пределах: 5-кратного сопротивления коллекторных резисторов и меньше произведенного РК * h31. В нашем случае Rmin = 3,6 * 5 = 18 ком, а rmax = 3.6 * 50 = 180 ком

Таким образом, значения сопротивления РБ (R2 и R3) могут находиться в диапазоне 18 … 180 ком. Предварительно выбираем среднее значение = 100 ком. Но это не окончательно, так как нам нужно обеспечить нужную частоту мультивибратора, и как я писал ранее, частота мультивибратора напрямую зависит от основных резисторов R2 и R3, а также от конденсаторов конденсаторов.

5. Рассчитайте емкость конденсаторов C1 и C2 и, при необходимости, пересчитайте значения R2 и R3..

Емкости конденсатора конденсатора С1 и сопротивление резистора R2 определяются длительностью выходного импульса на коллекторе VT2. Именно во время действия этого импульса наша лампочка должна загореться. И условие было выставлено на длительность импульса 1 секунда.

определяем емкость конденсатора: С1 = 1сек / 100км = 10 мкФ

Конденсатор емкостью 10 мкФ доступен в номинальном диапазоне, поэтому нас он устраивает.

Значения емкости конденсатора С2 и сопротивления резистора R3 определяются длительностью выходного импульса на коллекторе VT1. Именно во время действия этого импульса на «паузе» коллектора VT2 наша лампочка не должна гореть. И условие было установлено: полный период 5 секунд с длительностью импульса 1 секунда. Следовательно, длительность паузы равна 5 секундам – 1сек = 4 секунды.

Преобразуя длительность в длительность перезарядки, мы определяем емкость конденсатора: С2 = 4сек / 100ком = 40 мкФ

Конденсатор емкостью 40 мкФ отсутствует в номинальном диапазоне, значит он и есть не устраивает нас, и мы возьмем к нему максимально приближенный к нему конденсатор емкостью 47 мкФ.Но, как вы понимаете, временные «паузы» изменятся. Чтобы это произошло, пересчитаем сопротивление резистора R3 на исходя из длительности паузы и емкости конденсатора С2: R3 = 4X / 47 мкФ = 85 ком

По номинальной строке ближайшее значение сопротивление резистора 82 кОм.

Итак, мы получили номинации элементов мультивибратора:

R1 = 3,6 ком, R2 = 100 ком, R3 = 82 ком, R4 = 3.6 ком, С1 = 10 мкФ, С2 = 47 мкФ .

6. Рассчитайте номинал резистора буферного каскада R5.

Сопротивление дополнительного ограничительного резистора R5 для исключения воздействия на мультивибратор выбирается как минимум в 2 раза больше сопротивления коллекторного резистора R4 (а в некоторых случаях и больше). Его сопротивление вместе с сопротивлением эмиттерно-базовых переходов VT3 и VT4 в этом случае не повлияет на параметры мультивибратора.

R5 = R4 * 2 = 3.6 * 2 = 7,2 ком

По номиналу ближайший резистор 7,5 ком.

При соотношении резисторов R5 = 7,5 кОм управляющий ток буферного каскада будет:

IUPR. = (UI.P. – UBE) / R5 = (12В – 1,2В) / 7,5К = 1,44 мА

Кроме того, как я уже писал ранее, на номинальную нагрузку мультикалиберного мультивибратора транзистора не влияет его частота, поэтому если у вас нет такого резистора, то вы можете заменить его на другой «близкий» номинал (5… 9 ком). Лучше, если будет до понижения, чтобы не было падения управляющего тока на буферном каскаде. Но учтите, что добавленный резистор является дополнительной нагрузкой мультивибратора транзистора VT2, поэтому ток, проходящий через этот резистор, складывается с резистором коллектора тока R4 и является нагрузкой для транзистора VT2: Iobsch = IK + IUPR. = 3,3м + 1,44м = 4,74м

Суммарная нагрузка на коллекторе транзистора VT2 в пределах нормы.Если оно превышено до превышения максимального тока коллектора, указанного в справочнике и умноженного на коэффициент 0,8, увеличьте сопротивление R4 до достаточного уменьшения тока нагрузки или используйте более мощный транзистор.

7. Нам нужно обеспечить ток на лампочку В = pH / ui.p. = 15Вт / 12В = 1,25 А

Но текущий управляющий ток буферного каскада 1,44-й. Ток мультивибратора необходимо увеличить равным соотношению:

IU / IUPR.= 1,25a / 0,00144a = 870 раз .

Как это сделать? Для значительного усиления выходного тока Используйте транзисторные каскады, построенные по схеме «составной транзистор». Первый транзистор обычно малый (будем использовать CT361G), он имеет наибольшее усиление, а второй должен обеспечивать достаточный ток нагрузки (возьмем не менее распространенный КТ814Б). Затем их коэффициенты передачи h31 умножаются. Так, в транзисторе CT361G h31> 50, а в транзисторе КТ814B – h31 = 40.И общий коэффициент прохождения этих транзисторов, включенных по схеме «составной транзистор»: х31 = 50 * 40 = 2000 . Этот показатель больше 870, так что этих транзисторов вполне хватит для управления лампочкой.

Ну вот и все!

Симметричные и асимметричные мультивибраторы различного назначения могут быть сконструированы не только на биполярных транзисторах, но и в полевых условиях. Один из примеров этого вы найдете в. Учитывая, что полевые транзисторы имеют ряд преимуществ перед биполярными, главным из которых является чрезвычайно малый ток в цепи управления при работе на низкой частоте или в статическом режиме, можно предположить, что обычный двухниточный мультивибратор, но только на полевых транзисторах будет в выигрышном положении.Спереди собраны аналогичные узлы на своих биполярных аналогах.

Схема первого мультивера вы видите на рис. 1. Работа его во многом аналогична работе мультивибратора на P-N-p биполярных транзисторов – светодиоды тоже будут искажаться. Отличие состоит в том, что для закрытия каждого из транзисторов VT1.1, VT1.2 необходимо приложить положительное напряжение затвора, которое должно превышать напряжение отсечки этих транзисторов (около 4 В). Это происходит при каждом переключении плеча мультипулятора, из-за наличия конденсаторов С1, С2.Поэтому нет необходимости в двухполюсном источнике питания.

Частота переключения транзистора в данном генераторе – 1 раз в 6 с. При установке качественных электролитических конденсаторов (с малым током утечки) емкостью 100 … 4700 мкФ можно переключать транзисторы с периодом в несколько десятков минут, что недостижимо для простых устройств на биполярных транзисторах.

Сопротивления резисторов R2 и R3 могут отличаться в несколько тысяч раз, например R2 можно принять 30 МОм, а R3 – 10 ком.Мультивибратор будет асимметричным. Аналогичным образом меняются конденсаторы конденсаторов. Нужны эти элементы нужным образом, можно получить очень короткие импульсы потока одного из транзисторов, которые следующие с высокими ямами (100 … 10 000). Если в устройстве, изготовленном по рис. 1, вместо обычных светодиодов в качестве нагрузки транзисторов включите мигание, например, L-36BSRD, тогда любой из них, мигнув несколько раз, остановится, пока мигает его сосед.Если на звуковых частотах требуется мультивибратор, необходимо сопротивление резисторов R2 и R3. Уменьшите в 10 … 20 раз, и конденсаторы займут емкость в несколько сотен пикофрад.

Вместо обычных резисторов R2, R3 можно установить фоторезисторы (FGC, SF2-X, SFZ-X, FR117 и др.). В этом случае частота переключения транзистора будет изменяться несколько тысяч раз в зависимости от уровня освещенности. Стоит только отметить, что с резисторами резисторов R2, R3 менее 3 ком генерация может выйти из строя.

Мультивибратор, выполненный по схеме, представленной на рис. 1, требует использования полевых транзисторов с большим начальным током протекания (10 … 30 мА). При отсутствии таких сборок из серии КР504 можно собрать аналогичный мультивибратор по схеме, представленной на рис. 2. Здесь полевые транзисторы работают с меньшим током протока, а для получения достаточной яркости светодиодов на них устанавливаются усилители тока. биполярные транзисторы VT1, VT4. Частота переключения этого мультивибратора составляет около 1 Гц.Если есть мощные составные транзисторы от серии КТ829 до транзисторов VT1, VT4, то в качестве их нагрузки можно использовать лампы накаливания. В этом случае R2, R6 не устанавливаются, так как транзисторы КТ829 содержат свои встроенные резисторы.

Если этот мультивибратор «отказывается» работать, то надо точнее подобрать резисторы R3, R7. В узле, собранном по схеме, представленной на рис. 1, можно использовать микроскопы согласованных пар полевых транзисторов серии КР504, (К504, 504) с начальным током протекания более 10 мА.Наиболее подходит KR504T4B, Cr504TZB, но можно попробовать и с индексами A, B. При изменении полярности питающего напряжения и подключении светодиодов можно использовать два отдельных полевых N-канальных транзистора из серии KP302, KP307. вместо транзисторной сборки. Если у них большое напряжение отсечки, то напряжение питания можно увеличить до 15 В.

Для узла, схема которого приведена на рис.2, подходят микросхемы CR504T1, CR504T2 с любым предметным индуцированным индексом , а при подборе резисторов R3, R7 – CR504TZ, CR504T4.Кроме того, многие полевые транзисторы серий КП103, КП101 будут работать без конфигурации КП101. Лучше использовать неполярные, например, малогабаритные К73-17 на 63 В. «Обычные» светодиоды могут быть любыми из серий AL307, KIP21, Cypros35, Cyda40, а также 1-1513, L-934, и др. Прошивка – L-816BRSC-B, L-769BGR, L-56DGD, T1VK5410 и другие.

Поскольку полевые транзисторы сборок КР504Т (1 … 4) (1 … 4) допускают максимальный запас напряжения источника не более 10 В, то напряжение мультивибраторов не должно превышать 10… 12 В.

Литература

А.бутов. Мультивибратор на полевых транзисторах. – Радио, 2002, N4, с.53.

Микросхемы и их применение. – М .: Радио и связь, 1984, с.73.

Публикация: www.cxem.net

В этой статье я подробно расскажу, как сделать мультивибратор по первой схеме практически у каждого второго радиолюбителя. Как известно, мультивибратором называют электронные устройства, генерирующие электрические колебания, близкие по форме к прямоугольным, что отражено в его названии: «Мульти-лот», «вибро-колебания».Другими словами, мультивибратор представляет собой генератор прямоугольных прямоугольных импульсов релаксационного типа с резистивно-емкостной положительной обратной связью с использованием двухканального усилителя в кольце положительной обратной связи. При работе мультивибратора в автоколебательном режиме возникают периодически повторяющиеся прямоугольные импульсы. Частота генерируемых импульсов определяется параметрами токовой цепи, свойствами цепи и режимом ее питания. Частота автоколебаний также влияет на подключенную нагрузку.Обычно мультивибратор используется как генератор импульсов относительно большой длительности, который затем используется для формирования импульсов необходимой прочности и амплитуды.

Схема рабочего мультивибратора

Симметричный мультивибратор на транзисторах

Схема мультивибратора состоит из двух усилительных каскадов с общим эмиттером, выходное напряжение каждого из которых подается на вход другого. При подключении схемы к источнику питания оба транзистора пропускают точки коллектора – их рабочие точки находятся в активной области, так как через резисторы RB1 и RB2 к базам прикладывается отрицательное смещение.Однако такое состояние схемы нестабильно. За счет наличия в схеме положительной обратной связи условие выполняется? КУ> 1 и двухцепной усилитель самовозбуждается. Начинается процесс регенерации – быстрое увеличение тока одного транзистора и уменьшение тока другого транзистора. Пусть в результате любого случайного изменения напряжений в базах данных или коллекторах немного увеличится ток IK1 транзистора VT1. Это увеличит падение напряжения на резисторе RK1, и коллектор транзистора VT1 получит приращение положительного потенциала.Поскольку напряжение на конденсаторе SB не может мгновенно измениться, это приращение подается на базу транзистора VT2, протыкает ее. Коллекторный ток IK2 уменьшается, напряжение на коллекторе транзистора VT2 становится более отрицательным и, передавая через конденсатор SB2 на базу транзистора VT1, еще больше открывает его, увеличивая ток IK1. Этот процесс лавинообразный и заканчивается тем, что транзистор VT1 переходит в режим насыщения, а транзистор VT2 – в режим отсечки.Схема переходит в одно из временно устойчивых состояний равновесия. При этом открытое состояние транзистора VT1 обеспечивается смещением от источника питания ЭК через резистор RB1, а заблокированное состояние транзистора VT2 – положительным напряжением на конденсаторе SB (UCM = UB2 > 0), который через открытый транзистор VT1 входит в интервал транзистора VT2.

Для постройки мультивибратора Нам понадобится из радиодеталей:

1.Два транзистора CT315.
2. Два электролитических конденсатора на 16В, 10-200мкропрад (чем меньше емкость, тем чаще моргает).
3. 4 резистора с неисправностью: 100-500 Ом 2 штуки (если поставить 100 Ом, то схема будет работать даже от 2,5В), 10кОм 2 штуки. Все резисторы мощностью 0,125 Вт.
4. Два неярких светодиода (любого цвета, кроме белого).

Печатная плата формата Lay6. Приступим к изготовлению.Сама напечатанная плата имеет такой вид:

Паяем два транзистора, коллектор не путаем и база на транзисторе – это частая ошибка.

Паяем конденсаторы 10-200 мкФ. Учтите, что конденсаторы на 10 вольт использовать в этой схеме крайне нежелательно, если подавать 12 вольт. Помните, что у электролитических конденсаторов полярность!

Мультивибратор практически готов.Светодиоды остаются, а входные провода. Фото готового устройства выглядит так:

И чтобы вам все стало наглядно, видео работы простого мультивибратора:

На практике мультивибраторы используются как генераторы импульсов, делители частоты, формирователи импульсов, бесконтактные переключатели и т. д. в электронных игрушках, устройствах автоматизации, вычислительном и измерительном оборудовании, реле времени и управляющих устройствах. С вами было кипение: D. . (Материал подготовлен по заказу Демьян “ а)

Обсудить мультивибратор артикул

Радиосхемы. Звуковой пьезоизлучатель своими руками Как сделать звуковой зуммер

Сама схема представляет собой простейший генератор звуковой частоты (можно сказать зуммер) и собран всего из четырех частей:

Принцип работы зуммера
R1 устанавливает смещение на базу VT1.А с помощью С1 осуществляется обратная связь. Динамик представляет собой нагрузку VT2. Частоту звука можно регулировать подбором конденсатора С1

Необходимые радиодетали для сборки зуммера

1. Два транзистора … Лучше всего использовать комплементарную пару (напомню, что транзисторы с одинаковыми параметрами, но разной проводимостью называются комплементарными). Подойдет практически любой: из старых советских: КТ315 и КТ361 например, из импортных и недорогих 2SA1015 и 2SC1815.

2. Спикер. Использовать можно абсолютно все: от китайского плеера, от старого магнитофона или просто наушника.

3. Конденсатор: Абсолютно любой емкостью от 10 до 100 нФ.
Если вдруг кто-то разучился определять емкость конденсатора по его цифровому коду, то можете заглянуть в раздел справочных материалов: есть отдельный раздел для цифрового кода конденсаторов

4. Источник напряжения … Можно использовать любую батарею: даже 1.Аккумулятор «пальчиковый» на 5В, или «заводной» на 9 вольт, разницы нет – поменяется только мощность.

5. Резистор. Опять же, любого типа (можно даже триммером) сопротивлением от 10 до 200 кОм.

6. Переключатель. Можно использовать любые – тумблер, кнопка.

Правильно собранная схема не требует настройки и сразу начинает работать.
Если вдруг не сработало, но то же самое: приходите на наш ФОРУМ, разберемся, почему (а если получилось, все равно заходите !!)

Создание трасс для новичков – действительно очень сложная задача.Каждый раз приходится искать компромисс между надежностью, простотой, повторяемостью, «неубиваемостью» и, в то же время, она (схема) должна быть интересной, ведущей и информативной. Невозможно сконструировать устройство, которое в равной степени отвечало бы всем этим качествам в равной степени для разных возрастных групп учащихся. И чем они моложе, тем сложнее! В этой статье я хочу рассказать о конструкциях, которые с удовольствием повторяют четырехклассники. Да, схемотехнической новизны здесь немного (мягко говоря – нет).Но есть системность и надежность конструкций, их высокая повторяемость и невысокая стоимость. И не буду заморачиваться теорией, потому что для четвероклассника знать: это резистор, это конденсатор, а это транзистор и у него три ножки (!!!) – уже большое достижение. По этой же причине не буду приводить распечатку разводки, так как травить платы в таком возрасте нельзя по элементарным правилам безопасности и вменяемости. Монтаж осуществляется навесным способом на кусок картона под руководством педагога или родителя.

«Сердцем» всех рассматриваемых мною устройств будет простейший звуковой генератор, выполненный на однопереходном транзисторе КТ117 и за счет несложных доработок мы получим другие потребительские качества.

Видео работы:

Такие твитеры часто называют «отпугивателями комаров», но кто будет добровольным донором и на практике докажет эффективность (а не эффективность) таких устройств? Лично я предпочитаю использовать химические вещества. Но надо как-то подтолкнуть ребенка к повторению схемы! И другие … МЫ ПУГАЛИ КОМАРУ!

Пищать просто не интересно. Устанавливаем ключевую модель последовательно с аккумулятором и имитируем работу телеграфа. И, опасайтесь школьных учителей, противно пищит, тон высокий, местоположение генератора в пространстве сложно локализовать на слух. Но когда хвастаться своим дизайном перед сверстниками, если не в классе?

Эту схему легко превратить в звуковой маяк. Для этого часто рекомендуется запитать весь генератор через мигающий светодиод.Это не совсем правда. Да, схема будет работать, но замкнутый светодиод (он не горит) все равно пропускает ток через себя, так как его p-n переходы включены в прямом направлении. Частота генерации схемы также зависит от напряжения питания, в результате чего звук получается рваным – громкий высокий тон чередуется с тихим низким. Этот недостаток можно устранить, введя управление миганием светодиода на второй базе транзистора.

Видео работы:

Еще одно интересное преобразование оригинальной схемы – введение зависимости тона генератора звука от освещенности.Для этого в схему следует ввести фототранзистор PTR1, управляя им однопереходным транзистором со стороны эмиттера. Генератор поскрипывает еще противнее, но сколько радости ребенку вызывает то, что звук у окна и в интерьере комнаты совсем другой!

Видео работы:

И, конечно, двухтональная сирена, а как же без нее? Без него не обходится ни одна полицейская машина! Для организации двухтонального звучания введем управление однопереходным транзистором вдоль эмиттера с помощью снова мигающего светодиода.Эту конструкцию будет полезно вставить в игрушечную машинку.

Видео работы:

Если есть желание построить многотональную машину для звуковых эффектов, то необходимо использовать в качестве управляющего светодиода трехцветный мигающий диод, либо включить три разных диода с разным свечением (красный, синий, зеленый как сделано). Если вы хотите увеличить громкость звука, необходимо использовать любой аудиоусилитель, для этого нужно поменять динамик на резистор сопротивлением 100 Ом и снять с него сигнал на УНЧ.

Рассмотренные мной схемы позволяют стимулировать младших школьников к изучению самых основ радиоэлектроники, могут быть полезны в системе дополнительного образования, не содержат большого количества деталей и не вызывают затруднений при их повторении.

Схема, представленная в этой статье, очень легко повторяется и не должна вызывать затруднений при сборке.
Может использоваться в различных устройствах для звукового оповещения. Например, сигнализация, звуковое дублирование указателя поворота в машине или велосипеде, сигнал о разряде аккумулятора и так далее.Можно конечно взять готовый пейджер, например, из старого китайского будильника, музыкальной открытки или других устройств, но я решил сделать это сам. Так интереснее.
Еще одна цель сборки – популяризация увлечения молодежи радиоэлектроникой. Если этот сайт может увлечь таким интересным и добрым делом хотя бы нескольких человек, то его задача можно считать выполненной.
Схему взял простую, но проверенную. Даже не помню, откуда взял.

Схема пьезоизлучателя звука

Детали для сборки схемы звукового сигнала

Детали схемы можно использовать в очень широком диапазоне.
Например, микросхемы La7 из серий К176, К164, К564, К561 или К561ЛЕ5 или импортные аналоги. Чтобы не паять и не распаивать микросхему, лучше всего взять специальную контактную площадку и впаять ее в схему (стоит копейки), а замена микросхемы займет секунды, к тому же при пайке нет риска, что микросхема перегреется или будет повреждена статическим электричеством.Кроме того, вы можете легко протестировать микросхемы разных марок на работоспособность.
Конденсатор С1 полярный, рассчитан на напряжение не менее 15 вольт и емкостью от 47 до 500 мкФ. Если вы хотите, чтобы зуммер отключился сразу после отключения питания, то этот конденсатор нужно исключить, иначе после отключения питания звук продолжается до тех пор, пока конденсатор не разрядится.
Конденсатор керамический С2 от 0,1 до 0,47 мкФ. Они обозначены цифрами на крышке – 104, 154, 224, 474.
Резистор R1 от 5 до 50 кОм. Любая мощность, но лучше меньше. Так что габариты не большие.
Потенциометр R2 от 68 до 500 кОм. По мощности такой же, поменьше.
Диод вообще можно использовать как угодно. Используется для защиты микросхемы от неправильного подключения питания. Вы можете вообще без него обойтись.

Излучатель звуковой ЗП-3 или аналогичный.

Как подключить ЗП-3? Если излучатель звука ЗП-3 новый, то к нему нужно припаять провода, как на фото.Его легко паять, если использовать флюс. Припаиваем к мембране один провод. Припаяйте второй провод к любому из двух контактов.
Напряжение питания схемы 12 вольт. Это может быть аккумулятор, выпрямитель или любой другой источник постоянного тока.
Тональность устройства зависит от номиналов элементов схемы, поэтому вы можете поэкспериментировать, меняя конденсаторы и резисторы, чтобы добиться понравившегося вам звука.
Чтобы не делать печатную плату, лучше всего взять и использовать макетную плату, это намного проще и быстрее.

Плотнее укладываем детали на макет, припаиваем, еще раз проверяем и пробуем звук, подключив к источнику питания.

При правильной сборке и обслуживаемых деталях схема сразу начинает работать и не требует настройки. Если вам не нравится тон, то настройте потенциометр на свой вкус.
Сигнализатор собран.

Сегодня машина есть практически у каждого и может сам разобраться.Но технический прогресс не стоит на месте и, конечно же, коснулся и автомобилей. Вы можете установить в машине Wi-Fi, радио, телевизор и многое другое. Но для того, чтобы все это установить, нужно знать, что такое «Автоэлектрика».

Автоэлектрик – это система для создания пусковых условий и поддержки дальнейшего функционирования автомобильной системы.

Если говорить более конкретно об этой автомобильной системе, то наиболее важными источниками энергии для транспортного средства являются аккумуляторные батареи и генераторы.Чаще всего они становятся объектами угонщиков.

Теперь поговорим о том, как сделать пищалку для автомобильных дверей. Конечно, все радиодетали в наличии, и в этот раз паять схему не будет, так как есть вариант, который намного проще и менее трудоемкий.

За основу будет взят недорогой китайский будильник, отслуживший свое время. Далее нужно его разобрать и найти небольшую схему с пищалкой, именно она нас интересует, сам часовой механизм нам не нужен.После того, как вы найдете схему, на ней остаются два контакта, которые нужно будет подключить к концевому выключателю любой из 4-х дверей автомобиля.

Для дальнейших действий нам понадобится паяльник, к этим контактам нужно будет припаять два провода.
После пайки все будет готово к работе, а точнее сам механизм будет собран, теперь необходимо все прикрепить к концевому выключателю двери, чтобы наш электроприбор после разблокировки двери начал пищать.

Для того, чтобы все заработало, нужно желтый провод подключить к одному из концевых выключателей двери, а красный провод с резистором 10КОМ подключить к плюсу питания АКБ (Автомобильный аккумулятор).

Добавить комментарий Отменить ответ

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Комментарий *

Имя *

Email *

Сайт

Ультразвуковой зуммер создан для тех, кого беспокоят шумные соседи. Но обо всем по порядку. Устройство представляет собой простейший преобразователь напряжения на основе блокирующего генератора. Излучатель – пьезоголовка, достать ее можно из калькулятора, старых наручных часов, музыкальной шкатулки или игрушечной машинки, в общем, думаю, в каждом доме можно найти такую штуку.

Ферритовое кольцо от блока питания компьютера служит трансформатором, подойдут и другие кольца практически любого диаметра, также можно использовать трансформаторы Е-образной формы (ферритовые) или ферритовые колпачки. Трансформатор имеет две обмотки. Первичная обмотка содержит 40 витков с отводом от середины, диаметр провода тоже не критичен от 0,1 до 0,8 мм, витки протянуты по всему кольцу. Вторичная обмотка содержит 30 витков того же провода, что и первичная.

Выводы вторичной обмотки подключены напрямую к пьезоголовке, полярности подключения нет, все равно будет работать.Любой транзистор низкочастотный, обратной проводимости типа КТ819, КТ805, КТ829, КТ817, КТ814 и все импортные аналоги, также можно использовать полевые транзисторы, чего я вам не советую, так как ток потребления устройства будет в несколько раз больше, чем при использовании биполярных транзисторов.

Также для экономии энергии можно использовать высокочастотные биполярные транзисторы отечественного производства, например КТ315, КТ3102 или импортные аналоги S9014, 9016. Как видите, и с транзисторами это не критично, буквально можно поставить любые, под рукой.Источником питания самодельного ультразвукового твитера может быть пальчиковый аккумулятор напряжением 1,5 вольта, литиевый планшет напряжением 3 вольта, аккумулятор от мобильного телефона напряжением 3,7 вольта или заводная головка напряжением 9 вольт. вольт. Вариант печатной платы для твитера показан ниже.

Теперь о главном, а как же аппарат? Для того, чтобы понять суть работы, надо просто включить, издает раздражительный свист, еле слышный, но очень нервный.Главное, что соседи не смогут понять, откуда идет звук, но для начала нужно установить это чудо в доме шумного и надоедливого соседа. Тем не менее, надеюсь, что вы сможете договориться о хорошем 🙂