Кт834А транзистор параметры: Транзистор КТ834А – параметры, цоколевка, аналоги, обозначение – Справочник по отечественным транзисторам
alexxlab | 20.11.1987 | 0 | Разное
Транзистор 2SC2625: характеристики, цоколевка, аналоги
Главная » Транзистор
2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).
Содержание
- Корпус, цоколевка и размеры
- Предназначение
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические параметры
- Схема проверки временных характеристик
- Модификации (версии) транзистора
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.
Характерные особенности
- Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,2 В при IC = 4,0 А, IB = 0,8 А.
- Высокая скорость переключений: tf ≤ 1,0 мкс при IC = 5,0 А.
- Удовлетворительная линейность изменения параметра hFE.
- Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 450 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 10 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 20 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C | PC | 80 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150°C |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С | Tstg | -55°C…+150°C |
| Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJС | 1,56 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 1,0 мА, IE = 0 | ≥ 450 |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 10,0 мА, IB = 0 | ≥ 400 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 0,1 мА, IC = 0 | ≥ 7,0 |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 450 В, IE = 0 | ≤ 1,0 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 7,0 В, IC = 0 | ≤ 100,0 |
| Характеристики включенного состояния ٭ | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 800 мА | ≤ 1,2 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 800 мА | ≤ 1,5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | ≥ 10 |
| Временные характеристики работы транзистора | |||
| Время нарастания импульса, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 5,0 А,IB1 = IB2 = 1,0 А, RL = 30 Ом | ≤ 1,0 |
| Время сохранения импульса, мкс | ts (tstg) | ≤ 2,5 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 1,0 | |
٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%.
Схема проверки временных характеристик
На рисунке:
- PW = 20 мкс – длительность импульса напряжения управления по цепи базы.
- RL = 20 Ом – сопротивление коллекторной цепи.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PС | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P | |
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,17 | – / – / – | TO-3PN | |
| 2SC2625B | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-3P(B) |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | ≥ 10 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| КТ834А | 100 | 500 | 400 | 8 | 15 | 150 | 150 | 1,5 | – / – / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 10 – 100 | 0,6 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840Б | 750 | 350 | ||||||||
| КТ840В | 860 | 375 | ||||||||
| КТ847 | 125 | 650 | 650 | 8 | 15 | 200 | 8 – 25 | 1,5 | – / 3,0 / 1,5 | ТО-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | – | 5 | 10 | – | 10 – 60 | 1,5 | – / – / 0,5 | – |
| 2Т856Б | 750 | |||||||||
| 2Т856В | 550 | |||||||||
| 2Т856Г | 850 | |||||||||
| КТ862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 – 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | – |
| КТ862Г | 400 | |||||||||
| 2Т862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 – 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | – |
| 2Т862Г | 400 | |||||||||
| КТ872А | 100 | – | 700 | 6 | 8 | 150 | 6 | 1 | – / 6,7 / 0,8 | ТО-218 |
| КТ872В | 600 | |||||||||
| КТ878А | 100 | – | 900 | 6 | 25 | 150 | 12 – 50 | 1,5 | – / 3,0 / – | ТО-3 |
| КТ878В | 600 | |||||||||
| КТ890А/Б/В | 120 | 350 | 350 | 5 | 20 | 150 | 300 | 1,6 | – | ТО-218 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,2 | 1,0 / 2,5 / 1,0 | TO-3P |
| 2SC2626 | 80 | 450 | 300 | 7 | 15 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,2 | 0,8 / 2,0 / 0,8 | TO-218 |
| 2SC3318 | 80 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 45 | 1,55 | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3320 | 80 | 500 | 400 | 7 | 15 | 150 | > 30 | – | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3847 | 85 | 1200 | 800 | 7 | 10 | 150 | > 100 | – | 1,5 | 0,5 / 3,5 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC4138 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 45 | – | 0,5 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4275 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 120 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4276 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 30 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4298 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 55 | – | 1,3 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4509 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4510 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 25 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4557 | 80 | 900 | 550 | 7 | 10 | 150 | > 10 | – | 0,5 | 1,0 / 5,0 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 – 35 | – | 1 | 0,5 / 3,0 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC5352 | 80 | 600 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 20 | – | 1 | 0,5 / 2,0 / 0,3 | TO-3PN |
| 2SC5924 | 90 | 900 | 600 | – | 14 | > 10 | – | – | – / – / – | TO-3PF | |
| KSC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 – 35 | – | 1 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3P |
| MJE13009K/P | 80 | 700 | 400 | 9 | 12 | 150 | > 40 | 1,55 | 1,5 | 1,0 / 3,0 / 0,7 | TO-3P TO-220 |
| MJE13011 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | – | 1,5 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-220/F TO-3P |
| T25 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | – | > 30 | – | – | – / – / – | TO-3PN |
| TT2148 | 80 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | > 20 | – | 0,8 | 0,5 / 2,5 / 0,3 | TO-3PB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.
Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.
Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.
Биполярные транзисторы серии КТ8хх
Биполярные транзисторы серии КТ8ххБИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ серии КТ8хх
196 типономиналов на 15-ноя-20
Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.
| Подробная информация о производителях – в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах – здесь | ||||||||||
| тип | аналог | класс | Uкэ, В | Iк, А | h31 | Uнас, В | tрас, мкс [fгр, МГц] |
корпус | производитель | подробности |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Т803А | BDY23 | npn | 60 | 10 | 18. ..80 |
2.5 | [20] | КТЮ-3-20 | ИСКРА | Ге3.365.008ТУ |
| 2Т808А | BLY47 | npn | 120 | 10 | 10…50 | 1.5 | [7] | КТЮ-3-20 | ИСКРА | Ге3.365.004ТУ |
| 2Т809А | BLY49 | npn | 400 | 3 | 15…100 | 1.5 | [40] | КТЮ-3-20 | ИСКРА | Ге3.365.017ТУ |
| 2Т812А | npn | 700 | 10 | 5…30 | 2.5 | 3,5 | КТ9 | ФЗМТ | аА0.339.193ТУ | |
| КТ814Г | BD135 | pnp | 100 | 1.5 | 40 | 0.6 | КТ27 | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ815Г | BD140 | npn | 100 | 1.5 | 40 | 0.6 | КТ27 | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ816Г | pnp | 100 | 3 | 25 | 0. 6 |
КТ27 | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР | |||
| КТ817Г | npn | 100 | 3 | 25 | 0.6 | КТ27 | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР | |||
| КТ818Г/Г2 | BD239 | pnp | 90 | 10 | 15…275 | 1 | [3] | КТ28/dpak | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ819Г/Г2 | BD244 | npn | 100 | 10 | 15…275 | 1 | [3] | КТ28/dpak | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ820В | pnp | 100 | 0.5 | 40 | 0.2 | б/к | КРЕМНИЙ | |||
| КТ821В | npn | 100 | 0.5 | 40 | 0.2 | б/к | КРЕМНИЙ | |||
| КТ822В | pnp | 100 | 2 | 25 | 0. |
б/к | КРЕМНИЙ | |||
| КТ823В | npn | 100 | 2 | 25 | 0.2 | б/к | КРЕМНИЙ | |||
| КТ825А | BDX64 | pnpD | 100 | 20 | 750 | 2 | 4.5 | КТ9 | КРЕМНИЙ | |
| КТ825А2 | pnpD | 100 | 15 | 500 | 2 | 4.5 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ826А | 2SC1101 | npn | 700 | 1 | 120 | 2,5 | 1.5 | КТ9 | ФЗМТ | |
| КТ827А | 2N6284 | npnD | 100 | 20 | >750 | 2 | 4,5 | KT9 | КРЕМНИЙ | ФЗМТ | аА0.336.356ТУ |
| КТ828А | 2SC1413 | npn | 800 | 5 | 4 | 0. 5 |
5 | КТ9 | ЭЛИЗ | |
| КТ829А/А2 | BD649 | npnD | 100 | 8 | 750 | 2 | [4] | KT28/dpak | ИСКРА | КРЕМНИЙ | ЭПЛ | |
| КТ830Г | 2N4236 | pnp | 100 | 2 | 30 | 0.6 | 1 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | |
| КТ831Г | 2N4239 | npn | 100 | 2 | 42 | 0.6 | 2 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | |
| КТ832А | npn | 500 | 0.1 | 50 | 2 | 6 | ||||
| КТ834А | BUX30 | npnD | 500 | 15 | >150 | 2 | 6 | KT9 | КРЕМНИЙ | ФЗМТ | аА0.336.471ТУ |
| КТ835А | 2N6107 | pnp | 30 | 3 | 25 | 0. 35 |
КТ28 | ЭЛЕКТРОНИКА | ||
| КТ836А | pnp | 90 | 3 | 20 | 0.6 | 1 | КТ3 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ837А | 2N6111 | pnp | 80 | 7.5 | 120 | 0.9 | 1 | КТ28 | ЭЛЕКТРОНИКА | КРЕМНИЙ | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ838А | BU208 | npn | 1500 | 5 | 5 | 10 | KT9 | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | КРЕМНИЙ | ||
| КТ839А | BU2520 | npn | 1500 | 10 | 7 | 1.5 | 10 | КТ9 | ФЗМТ | аА0.336.485ТУ |
| КТ840А | BU326А | npn | 400 | 6 | 10 | 1 | 3.5 | КТ9 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ841А | BDX96 | npn | 600 | 10 | 20 | 1. 5 |
1.0 | КТ9 | КРЕМНИЙ | |
| КТ841А1 | npn | 600 | 10 | 10 | 1.5 | 2.0 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ842А | 2SB506A | pnp | 300 | 5 | 20 | 1.8 | 0.8 | КТ9 | КРЕМНИЙ | |
| КТ842А1 | pnp | 300 | 5 | 10 | 1.8 | КТ28 | КРЕМНИЙ | |||
| 2Т844А | UPT732 | npn | 250 | 10 | 10…50 | 2.3 | 2 | KT9 | ФЗМТ | |
| КТ845А | BU126 | npn | 400 | 5 | 100 | 1.5 | 4.0 | КТ9 | ФЗМТ | аА0.336.595ТУ |
| КТ846А | BU209 | npn | 1500 | 5 | 1 | 10 | KT9 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ847А | BUW76 | npn | 360 | 15 | 10 | 1. 5 |
3.0 | KT9 | КРЕМНИЙ | ФЗМТ | аА0.336.576ТУ |
| КТ848А | BUX37 | npn | 400 | 15 | >20 | 1.5 | KT9 | ЭЛИЗ | ||
| КТ850А/А2 | MJD340 | npn | 200 | 2 | 4…200 | 1 | [20] | КТ28/dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ851А/А2 | MJD350 | pnp | 200 | 2 | 40…200 | 1 | [20] | КТ28/dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ852А | TIP117 | pnpD | 100 | 2.5 | 500 | 2,5 | 2,0 | КТ28 | КРЕМНИЙ | |
| КТ853А/A2 | MJD127 | pnpD | 100 | 8 | 750 | 2 | [7] | КТ28/dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ854А | MJE3007 | npn | 500 | 10 | 20 | 2 | 1,2 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ855А | MJE5852 | pnp | 250 | 5 | 20 | 1 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ856А | BUX48A | npn | 400 | 10 | 30 | 1. 5 |
[8] | КТ9 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | аАО.339.383ТУ |
| КТ857А | BU409 | npn | 150 | 7 | >8 | 1 | 2,5 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ858А | BU406 | npn | 200 | 7 | >10 | 1 | 1,2 | КТ28 | КРЕМНИЙ | |
| КТ859А | BUX84 | npn | 400 | 3 | 10 | 1.5 | 3,5 | КТ28 | КРЕМНИЙ | |
| КТ860А | pnp | 90 | 2 | 160 | 0.35 | 0.1 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ861А | npn | 90 | 2 | 100 | 0.35 | 0.1 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ862А | npn | 450 | 15 | 100 | 2 | 1 | КТ57 | ПУЛЬСАР | ||
| КТ863А/А2 | npn | 30 | 10 | 30. ..100 |
0.3 | [4] | KT28/dpak | КРЕМНИЙ | ||
| КТ863БС/1 | npn | 160 | 12 | 200 | 0.55 | to220/to263 | СИТ | |||
| КТ864А | npn | 200 | 10 | 200 | 0.7 | 3 | КТ9 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ865А | pnp | 200 | 10 | 200 | 2 | КТ9 | КРЕМНИЙ | |||
| КТ866А | npn | 160 | 20 | 100 | 1.5 | 0,4 | ПУЛЬСАР | |||
| КТ867А | BUY21 | npn | 200 | 25 | >10 | 1.5 | [25] | КТ9 | ИСКРА | аАО.339.439ТУ |
| КТ868А | BU426A | npn | 400 | 6 | >10 | 1. 5 |
0.6 | КТ43 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ872А | BU508А | npn | 1500 | 8 | >6 | 1 | <1,0 | KT43 | КРЕМНИЙ | |
| КТ873А | npnD | 200 | 8 | 1000 | 1.6 | КТ23 | ||||
| КТ874А | npn | 100 | 30 | 15 | 1 | 0,5 | КТ57 | ПУЛЬСАР | ||
| КТ875А | npn | 90 | 10 | 80 | 0.5 | 0.4 | КТ9 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ876А | pnp | 90 | 10 | 80 | 0.5 | 1.0 | КТ9 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ877А | pnpD | 80 | 10 | >10k | 2 | 0. 7 |
КТ9 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ878А | BUX98 | npn | 400 | 25 | 50 | 1.5 | [10] | КТ9 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | аАО.339.574ТУ |
| КТ879А | 2N6279 | npn | 200 | 50 | >20 | 1.1 | [3] | КТ5 | ИСКРА | аАО.339.609ТУ |
| КТ880А | pnp | 100 | 2 | 250 | 0.35 | 0.5 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ881А | npn | 100 | 2 | 250 | 0.35 | 0.5 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ882А | npn | 350 | 1 | 15 | 1 | 1,4 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ883А | pnp | 300 | 1 | 25 | 1. 8 |
2,8 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ884А | npn | 800 | 2 | 25 | 0.8 | 2 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ885А | npn | 400 | 40 | 12 | 2.5 | 2 | КТ9 | |||
| КТ886А | npn | 1400 | 10 | 6 | 1.0 | 3.5 | КТ9 | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | развертка | |
| КТ886А1 | 2SC3412 | npn | 1400 | 10 | 6 | 1.0 | 3.5 | КТ43 | ЭЛИЗ | |
| КТ887А | pnp | 600 | 2 | >10 | 5.0 | КТ9 | КРЕМНИЙ | |||
| КТ888А | pnp | 800 | 0.1 | 100 | 1.0 | КТ2-7 | КРЕМНИЙ | |||
| КТ889А | npn | 350 | 10 | 1,5 | 0. 3 |
КТ9 | ИСКРА | |||
| КТ890А | BU931ZP | npn | 350 | 20 | <2.0 | КТ43 | ЭЛИЗ | автозажигание | ||
| КТ891А | npn | 250 | 40 | 50 | 0.7 | 1.0 | КТ61А | ПУЛЬСАР | ||
| КТ892А | BUZ931ZD | npnD | 350 | 15 | 300 | 1,8 | 5 | КТ9 | ИСКРА | |
| КТ892А1 | TIP661 | npnD | 350 | 15 | 300 | 1,8 | 5 | КТ43 | ИСКРА | |
| КТ893А | BU826 | npnD | 800 | 6 | 500 | 2.0 | 0.8 | KT43 | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | |
| КТ894А | 2SC3889 | npn | 700 | 8 | 2. 0 |
4.5 | КТ43 | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | ||
| КТ895А | BU508DF | npn | 700 | 8 | 1.0 | 6.5 | КТ43С | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | ||
| КТ896A | BDW64A | pnpD | 90 | 5 | 18k | KT43 | КРЕМНИЙ | |||
| КТ897A | BU937 | npnD | 350 | 20 | 400 | 1.8 | КТ9 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ898А | BU931ZP | npnD | 350 | 20 | 400 | 1.6 | КТ43 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ899А | 2N6388 | npn | 150 | 10 | 1000 | 1.3 | КТ28 | ИСКРА | {=КТ829А} | |
| КТ8101А | BD245 | npn | 200 | 16 | >20 | 2 | КТ43 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ8102А | BD246 | pnp | 200 | 16 | >20 | 2 | КТ43 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ8104А | pnpD | 200 | 20 | 10k | 2. 2 |
КТ9 | КРЕМНИЙ | |||
| КТ8105А | npnD | 200 | 20 | 10k | 2.2 | КТ9 | КРЕМНИЙ | |||
| КТ8106А | BDW65A | npnD | 90 | 20 | 18k | 2,0 | КТ43 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ8107А | BU508 | npn | 700 | 8 | >10 | 1.0 | 0.5 | КТ43 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ8108А | 2SC3750 | npn | 850 | 5 | >10 | 1.0 | 3.2 | КТ28 | ЭЛИЗ | |
| КТ8109А | TIP151 | npn | 350 | 7 | >180 | 1.5 | 1.5 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ8110А | 2SC4242 | npn | 400 | 7 | >15 | 0. 8 |
0.3 | КТ28 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | |
| КТ8111А | npnD | 100 | 20 | >750 | 2.0 | 1.5 | КТ43 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8112А | npn | 400 | 0.5 | >300 | 2 | [10] | КТ27 | КРЕМНИЙ | ИСКРА | ||
| КТ8113А | npn | 1000 | 1 | 100 | 2.5 | 1.5 | КТ43 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8114А | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | |||||||||
| КТ8115А | TIP127 | pnpD | 100 | 8 | >1000 | 2.0 | [4] | КТ28 | ИСКРА | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8116А | TIP122 | npnD | 100 | 8 | >1000 | 2. 0 |
[4] | КТ28 | ИСКРА | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8117А | 2SC3306 | npn | 400 | 10 | 50 | 1.5 | 1.0 | КТ43 | ИСКРА | |
| КТ8118А | 2SC3150 | npn | 800 | 3 | 10 | 2.0 | 0.7 | КТ28 | ИСКРА | |
| КТ8120А | npn | 450 | 8 | 1.0 | 0.5 | |||||
| КТ8121А | MJE13005 | npn | 400 | 4 | 1.0 | 3,5 | КТ28 | ИСКРА | ||
| КТ8121А2 | BU208 | npn | 700 | 8 | 1.0 | 0,5 | КТ9 | ИСКРА | {=КТ838} | |
| КТ8124А | npn | 200 | 7 | 1. 0 |
0.7 | |||||
| КТ8125А | npn | 100 | 6 | 1.5 | 0.3 | |||||
| КТ8126А | MJE13007 | npn | 400 | 8 | >10 | 1.0 | 0.4 | КТ28 | ИСКРА | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8127А | BU508 | npn | 1500 | 5 | 1.0 | 0.7 | КТ43 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8127А1 | BU508A | npn | 1500 | 5 | 1.0 | 0.7 | КТ43 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8129А | npn | 700 | 5 | 5.0 | КТ9 | КРЕМНИЙ | ||||
| КТ8130В | 2N6036 | pnpD | 80 | 4 | 15k | 2.0 | КТ27 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ8131В | 2N6039 | npnD | 80 | 4 | 15k | 2. 0 |
КТ27 | КРЕМНИЙ | ||
| КТ8134Г | pnp | 60 | 3 | КТ27 | ЭЛЕКТРОНИКА | |||||
| КТ8135Г | npn | 60 | 3 | КТ27 | ЭЛЕКТРОНИКА | |||||
| КТ8136А | 2SC4106 | npn | 600 | 10 | 50 | <1,0 | 2.5 | КТ28 | ЭЛИЗ | |
| КТ8136А1 | npn | 600 | 10 | 50 | <1,0 | 2.5 | КТ28 | ЭЛИЗ | +диод | |
| КТ8137А | NJE13003 | npn | 400 | 1.5 | 50 | 1.0 | 0.4 | КТ27 | ИСКРА | |
| КТ8138Г | npn | 400 | 7 | 50 | 0,8 | 0. 5 |
КТ28 | ЭЛЕКТРОНПРИБОР | ||
| КТ8140А1 | BU406D | npn | 400 | 7 | >10 | <1,0 | КТ28 | ЭЛИЗ | ||
| 2Т8143х | ТК235-40 | npn | 240 | 50 | 15 | 0,8 | КТ9М | КТ5 | ИСКРА | АЕЯР.432140.137ТУ | |
| 2Т8144В|В1 | BUX98 | npn | 450 | 25 | КТ9 | КТ9М | ИСКРА | АЕЯР.432140.261ТУ | |||
| КТ8145А | npn | 400 | 12 | 1.0 | 0.9 | |||||
| КТ8146А | BUX48 | npn | 450 | 15 | 1,5 | 2,5 | КТ9 | ИСКРА | {=КТ856} | |
| КТ8149А | MJ2955 | pnp | 60 | 15 | 120 | 1. 1 |
[4] | КТ9 | ИСКРА | |
| КТ8150А | 2N3055 | npn | 60 | 15 | 120 | 1.1 | [4] | КТ9 | ИСКРА | |
| КТ8154А | npn | 450 | 30 | 1,5 | 2,5 | КТ9 | ИСКРА | |||
| КТ8155А | BUX348 | npn | 450 | 50 | 1,5 | 2,5 | КТ9М | ИСКРА | ||
| КТ8156Б | BU807 | npnD | 200 | 8 | 100 | 1.5 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ8157А | 2SC3688 | npn | 800 | 15 | 8 | 1.5 | 3,0 | КТ9 | ИСКРА | |
| КТ8158B | BDV65C | npnD | 100 | 12 | >1000 | 2. 0 |
КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ8159B | BDV64C | pnpD | 100 | 12 | >1000 | 2.0 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ8164А | MJE13005 | npn | 600 | 4 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||||
| КТ8170А1 | MJE31003 | npn | 400 | 1.5 | 40 | 1.0 | [0.004] | КТ27 | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8174А | npnD | 500 | 40 | 2,5 | 4,0 | КТ9М | ИСКРА | {=2ТКД155-40} | ||
| КТ8175А | MJE13003 | npn | 700 | 1.5 | 40 | 0.4 | КТ27 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8176B | TIP31C | npn | 100 | 3. 0 |
25 | 1.2 | [0.003] | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8177B | TIP32C | pnp | 100 | 3.0 | 25 | 1.2 | [0.003] | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8181А | MJE13005 | npn | 700 | 4 | 50 | 0.4 | КТ28 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8182А | MJE13007 | npn | 700 | 8 | 50 | 0.15 | КТ28 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8183А | 2SD900B | npn | 1500 | 5 | 3 | 0.3 | КТ9 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8183А1 | 2SD1911 | npn | 1500 | 5 | 3 | 0.3 | КТ43 | ЭЛИЗ | ||
| КТ8190Г | ESM3003 | npn | 300 | 100 | 10 | 1,5 | 2,5 | КТ9М | ИСКРА | |
| КТ8191А | SK200DA060D | npnD | 600 | 200 | модуль | ИСКРА | ||||
| КТ8192А | BUh2215 | npn | 700 | 30 | 10 | 1,5 | 3,0 | isotop | ИСКРА | |
| КТ8199А | D45h3A | pnp | 30 | 10 | 85 | КТ28 | МИКРОН | |||
| КТ8201А | MJE13001 | npn | 400 | 0. 6 |
40 | 0.3 | КТ27 | МИКРОН | ||
| КТ8203А | MJE13003 | npn | 400 | 1.5 | 25 | 0.7 | КТ27 | МИКРОН | ||
| КТ8205А | MJE13005 | npn | 400 | 4 | 40 | 0.9 | КТ28 | МИКРОН | ||
| КТ8207А | MJE13007 | npn | 400 | 8 | 30 | 0.7 | КТ28 | МИКРОН | ||
| КТ8209А | MJE13009 | npn | 400 | 12 | 30 | КТ28 | МИКРОН | |||
| КТ8210А | SK100DB060D | npnD | 600 | 100 | модуль | ИСКРА | ||||
| КТ8212А | TIP41C | npn | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8213А | TIP42C | pnp | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8214А | TIP110 | npn | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8215А | TIP115 | npn | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8216Г1 | MJD31C | npn | 100 | 10 | 12. ..275 |
1,5 | [3] | dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ8217Г1 | MJD32C | pnp | 100 | 10 | 12…275 | 1,5 | [3] | dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ8218Г1 | MJD112 | npnD | 100 | 4 | 100…15k | 3 | [25] | dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ8219Г1 | MJD117 | pnpD | 100 | 4 | 100…15k | 3 | [25] | dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ8221А | ESM7007 | npn | 700 | 200 | модуль | ИСКРА | ||||
| КТ8223А | SK1500A100D | npn | 800 | 150 | модуль | ИСКРА | ||||
| КТ8224А | BU2508A | npn | 700 | 8 | 5 | 1 | 6 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | |
| КТ8224Б | BU2508D | npn | 700 | 8 | 5 | 1 | 6 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | с обратным диодом |
| КТ8225А | BU941ZP | npn | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8228А | BU2525А | npn | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8229А | TIP35F | npn | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8230А | TIP36F | pnp | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8232А1 | BU941 | npn | 350 | 20 | >300 | 1,8 | [10] | КТ43 | ВЗПП-С | Darl | АДБК. 432140.837ТУ |
| КТ8247А | BUL45D2 | npn | 400 | 5,0 | >22 | 0.5 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | с антинасыщающим элементом | |
| КТ8248А | BU2506F | npn | 700 | 5.0 | 9 | 3.0 | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ8251А | BDV65F | npn | КТ43 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8Д.252А | BU941 | npnD | 350 | 15 | 2k | 1.8 | to218 | to220 | to263 | ЭПЛ | зажигание | |
| КТ8254А | КТ506А | npn | 400 | 2 | 30 | 0,6 | [10] | dpak | КРЕМНИЙ | |
| КТ8255А | BU407C | npn | 160 | 7.0 | >15 | 1. 0 |
КТ28 | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ8Д.257В | КТ829 | npnD | 100 | 15 | 850 | 1.8 | to220 | to263 | ЭПЛ | зажигание | |
| КТ8258А | MJE13005 | npn | 400 | 4 | 60 | 0.8 | to220 | to263 | ЭПЛ | зажигание | |
| КТ8259А | MJE13007 | npn | 400 | 8 | 60 | 1.2 | to220 | to263 | ЭПЛ | зажигание | |
| КТ8260А | MJE13009 | npn | 400 | 12 | 60 | 1.2 | to220 | to263 | ЭПЛ | зажигание | |
| КТ8261А | BUD44D2 | npn | 400 | 2.0 | >10 | 0.65 | КТ27 | ТРАНЗИСТОР | с антинасыщающим элементом | |
КТ8Д. 262А |
КТ8133 | npnD | 300 | 300 | 1.8 | to218 | ЭПЛ | зажигание | ||
| 2Т8266А | ESM3001 | npn | 200 | 300 | 10 | 2,0 | 1,0 | модуль | ИСКРА | |
| КТ8270А | MJE13001 | npn | 400 | 5.0 | 90 | 0.5 | КТ27 | ТРАНЗИСТОР | ||
| КТ8271А | BD136 | pnp | КТ27 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8272А | BD135 | npn | КТ27 | ТРАНЗИСТОР | ||||||
| КТ8277А | BUh2215 | npn | 700 | 16 | 1,2 | 0,2 | КТ9М | ИСКРА | ||
| КТ8290А | BUh200 | npn | 400 | 10. 0 |
>10 | 1.0 | КТ28 | ТРАНЗИСТОР | Р 9/06 | |
| КТ8292А | BUX348 | npn | 450 | 60 | 0,9 | 2,5 | КТ9М | ИСКРА | ||
| КТ8295АС | npn | 850 | 4.0 | 1.2 | 1,0 | КТ19A-3 | ФЗМТ | Р9/06 сборка | ||
| 2Т8308А9|А91 | BCP56 | npn | 80 | 1 | 63…250 | 0,5 | КТ99-1 | КТ47 | КРЕМНИЙ | ||
| 2Т8309А9|А91 | BCP53 | pnp | 80 | 1 | 100…250 | 0,5 | КТ99-1 | КТ47 | КРЕМНИЙ | ||
| 2Т8310А9|А91 | FZT658 | npn | 400 | 0,5 | >40 | 0,5 | КТ99-1 | КТ47 | КРЕМНИЙ | ||
- Пояснения:
- Буквенный суффикс соответствует максимальному напряжению коллектора.
- Буква “D” в типе означает составной транзистор (Дарлингтон)
КТ834А Высоковольтные n-p-n составные (Дарлингтон) мощные транзисторы (торги завершены #123690051)
Загрузка …
Все с рубля!-
- Основной раздел
- Как работает аукцион
- Зачем регистрироваться?
- Как покупать?
- Как продавать?
- Частые вопросы
- Корзина
- Продать
- Регистрация
-
Недавние 1
- Лоты 1
- Разделы
- Поиски
-
Избранные
- Лоты
- Разделы
- Поиски
-
- Недавние 1
- Лоты 1
- Разделы
- Поиски
- Избранные
- Лоты
- Разделы
- Поиски
- Главная страница
- Избранные лоты
- Торгуюсь сейчас
- Я купил
- Не купил
- Подписка на новые лоты
- Запросы лотов у продавцов
- Предложения продавцов
-
Продаю
- Продать
- В продаже
- Сделки
- Завершенные торги
- Пополнить счет
- Спрос
- Настройки продавца
- Мой магазин [подробнее]
- Активация
- Настройка
-
- Покупаю
- Избранные лоты
- Торгуюсь сейчас
- Я купил
- Подписка на новые лоты
- Запросы лотов у продавцов
- Предложения продавцов
- Продаю
- Продать
- В продаже
- Сделки
- Завершенные торги
- Пополнить счет
- Спрос
- Настройки продавца
“>
Покупаю
| |||
|
Все фото на одной странице |
|
|||
зависит от ТК.транзистор транзисторы кт834а Дарлингтон
Все права защищены 1999 – 2021 года.
Мешок
Mon, 03 Oct 2022 22:02:50 +0300
E13009l транзистор параметры
ДИЛЬШОД , это фото мне напомнило изречение одного бойца, который прислал маме фотку со службы и написал на ней -” Мама, крайний справа в потивогазе это я”. Давай уж сфоткай внутренности со своего БП. Касаемо диодов. Твоим методом можно определить где катод, а где анод. Опытный Мастер может еще определить какой он структуры и т.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- E13009L TO-3P транзистор силы switch-yyd
- ESR Mega328 LCR-T4 тестер конденсаторов, дросселей, транзисторов
- 10Pcs Power Transistor E13009l J13009 Npn Develope Diy Ic New N
- Транзистор биполярный E13009L; NPN; 700V 12A
- E13009L к-247 новые-выключатель питания трубки оригинал-WDLD2
- 10 шт. MAX5980G 5980 г QFN-32
- Транзистор КТ834А
- 10 шт. транзистор KSE13009L E13009L 13009 TO-247 12A/700 V NPN новый оригинальный
- 1 шт.
- Транзистор KSE13009Lh3
Мощность транзистор KSE13009L E13009L 13009—AGUHAJSUПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Урок №19. NPN и PNP биполярные транзисторы
E13009L TO-3P транзистор силы switch-yyd
Войти через. Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Другое электронные компоненты каталог. Электронных компонентов. Интегральная схема. Другое электроники. Если вам нужно больше или больше товаров, пожалуйста, свяжитесь с нами.
Посмотреть все отзывы. Шли около 1. В работе пока не проверял, думаю не подведут. Защита Покупателя. Помощь Служба поддержки Споры и жалобы Сообщить о нарушении авторских прав. Экономьте больше в приложении! Корзина 0. Мои желания.
Войти Войти через. Все категории.
Защита Покупателя Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Обзор axxxn RU. Заказ получил без повреждений. Проверил, все рабочие. Покупаю здесь часто. Серьезных нареканий на данный тип транзисторов этого продавца у меня нет.
Транзисторы не оригинал, поэтому вряд ли выдержат заявленные параметры не проверял , но в “щадящем” режиме и при близких к заявленным работают довольно хорошо. До Нижегородской области дошли быстро 13 дней. Показать еще. Vxxxv RU. Заказ я получила все хорошо я доволен. Спасибо продавцу за оперативность качество и надежность успехов в работе с клиентами и партнерами по бизнесу в городе.
Ordering I received everything okay I am happy. Thank you seller for the promptness, quality and reliability of our successes working with clients and business partners in the city. Sxxxv RU. Заказ получил через 18 дней. Это даже быстрее обещанного. Упаковано нормально, ничего не погнуто и не повреждено.
Выборочная проверка тестером показала только соответствие цоколевки и исправность переходов.
Проверить в штатном режиме высоком напряжении и мощности пока не могу, но не думаю, что должны быть проблемы. Покупкой доволен. Yxxxv RU. После проверки в блоке отзыв дополню. Очень хороший магазин с нормальными человеческими ценами, рекомендую 11 Mar Kxxxv RU. Доехало быстро если только не одно но 1,5 месяца пролежало в моем отделении ПР, они его просто не завели в компьютер при получении с сортировки, написал на розыск, позванили на следующий день мы нашли приходите забирайте, кино и немцы короче.
Продавцу спасибо за оперативность и отзывчивость. Rxxxt RU. Доствка до Северодвинска 22 дня. Трек номер отслеживался на всём пути. Упаковка нормальная. Девайс рабочий. Буду заказывать ещё у этого продавца. Dostvki to Severodvinsk 22 days.
The track number is tracked all the way. Packing normal. The device is working. I will be ordering more from this seller. Axxxv RU. Два транзистора установил в блок питания на ват работают, за такую цену вообще замечательно у нас это стоимость одного транзистора.
Заказ 5. Смотреть описание. Пришло быстро. Оптовая торговля в Интернет : el mje j 2 din b smd 81 мм 3dd Популярные товары по запросу “”: el mje transistor 20n60c3 3dd transistor Большая скидка на : j mje transistor 8. Google Play App Store. Все права защищены.
ESR Mega328 LCR-T4 тестер конденсаторов, дросселей, транзисторов
Новые книги Шпионские штучки: Новое и лучшее схем для радиолюбителей: Шпионские штучки и не только 2-е издание Arduino для изобретателей. Обучение электронике на 10 занимательных проектах Конструируем роботов. Руководство для начинающих Компьютер в лаборатории радиолюбителя Радиоконструктор 3 и 4 Шпионские штучки и защита от них. Сборник 19 книг Занимательная электроника и электротехника для начинающих и не только Arduino для начинающих: самый простой пошаговый самоучитель Радиоконструктор 1
To-3p Транзистор Мощности Npn El E l , Find E l ,El,Транзистор El, Транзистор from.
10Pcs Power Transistor E13009l J13009 Npn Develope Diy Ic New N
Отправим ваш заказ в любой город Украины почтовыми службами: – Новая Почта – Укрпочта Отправка в день заказа.
Регистрация Забыли пароль? О нас Информация о доставке Отзывы. Личный кабинет Регистрация Авторизация. Закладки 0. Сравнение товаров 0. Доставка и оплата. Банковский перевод Возможность оплаты на карту ПриватБанка. Гарантия и возврат – Гарантия до 12 мес. Доставка Отправим ваш заказ в любой город Украины почтовыми службами: – Новая Почта – Укрпочта Отправка в день заказа.
Транзистор биполярный E13009L; NPN; 700V 12A
Импульсный блок питания в качестве источника напряжения для современных импортных трансиверов. Современные транковые системы, профессиональные радиостанции и импортные радиолюбительские трансиверы с выходной мощностью W традиционно требуют источник питания ИБП напряжением Надежность ИБП должна быть эквивалентна стоимости оборудования, то есть весьма высока. Радиолюбители зачастую в целях экономии средств используют дешевые источники компенсационного типа или самодельные импульсные, имеющие серьезные недостатки весьма опасные для “здоровья” трансиверов.
Вопросы, которые задают большинство наших партнеров Q1.
E13009L к-247 новые-выключатель питания трубки оригинал-WDLD2
Добро пожаловать в наш магазин Вы можете напрямую оплатить заказ! У нас много товаров в магазине , и, что более важно, вы получите высокое качество, самую низкую цену и быструю доставку. Я жду вас! Если у вас есть какие-либо потребности, вы можете связаться со мной, я все еще не опубликовал в Интернете, потому что большинство из них. Доставка и оплата : 1. Мы принимаем кредитную карту Escrow и так.
10 шт. MAX5980G 5980 г QFN-32
Добрый день! Помогите найти аналог NPN транзистора, для замены в БП компьютера, полетели сразу оба, на али продают только партиями, может есть аналоги? Мы принимаем формат Sprint-Layout 6! Экспорт в Gerber из Sprint-Layout 6. В принципе, можно подбирать по параметрам, не обязательно именно , те что в корпусе TO я успешно заменял и на кт, – смотрите даташиты, как говорится. Конденсаторы Panasonic.
stprct – не Шоттки. Быстрый 2х5А eL – вообще не диоды, а транзистор Основные параметры.
Кол-во диодов 2. VRRM,В
Транзистор КТ834А
Эта заявка не накладывает на Вас никаких обязательств. Ожидайте предложения от поставщика. Понравился наш сервис? Возвращайтесь к нам снова!
10 шт. транзистор KSE13009L E13009L 13009 TO-247 12A/700 V NPN новый оригинальный
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 📕#12.2 Биполярные транзисторы. Схемы включения, режимы работы + параметры.
Новости: 9. Юмор: Гаишники такие же блюстители порядка на дорогах, как волки – санитары леса. Основные параметры транзистора KSEF биполярного низкочастотного npn. Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора KSEF. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Войти через.
1 шт. Мощность транзистор KSE13009L E13009L 13009—AGUHAJSU
О насМы обещаем : 1 : производство только лучшие потребительских товаров и обеспечения максимально возможного качества. Ваш заказ адрес должен совпадать с адресом доставки. Мы отследим отправку и свяжемся с вами как можно скорее. Наша цель — удовлетворение клиентов! Наши преимущества1 : Мы все собственных акций, с достаточный запас2 : качество продукта достигли серии сертификации3 : Мы поддерживаем различные транспорт, Гонконге и китайские почтовые пакеты, EMS. DHL федерального. Я твердо веримМы будет вашим лучшим партнером Обратная связьВаше удовлетворение и положительные отзывы очень важны для нас, пожалуйста, оставьте положительный и 5 звезд, если вы удовлетворяется с наших товаров и услуг.
Транзистор KSE13009Lh3
Войти через. Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Если вы покупаете больше количества, пожалуйста, свяжитесь с нами. Все товары для продажи в наличии, мы можем отправить вам в течение рабочих дней.
Параметры отечественных биполярных транзисторов 7 (КТ818-КТ837)
Параметры отечественных биполярных транзисторов
Назад.
|
Тип транзистора |
Струк- тура |
UKБО (и) В |
UКЭR [гр] (и) В |
IK max (и) А |
PK max [т] Вт |
h31Э [Pвых], Вт |
IKБО [КЭО] мкА |
fгр. МГц |
UKЭН, В [KУР], дБ |
CK, пФ |
tсп, мкс [τк] пс |
№ рис. |
|
КТ818А |
p-n-p |
40 |
40 [25] |
10 (15) |
1,5 [60] |
15÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ818Б |
p-n-p |
50 |
50 [40] |
10 (15) |
1,5 [60] |
20÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ818В |
p-n-p |
70 |
70 [60] |
10 (15) |
1,5 [60] |
15÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ818Г |
p-n-p |
90 |
90 [80] |
10 (15) |
1,5 [60] |
12÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ818АМ |
p-n-p |
40 |
40 |
15 (20) |
2 [100] |
15÷250 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ818БМ |
p-n-p |
50 |
50 |
15 (20) |
2 [100] |
20÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ818ВМ |
p-n-p |
70 |
70 |
15 (20) |
2 [100] |
15÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ818ГМ |
p-n-p |
90 |
90 |
15 (20) |
2 [100] |
12÷225 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
2Т818А |
p-n-p |
100 |
100 |
15 (20) |
3 [100] |
20÷200 |
<1мА |
≥3 |
<1 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
2Т818Б |
p-n-p |
80 |
80 |
15 (20) |
3 [100] |
20÷225 |
<1мА |
≥3 |
<1 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
2Т818В |
p-n-p |
60 |
60 |
15 (20) |
3 [100] |
20÷225 |
<1мА |
≥3 |
<1 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ8181А |
n-p-n |
700 |
[400] |
4 (8) |
[50] |
10÷60 |
<1мА |
≥4 |
<1 |
<65 |
<400 |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8181Б |
n-p-n |
600 |
[300] |
4 (8) |
[50] |
8÷60 |
<1мА |
≥4 |
<1 |
<65 |
<400 |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8182А |
n-p-n |
700 |
[400] |
8 (16) |
[50] |
8÷60 |
<1мА |
≥4 |
<1,5 |
<110 |
<150 |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8182Б |
n-p-n |
600 |
[300] |
8 (16) |
[50] |
5÷30 |
<1мА |
≥4 |
<1,5 |
<110 |
<150 |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8183А |
n-p-n |
1500 |
[700] |
5 (8) |
[100] |
≥3,5 |
0,5мА |
– |
– |
– |
<300 |
Т10а |
|
КТ8183Б |
n-p-n |
1300 |
[600] |
5 (8) |
[100] |
≥5 |
0,5мА |
– |
– |
– |
<300 |
Т10а |
|
КТ8183А1 |
n-p-n |
1500 |
[700] |
5 (8) |
[100] |
≥3,5 |
0,5мА |
– |
– |
– |
<300 |
Т28а (БКЭ) |
|
КТ8183Б1 |
n-p-n |
1300 |
[600] |
5 (8) |
[100] |
≥5 |
0,5мА |
– |
– |
– |
<300 |
Т28а (БКЭ) |
|
КТ819А |
n-p-n |
40 |
40 |
10 (15) |
1,5 [60] |
15÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ819Б |
n-p-n |
50 |
50 |
10 (15) |
1,5 [60] |
20÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ819В |
n-p-n |
70 |
70 |
10 (15) |
1,5 [60] |
15÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ819Г |
n-p-n |
100 |
100 |
10 (15) |
1,5 [60] |
12÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ819АМ |
n-p-n |
40 |
40 |
15 (20) |
2 [100] |
15÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ819БМ |
n-p-n |
50 |
50 |
15 (20) |
2 [100] |
20÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ919ВМ |
n-p-n |
70 |
70 |
15 (20) |
2 [100] |
15÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ819ГМ |
n-p-n |
100 |
100 |
15 (20) |
2 [100] |
12÷275 |
<1мА |
≥3 |
<2 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
2Т819А |
n-p-n |
100 |
100 |
15 (20) |
3 [100] |
20÷200 |
<1мА |
≥3 |
<1 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
2Т819Б |
n-p-n |
80 |
80 |
15 (20) |
3 [100] |
20÷200 |
<1мА |
≥3 |
<1 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
2Т819В |
n-p-n |
60 |
60 |
15 (20) |
3 [100] |
20÷200 |
<1мА |
≥3 |
<1 |
<1000 |
(<1,2) |
Т10а |
|
КТ8196А* |
n-p-n |
– |
350 |
10 |
[100] |
≥400 |
– |
≥30 |
<1,8 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8196Б* |
n-p-n |
– |
300 |
10 |
[100] |
≥400 |
– |
≥30 |
<1,8 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8196В* |
n-p-n |
– |
250 |
10 |
[100] |
≥400 |
– |
≥30 |
<1,8 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8212А |
n-p-n |
100 |
100 |
6 |
[65] |
15÷75 |
[<400] |
≥3 |
<1,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8212Б |
n-p-n |
80 |
80 |
6 |
[65] |
15÷75 |
[<400] |
≥3 |
<1,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8212В |
n-p-n |
60 |
60 |
6 |
[65] |
15÷75 |
[<400] |
≥3 |
<1,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8213А |
p-n-p |
100 |
100 |
6 |
[65] |
15÷75 |
[<400] |
≥3 |
<1,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8213Б |
p-n-p |
80 |
80 |
6 |
[65] |
15÷75 |
[<400] |
≥3 |
<1,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8213В |
p-n-p |
60 |
60 |
6 |
[65] |
15÷75 |
[<400] |
≥3 |
<1,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8214А* |
n-p-n |
60 |
60 |
2 |
[65] |
≥500 |
<1 мА |
– |
<2,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8214Б* |
n-p-n |
80 |
80 |
2 |
[65] |
≥500 |
<1 мА |
– |
<2,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8214В* |
n-p-n |
100 |
100 |
2 |
[65] |
≥500 |
<1 мА |
– |
<2,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8215А* |
p-n-p |
60 |
60 |
2 |
[65] |
≥500 |
<1 мА |
– |
<2,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8215Б* |
p-n-p |
80 |
80 |
2 |
[65] |
≥500 |
<1 мА |
– |
<2,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8215В* |
p-n-p |
100 |
100 |
2 |
[65] |
≥500 |
<1 мА |
– |
<2,5 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8224А |
n-p-n |
(1500) |
[700] |
7,5 |
[100] |
4÷7 |
<1мА |
– |
<1 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ8224Б** |
n-p-n |
(1500) |
[700] |
8 |
[100] |
6÷35 |
<180 |
– |
<1,5 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ8225А |
n-p-n |
350 |
350 |
15 |
[155] |
≥300 |
<100 |
– |
<2,7 |
– |
– |
Т25 (БКЭ) |
|
КТ8228А |
n-p-n |
(1500) |
[800] |
12 |
[125] |
5÷9,5 |
<1 мА |
– |
<5 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ8228Б** |
n-p-n |
(1500) |
[800] |
12 |
[125] |
5÷9,5 |
<150 |
– |
<5 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ8229А |
n-p-n |
180 |
180 |
25 |
[125] |
15÷75 |
<1 мА |
≥3 |
<1,8 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ8230А |
p-n-p |
180 |
180 |
25 |
[125] |
15÷75 |
<1 мА |
≥3 |
<1,8 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ8231А* |
n-p-n |
– |
350÷500 |
15 |
[180] |
≥300 |
– |
– |
<1,8 |
– |
– |
Т10а |
|
КТ8231А1* |
n-p-n |
– |
350÷500 |
15 |
[155] |
≥300 |
– |
– |
<1,8 |
– |
– |
Т25 (БКЭ) |
|
КТ8231А2* |
n-p-n |
– |
350÷500 |
15 |
[65] |
≥300 |
– |
– |
<1,8 |
– |
– |
Т27 (БКЭ) |
|
КТ8232А1* |
n-p-n |
– |
350÷500 |
20 |
[125] |
≥300 |
[<100] |
≥10 |
<1,8 |
– |
– |
Т28а (БКЭ) |
|
КТ8232Б1* |
n-p-n |
– |
300÷400 |
20 |
[125] |
≥300 |
[<100] |
≥10 |
<1,8 |
– |
– |
Т28а (БКЭ) |
|
КТ8246А* |
n-p-n |
– |
[100] |
15 |
3 [125] |
≥1000 |
[<200] |
≥10 |
<0,95 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8246Б* |
n-p-n |
– |
[120] |
15 |
3 [125] |
1000÷9000 |
[<200] |
≥10 |
<1 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8246В* |
n-p-n |
– |
[160] |
15 |
3 [125] |
≥1000 |
[<200] |
≥10 |
<1,2 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8246Г* |
n-p-n |
– |
[300] |
15 |
3 [125] |
≥750 |
[<10] |
≥10 |
<1,3 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8247А |
n-p-n |
700 |
400 |
5 |
[75] |
≥22 |
<100 |
– |
<1 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8248А |
n-p-n |
(1500) |
[700] |
5 |
[90] |
3,8÷9 |
<1мА |
– |
<3 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
2Т825А* |
p-n-p |
100 |
100 |
20 (40) |
3 [125] |
500÷18000 |
[<1мА] |
≥4 |
<2 |
<600 |
– |
Т10а |
|
2Т825Б* |
p-n-p |
80 |
80 |
20 (40) |
3 [125] |
750÷18000 |
[<1мА] |
≥4 |
<2 |
<600 |
– |
Т10а |
|
2Т825В* |
p-n-p |
60 |
60 |
20 (40) |
3 [125] |
750÷18000 |
[<1мА] |
≥4 |
<2 |
<600 |
– |
Т10а |
|
КТ825Г* |
p-n-p |
90 |
90 |
20 (30) |
3 [125] |
750÷18000 |
[<1мА] |
≥4 |
<2 |
<600 |
– |
Т10а |
|
КТ825Д* |
p-n-p |
60 |
60 |
20 (30) |
3 [125] |
750÷18000 |
[<1мА] |
≥4 |
<2 |
<600 |
– |
Т10а |
|
КТ825Е* |
p-n-p |
30 |
30 |
20 (30) |
3 [125] |
750÷18000 |
[<1мА] |
≥4 |
<2 |
<600 |
– |
Т10а |
|
КТ8250А |
n-p-n |
– |
30 |
15 |
[50] |
≥100 |
[<100] |
≥10 |
<0,4 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8250Б |
n-p-n |
– |
40 |
15 |
[50] |
≥100 |
[<100] |
≥10 |
<0,55 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8250В |
n-p-n |
– |
60 |
15 |
[50] |
≥100 |
[<100] |
≥10 |
<0,7 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8250Г |
n-p-n |
– |
80 |
15 |
[50] |
≥100 |
[<100] |
≥10 |
<0,8 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8250Д |
n-p-n |
– |
100 |
15 |
[50] |
≥100 |
[<100] |
≥10 |
<0,9 |
– |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ8251А* |
n-p-n |
180 |
180 |
10 (20) |
[125] |
≥1000 |
<400 |
– |
<2 |
– |
– |
Т26а (БКЭ) |
|
КТ826А |
n-p-n |
700 |
[500] |
1 (1) |
[15] |
10÷120 |
[<2мА] |
≥6 |
<2,5 |
<25 |
<1500 |
Т10а |
|
КТ826Б |
n-p-n |
1000 |
[600] |
1 (1) |
[15] |
10÷120 |
[<2мА] |
≥6 |
<2,5 |
<25 |
<700 |
Т10а |
|
КТ826В |
n-p-n |
700 |
[500] |
1 (1) |
[15] |
10÷120 |
[<2мА] |
≥6 |
<2,5 |
<25 |
<1500 |
Т10а |
|
КТ827А* |
n-p-n |
100 |
100 |
20 (40) |
[125] |
500÷18000 |
[<3мА] |
≥4 |
<2 |
<400 |
(<4,5) |
Т10а |
|
КТ827Б* |
n-p-n |
80 |
80 |
20 (40) |
[125] |
750÷18000 |
[<3мА] |
≥4 |
<2 |
<400 |
(<4,5) |
Т10а |
|
КТ827В* |
n-p-n |
60 |
60 |
20 (40) |
[125] |
750÷18000 |
[<3мА] |
≥4 |
<2 |
<400 |
(<4,5) |
Т10а |
|
КТ828А |
n-p-n |
(1400) |
[700] |
5 (7,5) |
[50] |
≥2,25 |
<5мА |
≥4 |
<3 |
– |
<1200 |
Т10а |
|
КТ828Б |
n-p-n |
(1200) |
[600] |
5 (7,5) |
[50] |
≥2,25 |
<5мА |
≥4 |
<3 |
– |
<1200 |
Т10а |
|
КТ829АТ* |
n-p-n |
120 |
[120] |
8 (12) |
[60] |
≥1000 |
<0,2мА |
≥4 |
<3 |
<120 |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ829А* |
n-p-n |
100 |
[100] |
8 (12) |
[60] |
≥750 |
<0,2мА |
≥4 |
<2 |
<120 |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ829Б* |
n-p-n |
80 |
[80] |
8 (12) |
[60] |
≥750 |
<0,2мА |
≥4 |
<2 |
<120 |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ829В* |
n-p-n |
60 |
[60] |
8 (12) |
[60] |
≥750 |
<0,2мА |
≥4 |
<2 |
<120 |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ829Г* |
n-p-n |
45 |
[45] |
8 (12) |
[60] |
≥750 |
<0,2мА |
≥4 |
<2 |
<120 |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ829Д* |
n-p-n |
200 |
[140] |
8 (12) |
[60] |
≥750 |
<0,2мА |
≥4 |
<2 |
<120 |
– |
Т23а (БКЭ) |
|
КТ830А |
p-n-p |
35 |
30 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷55 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ830Б |
p-n-p |
60 |
60 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷55 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ830В |
p-n-p |
80 |
80 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷55 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ830Г |
p-n-p |
100 |
100 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷50 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ831А |
n-p-n |
35 |
30 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷55 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ831Б |
n-p-n |
60 |
60 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷55 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ831В |
n-p-n |
80 |
80 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷55 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ831Г |
n-p-n |
100 |
100 |
2 (4) |
1 [5] |
20÷50 |
<0,1 |
≥4 |
<0,8 |
<150 |
(<1) |
Т5 |
|
КТ834А |
n-p-n |
500 |
500 |
15 (20) |
[100] |
≥150 |
[<3мА] |
≥4 |
<2 |
– |
<1200 |
Т10а |
|
КТ834Б |
n-p-n |
450 |
450 |
15 (20) |
[100] |
≥150 |
[<3мА] |
≥4 |
<2 |
– |
<1200 |
Т10а |
|
КТ834В |
n-p-n |
400 |
400 |
15 (20) |
[100] |
≥150 |
[<3мА] |
≥4 |
<2 |
– |
<1200 |
Т10а |
|
КТ835А |
p-n-p |
30 |
30 |
3 |
[25] |
≥25 |
<100 |
≥1 |
<0,35 |
<800 |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ835Б |
p-n-p |
45 |
45 |
7,5 |
[25] |
10÷100 |
<150 |
≥1 |
<0,25 |
<800 |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
2Т836А |
p-n-p |
90 |
90 |
3 (4) |
0,7 [5] |
20 ÷ 100 |
<0,1 |
≥4 |
<0,6 |
<370 |
<600 |
Т6 |
|
2Т836Б |
p-n-p |
85 |
85 |
3 (4) |
0,7 [5] |
20 ÷ 100 |
<0,1 |
≥4 |
<0,35 |
<370 |
<600 |
Т6 |
|
2Т836В |
p-n-p |
60 |
60 |
3 (4) |
0,7 [5] |
20 ÷ 100 |
<0,1 |
≥4 |
<0,45 |
<370 |
<600 |
Т6 |
|
КТ837А |
p-n-p |
80 |
60 |
7,5 |
1 [30] |
10÷40 |
<150 |
≥5 |
<2,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Б |
p-n-p |
80 |
60 |
7,5 |
1 [30] |
20÷80 |
<150 |
≥5 |
<2,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837В |
p-n-p |
80 |
60 |
7,5 |
1 [30] |
50÷150 |
<150 |
≥5 |
<2,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Г |
p-n-p |
60 |
45 |
7,5 |
1 [30] |
10÷40 |
<150 |
≥5 |
<0,9 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Д |
p-n-p |
60 |
45 |
7,5 |
1 [30] |
20÷80 |
<150 |
≥5 |
<0,9 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Е |
p-n-p |
60 |
45 |
7,5 |
1 [30] |
50÷150 |
<150 |
≥5 |
<0,9 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Ж |
p-n-p |
45 |
30 |
7,5 |
1 [30] |
10÷40 |
<150 |
≥5 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837И |
p-n-p |
45 |
30 |
7,5 |
1 [30] |
20÷80 |
<150 |
≥5 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837К |
p-n-p |
45 |
30 |
7,5 |
1 [30] |
50÷150 |
<150 |
≥5 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Л |
p-n-p |
80 |
60 |
7,5 |
1 [30] |
10÷40 |
<150 |
≥5 |
<2,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837М |
p-n-p |
80 |
60 |
7,5 |
1 [30] |
20÷80 |
<150 |
≥5 |
<2,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Н |
p-n-p |
80 |
60 |
7,5 |
1 [30] |
50÷150 |
<150 |
≥5 |
<2,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837П |
p-n-p |
60 |
45 |
7,5 |
1 [30] |
10÷40 |
<150 |
≥5 |
<0,9 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Р |
p-n-p |
60 |
45 |
7,5 |
1 [30] |
20÷80 |
<150 |
≥5 |
<0,9 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837С |
p-n-p |
60 |
45 |
7,5 |
1 [30] |
50÷150 |
<150 |
≥5 |
<0,9 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Т |
p-n-p |
45 |
30 |
7,5 |
1 [30] |
10÷40 |
<150 |
≥5 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837У |
p-n-p |
45 |
30 |
7,5 |
1 [30] |
20÷80 |
<150 |
≥5 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Ф |
p-n-p |
45 |
30 |
7,5 |
1 [30] |
50÷150 |
<150 |
≥5 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
|
КТ837Х |
p-n-p |
80 |
70 |
7,5 |
1 [30] |
15÷120 |
<150 |
≥1 |
<0,5 |
– |
– |
Т23б (ЭКБ) |
Назад.
Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.
|
Наименование составных транзисторов выделено цветом.
Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из
справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)
|
Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. 
Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.Справочник по отечественным мощным транзисторам. Полевые транзисторы. Справочник. Маломощные транзисторы. Справочник. Транзисторы средней мощности. Справочник. Отечественные smd транзисторы. Справочник. Главная страница. | ||||||
|
|||||||
| Показать только:
40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В 800В 900В 1500В 2000В ВСЕ |
|||||||
|
|
|
||||||
Отечеств. |
Корпус | Тип | Imax, A | Импортный | Корпус | ||
| Внешний вид корпусов ТО: | |||||||
| Транзисторы на напряжение до 40В: | |||||||
| КТ668 (А-В) | ТО-92 | pnp | 0.1 |
BC557
BC857 |
TO-92
smd |
современный pnp транзистор 40В 0.1А | |
| КТ6111 (А-Г) | ТО-92 | npn | 0.1 |
BC547
BC847 |
TO-92
smd |
npn транзистор 40В 0.1А | |
| КТ6112 (А-В) | ТО-92 | pnp | 0.1 (0.15) |
2SA1266
2SA1048 |
TO-92
TO-92 |
pnp транзистор 40В 0.1А | |
| КТ503 А,Б | ТО-92 | npn | 0.15 | 2SC1815 | TO-92 | описание npn транзистора КТ503 на 40В 0. 15А | |
| 2Т3133А | ТО-126 | npn | 0.3 | npn транзистор 40В 0.3А | |||
| КТ501 Ж,И,К | ТО-92 | pnp | 0.3 (0.2) | 2N3906 | TO-92 | описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики | |
| КТ645Б | ТО-92 | npn | 0.3 (0.2) | 2N3904 | TO-92 | npn транзистор 40В 0.3А | |
| КТ646Б | ТО-126 | npn | 0.5 (0.6) |
2N4401
MMBT2222 |
TO-92
smd |
описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А | |
| КТ626А | ТО-126 | pnp | 0.5 |
2N4403
BC807 |
TO-92
smd |
транзистор биполярный кт626, характеристики | |
| КТ685 А,В | ТО-92 | pnp | 0. 6 |
транзистор биполярный кт685, характеристики | |||
| КТ686 А,Б,В | ТО-92 | pnp | 0.8 | BC327 | ТО-92 | характеристики транзистора кт686 | |
| КТ660А | ТО-92 | npn | 0.8 |
BC337
BC817 |
ТО-92 smd |
npn транзистор 40В 0.8А | |
| КТ684А | ТО-92 | npn | 1 | BC635 | TO-92 | npn транзистор 40В 1А | |
| КТ692А | ТО-39 | pnp | 1 | BC636 | TO-92 | pnp транзистор 40В 1А | |
| КТ815А | ТО-126 | npn | 1.5 | BD135 | TO-126 | npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А | |
| КТ639А,Б,В | ТО-126 | pnp | 1. 5 |
BD136 | TO-126 | npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А | |
| КТ814А | ТО-126 | pnp | 1.5 | pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А | |||
| 2Т860В | ТО-39 | pnp | 2 | 2SA1020 | TO-92L | транзистор биполярный 2т860 | |
| КТ852Г | ТО-220 | pnp | 2 | FMMT717 | sot23 | транзистор биполярный кт852 на 40В 2А | |
| КТ943А | ТО-126 | npn | 2 | транзистор биполярный кт943 | |||
| КТ817А,Б | ТО-126 | npn | 3 | описание транзистора кт817 на 40В 3А | |||
| КТ816Б | ТО-126 | pnp | 3 | 2SB856 | TO-220 | транзистор биполярный кт816 | |
| КТ972Б КТ8131А |
ТО-126 |
|
npn | 4 | описание составного транзистора кт972 на 40В 4А | ||
|
КТ973Б
КТ8130А |
ТО-126 |
|
pnp | 4 | 2SB857 | TO-220 | описание транзистора кт973 |
| КТ835Б | ТО-220 | pnp | 7. 5 |
описание транзистора кт835 на 40В 7А | |||
| 2Т837В,Е | ТО-220 | pnp | 8 | транзистор биполярный 2т837 | |||
| КТ829Г | ТО-220 | npn | 8 | описание составного транзистора кт829 на 40В 8А | |||
| КТ853Г | ТО-220 | pnp | 8 | характеристики транзистора кт853 | |||
| КТ819А,Б | ТО-220, ТО-3 |
npn | 10 | TIP34 | TO-247 | описание транзистора кт819 на 40В 10А | |
| КТ818А | ТО-220, ТО-3 |
pnp | 10 | TIP33 | TO-247 | описание транзистора кт818 | |
| КТ863А | ТО-220 | npn | 10 (12) | 2SD1062 | TO-220 | транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062 | |
| 2Т877В | ТО-3 | pnp | 20 | составной 2Т877 на 40В 20А | |||
| Транзисторы на напряжение до 60В: | |||||||
| КТ503В,Г | ТО-92 | npn | 0. 15 (0.1) |
2SC3402
2SC3198 BC546 |
TO-92 TO-92 TO-92 |
описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А | |
| КТ645А | ТО-92 | npn | 0.3 | ||||
| КТ662А | ТО-39 | pnp | 0.4 (0.1) | BC556 | TO-92 | импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике | |
| КТ646А | ТО-126 | npn | 0.5 |
BD137
BCV49 |
TO-126 smd |
описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А | |
| КТ626Б | ТО-126 | pnp | 0.5 |
BD138
BCV48 |
TO-126 smd |
транзистор 60В 0.5А в справочнике | |
| КТ685Б,Г | ТО-92 | pnp | 0.6 (1) | BC638 | TO-92 | ||
| КТ644(А-Г) | ТО-126 | pnp | 0. 6 |
описание транзистора КТ644 | |||
|
КТ661А
КТ529А |
ТО-39 TO-92 |
|
pnp | 0.6 (1) |
2SA684
MMBT2907 |
TO-92L smd |
|
| КТ630Д,Е КТ530А |
ТО-39 TO-92 |
|
npn | 1 |
BC637
BSR41 |
TO-92 smd |
транзистор на 60В 1А |
| КТ683Д,Е | ТО-126 | npn | 1 | 2SD1616 | TO-92 | транзистор на 60В 1А | |
| КТ659А | ТО-39 | npn | 1.2 | ||||
| КТ961В | ТО-126 | npn | 1.5 | BD137 | TO-126 | ||
| КТ639Г,Д | ТО-126 | pnp | 1.5 | BD138 | TO-126 | ||
| КТ698В | ТО-92 | npn | 2 |
2SC2655
2SD1275 |
TO-92 TO-220FP |
транзистор на 60В 2А | |
| 2Т831Б | ТО-39 | npn | 2 | ||||
| 2Т830Б | ТО-39 | pnp | 2 | ||||
| 2Т880В | ТО-39 | pnp | 2 | ||||
| 2Т881В | ТО-39 | npn | 2 | ||||
| КТ852В | ТО-220 | pnp | 2 | составной биполярный транзистор на 60В 2А | |||
| 2Т708Б | ТО-39 | pnp | 2. 5 |
||||
| КТ817В | ТО-126 | npn | 3 (4) |
2N5191
2SD1266 |
ТО-126 TO-220FP |
транзистор КТ817 на 60В 3А | |
| 2Т836В | ТО-39 | pnp | 3 | ||||
| КТ816В | ТО-126 | pnp | 3 |
2SB1366
2SB1015 |
TO-220FP
TO-220FP |
транзистор КТ816В на 60В 3А | |
| КТ972А КТ8131Б |
ТО-126 |
|
npn | 4 | BD677 | TO-126 | составной отечественный транзистор на 60В 4А |
| КТ973А КТ8130Б |
ТО-126 |
|
pnp | 4 (5) |
BD678
2SA1469 2SB1203 |
TO-126 TO-220 smd |
описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А |
| КТ829В | ТО-220 | npn | 8 (5) | TIP120 | TO-220 | транзистор на 60В 5А | |
| КТ8116В | ТО-220 | npn | 8 | транзистор КТ8116 на 60В 8А | |||
| КТ853В | ТО-220 | pnp | 8 | транзистор на 60В 8А | |||
| 2Т837Б,Д | ТО-220 | pnp | 8 | ||||
| 2Т709В | ТО-3 | pnp | 10 | MJE2955 | TO-220 | биполярный транзистор на 60В 10А | |
| 2Т875В | ТО-3 | npn | 10 | MJE3055 | TO-220 | транзистор на 60В 10А | |
| 2Т716В,В1 | ТО-3 ТО-220 |
|
npn | 10 | |||
| КТ8284А | ТО-220 | npn | 12 (15) | TIP3055 | TO-218 | составной транзистор на 60В 15А | |
| 2Т825В2 | ТО-220 | pnp | 15 | ||||
| КТ827В | ТО-3 | npn | 20 | составной транзистор КТ827 на 60В 20А | |||
| 2Т825В | ТО-3 | pnp | 20 | транзистор на 60В 20А | |||
| 2Т877Б | ТО-3 | pnp | 20 | транзистор на 60В 20А | |||
| КТ8106Б | ТО-220 | npn | 20 | составной транзистор КТ8106 на 60В 20А | |||
| КТ896Б | ТО-220 | pnp | 20 | составной транзистор КТ896 на 60В 20А | |||
| КТ8111В9 | ТО-218 | npn | 20 | составной транзистор КТ8111 на 60В 20А | |||
| Транзисторы на напряжение до 70В: | |||||||
| КТ815В | ТО-126 | npn | 1. 5 |
2SC5060 | TO-92S | на 70В 1А | |
| КТ814В | ТО-126 | pnp | 1.5 | ||||
| КТ698Б | ТО-92 | npn | 2 | отечественный на 70В 2А | |||
| 2Т831В | ТО-39 | npn | 2 | ||||
| 2Т860Б | ТО-39 | pnp | 2 | ||||
| КТ943 Б,Д | ТО-126 | npn | 2 | ||||
| 2Т837А,Г | ТО-220 | pnp | 8 | на 70В 8А | |||
| КТ808ГМ | ТО-3 | npn | 10 | ||||
| КТ818В | ТО-220, ТО-3 |
pnp | 10 | описание транзистора КТ818В на 70В 10А | |||
| 2Т876Б | ТО-3 | pnp | 10 | ||||
| 2Т875Б | ТО-3 | npn | 10 | ||||
| Транзисторы на напряжение до 80В: | |||||||
| КТ503Д | ТО-92 | npn | 0. 15 (0.3) |
2SC1627 | TO-92 | транзистор на 80В 0.1А | |
| КТ626В | ТО-126 | pnp | 0.5 (0.7) | 2SA935 | TO-92L | транзистор на 80В 0.5А | |
| КТ684Б | ТО-92 | npn | 1 | транзистор на 80В 1А | |||
| КТ961Б | ТО-126 | npn | 1.5 | транзистор на 80В 1.5А | |||
| 2Т881Б | ТО-39 | npn | 2 (1.5) | BD139 | TO-126 | транзистор на 80В 2А | |
| 2Т830В | ТО-39 | pnp | 2 (1.5) |
BD140
BCP53 |
TO-126
smd |
транзистор на 80В 2А | |
| 2Т880Б | ТО-39 | pnp | 2 | транзистор на 80В 2А | |||
| КТ852Б | ТО-220 | pnp | 2 | транзистор на 80В 2А | |||
| КТ943В,Г КТ8131В |
ТО-126 |
|
npn | 2 (4) | 2N6039 | TO-126 | составной транзистор на 80В 4А |
| 2Т836А,Б КТ8130В |
ТО-39 ТО-126 |
|
pnp | 3 | характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А | ||
| КТ829Б | ТО-220 | npn | 8 (5) |
BD679
TIP121 MJD44h21 |
TO-126 TO-220 smd |
транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А | |
| КТ8116Б | ТО-220 | npn | 8 (10) |
2SD2025
BDX33B |
TO-220FP TO-220 |
составной транзистор на 80В 10А | |
| КТ853Б | ТО-220 | pnp | 8 (10) | BDX34B | TO-220 | составной транзистор на 10А 80В | |
| 2Т709Б | ТО-3 | pnp | 10 | TIP33B | TO-247 | транзистор на 80В 10А | |
| 2Т876А,Г | ТО-3 | pnp | 10 | ||||
| 2Т716Б,Б1 | ТО-3 ТО-220 |
|
npn | 10 | транзистор на 80В 10А | ||
| КТ808ВМ | ТО-3 | npn | 10 | ||||
| КТ819Б,В* | ТО-220 ТО-3 |
npn | 10 | TIP34B | TO-247 | ||
| 2Т875А,Г | ТО-3 | npn | 10 | ||||
| КТ8284Б | ТО-220 | npn | 12 | на 80В 12А | |||
| 2Т825Б2 | ТО-220 | pnp | 15 | транзистор на 80В 15А | |||
| КТ827Б | ТО-3 | npn | 20 | транзистор на 80В 20А | |||
| 2Т825Б | ТО-3 | pnp | 20 | транзистор на 80В 20А | |||
| 2Т877А | ТО-3 | pnp | 20 | транзистор на 80В 20А | |||
| КТ8111Б9 | ТО-218 | npn | 20 | составной транзистор на 80В 20А | |||
| КТ8106А | ТО-220 | npn | 20 | составной транзистор на 80В 20А | |||
| КТД8280А | ТО-218 | npn | 60 | составной транзистор на 80В 60А | |||
| КДТ8281А | ТО-218 | pnp | 60 | транзистор на 80В 60А | |||
| КТД8283А | ТО-218 | pnp | 60 | ||||
| Транзисторы на напряжение до 100-130В: | |||||||
| КТ601А,АМ | ТО-126 | npn | 0. 03 |
биполярный транзистор на 100В 30мА | |||
| КТ602А,АМ | ТО-126 | npn | 0.075 | ||||
| КТ638А,Б | ТО-92 | npn | 0.1 | 2SC2240 | TO-92 | биполярный транзистор на 100В 100мА | |
| КТ503Е | ТО-92 | npn | 0.15 | ||||
| КТ807А,Б | ТО-126 | npn | 0.5 | ||||
| КТ630А,Б,Г | ТО-39 | npn | 1 | биполярный транзистор на 100В 1А | |||
| КТ684В | ТО-92 | npn | 1 | BC639 | TO-92 | биполярный npn транзистор на 100В 1А | |
| КТ683Б,В,Г | ТО-126 | npn | 1 | биполярный транзистор на 100В 1А | |||
| КТ719А | ТО-126 | npn | 1. 5 |
||||
| КТ815Г | ТО-126 | npn | 1.5 | биполярный транзистор на 100В 1.5А | |||
| КТ961А | ТО-126 | npn | 1.5 | биполярный транзистор на 100В 1.5А | |||
| КТ814Г | ТО-126 | pnp | 1.5 (1) |
2N5400
BC640 2SA1358 |
TO-92
TO-92 TO-126 |
биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А | |
| КТ6103А | ТО-92 | npn | 1.5 | биполярный транзистор на 100В 1.5А | |||
| КТ6102А | ТО-92 | pnp | 1.5 | биполярный транзистор на 100В 1.5А | |||
| КТ698А | ТО-92 | npn | 2 | BD237 | TO-126 | биполярный транзистор на 100В 2А | |
| 2Т831Г | ТО-39 | npn | 2 | SD1765 | TO-220FP | биполярный транзистор на 100В 2А | |
| 2Т881А,Г | ТО-39 | npn | 2 | биполярный транзистор на 100В 2А | |||
| 2Т860А | ТО-39 | pnp | 2 | биполярный pnp транзистор на 100В 2А | |||
| 2Т830Г | ТО-39 | pnp | 2 | биполярный pnp транзистор на 100В 2А | |||
| 2Т880А,Г | ТО-39 | pnp | 2 | биполярный pnp транзистор на 100В 2А | |||
| КТ852А | ТО-220 | pnp | 2 | составной pnp транзистор на 100В 2А | |||
| 2Т708А | ТО-39 | pnp | 2. 5 |
составной pnp транзистор на 100В 2.5А | |||
| КТ817Г | ТО-126 | npn | 3 | транзистор 100В на 3А | |||
| КТ816Г | ТО-126 | pnp | 3 (5) |
TIP42C
TIP127 |
TO-220 | pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А | |
| КТ805БМ,ВМ | ТО-220 | npn | 5 | npn транзистор на 100В 5А | |||
| КТ829А | ТО-220 | npn | 8 (5) | TIP122 | TO-220 | составной npn транзистор на 100В 8А | |
| КТ8116А | ТО-220 | npn | 8 | составной npn транзистор на 100В 8А | |||
| КТ853А | ТО-220 | pnp | 8 (5) | составной pnp транзистор на 100В 8А | |||
| КТ8115А | ТО-220 | pnp | 8 | составной pnp транзистор на 100В 8А | |||
| 2Т709А | ТО-3 | pnp | 10 | BDX34C | TO-220 | составной pnp транзистор на 100В 10А | |
| 2Т716А,А1 | ТО-3 ТО-220 |
|
npn | 10 | BDX33C | TO-220 | составной npn транзистор на 100В 10А |
| КТ808 АМ,БМ | ТО-3 | npn | 10 | npn транзистор на 100В 10А | |||
| КТ819А,Г | ТО-220 ТО-3 |
npn | 10 | TIP34C | TO-247 | npn транзистор на 100В 10А | |
| КТ818Г | ТО-220 ТО-3 |
pnp | 10 |
TIP33B
2SA1265 |
TO-247 | pnp транзистор на 100В 10А | |
| КТ8284В | ТО-220 | npn | 12 | составной npn транзистор на 100В 12А | |||
| КТ8246 А,Б | ТО-220 | npn | 15 | составной npn транзистор на 100В 15А | |||
| 2Т825А2 | ТО-220 | pnp | 15 | составной pnp транзистор на 100В 15А | |||
| ПИЛОН-3А | ТО-220 | npn | 15 | составной npn транзистор на 100В 15А | |||
| КТ827А | ТО-3 | npn | 20 | составной npn транзистор на 100В 20А | |||
| 2Т825А | ТО-3 | pnp | 20 | составной pnp транзистор на 100В 20А | |||
| КТД8257А | ТО-220 | npn | 20 | составной npn транзистор на 100В 20А | |||
| 2Т935Б | ТО-220 | npn | 20 | npn транзистор на 100В 20А | |||
| КТД8278Б,В | ТО-220 ТО-263 |
npn | 20 | npn транзистор на 100В 20А | |||
| КТ896А | ТО-220 | pnp | 20 | npn транзистор на 100В 20А | |||
| КТ8111А9 | ТО-218 | npn | 20 | составной npn транзистор на 100В 20А | |||
| КТД8280Б | ТО-218 | npn | 60 | составной npn транзистор на 100В 60А | |||
| КТД8281Б | ТО-218 | pnp | 60 | pnp транзистор на 100В 60А | |||
| КТД8283Б | ТО-218 | pnp | 60 | pnp транзистор на 100В 60А | |||
| Транзисторы на напряжение до 160В: | |||||||
| КТ611В,Г | ТО-126 | npn | 0. 1 |
2SC2230
2SD1609 |
TO-92L TO-126 |
||
| КТ940В | ТО-126 | npn | 0.1 | ||||
| КТ6117 | ТО-92 | npn | 0.6 (0.3) | 2N5551 | TO-92 | ||
| КТ6116 | ТО-92 | pnp | 0.6 (0.3) | 2N5401 | TO-92 | ||
| КТ630В | ТО-39 | npn | 1 | 2SC2383 | TO-92L | ||
| КТ683А | ТО-126 | npn | 1 | ||||
| КТ850В | ТО-220 | npn | 2 | ||||
| КТ8123А | ТО-220 | npn | 2 | ||||
| КТ851В | ТО-220 | pnp | 2 (1) |
2SA940
KSA1013 2SA1306 |
TO-220
TO-92L TO-220FP |
||
| КТ805АМ | ТО-220 | npn | 5 | ||||
| КТ855Б,В | ТО-220 | pnp | 5 | ||||
| КТ899А | ТО-220 | npn | 8 | ||||
| КТ712Б | ТО-220 | pnp | 10 | 2SA1186 | ТО-3Р | ||
| КТ863БС | ТО-220 ТО-263 |
npn | 12 | 2SC3907 | TO-3P ? | ||
| КТ8246В,Г | ТО-220 | npn | 15 | ||||
| КТ8101Б | ТО-218 | npn | 16 | ||||
| КТ8102Б | ТО-218 | pnp | 16 | 2SA1216 | SIP3 | ||
| КТД8257Б | ТО-220 | npn | 20 | ||||
| ПИР-2 (КТ740А) | ТО-220 ТО-218 |
npn | 20 | ||||
| КТ879Б | КТ-5 | npn | 50 | ||||
| Транзисторы на напряжение до 200В: | |||||||
| КТ611А,Б | ТО-126 | npn | 0. 1 (0.2) |
2SC1473
BFP22 |
TO-92
TO-92 |
биполярный транзистор на 200В 0.1А | |
| КТ504Б | ТО-39 | npn | 1 | биполярный транзистор на 200В 1А | |||
| КТ851А | ТО-220 | pnp | 2 | биполярный транзистор на 200В 2А | |||
| КТ842Б | ТО-3 | pnp | 5 | биполярный транзистор на 200В 5А | |||
| КТ864А | ТО-3 | npn | 10 (7) | BU406 | TO-220 | биполярный транзистор на 200В 10А | |
| КТ865А | ТО-3 | pnp | 10 | биполярный транзистор на 200В 10А | |||
| КТ712А | ТО-220 | pnp | 10 | составной биполярный транзистор на 200В 10А | |||
| КТ945А | ТО-3 | npn | 15 | биполярный транзистор на 200В 15А | |||
| КТ8101А | ТО-218 | npn | 16 | биполярный транзистор на 200В 15А | |||
| КТ8102А | ТО-218 | pnp | 16 |
2SA1294
2SA1302 |
TO-247 | биполярный транзистор на 200В 16А | |
| КТД8257(А-Г) | ТО-220 | npn | 20 | составной биполярный транзистор на 200В 20А | |||
| КТД8278А | ТО-220 ТО-263 |
npn | 20 | составной биполярный транзистор на 200В 20А | |||
| КТ897Б | ТО-218 | npn | 20 | составной биполярный транзистор на 200В 20А | |||
| КТ898Б | ТО-218 | npn | 20 | составной транзистор на 200В 20А | |||
| КТ867А | ТО-3 | npn | 25 | биполярный транзистор на 200В 25А | |||
| КТ879А | КТ-5 | npn | 50 | биполярный транзистор на 200В 50А | |||
| Транзисторы на напряжение до 250В: | |||||||
| КТ605А,Б | ТО-126 | npn | 0. 1 (0.05) |
BF422 | TO-92 | ||
| КТ940Б | ТО-126 | npn | 0.1 | ||||
| КТ969А | ТО-126 | npn | 0.1 | ||||
| КТ504В | ТО-39 | npn | 1 | ||||
| 2Т882В | ТО-220 | npn | 1 | ||||
| КТ505Б | ТО-39 | pnp | 1 | ||||
| 2Т883Б | ТО-220 | pnp | 1 | 2SA1837 | TO-220FP | ||
| КТ850А,Б | ТО-220 | npn | 2 | ||||
| КТ851Б | ТО-220 | pnp | 2 | ||||
| КТ855А | ТО-220 | pnp | 5 | ||||
| КТ857А | ТО-220 | npn | 7 (8) | MJE15032 | TO-220 | ||
| КТ844А | ТО-3 | npn | 10 | ||||
| 2Т862А,Б | ТО-3 | npn | 15 | ||||
| Транзисторы на напряжение до 300В: | |||||||
| КТ940А | ТО-126 | npn | 0. 1 (0.05) |
2SC2482
2SC5027 BF820 |
TO-92L TO-92L smd |
npn транзистор на 300В 0.1А | |
| КТ9115А | ТО-126 | pnp | 0.1 (0.05) |
2SA1091
BF821 |
TO-92 smd |
pnp транзистор на 300В 0.1А | |
| КТ6105А | ТО-92 | npn | 0.15 | npn транзистор на 300В 0.1А | |||
| КТ6104А | ТО-92 | pnp | 0.15 | 2SA1371 | TO-92L | pnp транзистор на 300В 0.1А | |
| 2Т882Б | ТО-220 | npn | 1 (0.5) |
MJE340
MPSA42 |
TO-126 TO-92 |
npn транзистор на 300В 1А | |
| КТ504А | ТО-39 | npn | 1 (1.5) | MJE13002 | TO-220 | npn транзистор на 300В 1А | |
| Т505А | ТО-39 | pnp | 1 (0. 5) |
MJE350 | TO-126 | ||
| 2Т883А | ТО-220 | pnp | 1 | ||||
| КТ8121Б | ТО-220 | npn | 4 | npn транзистор на 300В 3А | |||
| КТ8258Б | ТО-220 | npn | 4 | npn транзистор на 300В 4А | |||
| КТ842А | ТО-3 | pnp | 5 | на 300В 5А | |||
| КТ8124В | ТО-220 | npn | 7 | npn транзистор на 300В 6А | |||
| КТ8109А,Б | ТО-220 | npn | 7 | составной npn транзистор на 300В 7А | |||
| КТД8262(А-В) | ТО-220 | npn | 7 | составной npn транзистор на 300В 7А | |||
| КТ8259Б | ТО-220 | npn | 8 | npn транзистор на 300В 8А | |||
| КТ854Б | ТО-220 | npn | 10 | npn транзистор на 300В 10А | |||
| КТД8279(А-В) | ТО-220 ТО-218 |
npn | 10 | составной транзистор на 300В 10А | |||
| КТ892А,В | ТО-3 | npn | 15 | npn транзистор на 300В 15А | |||
| КТ8260А | ТО-220 | npn | 15 | npn транзистор на 300В 15А | |||
| КТД8252(А-Г) | ТО-220 ТО-218 |
npn | 15 | составной npn транзистор на 300В 15А | |||
| КТ890(А-В) | ТО-218 | npn | 20 | составной npn транзистор на 300В 20А | |||
| КТ897А | ТО-218 | npn | 20 | составной npn транзистор на 300В 20А | |||
| КТ898А | ТО-218 | npn | 20 | составной npn транзистор на 300В 20А | |||
| КТ8232А,Б | ТО-218 | npn | 20 | составной npn транзистор на 300В 20А | |||
| КТ8285А КТ8143Ш |
ТО-218 ТО-3 |
|
npn | 30 80 |
мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А | ||
| Транзисторы на напряжение до 400В: | |||||||
| 2Т509А | ТО-39 | pnp npn npn |
0. 02 (0.5)0.2 0.2 |
2SA1625
MPSA44 MJE13001 |
TO-92 | npn транзистор на 400В 0.5А | |
| 2Т882А | ТО-220 | npn | 1 (1.5) |
MJE13003
TIP50 |
TO-220 TO-220 |
npn транзистор на 400В 1А | |
| КТ704Б,В | npn | 2.5 (2) | BUX84 | TO-220 | npn транзистор на 400В 2.5А | ||
| КТ8121А | ТО-220 | npn | 4 | npn транзистор на 400В 3А | |||
| КТ8258А | ТО-220 | npn | 4 | MJE13005 | TO-220 | npn транзистор на 400В 4А | |
| КТ845А | ТО-3 | npn | 5 | BUT11 | TO-220 | npn транзистор на 400В 5А | |
| КТ840А,Б | ТО-3 | npn | 6 | 2SD1409 | TO-220FP | npn транзистор на 400В 6А | |
| КТ858А | ТО-220 | npn | 7 | 2SC2335 | TO-220 | npn транзистор на 400В 7А | |
| КТ8124А,Б | ТО-220 | npn | 7 | 2SC3039 | TO-220 | npn транзистор на 400В 7А | |
| КТ8126А | ТО-220 | npn | 8 | MJE13007 | TO-220 | npn транзистор на 400В 8А | |
| КТ8259А | ТО-220 | npn | 8 | 2SC4834 | TO-220FP | npn транзистор на 400В 8А | |
| КТ8117А | ТО-218 | npn | 10 | 2SC2625 | TO-247 | npn транзистор на 400В 9А | |
| КТ841Б | ТО-3 | npn | 10 | 2SC3306 | TO-3P | npn транзистор на 400В 10А | |
| 2Т862Г | ТО-3 | npn | 10 | 2SC4138 | TO-3P | npn транзистор на 400В 10А | |
| 2Т862В | ТО-3 | npn | 10 (12) |
MJE13009
2SC3042 |
TO-220 TO-3P |
биполярный транзистор на 400В 10А | |
| КТД8279А | ТО-220 ТО-218 |
npn | 10 | составной транзистор на 400В 10А | |||
| КТ834В | ТО-3 | npn | 15 | составной транзистор на 400В 15А | |||
| КТ848А | ТО-3 | npn | 15 | транзистор на 400В 15А | |||
| КТ892Б | ТО-3 | npn | 15 | npn транзистор на 400В 15А | |||
| КТ8260Б | ТО-220 | npn | 15 | npn транзистор на 400В 15А | |||
| КТ8285Б | ТО-218 ТО-3 |
npn | 30 | npn транзистор на 400В 30А | |||
| 2Т885А | ТО-3 | npn | 40 | npn транзистор на 400В 40А | |||
| Транзисторы на напряжение до 500В: | |||||||
| КТ6107А | ТО-92 | npn | 0. 13 |
npn транзистор на 500В 0.1А | |||
| КТ6108А | ТО-92 | pnp | 0.13 | ||||
| КТ704А | npn | 2.5 (1.5) | 2SC3970 | TO-220FP | npn транзистор на 500В 2А | ||
| КТ8120А | ТО-220 | npn | 3 (5) | BUL310 | TO-220FP | npn транзистор на 500В 3А | |
| КТ812Б | ТО-3 | npn | 8 | npn транзистор на 500В 8А | |||
| КТ854А | ТО-220 | npn | 10 | npn транзистор на 500В 10А | |||
| 2Т856В | ТО-3 | npn | 10 | npn транзистор на 500В 10А | |||
| КТ8260В | ТО-220 | npn | 15 | npn транзистор на 500В 15А | |||
| КТ834А,Б | ТО-3 | npn | 15 | npn транзистор на 500В 15А | |||
| ПИР-1 | ТО-218 | npn | 20 | npn транзистор на 500В 20А | |||
| КТ8285В | ТО-218 ТО-3 |
npn | 30 | npn транзистор на 500В 30А | |||
| 2Т885Б | ТО-3 | npn | 40 | npn транзистор на 500В 40А | |||
| Транзисторы на напряжение до 600В: | |||||||
| КТ888Б | ТО-39 | pnp | 0. 1 |
pnp транзистор на 600В 0.1А | |||
| КТ506Б | ТО-39 | npn | 2 | npn транзистор на 600В 2А | |||
| 2Т884Б | ТО-220 | npn | 2 (3) | 2SC5249 | TO-220FP | npn транзистор на 600В 2А | |
| КТ887Б | ТО-3 | pnp | 2 (1) | 2SA1413 | smd | pnp транзистор на 600В 2А | |
| КТ828Б,Г | ТО-3 | npn | 5 (6) |
2SD2499
2SD2498 2SD1555 |
TO-3PF TO-3PF TO-3PF |
строчный транзистор на 600В 5А | |
| КТ8286А | ТО-218 ТО-3 |
npn | 5 (8) | 2SC5386 | TO-3P ? | строчный транзистор на 600В 5А | |
| КТ856А1,Б1 | ТО-218 | npn | 10 | ST1803 | ISOW218 | строчный транзистор на 600В 10А | |
| КТ841А,В | ТО-3 | npn | 10 | 2SC5387 | ISOW218 | npn транзистор на 600В 10А | |
| КТ847А | ТО-3 | npn | 15 (20) |
2SC4706
2SC5144 |
TO-3P TO-247 ? |
мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А | |
| КТ8144Б | ТО-3 | npn | 25 | мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А | |||
| КТ878В | ТО-3 | npn | 30 | мощный npn транзистор на 600В 30А | |||
| Транзисторы на напряжение до 700В: | |||||||
| КТ826(А-В) | ТО-3 | npn | 1 | npn транзистор на 700В 1А | |||
| КТ8137А | ТО-126 | npn | 1. 5 |
npn транзистор на 700В 1.5А | |||
| КТ887А | ТО-3 | pnp | 2 | pnp транзистор на 700В 2А | |||
| КТ8286Б | ТО-218 ТО-3 |
npn | 5 | npn транзистор на 700В 5А | |||
| КТ8107(А-Г) | ТО-220 | npn | 8 | npn транзистор на 700В 8А | |||
| КТ812А | ТО-3 | npn | 10 | BUh200 | TO-220 | высоковольтный транзистор на 700В 10А | |
| 2Т856Б | ТО-3 | npn | 10 | npn транзистор на 700В 10А | |||
| Транзисторы на напряжение до 800В: | |||||||
| КТ506А | ТО-39 | npn | 2 | высоковольтный npn транзистор 800В 1А | |||
| 2Т884А | ТО-220 | npn | 2 | npn транзистор на 800В 2А | |||
| КТ859А | ТО-220 | npn | 3 | 2SC3150 | TO-220 | npn транзистор на 800В 3А | |
| КТ8118А | ТО-220 | npn | 3 | npn транзистор на 800В 3А | |||
| КТ828А,В | ТО-3 | npn | 5 | npn транзистор на 800В 4А | |||
| КТ8286В | ТО-218 ТО-3 |
npn | 5 | npn транзистор на 800В 5А | |||
| КТ868Б | КТ-9 | npn | 6 (8) |
2SC5002
2SC4923 |
TO-3PF TO-3PML |
высоковольтный транзистор на 800В 6А | |
| КТ8144А | ТО-3 | npn | 25 | 2SC3998 | TO-3PBL | высоковольтный транзистор на 800В 25А | |
| КТ878Б | ТО-3 | npn | 30 | высоковольтный npn транзистор на 800В 30А | |||
Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В
применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они
расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер.
Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В,
а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
Транзисторы на напряжение до 900В: |
|||||||
| КТ888А | ТО-39 | pnp | 0.1 | транзистор высоковольтный на 900В 0.1А | |||
| КТ868А | КТ-9 | npn | 6 (3) | 2SC3979 | TO-220 | npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А | |
| 2Т856А | ТО-3 | npn | 10 | npn транзистор высоковольтный на 900В 10А | |||
| КТ878А | ТО-3 | npn | 30 | высоковольтный npn транзистор на 900В 30А | |||
| Транзисторы на напряжение до 1000-1500В: | |||||||
| КТ838А | ТО-3 | npn | 5 | BU508 | TO-3PF | биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А | |
| КТ846А | ТО-3 | npn | 5 | BU2506 | SOT-199 | современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А | |
| КТ872А,Б | ТО-218 | npn | 8 |
BU2508
2SC5447 |
TO-3PFM SOT-199 |
современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А | |
| КТ886Б1 | ТО-218 | npn | 8 (10) | BU1508 | TO-220 | современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А | |
| КТ839А | ТО-3 | npn | 10 | BU2520 | TO-3PML | современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А | |
| КТ886А1 | ТО-218 | npn | 10 (12) | 2SC5270 | TO3-PF | современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А | |
| npn | 25 |
2SC5244
2SC3998 |
TOP-3L ТО-3PBL |
строчный транзистор на 1500В 25А | |||
| Транзисторы на напряжение свыше 2000В | |||||||
| 2Т713А | ТО-3 | npn | 3 | транзистор высоковольтный на 2000В 3А | |||
| КТ710А | ТО-3 | npn | 5 | npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А | |||
Какой прибор называется составным транзистором.
Составной транзистор Дарлингтона Work and Device Если взять, например, транзистор MJE3055T. У него максимальный ток 10а, а коэффициент усиления всего около 50, соответственно, чтобы он открылся полностью, нужно на БД прокачать порядка двухсот перм. Обычный вывод МК столько не потянет, а если попадется между ними транзистор с отводом (какой-нибудь BC337), который может эти 200мА потянуть, то запросто. Но это так, чтобы я знал. Вдруг придется управлять девичьей ловушкой – пригодится.
На практике готовые транзисторные сборки . Внешне от обычного транзистора ничем не отличается. То же тело, те же три ноги. Вот только мощности в нем уж больно дофига, а ток управления микроскопический 🙂 В ценах обычно не заморачиваются и пишут просто – транзистор дарлинтона или составной транзистор.
Например, пункт BDW93C. (НПН) и BDW94S. (PNP) Вот их внутренняя структура из таблицы данных.
Кроме того, существует сборка Darlington .
Когда в один чехол упаковывают сразу несколько. Незаменимая вещь, когда нужно рулить каким-нибудь мощным светодиодным столом или шаговым двигателем (). Отличный пример такой сборки – очень популярный и легкодоступный ULN2003. способен тащить 500
мА для каждой из его семи сборок. Выходы можно включить параллельно Для увеличения лимита. Итого одну ВЛН можно протащить через себя 3.5а, если выложить все ее входы и выходы. Что меня радует – вход напротив входа, очень удобно сажать за это плату. Прям
В даташите указано внутреннее устройство этого чипа. Как видите, здесь тоже есть защитные диоды. Несмотря на то, что операционные усилители нарисованы, здесь выход открытого коллектора. То есть он умеет замыкаться только на Землю. Что становится понятно из того же даташита, если посмотреть на строение одного вентиля.
Darlington), часто являются составными элементами любительских конструкций. Как известно, при таком включении усиление по току, как правило, возрастает в десятки раз.
Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочной литературе.
С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них – самый простой – это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: КТ712, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ973 и т.д. весь спектр радиотехнических устройств. А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501Б – или использовать приборы КП501А…Б, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис.
1.24). При этом выход затвора подключается вместо базы VT1, а выход истока вместо эмиттера VT2, выход потока вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора
После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических цепях универсального применения ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при перегрузке по напряжению в 10 и более раз. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокий вход и, как следствие, выдерживают перегрузку при импульсном характере управления этим электронным узлом.
Полученный коэффициент усиления текущего каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…в можно без потери качества устройства использовать микросхему 1014ст1Б. В отличие, например, от 1014Т1А и 1014ст1Б, этот выдерживает более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению – до 200 по постоянному напряжению.
КОКОЛОГ Включение транзисторов микросхемы 1014ст1а…1014К1В показано на рис. 1.25.
Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включить параллельно.
Соколёвка полевых транзисторов в микросхеме 1014ст1а… в
Автор перепробовал десятки электронных узлов включаемых программно. Такие узлы используются в любительских конструкциях в качестве токовых ключей, а также составных транзисторов, включаемых в программное обеспечение. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что же касается стоимости таких транзисторов, то на сегодняшний день она почти равна стоимости транзисторов типа средиземноморского типа, (и подобных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.
Усилитель так называется не по имени его автора Дарлингтон, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на транзисторах Дарлингтона (составных).
Для справки
: Два транзистора одинаковой структуры соединены особым образом для обеспечения высокого коэффициента усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона – по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор применяют в схемах работы с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большое входное сопротивление. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.
Преимущества транзистора Дарлингтона
Высокий коэффициент усиления.
Darlington CHEMA изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов.
Эти схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
Низкое быстродействие, особенно переход из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы применяются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти вдвое больше, чем в обычном транзисторе, и составляет около 1,2 – 1,4 В. для кремниевых транзисторов
Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер , для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Принципиальная схема УНГ.
Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельной сборки усилителя сабвуфера. Самым ценным в схеме являются транзисторы выходного дня, цена которых не превышает 1$.
По идее этот усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Проведем небольшое сравнение, какая из микросхем может выдать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ома? Сразу в мыслях прославились. Но если сравнивать цены, то схема Дарлингтона и дешевле и мощнее TDA7294!
Сам чип, без комплектующих стоил минимум 3$, а цена активных компонентов схемы Дарлингтона не более 2-25$! Причем схема Дарлингтона на 50-70 ватт мощнее TDA7294!
При нагрузке 4 Ом усилитель выдает 150 Вт, это самый дешевый и хороший вариант усилителя сабвуфера. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно найти в любом электронном устройстве.
Усилитель может обеспечить такую мощность за счет того, что в нем собраны транзисторы, которые используются на выходе, но при желании их можно заменить на обычные. Комплементарную пару СТ827/25 использовать удобно, но конечно мощность усилителя упадет до 50-70 Вт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные CT361 или CT3107.
Полный аналог транзистора ТИП41 наш КТ819А, этот транзистор используется для усиления сигнала от дифрактов и смещения выходов. Эмиттерные резисторы можно использовать мощностью 2-5 Вт, они для защиты выходного каскада. Узнайте больше о технических характеристиках транзистора TIP41C. Спецификация для TIP41 и TIP42.
Материал перехода P-N-N: Si
Структура транзистора: NPN
Предельное постоянное рассеяние мощности коллектора (PC) Транзистор: 65 Вт
Предельное постоянное давление Коллектор-база (UCB): 140 В UCE) транзистора: 100 В
Предельное постоянное напряжение База эмиттера (UEB): 5 В
Предельное постоянное напряжение. Коллектор транзистора (IC MAX): 6 A
Предельная температура p-N перехода (TJ): 150 C
Граничная частота коэффициента передачи тока (FT) транзистора: 3 МГц
– Емкость коллекторного перехода (КК): PF
Статический коэффициент передачи тока в цепи с общим эмиттером (HFE), MIN: 20
Такой усилитель можно использовать как в качестве сабвуфера, так и широкополосной акустики.
Характеристики усилителя также неплохие. При нагрузке 4 Ом выходная мощность усилителя около 150 Вт, при нагрузке 8 Ом мощностью 100 Вт максимальная мощность усилителя может достигать 200 Вт при +/- 50 вольт.
При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем те модели, которые предлагают фирмы-изготовители радиоэлектронных компонентов (или лучше реализовать имеющуюся технологию изготовления транзисторов). Такая ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных схем. Обычно нам требуется больший коэффициент усиления по току. час. 21, большее значение входного сопротивления ч. 11 или менее выходная проводимость час. 22 .
Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшив при этом его параметры. Схема Дарлингтона получила наибольшее распространение.
В простейшем случае это подключение двух транзисторов одной полярности. Пример схемы Дарлингтона на транзисторах NPN показан на рисунке 1.
Рисунок 1 Схема Дарлингтона на транзисторах NPN
Схема эквивалентна одному транзистору NPN. В этой схеме ток эмиттера транзистора VT1 равен току базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокое значение коэффициента усиления по току ч. 21, что можно приблизительно определить как работу ч. 21 входящий транзистор:
(1)
Однако следует иметь в виду, что коэффициент х. 21 сильно зависит от токосъемника. Поэтому при малых значениях тока коллектора транзистора VT1 его значение может значительно уменьшиться. Пример наркомании ч. л. 21 от тока коллектора для разных транзисторов показан на рисунке 2
Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора
Как видно из этих графиков коэффициент час.
21Е практически не меняется только на двух транзисторах: отечественном СТ361Б и зарубежном ВС846А. В других транзисторах коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.
В случае, когда ток базы транзистора VT2 достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения требуемого коэффициента усиления по току h. 21. В этом случае повышается коэффициент ч. л. 21 и, соответственно, уменьшения тока составного транзистора можно добиться увеличением тока коллектора транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают добавочный резистор, как показано на рисунке 3.9.0005
Рисунок 3 составного транзистора Дарлингтона с добавочным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора
Для примера определим элементы для схемы Дарлингтона, собранной на транзисторах ВС846А пусть ток транзистора VT2 будет 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:
(2)
При таком токе коэффициент усиления ч.
21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличив ток коллектора транзистора VT1 с помощью резистора, можно значительно выиграть в величине общего коэффициента усиления. час. 21. Так как напряжение на базе транзистора постоянное (для кремниевого транзистора ед. БЭ = 0,7 В), то вычисляем по закону Ома:
(3)
В этом случае мы вправе ожидать прибавку по току до 40000. Именно поэтому многие отечественные и зарубежные супербетовые транзисторы, такие как КТ972, КТ973 или КТ825, ТИП41С, ТИП42С. Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах НЧ (), операционных усилителях и даже цифровых, например, .
Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как повышенное напряжение U. CE Если в обычных транзисторах U. Ke составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это из-за необходимости открыть транзистор VT1, а для этого на его базу следует подать напряжение 0,7 В (если рассматривать кремниевые транзисторы).
С целью устранения указанного недостатка была разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах. В рунете она получила название схемы Шиклая. Это название произошло из книги Титца и Шанка, хотя ранее эта схема носила другое название. Например, в советской литературе это называлось парадоксальной парой. В книге В.Е.Хелина и В.Холмса составной транзистор на комплементарных транзисторах назван схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором. Схема составного ПНП транзистора на комплементарных транзисторах показана на рис. 4.9.0005
Рисунок 4 Составной транзистор PNP на комплементарных транзисторах
Таким же образом формируется транзистор NPN. Схема составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 5.
Рисунок 5 составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах
На первом месте на первом месте книга 1974 года издания, но есть книги и другие публикации.
Есть основы, которые долго не шевелятся и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Нужно четко сказать! За все время профессиональной деятельности я встретил менее десяти книг. Я всегда рекомендую изучать разработку аналоговых схем из этой книги.
Дата последнего обновления файла 18.06.2018
Литература:
Вместе со статьей “Композитный транзистор (Схема Дарлингтона)” читать:
http://Сайт/SXEMOTEH/Швклтрз/Каскод/
http://Site/SXEMOTEH/SHVKLTRZ/OE/
В интегральных микросхемах и дискретной электронике большое распространение получили составные транзисторы двух типов: по схеме Дарлингтона и Шиклая. В микромогенных схемах, например, входных каскадах операционных усилителей составные транзисторы обеспечивают большое входное сопротивление и малые входные токи. В устройствах, работающих с большими токами (например, стабилизаторы мощности или выходные накопительные стабилизаторы) для повышения КПД необходимо обеспечить высокий коэффициент усиления мощных транзисторов.
9В схеме 0005
Шиклаи реализован мощный транзистор p-N-P с большим коэффициентом усиления с маломощным транзистором p-N-P с малым транзистором IN и мощным транзистором n-P-N ( рис. 7.51 ). В интегральных схемах это включение реализуют высоковольтные транзисторы p-N-P , горизонтальный транзистор p-N-P и вертикальный транзистор n-P-N . Также эта схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах, когда используются выходные транзисторы одной полярности ( n-P-N ).
Рисунок 7.51 – Составной p-N-P Транзистор Рисунок 7.52 – Составной n-P-N По схеме Шиклаи Транзистор по схеме Дарлингтона
транзисторы Шикла комплиментарные транзисторы0054 p-N-P Тип ( рис. 7.51 ) с большим коэффициентом усиления по току
Входное напряжение Идентичный одиночный транзистор.
Напряжение насыщения выше, чем у одиночного транзистора, к падению напряжения на эмиттерном переходе n-P-N транзистора . Для кремниевых транзисторов это напряжение порядка одного вольта, в отличие от доли вольта одного транзистора. Между базой и эмиттером n-P-N Транзистор (VT2) рекомендуется включать резистором с малым сопротивлением для подавления неуправляемого тока и повышения термостойкости.
Транзистор Дарлингтона реализован на униполярных транзисторах ( рис. 7.52. ). Коэффициент усиления по току определяется произведением коэффициентов компонентов транзисторов.
Входное напряжение транзистора по схеме Дарлингтона в два раза больше, чем у одиночного транзистора. Напряжение насыщения превышает выходной транзистор. Входное сопротивление операционного усилителя на уровне
Ом.
Схема Дарлингтона используется в дискретных монолитных импульсных транзисторах. На одном кристалле сформированы два транзистора, два шунтирующих резистора и защитный диод ( рисунок 7.
53. ). Резисторы Р. 1 I. Р. 2 подавляют коэффициент усиления в малоточном режиме, ( рис. 7.38 ), что обеспечивает малое значение неуправляемого тока и повышение рабочего напряжения закрытого транзистора,
Рисунок 7.53 – Электрическая схема Монолитный импульсный транзистор Дарлингтона
Резистор R2 (около 100 Ом) выполнен в виде технологического шунта, наподобие шунтов катодного перехода тиристоров. Для этого при формировании – эмиттера с помощью фотолитографии на определенных локальных участках оставляют оксидную маску в виде круга. Эти локальные маски не позволяют диффундировать донорной примеси, и под ними остаются р- столбцов ( рис. 7.54. ). После металлизации по всей площади излучателя на эти столбики распределяются сопротивление R2 и защитный диод D ( рис.
7.53. ). Защитный диод предохраняет эмиттерные переходы от пробоя при преобразовании коллекторного напряжения. Входная мощность потребления транзистора по схеме Дарлингтона на полтора-два порядка ниже, чем у одиночного транзистора. Максимальная частота переключений зависит от предельного напряжения и тока коллектора. Разговорные транзисторы успешно работают в импульсных преобразователях на частоты около 100 кГц. Отличительной особенностью монолитного транзистора Дарлингтона является квадратичное передаточное отношение, так как В- амперная характеристика линейно возрастает с увеличением тока коллектора до максимального значения,
Электронный распределитель для 4-цилиндрового двигателя внутреннего сгорания – Electronics Projects Circuits
Электронная схема управления для 4-цилиндрового двигателя внутреннего сгорания двигатель предназначен для 4-цилиндровых двигателей внутреннего сгорания для работы как с внешним выключателем, блоком зажигания, так и с катушками зажигания с использованием встроенных высоковольтных выключателей.
Имеется универсальный вход «DH» для подключения датчика Холла или контакта прерывателя. Используется микросхема U2 LM555, которая нормализует входные импульсы по времени и снижает вероятность ложных срабатываний, вызванных шумами и другими помехами во входном сигнале.
На его выходе формируются импульсы в формате ТТЛ определенной длительности (параметр устанавливается с помощью потенциометра PR2). Для работы с индуктивным датчиком «ИНД» на транзисторе Q1 производится вход, который также обрабатывается по сигналу с коллектора U2. Индикация работы У2 осуществляется на светодиоде HL4. Импульсы, формируемые U2, поступают на счетный вход триггера U6.2.
С уменьшенной вдвое частотой импульсы (карусели) достигают входов реформ (У4, У5), при этом формируются импульсы определенной длительности и обеспечивают устойчивость работы ДВС.
С выходов формирователей (U4, U5) импульсы поступают непосредственно на входы драйверов (TC4420 U7, U8), которые управляют транзисторами MOSFET-IGBT и, в свою очередь, коммутируют первичные обмотки зажигания. Светодиоды HL6, HL7 являются индикатором работы драйвера. Эти же драйверы могут успешно работать с биполярными мощными транзисторами различных типов (одиночными или составными). Кроме того, сигнал с выходов формирователей (U4, U5) также управляет транзисторами Q12, Q13, имитирующими работу контактов прерывателя для взаимодействия с внешними выключателями или блоками розжига. Длительность импульсов на выходах формирователей регулируется с помощью потенциометра ПР3.
Устройство, кроме описанных выше узлов, включает в себя генератор, имитирующий работу датчиков и способный заменить их в некоторых аварийных ситуациях. Частота генератора колеблется от 20 до 200 Гц, что соответствует 600-6000 об/мин 4-цилиндрового двигателя внутреннего сгорания. С помощью этого генератора настраивается и устройство в целом.
Генератор подключается к устройству вместо входа «ЦТ» с помощью переключателя S1. Положения переключателя отображаются светодиодами HL2 (подключен вход DH) и HL3 (подключен генератор).
На цепь управления устройства подается напряжение +5В со стабилизатора U3, питание драйверов транзисторов осуществляется напрямую от бортовой сети автомобиля через защитный резистор R8. Устройство защищено от смены полярности и перенапряжения установкой стабилитронов VZ2, VZ3 параллельно входному напряжению в обычном включении (через R8). Питание +5В индицируется светодиодом HL5.
Электронный дозатор Особенности:
Напряжение питания 9-19В (без защитных элементов ВЗ2, ВЗ3)
Ток, потребляемый ЭМС в диапазоне питающих напряжений холостого хода не более 40мА
Частота встроенного генератора импульсов 20-200Гц
Длительность выходных импульсов (длительность тока короткого замыкания) не менее 5,5 мс, не более 7 мс при частоте вращения двигателя 800-6000 об/мин
Допустимый ток нагрузки на каждый ключ до 20А (при использовании указанных транзисторов)
Входные управляющие сигналы ЦТ – ТТЛ (0…+5В) или последовательность КЗ с общим проводом;
Входной управляющий сигнал IND – синусоидальное переменное напряжение до 30В
Сигналы на выходах OUT A, OUT B, – частота коммутации каналов входа управляемого устройства (выключателя) (имитация срабатывания контакта прерывателя) вышестоящий короткий -последовательность включения на общий провод до 200 мА
Работа -2К осуществляется следующим образом:
На плате загорается светодиод индикатора питания HL5 при подаче напряжения питания на соответствующие терминалы.
Одновременно загорается один из индикаторов HL4 (индикатор формирователя импульсов) и HL2/HL3 в зависимости от состояния (нажатого) двухпозиционного выключателя S1 «вход генератора». Если режим генератора включен, индикаторы HL6, HL7 будут мигать с частотой смены каналов. В режиме «вход» эти индикаторы гаснут до тех пор, пока на вход ЭМУ не поступит серия сигналов (т.е. в режиме выключения зажигания).
Во время работы двигателя эти индикаторы также будут мигать с частотой переключения каналов (равной 1/2 частоты входного сигнала). Для этого соответствующий вход ЭМС должен быть подключен к датчику частоты вращения коленчатого вала (датчик Холла, прерыватель контактов, индуктивный датчик). Импульсы, поступающие на любой из входов ЭМУ, обрабатываются входной цепью. Расчет длительности выходных импульсов необходим для уменьшения избыточной длительности протекания тока через первичную обмотку 1-й катушки зажигания (КЗ) и силовой ключ, что исключает перегрев этих компонентов при работе на малых скоростях.
Каждый из каналов EMU имеет драйвер с высокой нагрузочной способностью, способный управлять парой мощных переключателей питания. В качестве ключа можно использовать мощные MOSFET-, IGBT-транзисторы или составные транзисторы биполярной n-p-n структуры (Дарлингтон). Параметры транзистора должны быть не менее 15А (ток) и 350В (напряжение).
Для транзисторов Дарлингтона коэффициент усиления по току должен быть не менее 400. Транзисторы, используемые в качестве ключей при испытаниях ЭМУ-2К: IRF460, 2SK4108 (MOSFET), RHJ3047, GT30J124 (IGBT), BU931ЗП (Дарлингтон), КТ834А. Особых отличий при работе прибора на этих транзисторах замечено не было, но в реальной эксплуатации эту разницу заметить можно.
В ЭМУ-2К исключено прохождение тока через любое КЗ при отсутствии входных импульсов (при выключенном зажигании), что исключает нагрев КЗ при выключенном зажигании и от отбора мощности -выключенный.
Для безопасной эксплуатации:
1. Плата EMU должна быть помещена в герметичный влагонепроницаемый корпус (корпус) с минимальной площадью поверхности радиатора 200 см2.
2. На монтажной стороне платы EMU не должно быть никаких электрических соединений, кроме поверхности корпуса и общего кабеля (GND).
3. Корпуса выходных транзисторов должны быть закреплены на внутренней поверхности корпуса специальными теплопроводящими (силиконовыми или слюдяными) прокладками.
4. Несмотря на то, что цепь ЭМС защищена от переполюсовки напряжения питания, изменение полярности может привести к повреждению цепи.
5. Короткое замыкание/отключение ЭДС/ЭДС во время работы приведет к повреждению цепи.
6. Настройка формирователей импульсов невозможна без опыта и осциллографа
7. Прикосновение к компонентам на плате ЭМУ во время работы приведет к повреждению схемы.
8. Удаление компонентов, подключенных к розеткам, во время работы может привести к повреждению цепи.
9. Извлечение компонентов, вставленных в розетки без антистатической защиты (при наличии розетки), повредит цепь.
Перед использованием EMU-2K вы должны убедиться, что он работает в соответствии с имеющимися сигналами и светодиодным индикатором.
Если импульсы значительно отличаются от показанных на осциллограммах или отсутствуют, необходимо выяснить причину нарушения режимов работы (падение или недостаточное напряжение питания, отсутствие входных импульсов или импульсов генератора, неисправность внешних компонентов) . )
Источник: cxem.net/avto/electronics/4-178.php. : 2022/07/01 Метки: схема управления двигателем, схема драйвера двигателя
Какие отечественные транзисторы составные. Транзистор составной
При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем у моделей, предлагаемых производителями радиоэлектронных компонентов (или лучше, чем позволяет реализовать имеющаяся технология изготовления транзисторов). Такая ситуация наиболее распространена при проектировании интегральных схем. Обычно нам требуется более высокий коэффициент усиления по току. ч 21, тем выше значение входного сопротивления ч 11 или меньше выходной проводимости ч 22 .
Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов разной проводимости, улучшая при этом его параметры. Схема Дарлингтона получила наибольшее распространение. В простейшем случае это подключение двух транзисторов одной полярности. Пример схемы Дарлингтона NPN показан на рисунке 1.9.0005
Рис. 1 Схема Дарлингтона на транзисторах NPN
Показанная схема эквивалентна одному транзистору NPN. В этой схеме эмиттерный ток транзистора VT1 является током базы транзистора VT2. Коллекторный ток составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основным преимуществом схемы Дарлингтона является высокий коэффициент усиления по току. ч 21, что можно примерно определить как произведение ч 21 транзисторов, включенных в схему:
(1)
Однако следует учитывать, что коэффициент ч 21 довольно сильно зависит от тока коллектора.
Поэтому при малых значениях тока коллектора транзистора VT1 его величина может значительно уменьшаться. Пример зависимости h 21 от тока коллектора для разных транзисторов показан на рисунке 2
Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов
от тока коллектора Как видно из этих графиков, коэффициент h 21e практически не меняется только для двух транзисторов: отечественного КТ361В и зарубежного ВС846А. Для других транзисторов коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.
В случае, когда ток базы транзистора VT2 оказывается достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения требуемой величины коэффициента усиления по току ч 21. В этом случае увеличение в коэффициенте ч 21 и, соответственно, уменьшения тока базы составного транзистора можно добиться за счет увеличения коллекторного тока транзистора VT1. Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как показано на рисунке 3.
Рисунок 3 Составной транзистор Дарлингтона с дополнительным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора
Для примера определим элементы для схемы Дарлингтона, собранной на транзисторах BC846A. Пусть ток транзистора VT2 равен 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:
(2)
При таком токе коэффициент усиления по току ч 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличивая ток коллектора транзистора VT1 с помощью резистора, можно значительно выиграть в величине общего коэффициента усиления h 21. Так как напряжение на базе транзистора постоянное (для кремниевого транзистора u be = 0,7 В), то вычисляем по закону Ома:
(3)
В этом случае можно ожидать текущий прирост до 40000. Именно так производятся многие отечественные и зарубежные транзисторы супербетта, такие как КТ972, КТ973 или КТ825, ТИП41С, ТИП42С.
Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах усилителей низкой частоты (), операционных усилителей и даже цифровых, например.
Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как перенапряжение U кэ. Если в обычных транзисторах U кэ составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение возрастает до 0,9 В. Это связано с необходимостью открытия транзистора VT1, а для этого на его базы (если мы рассматриваем кремниевые транзисторы).
Для устранения этого недостатка была разработана составная транзисторная схема на комплементарных транзисторах. В рунете ее называют схемой Шиклая. Это название происходит из книги Титце и Шенка, хотя ранее эта схема носила другое название. Например, в советской литературе ее называли парадоксальной парой. В книге У.Е. Хелайн и У.Х. Холмса, составной транзистор на основе комплементарных транзисторов называется схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором. Схема составного p-n-p-транзистора на комплементарных транзисторах представлена на рис.
4.9.0005
Рисунок 4 Составной pnp-транзистор на комплементарных транзисторах
Таким же образом формируется NPN-транзистор. Схема составного npn-транзистора на комплементарных транзисторах представлена на рисунке 5.
Рисунок 5 Составной npn-транзистор на комплементарных транзисторах
В списке литературы первое место отдано книге 1974 года издания, но есть КНИГИ и другие издания. Есть основы, которые долго не устаревают и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Вы должны уметь четко говорить! За все время моей профессиональной деятельности я встретил менее десяти КНИГ. Я всегда рекомендую изучать аналоговые схемы по этой книге.
Дата последнего обновления файла 18.06.2018
Литература:
Вместе со статьей “Составной транзистор (схема Дарлингтона)” читать:
http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/kaskod/
http://сайт/Sxemoteh/ShVklTrz/OE/
Составной транзистор Дарлингтона состоит из пары стандартных транзисторов, объединенных кристаллом и общим защитным покрытием.
Обычно на чертежах для обозначения положения такого транзистора не используют специальные символы, а только тот, которым маркируются транзисторы стандартного типа.
Нагрузочный резистор подключен к эмиттерной цепи одного из элементов. Выводы транзистора Дарлингтона аналогичны биполярному полупроводниковому триоду:
- база; эмиттер
- ;
- коллектор.
Помимо общепринятого варианта составного транзистора существует несколько его разновидностей.
Пара Шиклаи и каскодная схема
Другое название составного полупроводникового триода — пара Дарлингтона. Кроме нее есть еще пара Шиклаев. Это аналогичная комбинация диады базовых элементов, которая отличается тем, что включает в себя разные типы транзисторов.
Что касается каскодной схемы, то это тоже вариант составного транзистора, в котором один полупроводниковый триод включен по схеме ОЭ, а другой по схеме ОВ. Такое устройство аналогично простому транзистору, включенному в схему с ОЭ, но с лучшими частотными характеристиками, высоким входным сопротивлением и большим линейным диапазоном при меньших искажениях передаваемого сигнала.
Преимущества и недостатки составных транзисторов
Мощность и сложность транзистора Дарлингтона можно регулировать, увеличивая количество входящих в него биполярных транзисторов. Есть также такой, который включает в себя биполярный и используется в области высоковольтной электроники.
Основным преимуществом составных транзисторов является их способность обеспечивать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что если коэффициент усиления каждого из двух транзисторов равен 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов его транзисторов (в данном случае 3600). В результате для открытия транзистора Дарлингтона требуется довольно небольшой базовый ток.
Недостатком составных транзисторов считается их низкое быстродействие, что делает их пригодными для использования только в схемах, работающих на низких частотах. Часто составные транзисторы появляются в составе выходных каскадов мощных усилителей низкой частоты.
Особенности устройства
В составных транзисторах постепенное снижение напряжения по проводнику на переходе база-эмиттер вдвое превышает норму. Уровень падения напряжения на открытом транзисторе примерно равен падению напряжения на диоде.
По этому показателю составной транзистор аналогичен понижающему трансформатору. Но относительно характеристик трансформатора транзистор Дарлингтона имеет гораздо больший коэффициент усиления по мощности. Такие транзисторы могут обслуживать работу ключей с частотой до 25 Гц.
Система промышленного производства составных транзисторов отрегулирована таким образом, чтобы модуль был полностью укомплектован и снабжен эмиттерным резистором.
Как проверить транзистор Дарлингтона
Проще всего проверить составной транзистор следующим образом:
- Эмиттер подключается к «минусу» источника питания;
- Коллектор подключается к одному из выводов лампочки, второй его вывод перенаправляется на «плюс» блока питания;
- Положительное напряжение передается на базу с помощью резистора, лампочка горит;
- Через резистор на базу передается отрицательное напряжение, лампочка не горит.
Если все получилось как описано, значит транзистор исправен.
Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то упустил. Загляните, буду рад, если найдете еще что-то полезное на моем.
Если открыть любую книгу по электронной технике, то сразу видно, сколько элементов названо именами их создателей: диод Шоттки, стабилитрон (он же стабилитрон), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.
Инженер-электрик Сидни Дарлингтон экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления. В схемах использовались усилители тока.
Инженер Дарлингтон изобрел и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненных на едином кристалле кремния с рассеянными n (отрицательными) и p (положительными) переходами. Новое полупроводниковое устройство было названо в его честь.
В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называют составным. Так давайте же познакомимся с ним поближе!
Составной транзисторный прибор.
Как уже было сказано, это два и более транзистора, выполненные на одном полупроводниковом кристалле и упакованные в один общий корпус. В эмиттерной цепи первого транзистора также имеется нагрузочный резистор.
Транзистор Дарлингтона имеет те же выводы, что и всем знакомый биполярный: База, Эмиттер и Коллектор.
Схема Дарлингтона
Как видите, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности он может содержать более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что биполярный и полевой транзистор также используется в высоковольтной электронике. Это IGBT-транзистор. Его также можно классифицировать как составное гибридное полупроводниковое устройство.
Основные характеристики транзистора Дарлингтона.
Основным преимуществом составного транзистора является его высокий коэффициент усиления по току.
Следует запомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это выигрыш ( ч 21 ).
Он также обозначается буквой β.
(“бета”) греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60, то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих значений, то есть 7200, что очень хороший. В результате для включения транзистора достаточно очень малого тока базы.
Инженер Шиклай (Sziklai) немного модифицировал схему Дарлингтона и получил транзистор, который получил название комплементарного транзистора Дарлингтона. Напомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимостью. Такой парой в свое время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона составной транзистор Шиклая собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n … Вот пример составного транзистора Шиклая, который работает как транзистор n-p-n, хотя состоит из двух разных структур.
Схема Шиклаи
К недостаткам составных транзисторов можно отнести низкое быстродействие , поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных цепях.
Такие транзисторы отлично зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в ключах электронных цепей зажигания автомобилей.
Основные электрические параметры:
Напряжение коллектор-эмиттер 500 В;
Напряжение эмиттера – база 5 В;
Коллекторный ток – 15 А;
Максимальный ток коллектора – 30 А;
Мощность рассеивания при 25 0 С – 135 Вт;
Температура кристалла (перехода) – 175 0 С.
На принципиальных схемах нет специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Однако есть исключения. Вот одно из возможных его обозначений на принципиальной схеме.
Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как структуру p-n-p, так и структуру n-p-n. В связи с этим производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К ним относятся серии TIP120-127 и MJ11028-33.
Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n , а TIP125, TIP126, TIP127 – p-n-p .
Также на принципиальных схемах можно встретить это обозначение.
Примеры использования составного транзистора.
Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем на транзисторе Дарлингтона.
При подаче тока около 1мА на базу первого транзистора через его коллектор потечет ток в 1000 раз больший, то есть 1000мА. Получается, что простая схема имеет приличный коэффициент усиления. Вместо мотора можно подключить электрическую лампочку или реле, с помощью которых можно переключать мощные нагрузки.
Если вместо сборки Дарлингтона используется сборка Шиклая, то нагрузка подключается к эмиттерной цепи второго транзистора и подключается не к плюсу, а к минусу блока питания.
Если объединить транзистор Дарлингтона и сборку Шиклая, получится двухтактный усилитель тока. Он называется двухтактным, потому что в конкретный момент времени может быть открыт только один из двух транзисторов, верхний или нижний.
Эта схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение возвращается к входному напряжению.
Это не всегда удобно и поэтому на вход двухтактного усилителя тока добавляется еще один инвертор. В этом случае выходной сигнал в точности повторяет сигнал на входе.
Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.
Широко используются интегральные схемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одним из самых распространенных является интегральная сборка L293D. Его часто используют в своих самоделках любители робототехники. L29Микросхема 3D представляет собой четыре усилителя тока в общем корпусе. Поскольку в рассмотренном выше двухтактном усилителе всегда открыт только один транзистор, выход усилителя поочередно подключается то к плюсу, то к минусу источника питания. Это зависит от величины входного напряжения. По сути, у нас есть электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.
Вот “кусок” схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятый из ее даташита (справочного листа).
Как видите, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклаи. Верхняя часть схемы представляет собой составной транзистор Шиклая, а нижняя часть — транзистор Дарлингтона.
Многие помнят времена, когда вместо DVD-плееров были видеомагнитофоны. А с помощью микросхемы L293 управлялось два электродвигателя видеорегистратора, причем в полнофункциональном режиме. Для каждого двигателя можно было управлять не только направлением вращения, но и посылая сигналы с ШИМ-регулятора, можно было управлять скоростью вращения в широких пределах.
Также широко используются специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона. Примером может служить микросхема УЛН2003А (аналог К1109КТ22). Эта интегральная схема представляет собой массив из семи транзисторов Дарлингтона. Эти универсальные сборки могут быть легко применены к радиолюбительским схемам, таким как радиоуправляемые реле. Я об этом.
Darlington), часто являются составными элементами радиолюбительских конструкций.
Как известно, при таком включении усиление по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, действующему на каскад. Усилители для , состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанного в справочной литературе.
С этим неприятным эффектом можно справиться по-разному. Один из них – самый простой – это наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса напряжения коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одной упаковке, например: КТ712, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ973 и т. д. В этот список входят устройства большой и средней мощности, рассчитанные почти на весь спектр радиотехнических устройств.
А можно использовать классический – с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В – или использовать КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключается вместо базы VT1, а выход истока вместо эмиттера VT2, вывод стока вместо совмещенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора
После такой простой доработки, т.е. замены узлов в электрических цепях, универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратном и более перенапряжении. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокий вход и, как следствие, могут выдерживать перегрузки при импульсном характере управления этим электронным блоком.
Коэффициент усиления по току результирующего каскада не менее 50. Он увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…Б можно использовать микросхему 1014КТ1В без потери качества устройства. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б, этот выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера – до 200 В постоянного тока. Цоколёвка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1Б показана на рис. 1.25.
Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включаются параллельно.
Цоколёвка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…Б
Автор протестировал десятки электронных компонентов входящих в комплект. Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей, аналогичных составным транзисторам, включаемым . К вышеперечисленным особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии, благодаря высокому входу, они практически не потребляют ток. Что же касается стоимости таких транзисторов, то на сегодняшний день она практически равна стоимости транзисторов средней мощности типа, (и им подобных), которые обычно используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.
Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, а ее коэффициент β будет равен произведению коэффициентов β составляющих транзисторов. Этот метод полезен для сильноточных приложений (таких как регуляторы напряжения или выходные каскады усилителя мощности) или для входных каскадов усилителя, где требуется высокое входное сопротивление.
Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.
В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения не менее равно падению напряжения на диоде (поскольку эмиттерный потенциал транзистора Т 1 должен превышать потенциал эмиттера транзистора Т 2 на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, включенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно медленным откликом, так как транзистор Т 1 не может быстро выключить транзистор Т 2. С учетом этого свойства между базой и эмиттером обычно включают резистор транзистора Т 2 (рис.
2.61). Резистор R препятствует подмешиванию Т 2 в область проводимости за счет токов утечки Т 1 и Т 2 . Сопротивление резистора выбирают таким образом, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощные транзисторы) создают на нем падение напряжения, не превышающее падение напряжения на диоде, и в то же время так, чтобы через него протекал ток. мало по сравнению с током базы транзистора T 2 . Обычно R составляет несколько сотен Ом в транзисторе Дарлингтона большой мощности и несколько тысяч Ом в транзисторе Дарлингтона с малым сигналом.
Рис. 2.61. Увеличение скорости выключения составного транзистора Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде комплектных модулей, включающих, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы является мощный NPN-транзистор Дарлингтона типа 2N6282 с коэффициентом усиления по току 4000 (типовой) при токе коллектора 10 А.
Подключение транзистора Шиклаи.
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи – схема аналогичная той. который мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента β. Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор типа n-p-n с большим коэффициентом β. В схеме между базой и эмиттером одно напряжение, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, не менее равно падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Эту схему конструкторы используют в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Т1. Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами Т2 и Т3, ведет себя как одиночный NPN-транзистор. с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т 4 и Т 5, включенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный p-n-p-транзистор.
с высоким коэффициентом усиления. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазикомплементарной симметрией. На данном этапе с дополнительной симметрией (комплементарной) транзисторы Т 4 и Т 5 были бы соединены Дарлингтоном.
Рис. 2.62. Подключение транзистора Шиклаи («комплементарный транзистор Дарлингтона»).
Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы n-p-n.
Транзистор со сверхвысоким усилением по току. Составные транзисторы – транзистор Дарлингтона и им подобные – не следует путать с транзисторами со сверхвысоким коэффициентом усиления по току, у которых в технологическом процессе изготовления элемента получается очень большое значение коэффициента h 21э. Примером такого элемента является 2Н59.62 транзистор. для которых гарантирован минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; этот транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, для которой характерен диапазон максимальных напряжений U кэ от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть выше, то значение С следует уменьшить).
Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов с очень большим коэффициентом β. Применяются в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому вопросу посвящена гл. 2.18. Примерами таких стандартных схем являются такие схемы, как LM39.4 и МАТ-01; это транзисторные пары с высоким коэффициентом усиления, в которых напряжение U согласовано до долей милливольта (в лучших схемах обеспечивается согласование до 50 мкВ), а коэффициент h 21e составляет до 1%. Схема типа МАТ-03 представляет собой согласованную пару pnp – транзисторов.
Транзисторы с очень большим коэффициентом β можно комбинировать по схеме Дарлингтона. В этом случае ток смещения базы можно сделать равным всего 50 пА (примерами таких схем являются операционные усилители типа LM111 и LM3169).0005
Тегангановый транзистор Pengatur. Скема, описания. Regulator Tegangan Sederhana untuk Pemula
BEBERAPA DIAGRAM UTAMA POWER CONTROLLER
REGULATOR DAYA PADA TRIAC
Fitur dari perangkat yang diusulkan adalah penggunaan pemicu D untuk membangun generator yang disinkronkan dengan voltase utama, dan cara mengontrol triac menggunakan satu pulsa, yang durasinya diatur secara отоматис.
Tidak seperti metode kontrol pulsa triac lainnya, metode ini tidak kritis terhadap keberadaan komponen induktif dalam beban. Генератор пульса mengikuti dengan periode sekitar 1,3 detik.
Sirkuit mikro DD 1 ditenagai oleh arus yang mengalir melalui dioda pelindung yang terletak di dalam sirkuit micro antara terminal 3 dan 14. Arus mengalir ketika tegangan pada terminal ini, yang terhubung ke jaringan melalui резистор R 4 dan dioda VD 5, melebihi tegan digan стабилитрон ВД 4 .
К. ГАВРИЛОВ, Радио, 2011, № 2, хал. 41
KONTROL DAYA DUA-SALURAN UNTUK PERANGKAT PEMANASAN
Регулятор berisi dua saluran independen dan memungkinkan Anda untuk mempertahankan suhu yang diperlukan untuk berbagai beban: surikhu ujung besi listry, setrika listrik, pemanas list. Кедаламан пенгатуран адалах 5…95% дари дайя джаринган суплай. Регулятор Sirkuit ditenagai oleh tegangan penyearah 9 … 11 V dengan isolasi трансформатор dari jaringan 220 V dengan konsumsi arus rendah.
В.
Г. Никитенко, О.В. Никитенко, Радиоаматор, 2011, № 4, хал. 35
PENGENDALI DAYA TRIAC
Fitur pengontrol triac ini adalah bahwa jumlah setengah siklus tegangan listrik yang diterapkan ke beban pada setiap posisi elemen kontrol ternyata genap. Akibatnya, komponen konstan dari arus yang dikonsumsi tidak terbentuk dan, akibatnya, tidak ada magnetisasi dari sirkuit magnetik трансформатор dan listrik yang terhubung ke регулятор. Daya diatur dengan mengubah jumlah Periode tegangan bolak-balik yang diterapkan pada beban dalam interval waktu tertentu. Regulator dirancang untuk mengatur kekuatan perangkat dengan inersia yang signifikan (pemanas, dll.).
Tidak cocok untuk mengatur kecerahan pencahayaan, karena lampu akan berkedip kuat.
В. КАЛАШНИК, Н. ЧЕРЕМИСИНОВА, В. ЧЕРНИКОВ, Радиомир, 2011, № 5, хал. 17 – 18
РЕГУЛЯТОР TEGANGAN BEBAS GANGGUAN
Sebagian besar регулятор tegangan (daya) dibuat pada тиристор sesuai dengan rangkaian kontrol fase-pulsa.
Seperti янь Anda ketahui, perangkat semacam ITU menciptakan tingkat вмешательство радио янь nyata. Kontroler янь diusulkan bebas дари kekurangan ини. Фитур дари регулятор янь diusulkan adalah kontrol amplitudo tegangan bolak-balik, ди мана bentuk sinyal выход tidak terdistorsi, berbeda dengan kontrol fase-pulsa.
Elemen pengatur adalah транзистор VT1 yang kuat di диагональный jembatan dioda VD1-VD4, dihubungkan secara seri dengan beban. Kerugian utama дари perangkat ини adalah efisiensinya янь rendah. Ketika транзистор ditutup, tidak ада арус янь mengalir melalui penyearah дан beban. Jika tegangan kontrol diterapkan ke dasar транзистор, транзистор terbuka, arus mulai mengalir melalui bagian kolektor-emitor, jembatan dioda, dan beban. Регулятор выхода теганган пада (пада бебан) менингкат. Ketika транзистор terbuka дан dalam режиме saturasi, hampi seluruh teggan listrik (вход) diterapkan ке beban. Sinyal kontrol membentuk catu daya rendah, dipasang pada трансформатор T1, penyearah VD5 и конденсатор pemulus C1.
Вариабельный резистор R1 имеет базовый транзистор, с большой амплитудой на выходе. Ketika penggeser резистор variabel dipindahkan ke posisi atas sesuai dengan skema, tegangan output berkurang, dan ke posisi bawah meningkat. Резистор R2 имеет максимальный контроль. Диода VD6 melindungi блок управления jika terjadi kerusakan pada sambungan коллектор транзистор. Регулятор tegangan dipasang pada papan стекловолоконная фольга setebal 2,5 мм. Транзистор VT1 имеет минимальное сечение радиатора 200 см2. Jika perlu, dioda VD1-VD4 diganti dengan yang lebih kuat, misalnya D245A, dan juga ditempatkan di unit pendingin.
Jika perangkat dirakit tanpa kesalahan, perangkat akan segera bekerja dan memerlukan sedikit atau tanpa penyesuaian. Включите сопротивление резистора R2.
Транзисторный транзистор KT840B мощностью 60 Вт. Имеет следующие характеристики: KT812B, KT824A, KT824B, KT828A, KT828B, мощность которых составляет 50 Вт.; КТ856А -75 Вт.; КТ834А, КТ834Б – 100 Вт; KT847A-125 W.
Diperbolehkan untuk meningkatkan daya beban jika транзисторный контроль дари jenis yang sama dihubungkan secara parallel: hubungkan kolektor dan излучатель satu sama lain, dan hubungkan базис melalui dioda dan резистор terpisah ke mesin резистор variabel.
Perangkat menggunakan трансформатор berukuran kecil dengan tegangan pada belitan sekunder 5 … 8 V. Unit penyearah KTs405E dapat diganti dengan yang lain atau dirakit дари dioda individu dengan arus maju yang diizinkan tidak kurang дари arus base yang diperlukan дари транзистор pengatur. Persyaratan янь сама berlaku untuk dioda VD6. Конденсатор C1 – оксид, мисальня, K50-6, K50-16, длл., пада нилаи теганган тидак куранг дари 15 В. Резистор вариабельный R1 – апа саджа денган нилаи дайа дисипаси 2 ватт, не меняя значения и не меняя его, тиндакан пенцегахан харус дилакукан: elemen pengatur berada ди bawah teggann listrik. Кататан: Untuk mengurangi distorsi tegangan keluaran синусоидальный, coba hilangkan kapasitor C1. А. Чекарова
Регулятор теганган MOSFET – транзистор (IRF540, IRF840)
Олег Белоусов, Туканг Листрик, 2012 2 , №12, хал.
64 – 66
Karena prinsip fisik pengoperasian транзистор efek medan dengan gerbang berinsulasi berbeda dari pengoperasian тиристор дан симистор, транзистор dapat dihidupkan дан dimatikan berulang kali selama Periode tigangan listrik. Транзистор Beralih frekuensi kuat di sirkuit ini, 1 кГц dipilih. Keuntungan дари skema ини adalah kesederhanaannya дан kemampuan untuk mengubah siklus kerja pulsa, sementara sedikit mengubah tingkat pengulangan pulsa.
Время задержки, длительность импульса твердости: 0,08 мс, время задержки 1 мс и 0,8 мс, время ожидания 0,9 мс, время задержки ползункового резистора R2.
Anda dapat mematikan tegangan pada beban dengan menutup Sakelar S 1, sedangkan gerbang транзистор MOSFET diatur ke tegangan yang mendekati tegangan pada pin 7 дари rangkaian mikro. Один и тот же резистор R 2 на 18 … 214 В (тип TES 2712).
диаграмма sirkuit pengontrol seperti itu ditunjukkan пада gambar ди bawah ини. Регулятор menggunakan sirkuit микро K561LN2 domestik, dua elemen digunakan untuk merakit генератор переменного тока dengan kesombongan yang dapat disesuaikan, dan empat elemen digunakan sebagai penguat arus.
Untuk menghilangkan gangguan pada jaringan 220, direkomendasikan untuk menghubungkan luka choke pada cincin ferit dengan диаметр 20 … 30 мм secara seri dengan beban hingga diisi dengan kabel 1 мм.
Муат генератор саат ини транзистор биполярный(КТ817, 2SC3987)
Бутов А.Л., Desainer радио, 2012 2 , №7, гал. 11 – 12
Untuk meriksa kinerja dan mengconfigurasi catu daya, акан lebih мудах untuk menggunakan симулятор beban dalam bentuk генератор арус янь dapat disesuaikan. Menggunakan perangkat seperti itu, Anda tidak hanya dapat dengan cepat mengatur catu daya, penstabil tegangan, tetapi juga, misalnya, menggunakannya sebagai генератор arus stabil untuk mengisi dan mengeluarkan baterai, perangkat elektrolisis, untuk etsa elektrokimia catu untitubil sirkuit, seukti lampu listrik, untuk start-up “лунак” мотор листрик коллектор.
Perangkat ини adalah perangkat дуа терминал, tidak memerlukan сумма дайя tambahan дан dapat dimasukkan dalam pemutus sirkuit дайя berbagai perangkat дан aktuator.
Penyesuaian arus berkisar dari 0,…0, 16 hingga 3 A, максимальная потребляемая мощность (расход) 40 Вт, резервное питание 3…30 В постоянного тока. Konsumsi arus diatur oleh резистор variabel R 6. Semakin ke kiri dalam диаграмма penggeser резистор R6, semakin banyak arus yang dikonsumsi perangkat. Dengan kontak terbuka SAKELAR SA 1, резистор R6 dapat mengatur konsumsi arus dari 0,16 hingga 0,8 A. Dengan kontak Sakelar ini tertutup, arus diatur dalam kisaran 0,7 … 3 A.
Gambar papan sirkuit tercetak dari генератор саат ини
Simulator Baterai Mobil (KT827)
В. МЕЛЬНИЧУК, Радиомир, 201 2, № 1 2, хал. 7 – 8
Saat mengerjakan ulang catu daya Switching komputer (UPS), perangkat pengisian ulang (pengisi daya) untuk aki mobil, produk jadi harus dimuat dengan sesuatu selama proses penyiapan. Oleh karena itu, saya memutuskan untuk membuat аналог dioda zener yang kuat dengan tegangan stabilisasi yang dapat disesuaikan, sirkuit a yang ditunjukkan пада gambar.
сату . Резистор R 6 dapat menyesuaikan tegangan stabilisasi dari 6 hingga 16 V. Secara total, dua perangkat tersebut dibuat. Pada varian pertama, KT 803 digunakan sebagai транзистор VT 1 dan VT 2.
Resistansi внутренний диода zener seperti itu ternyata terlalu tinggi. Джади, напряжение 2 А, напряжение питания 12 В, напряжение питания 8 А – 16 В. Напряжение питания, транзисторный композит КТ827 дигунакан. Di sini, pada arus 2 A, tegangan stabilisasi adalah 12 V, dan pada 10 A – 12,4 V. membuat terlalu banyak gangguan pada jaringan. Untuk mengatasi masalah ини, lebih baik menggunakan регулятор dengan periode режим ON-OFF Ян lebih лама, ян jelas menghilangkan terjadinya gangguan. Салах Сату Вариан Skema ditampilkan.
Транзистор Pengatur tegangan
Dalam beberapa edisi majalah “Radioamator” sirkuit регулятор tegangan listrik berbasis тиристор dicetak, tetapi perangkat tersebut memiliki sejumlah kelemahan signifikan yang membatasi kemampuannya. Pertama, mereka memperkenalkan gangguan yang cukup mencolok ke jaringan listrik, yang sering berdampak buruk pada pengoperasian TV, радио, магнитофон.
Kedua, mereka hanya dapat digunakan untuk mengontrol beban dengan Resistance aktif (lampu listrik, elemen pemanas) dan tidak dapat digunakan bersamaan dengan beban induktif (двигатель listrik, трансформатор).
Sementara ITU, semua masalah ини dapat dengan mudah diselesaikan dengan merakit perangkat elektronik di mana peran elemen pengatur tidak dilakukan oleh тиристор, tetapi oleh транзистор янь kuat. Saya mengusulkan desain seperti itu, дан siapa каламбур, bahkan amatir радио янь tidak berpengalaman, dapat mengulanginya, sambil menghabiskan waktu dan uang минимум. Pengatur tegangan транзистор mengandung beberapa elemen радио, tidak mengganggu jaringan listrik дан bekerja пада beban dengan Resistances aktif дан induktif. Dapat digunakan untuk mengatur kecerahan lampu gantung atau lampu meja, suhu pemanasan припой atau kompor listrik, perapian listrik, kecepatan putaran motor listrik, kipas angin, bor listrik, atau tegangan pada belitan трансформатор. .
Параметр memiliki berikut: rentang penyesuaian tegangan dari 0 hingga 218 V; Дайя beban maximum tergantung пада транзистор Ян digunakan дан dapat 500 Вт atau lebih.
Элемен пенгатур проницаем для транзистора VT1 (лихат гамбар).
Блок диода VD1-VD4, tergantung pada fase tegangan listrik, mengarahkan teggangan ini ke kolektor atau emitor VT1. Trafo T1 menurunkan teggangan 220. В мужчине 5-8 V., ян дипербайки оле блок диода VD6-VD9 дан дигалускан оле капаситор C1. Резистор variabel R1 berfungsi untuk mengatur besarnya tegangan kontrol, dan резистор R2 membatasi arus на основе транзистора.
Dioda VD5 melindungi VT1 dari mendapatkan tegangan polaritas negatif ke basicnya. Perangkat terhubung ke listrik dengan colokan XP1. Socket XS1 digunakan untuk menghubungkan beban. Регулятор beroperasi sebagai berikut. Setelah менялакан Daya dengan Sakelar Sakelar S1, tegangan listrik disuplai secara bersamaan ke dioda VD1, VD2 дан belitan Primer Transformator T1. Dalam hal ini, penyearah, ян terdiri дари блок диода VD6-VD9, конденсатор C1 и резистор variabel R1, menghasilkan tegangan kontrol yang disuplai ke dasar транзистор дан membukanya.
Jika pada saat регулятор dihidupkan, jaringan memiliki tegangan polaritas negatif, arus beban mengalir melalui rangkaian VD1-kolektor-emitor VT1-VD4. Dengan memutar Slider R1 и tegangan kontrol Anda dapat mengontrol arus kolektor VT1. Арус ини, дан денган демикян арус ян менгалир пада бебан, акан семакин бесар, семакин тингги тингкат кендали дан себаликня. Dengan posisi paling kanan dari mesin R1 sesuai dengan диаграмма, транзистор akan terbuka penuh, dan “dosis” listrik yang dikonsumsi oleh beban akan sesuai dengan yang номинальное. Jika penggeser R1 dipindahkan ke posisi paling kiri, VT1 akan terkunci, dan tidak ada arus yang mengalir melalui beban. Dengan mengendalikan транзистор, kita sebenarnya mengatur amplitudo tegangan AC dan arus yang bekerja pada beban. Пада саат янь сама, транзистор beroperasi Dalam режим контину, карена регулятор semacam ITU bebas дари kerugian янь melekat пада perangkat тиристор.
Ранканган . Блок диода, диода, конденсатора и резистора R2, прошитого пада-папан-серии 55х35 мм, фольгированного текстолита толщиной 1-2 мм.
Bagian berikut dapat digunakan dalam perangkat: транзистор КТ840А, Б (П=100 Вт), КТ856А (П=150 Вт), КТ834А, Б, В (П=200 Вт), КТ847А (П=250 Вт).
Регулятор Jika daya perlu ditingkatkan lagi, maka beberapa транзистор harus digunakan dengan menghubungkan terminalnya masing-masing. Mungkin, dalam hal ini, регулятор harus dilengkapi dengan kipas kecil untuk pendinginan udara yang lebih intensif дари perangkat semikonduktor.
Dioda VD1-VD4 jenis KD202R, KD206B atau dioda berukuran kecil lainnya untuk tegangan lebih dari 250 V dan arus sesuai dengan arus yang dikonsumsi oleh beban.
Блок диода ВД6-ВД9 типа КЦ405, КЦ407 с индексами хуруф апа саджа. Диода VD5 – D229B, K, L tau lainnya untuk arus hingga 1 A. Резистор переменного R1 типа SP, SPO, PPB dengan daya минимальной мощностью 2 Вт. Резистор типа R2 ВС, МЛТ, ОМПТ, С2-23 номиналом не менее 2 Вт. Капаситор оксида тип К50-6, К50-16. Дженис трансформатор джаринган ТВЗ-1-6 – дари радио табунг дан усилитель, ТС-25, ТС-27 – дари ТВ Юность, тетапи теганган дайа рэндах лайння дапат берхасил дигунакан гулунган секундер 5-8 В.
Секеринг ФУ1 унтук теганган 250 В дан арус sesuai dengan дайя maximum ян diijinkan дари транзистор. Транзистор harus dilengkapi dengan радиатор dengan luas disipasi минимальный 200 см2 dan ketebalan 3-5 мм.
Регулятор tidak perlu penyesuaian. Dengan pemasangan янь tepat дан suku cadang янь dapat diservis, ia mulai bekerja segera setelah terhubung ke jaringan.
Регулятор tegangan berfungsi untuk secara otomatis menjaga tegangan генератор мобиль dalam batas янь ditentukan, beroperasi dalam berbagai kecepatan ротор дан arus beban. Utama persyaratan teknis di perangkat kontrol adalah untuk mempertahankan tegangan выходной генератор Dalam kisaran янь sangat sempit, ян пада gilirannya ditentukan oleh keandalan operasi дан дайя тахан berbagai konsumen.
Sampai saat ini, pengaturan tegangan dilakukan oleh регулятор getaran. PADA tahun-tahun terakhir pada mobil, транзисторный контакт и регулятор non-kontak dipasang, dibuat baik pada elemen disket maupun pada teknologi terintegrasi.
Dalam регулятор tegangan kontak-transistor, fungsi elemen pengatur yang termasuk dalam rangkaian belitan exitasi генератор dilakukan oleh транзистор, dan elemen kontrol dan pengukuran dilakukan oleh relai getaran. Pengontrol non-kontak dalam versi diskrit дан terintegrasi menggunakan транзистор и тиристор sebagai elemen pengatur дан контроль, дан стабилизатор sebagai elemen pengukur. Регулятор Penggantian tegangan getaran dengan транзистор memungkinkan untuk memenuhi persyaratan peralatan listrik.
Menjadi mungkin untuk meningkatkan eksitasi генератор hingga 3 A dan lebih banyak lagi; mencapai akurasi дан stabilitas tinggi дари tegangan ян diatur; менингкаткан умур регулятор теганган; mempermudah perawatan sistem catu daya mobil. Установлено, релейно-транзисторное реле – регулятор типа PP-362 и PP-350 в комплекте с генератором типа G 250. Регулятор транзисторный регулятор PP-356 управляется с помощью генератора G272. Регулятор интегральный 112A, встроенный в генератор 14 вольт.
Регулятор tegangan terintegrasi I 120 dirancang untuk генератор G272 kendaraan berat. пада гамбар. 1 менюньюккан схема регулятора контакт-транзистор. Регулятор тердири дари транзистор Т (элемент пенгатур), пенгатур теганган гетаран РН (элемен контроль) и реле защиты РЗ. Relai-регулятор memiliki satu RNO belitan shunt yang terhubung ke tegangan penyearah генератор melalui dioda pemblokiran D2, резистор percepatan Ru dan резистор kompensasi termal Rt. Relaibianya memiliki kontak terbuka yang termasuk dalam rangkaian kontrol транзистор. Ketika kecepatan putaran роторный генератор tidak tinggi dan tegangan генератор belum mencapai nilai yang ditetapkan, kontak PH terbuka, транзистор T terbuka. Базовый транзистор dihubungkan ke kutub catu daya dan транзистор dimatikan. Dalam hal ini, arus eksitasi melewati Rd tambahan dan резистор percepatan Ry yang melangsir транзистор, ян menyebabkan penurunan arus eksitasi dan, akibatnya, генератор tegangan.
Гамбар.1.
Контак реле регулятора тербука лаги дан транзистор тербука.
Kemudian прозы лаконичны, но diulangi dengan frekuensi tertentu. Rу – memungkinkan Anda untuk meningkatkan frekuensi aktuasi dan pelepasan PH регулятор tegangan relai karena perubahan penurunan tegangan melintasi резистор dalam keadaan транзистор terbuka dan terkunci, yang mengarah ke perubahan tegangan yang lebih tajam pada berliku RN. Диода D2, termasuk dalam rangkaian эмиттер транзистор T, berfungsi untuk secara aktif mengunci транзистор keluaran, ян diperlukan untuk memastikan pengoperasian транзистор ян андал пада suhu tinggi.
Penguncian dilakukan karena fakta bahwa penurunan tegangan melintasi D2 дари арус янь mengalir melalui Ru dan Rd, ketika транзистор terkunci, diterapkan ke persimpangan эмиттерный транзистор на основе Dalam arah penguncian. Резистор kompensasi suhu Pt diperlukan untuk mempertahankan tegangan pada tingkat tertentu dalam kondisi perubahan suhu yang luas. Dioda Dg berfungsi untuk meredam EMF дари induksi sendiri дари belitan eksitasi дан melindungi транзистор дари tegangan lebih пада saat pengunciannya.
Relai proteksi RZ dirancang untuk melindungi транзистор дари arus tinggi ян terjadi jika terjadi sirkuit pendek penjepit pada badan генератор atau регулятор. Relai memiliki RZo belitan utama yang terhubung secara seri dengan OVG, RZv tambahan terhubung secara parallel dengan OVG dan memegang RZu, RZo dan RZv terhubung dalam arah yang berlawanan.
Jika terjadi korsleting, arus melalui RZo meningkat, RZv secara bersamaan di-shunt, kontak RZ ditutup, транзистор ditutup, dan belitan penahan RZu dihidupkan. Резистор Ru dan Rd, batasi arus hubung singkat menjadi 0,3 A. Hanya setelah hubung singkat dihilangkan dan AB dimatikan, RZU akan mematikan RZ. Dioda D1 digunakan untuk mengecualikan operasi RZ ketika kontak регулятор tegangan RN ditutup, karena jika tidak ada dioda ini, RZu akan dihidupkan ke tegangan генератор. Регулятор Keandalan disebabkan oleh penurunan daya putus kontak. Namun, keausan, pembakaran dan erosi kontak, keberadaan pegas dan sistem osilasi sering menyebabkan kegagalannya. пада гамбар. 2 регулятора tegangan бесконтактного типа PP-350, ян digunakan pada mobil ГАЗ Волга.
Берас. 2.
Регулятор теганган бесконтактный тердири дари транзистор Т2 и Т3 – германиевый; T1 – кремний, резистор R6 – R9 дан диода D2 дан D3, стабилитрон диода D1, входной памбаги теганган R1, R2, R3, Rt дан индуктор Др. стабилитрон D1 dikunci, dan транзистор T2 dan T3 tidak terkunci dan di sepanjang rangkaian (+) penyearah – диод D3 – эмиттерный переход – коллекторный транзистор TZ – belitan eksitasi OVG – (–) bocor arus maximum gairah. Segera setelah tegangan yang diperbaiki mencapai tingkat yang telah ditentukan, диода стабилитрон “menerobos” дан транзистор T1 tidak terkunci. Сопротивление транзистора ini menjadi минимальное, дан melangsir persimpangan, эмиттерный транзистор T2 и T3, yang menyebabkan pemblokiran mereka. Арус ОВГ Мулай Турун. Pergantian sirkuit dilakukan dengan frekuensi tertentu dan nilai arus eksitasi seperti itu dibuat di mana nilai rata-rata tari tegangan yang diatur dipertahankan pada tingkat tertentu.
Untuk meningkatkan kejelasan переключающий транзистор dan mengurangi waktu transisi rangkaian дари сату keadaan ke keadaan lain, ia menyediakan rangkaian rangkaian umpan balik yang mencakup резистор R4. Dengan peningkatan tegangan input, maka (+) penyearah – диода D3 – эмиттер персимпангана – базовый транзистор T3 – диод D2 – эмиттер персимпангана – коллектор транзистора T2 – резистор R4 – белитан индуктор Dr – (-), berkurang , yang menyebabkan penurunan tegangan jatuh pada Д-р Далам халини, penurunan tegangan pada dioda zener D1 meningkat, menyebabkan arus на основе T1 meningkat дан peralihan транзистор ини menjadi lebih cepat. Ketika teggangan input turun, rangkaian umpan balik berkontribusi pada penghentian cepat транзистор T1.
Untuk pemblokiran aktif транзистор keluaran T3 dan operasi yang andal pada suhu sekitar yang tinggi, диода D3 termasuk dalam rangkaian эмиттер транзистор T3. Penurunan tegangan melintasi dioda dipilih menggunakan резистор R9. Dioda D2 berfungsi untuk memperbaiki penguncian транзистор T2 ketika транзистор T1 dimatikan karena adanya tambahan drop tegangan pada dioda ini. Дроссельный доктор digunakan untuk menyaring tegangan ввода. Термистор Rt mengkompensasi perubahan penurunan tegangan pada persimpangan эмиттер транзистор T1 дан стабилизатор D1 дари suhu sekitar. Регулятор teggangan untuk truk berat МАЗ, КамАЗ, КрАЗ дибуат пада транзистор силиконовый (Gbr. 3).
Берас. 3.
Rangkaian pengontrol disederhanakan dibandingkan dengan PP-350, jumlah транзистор berkurang. Диода D2 дан D3, термасук далам рангкаян дасар транзистор Т2, memungkinkan untuk menggunakan транзистор dengan toleransi параметр ян lebih luas, khususnya untuk tegangan saturasi T1. Ketika ditenagai oleh 24 V, dipertimbangkan untuk menggunakan rangkaian tambahan pada pembagi tegangan, термальный термистор Rt и резистор R7. пада гамбар. 4 menunjukkan диаграмма Pengatur tegangan PP132A Ян digunakan ди УАЗ.
Берас. сопереживать Skema регулятор теганган RR 132A:
1 – дроссельная заслонка; 2, 3, 4, 5, 6, 13, 14, 15, 16, 18, 20, 22, 23, 24 – резистор; 7 – диода; 8, 9, 17 – транзистор; 10, 11, 12, 19 – диодный стабилитрон. Rangkaian ини Адалах регулятор tegangan транзистор без контакта, ян memiliki tiga Rentang Pengaturan tegangan ян dapat disesuaikan. Mengubah rentang tegangan янь diatur dilakukan dengan beralih 25, янь terletak ди bagian atas rumah регулятор. Tegangan yang dapat disesuaikan pada kecepatan роторный генератор – 35 mnt-1, beban 14 A, suhu 20 Hai
Регулятор beroperasi sebagai berikut. Setelah менялакан Daya dengan Sakelar Sakelar Q1, tegangan listrik disuplai secara bersamaan ke dioda VD1, VD2 dan belitan Primer Transformator T1. Dalam hal ini, penyearah, ян terdiri дари блок диода VD6-VD9, конденсатор C1 и резистор variabel R1, menghasilkan tegangan kontrol yang disuplai ke dasar транзистор дан membukanya. Jika pada saat регулятор dihidupkan, jaringan memiliki tegangan polaritas negatif, arus beban mengalir melalui sirkuit VD2 – излучатель-колектор VT1-VD3. Jika polaritas teggan listrik positif, arus mengalir melalui rangkaian VD1 – коллектор-эмитент VT1-VD4. Nilai arus beban tergantung pada besarnya tegangan kontrol berdasarkan VT1. Dengan memutar mesin R1 dan mengubah nilai tegangan kontrol, mereka mengontrol arus kolektor VT1. Арус ини, дан каренаня, арус янь менгалир далам бебан, акан семакин бесар, семакин тингги, уровень, теганган контроль, дан себаликня. Dengan posisi paling kanan dari mesin резистор variabel sesuai dengan диаграмма, транзистор akan benar-benar terbuka dan “dosis” listrik yang dikonsumsi oleh beban akan sesuai dengan nilai номинальный. Jika penggeser R1 dipindahkan ke posisi paling kiri, VT1 akan terkunci dan tidak ada arus yang mengalir melalui beban.
Dengan mengendalikan транзистор, sebenarnya kita mengatur amplitudo tegangan bolak-balik dan arus yang bekerja pada beban. Пада саат янь сама, транзистор beroperasi dalam режим контину, янь karenanya регулятор semacam ITU bebas дари kerugian янь melekat пада perangkat тиристор.
Sekarang мари кита beralih ke desain perangkat. Блок диода, конденсатор, резистор R2 и диод VD6 дипасанг пада папан серкуит берукан 55х35 мм, тербуат дари гетинакс берляпис фольга и текстолит сетебаль 1-2 мм (Гр. 2).
Bagian berikut dapat digunakan ди perangkat. Транзистор – КТ812А(Б), КТ824А(Б), КТ828А(Б), КТ834А(Б,В), КТ840А(Б), КТ847А или КТ856А. Блок диода: ВД1-ВД4-КЦ410Б или КЦ412В. ВД6-ВД9 – КЦ405 ау КЦ407 денган индексы хуруф апа каламбур; диоды VD5 – серии D7, D226 и D237. Резистор вариабельный – тип СП, СПО, ППБ номиналом не менее 2 Вт, постоянный – ВС, МЛТ, ОМЛТ, С2-23. Капаситор оксида – К50-6, К50-16. Trafo jaringan – TV3-1-6 dari radio tabung dan усилитель, TS-25, TS-27 – dari TV Yunost atau yang berdaya rendah lainnya dengan tegangan belitan sekunder 5-8 V. Sekering dirancang untuk arus maximum 1 A. Sakelar Samelar – T3-C atau jaringan lainnya. XP1 – колокан листрик стандартный, XS1 – сокет.
Регулятор Semua elemen ditempatkan dalam wadah plastik dengan размерами 150x100x80 мм. Sakelar sakelar dipasang di pasang di atas kasing dan резистор variabel dengan pegangan dekoratif. Soket untuk menghubungkan beban dan soket sekering dipasang di salah satu dinding samping rumahan. Ди Сиси янь сама Ада lubang untuk kabel listrik. Транзистор, трансформатор, дан papan sirkuit dipasang di bagian bawah kasing. Транзистор harus dilengkapi dengan радиатор dengan luas hamburan минимальный 200 см 2 dan ketebalan 3-5 мм.
Регулятор tidak perlu penyesuaian. Dengan pemasangan янь tepat дан suku cadang янь dapat diservis, ia mulai bekerja segera setelah terhubung ke jaringan.
Sekarang beberapa rekomendasi bagi mereka yang ingin meningkatkan perangkat. Регулятор Perubahan terutama menyangkut peningkatan daya keluaran. Jadi, misalnya, saat menggunakan транзистор KT856, daya yang dikonsumsi oleh beban dari jaringan bisa 150 W, untuk KT834 – 200 W, dan untuk KT847-250 W. dapat digunakan sebagai elemen pengatur dengan menghubungkan terminalnya masing-masing. Mungkin, dalam hal ini, регулятор harus dilengkapi dengan kipas kecil untuk pendinginan udara yang lebih intensif дари perangkat semikonduktor. Selain itu, блок dioda VD1-VD4 perlu diganti dengan empat dioda yang lebih kuat, yang dirancang untuk tegangan operasi минимальный 250 V dan nilai arus sesuai dengan beban yang dikonsumsi. Untuk tujuan ini, perangkat seri D231-D234, D242, D243, D245-D248 cocok. Anda juga perlu mengganti VD5 dengan dioda yang lebih kuat, dengan nilai arus hingga 1 A. Selain itu, sekering harus tahan terhadap arus yang lebih besar.
Fase регулятор tegangan чакуп умум далам кехидупан сехари-хари. Площадь aplikasi mereka yang paling umum adalah perangkat peredupan .
Di bawah ini adalah beberapa sirkuit sederhana penyesuaian tegangan untuk pengulangan sendiri untuk amatir radio pemula .
Перхатиан !! Semua sirkuit dirancang untuk bekerja dengan tegangan listrik 220 вольт, jadi berhati-hatilah saat merakit dan mengatur!!
Skema ini adalah yang paling umum di berbagai negara asing peralatan Rumah tangga, sebagai yang paling sederhana dan paling dapat diandalkan, tetapi skema berikut telah menjadi lebih luas di negara kita:
Тиристор KU202N частокол digunakan sebagai тиристор, tetapi perlu dicatat bahwa jika Anda berencana untuk menggunakan beban yang kuat, maka тиристор perlu dipasang pada радиатор.
Fitur lain dari sirkuit ini adalah dinistor KN102A. Ini juga bukan elemen radio yang paling umum, tetapi dapat diganti dengan аналоговый транзистор dan kemudian rangkaian pengatur tegangan akan menjadi seperti ini:
Semua desain янь dipertimbangkan sangat sederhana, andal, mengatur tegangan dengan sempurna, tetapi bukannya tanpa kekurangan, karena itu para penggemar tidak diterjemahkan untuk menawarkan sirkuit mereka, meskipun yang lebih kompleks. Masalah utama дари skema ди атас adalah ketergantungan terbalik дари sudut фаса пада tingkat tegangan suplai, мисс. ketika tegangan turun dalam jaringan, sudut fase pembukaan тиристор atau triac meningkat, ян mengarah пада penurunan tegangan ян tidak пропорциональный пада beban. Penurunan tegangan ян kecil akan menyebabkan penurunan kecerahan lampu yang nyata dan sebaliknya. Jika ada riak kecil ди listrik, misalnya, дари pengoperasian mesin las, kedipan lampu akan menjadi jauh lebih terlihat.
Masalah lain dari sirkuit ini adalah terbatasnya rentang penyesuaian tegangan keluaran – tidak mungkin untuk mengatur tegangan hingga 100% karena adanya “langkah” dari simpul ambang yang memicu тиристор atau симистор.
Транзисторные соединения regelar. Схема, описание. Eenvoudige spanningsregelaars voor beginners
VERSCHILLENDE BELANGRIJKSTE DIAGRAM VAN VERMOGENSCONTROLLERS
VERMOGENSREGELAAR OP TRIAC
De kenmerken van het voorgestelde apparaat zijn het gebruik van een D – trigger om een generator te bouwen die is gesynchroniseerd met netspanning, en een manier om de симистор т.е. besturen met een enkele puls, waarvan de duur autotisch wordt geregeld. В tegenstelling tot andere methoden voor triac-pulscontrole, есть метод niet critisch voor de aanwezigheid van een индуктивная составляющая в де-распределении. Генератор импульсов срабатывает в течение 1,3 с.
De DD 1-microschakeling wordt gevoed door een stroom die door een beschermende диод vloeit die zich in de microschakeling tussen de klemmen 3 en 14 bevindt. Он должен соединяться с сетью через диод R 4 и диод VD 5, а также стабилизироваться с помощью стабилитрона VD 4 .
К. ГАВРИЛОВ, Радио, 2011, вып. 2, с. 41
TWEEKANAALS VERMOGENSCONTROLLER VOOR VERWARMINGSAPPARATEN
De regelaar bevat twee onafhankelijke kanalen en stelt u in staat om de vereiste temperatuur voor verschillende belastingen te handhaven: de temperatuur van de soldeerboutpunt, het strijkijzer, de elektrische verwarming, het elektrisch fornuis, enz. Регельдиепт 5…95% от вермогена заемных средств сети. Он имеет электрическую цепь, соединенную дверью, и герметиком, охватывающим фургон 9 … 11 В с изолированным трансформатором фургона и 220-вольтовой сетью, а также большим блоком питания.
В.Г. Никитенко, О.В. Никитенко, Радиоаматор, 2011, №1. 4, с. 35
TRIAC VERMOGENSCONTROLLER
Een kenmerk van deze Triac-controller is dat het aantalhalve cycli van de netspanning op de belasting op elke positie van het bedieningselement gelijk blijkt te zijn. Als resultaat wordt de Constante component van de verbruikte stroom niet gevormd en bijgevolg is er geen magnetisatie van de magnetische Circuits van de transformatoren en elektromotoren die op de regelaar zijn aangesloten. Het vermogen wordt geregeld door het aantal perioden van wisselspanning die in een bepaald tijdsinterval op de belasting worden toegepast te wijzigen. De regelaar ontworpen om het vermogen te regelen van apparaten met aanzienlijke traagheid (verwarmers, enz.).
Het is niet geschikt voor het aanpassen van de holderheid van verlichting, omdat de lampen sterk zullen knipperen.
В. КАЛАШНИК, Н. ЧЕРЕМИСИНОВА, В. ЧЕРНИКОВ, Радиомир, 2011, № 1, с. 5, с. 17 – 18
INTERFERENTIEVRIJE SPANNINGSREGELAAR
De meeste spanningsregelaars (vermogens) zijn gemaakt op thiristors volgens een fase-pulsregelcircuit. Zoals u weet, veroorzaken dergelijke apparaten een merkbaar niveau van radio-interferentie. De voorgestelde verwerkingsverantwoordelijke является vrij ван дезе tekortkoming. Een kenmerk ван де voorgestelde regelaar де regeling ван де амплитуда ван де wisselspanning, waarbij де vorm ван het uitgangssignaal niet wordt vervormd, в tegenstelling tot de fase-pulsregeling.
Элемент реконструированного транзистора VT1 в диагонали и диодных кольцах VD1-VD4, в серии соединенных между собой. Het grootste nadeel van het apparaat de lage efficiëntie. Wanneer де транзистор gesloten, vloeit er geen stroom door de gelijkrichter en de belasting. Кроме того, stuurspanning оп-де-основы ван-де-транзисторного словаря ангела, gaat-дез-открытый ан начала струм те vloeien двери он коллектор-эмиттергедeelte, де диодного brug en де belasting. De spanning aan de uitgang van de regelaar (bij de belasting) neemt toe. Wanneer de транзистор открыт в zich в де verzadigingsmodus bevindt, wordt bijna de volledige netspanning (ingangsspanning) op de belasting toegepast. Het stuursignaal vormt een laagvermogen voeding, gemonteerd открытый трансформатор T1, een gelijkrichter VD5 и en afvlakконденсатор C1.
Переменная опора R1 соответствует основному диапазону транзистора и амплитуде, определяемой диапазоном. Wanneer де schuifregelaar ван де variabele weerstand volgens het schema naar de bovenste positie wordt verplaatst, neemt de uitgangsspanning af en naar de onderste positie toe. Weerstand R2 begrenst de maximale waarde van de stuurstroom. Диод VD6 защищен от наибольшего сопротивления в виде коллектора и транзистора. De spanningsregelaar представляет собой открытое прозрачное стекло толщиной 2,5 мм, толщиной 2,5 мм. Транзистор VT1 имеет большую мощность и мощность с минимальной площадью сечения 200 см2. Индивидуальные диоды VD1-VD4 отличаются более высокой мощностью, двойной D245A, а также установлены на плате.
Все, что нужно сделать в elkaar wordt gezet, начать напрямую te werken en vereist het weinig tot geen aanpassingen. Het alleen nodig om de weerstand R2 te kiezen.
Мощный транзистор KT840B с высокой мощностью до 60 Вт; КТ856А -75 Вт.; КТ834А, КТ834Б – 100 Вт; КТ847А-125В. Он является тогестаан ом het belastingsvermogen te vergroten als de stuurtransistoren van hetzelfde type parallel zijn geschakeld: verbind de Collectoren en Emitters met elkaar en verbind de bases via afzonderlijke диоды en weerstanden met de motor met variabele weerstand.
Het apparaat maakt gebruik van een kleine трансформатор с охватывающей оп-де-второй wikkeling van 5 … 8 V. De KTs405E-gelijkrichtereenheid kan worden vervangen door een andere of worden samengesteld uit afzonderlijke диоды с тогестаном voorwaartse stroom die niet minder is dan de vereiste basestroom van de regeltransistor. Dezelfde eisen gelden для VD6-диода. Конденсатор C1 – оксид, двойной K50-6, K50-16, enz., Aan Nominale spanning niet miner dan 15 V. Variable weerstand R1 – другой с номинальным выходом: dissipatie 2 W. Bij het installeren en instellen van het apparaat moeten voorzorgsmaatregelen worden genomen: de regelelementen staan onder netspanning. Примечания: Проверьте конденсатор C1, который устранит засорение синусового узла, не затрагивая паразитов. А. Чечарова
MOSFET spanningsregelaar – транзисторы (IRF540, IRF840)
Олег Белоусов, электрик, 201 2 , нр. 12 , с. 64 – 66
Предусмотрен физический рабочий принцип работы транзистора с мощным эффектом, а также тиристора и симистора с низким коэффициентом полезного действия. Schakelfrequentie: Кратковременные транзисторы в цепи 1 кГц geselecteerd. Het voordeel van dit схема является де envoud ан де mogelijkheid ом де werkcyclus ван де импульс те veranderen, terwijl де pulsherhalingsfrequentie enigszins wordt gewijzigd.
In hentwerp van de auteur werden de volgende pulsduren verkregen: 0,08 мс, увеличенный период ожидания 1 мс и 0,8 мс, отмеченный период ожидания 0,9 мс, afhankelijk van de positie van de weerstand R2 -schuifregelaar.
U kunt de spanning bij de belasting uitschakelen door de schakelaar S 1 te sluiten, terwijl de lowten van de MOSFET-transistoren worden ingesteld open een spanning die dicht bij de spanning op pin 7 van de microschakeling ligt. Met de tuimelschakelaar open, kan de spanning bij de belasting in hemetre van de auteur van het apparaat worden gewijzigd door weerstand R 2 binnen 18 … 214 V (gemeten door een apparaat van het type TES 2712).
schakelschema zo’n контроллер не имеет значения в де onderstaande figuur. De regelaar maakt gebruik van huishoudelijke K561LN2-microschakeling, waarvan twee elementen worden gebruikt om een dynamo met instelbare swagger samen te stellen, en vier elementen worden gebruikt als struomversterkers. 1 мм драад.
Генератор Лаада биполярный транзисторный (КТ817, 2SC3987)
Бутов А.Л., Радио-онтверпер, 201 2 , № 7 , с. 11 – 12
Om de prestaties te controleren en voedingen te configureren, это ручной симулятор belastingsimulator в деформации фургона een instelbare stroomgenerator te gebruiken. Met zo’n apparaat kun je niet alleen snel een voeding, spanningsstabilisator opzetten, maar bijvoorbeeld ook gebruiken als stabiele stroomgenerator voor het laden en ontladen van batterijen, elektrolyse-apparaten, voor het elektrochemisch etsen van printplate, enz. een voedingsstroomstabilisator for elektrische lampen, voor “zachte” start van elektrische collectionmotoren.
Этот аппарат представляет собой аппарат с двумя вспомогательными устройствами, а также большим количеством дополнительных устройств, способных управляться с помощью различных устройств и приводов.
Строительный провод 0…0, 16 до 3 А, максимальная мощность (рассеяние) 40 Вт, напряжение питания 3…30 В постоянного тока. Het stroomverbruik wordt geregeld door een variabele weerstand R6. Мотыга более naar ссылки в диаграмме де schuif ван де weerstand R6 staat, мотыга более stroom het apparaat verbruikt. Метал открытый контакт ван schakelaar SA 1 kan weerstand R6 het stroomverbruik instellen van 0,16 to 0,8 A. Met de contacten van deze schakelaar gesloten, wordt de stroom geregeld in het bereik van 0,7 … 3 A.
Текенинг фургона-принтплаты-штурмогенератора
Симулятор автоаккумулятора (КТ827)
В. МЕЛЬНИЧУК, Радиомир, 201 2, нр. 1 2 , с. 7 – 8
Производимое оборудование (UPS) для автоаккумуляторов, автоматических аккумуляторных батарей и процессов установки, соответствующих требованиям. Даарома не имеет аналога, сделанного ванином крахтиге стабилитрона, с непревзойденной стабильностью охвата, ваарванной схемой, показанной на рис. Weerstand R 6 kan de stabilisatiespanning aanpassen van 6 tot 16 V. В общей сложности zijn er twee van dergelijke apparaten gemaakt. В более раннем варианте werd KT 803 использует транзисторы VT 1 и VT 2.9.0015 De interne weerstand van zo’n zenerdiode bleek te hoog. Dus bij een stroomsterkte van 2 A был де стабилизирован, охватывая 12 V и bij 8 A – 16 V. В твидовом варианте были использованы композитные транзисторы KT827 gebruikt. Hier, bij een stroomsterkte van 2 A, was de stabilisatiespanning 12 V en bij 10 A – 12,4 V. вмешательство в сеть невозможно. Om dit probleem op te lossen, is het beter om regelaars te gebruiken met een langere periode van AAN-UIT-modi, wat het optreden van вмешательство duidelijk elimineert. Een van de varianten van het schema wordt getoond.
Транзисторные соединения regelar
В verschillende nummers van het tijdschrift “Radioamator” werden Circuits van op thiristor gebaseerde netspanningsregelaars afgedrukt, maar dergelijke apparaten hebben een aantal belangrijke nadelen die hun mogelijkheden beperken. Десять первых введены меры по вмешательству в электрические сети, работающие на телевидении, радио и магнитофонах. Ten tweede kunnen ze alleen worden gebruikt om de belasting te regelen met: active weerstand (электрическая лампа, нагревательный элемент) en kan niet gelijktijdig worden gebruikt met een inductieve belasting (электродвигатель, трансформатор).
Ondertussen kunnen al deze Problemen eenvoudig worden opgelost door een elektronisch apparaat samen te stellen waarin de rol van een regulerend element niet door een тиристор, maar door een krachtige транзистор zou worden vervuld. Ik stel zo’n ontwerp voor en iedereen, zelfs een onervaren radioamateur, kan het herhalen, met een minimal aan tijd en geld. Транзисторные соединения регулируются вместе с радиоэлементами, которые не мешают соединению с электрической сетью, а также с индуктивными соединениями. Het kan worden gebruikt om de holderheid van een kroonluchter of tafellamp, de verwarmingstemperatuur van een Soldeerbout of elektrisch fornuis, elektrische haard, de rotatiesnelheid van een elektromotor, вентилятор, elektrische boormachine de spanning op de transformatorwikkeling aan te passen.
Тепловые аппараты с широкими параметрами: перекрывающий и проходной фургон 0 до 218 В; Максимальный уровень мощности составляет 500 Вт от простого транзистора мощностью 500 Вт. Элементом управления в аппарате является транзистор VT1 (поверхностный).
Het диодный блок VD1-VD4 leidt, afhankelijk van de fase van de netspanning, deze spanning naar de коллектор эмиттера VT1. Трансформатор T1 с перемычкой на 220 В до 5-8 В, с электроприводом двери и диодным блоком VD6-VD9en afgevlakt дверной конденсатор C1. Переменный параметр R1 находится в зависимости от большого размера ван де stuurspanning aan te passen, en de weerstand R2 начинается с базового блока ван де транзистора.
Диод VD5, защищенный от VT1, имеет отрицательную полярность на основе. Этот аппарат совпал с XP1-Stekker, а также с открытым светом. Socket XS1 используется в беспроводном режиме. De regelar werkt als volgt. Он включает в себя струю с tuimelschakelaar S1, соединяющую гелевые цепи и диоды VD1, VD2 и основной источник питания трансформатора T1. В том же месте установлен диодный блок VD6-VD9., конденсатор C1 и переменный резистор R1, а также корпус с транзистором, установленным на основе транзистора, и открытым.
Кроме того, в момент, когда regelaar wordt ingeschakeld, het netwerk een negatieve polariteitsspanning heeft, vloeit de belastingsstroom door het VD1-коллектор-эмиттер VT1-VD4-цепь. Дверь R1-schuifregelaar te draaien en de stuurspanning te wijzigen, kunt u de collectionstroom VT1 regelen. Deze stroom, en dus de stroom die in de belasting vloeit, zal des te groter zijn naarmate het regelniveau hoger is en omgekeerd. Met de uiterst rechtse positie van de R1-motor Volgens Het Diagram, zal de Transitional Volledig open zijn en zal de “dosis” elektriciteit die door de belasting wordt verbruikt, overeenkomen met de номинальное. Als-де-R1-schuifregelaar naar-де-meest linke positie wordt verplaatst, wordt VT1 vergrendeld en stroomt er geen stroom door de belasting. Транзистор двери регелен, регелен мы eigenlijk де амплитуды wisselspanning en stroom умирают в де belasting werkt. Tegelijkertijd werkt de транзистор в een continue modus, waardoor een dergelijke regelaar vrij является van de nadelen die, присущим тиристорному устройству.
Онтверпен . Блок диодов, диодов, конденсатор и подставка R2 установлены на открытой печатной плате размером 55×35 мм, имеют размер 1-2 мм для текстового листа.
Универсальные переключатели в корпусе устройства: транзисторы КТ840А, Б (П=100 Вт), КТ856А (П=150 Вт), КТ834А, Б, В (П=200 Вт), КТ847А (П=250 Вт) .
Als het vermogen van de regelaar nog meer moet worden verhoogd, moeten meerdere транзисторы worden gebruikt door hun соответствующих klemmen aan te sluiten. Waarschijnlijk zal в дит geval де regelaar moeten worden uitgerust встретился с вентилятором kleine voor intensivere luchtkoeling van halfgeleiderapparaten.
Диоды VD1-VD4 типа KD202R, KD206B диодов других производителей, рассчитанные на напряжение более 250 В, в корпусе, выполненном из прочного материала.
Диодблок ВД6-ВД9 типа КЦ405, КЦ407 с буквенным индексом. Диод VD5 – Д229Б, К, Л одного и того же номинала на 1 А. Переменный резистор R1 типа СП, СПО, ППБ с минимальной мощностью 2 Вт. Большой стенд R2 типа BC, MLT, OMPT, S2-23 с минимальным электрогенератором мощностью 2 Вт. Оксидный конденсатор типа К50-6, К50-16. Сетевойтрансформатор типа ТВЗ-1-6 – для встроенных радиостанций и передатчиков, ТС-25, ТС-27 – для Юности ТВ, а также для других устройств, поддерживающих вторичное подключение 5-8 В. Цекеринга FU1 для охвата 250 В в помещении в overeenstemming встретил максимальное toelaatbare vermogen ван де транзистор. Транзистор имеет очень малый диаметр, а радиатор имеет минимальное рассеивание 200 см2 и диаметр 3-5 мм.
De regelaar hoeft niet afgesteld te worden. Met de juiste installatie en bruikbare onderdelen begint het onmiddellijk te werken nadat het op het netwerk aangesloten.
Регулятор перемычек между автоматическими перемычками фургона автогенератора binnen de gespecificeerde limieten te houden, werkend in bereik vanrotsnelheden en belastingsstroom. Hoofd technische eis: в хет regelapparaat является ом де uitgangsspanning ван де генератор binnen een zeer smal bereik te houden, wat op zijn beurt wordt bepaald door de betrouwbaarheid van de werking en de duurzaamheid van verschillende Consumer.
Tot voor kort werd de spanningsregeling uitgevoerd door trillingsregelaars. BIJ afgelopen jaren op auto’s zijn contact-transistor-en contactloze regelaars geïnstalleerd, zowel op diskette-elementen als op geïntegreerde technologie.
В контакте транзисторные прокладки регулируются словом, определяющим функцию элемента, который регелирует, который является опгеноменом в его защитной цепи, соединяющей цепь генератора с дверцей, и транзистором, и сеткой, соединяющей элемент с дверью, и триллингами реле. Контакты regelaars в дискретном en geïntegreerde uitvoeringen gebruiken транзистор и een тиристор als regel- en regelelement en stabilisatoren als metelement. Де vervanging ван trillingsspanningsregelaars двери транзистораregelaars maakte het mogelijk ом aan де eisen voor elektrische apparatuur те voldoen.
Het werd mogelijk om de bekrachtiging van generatoren te verhogen tot 3 A en meer; bereik een hoge nauwkeurigheid en stabiliteit van gereguleerde spanning; verleng de levensduur van de spanningsregelaar; ондерхуд ван он струмвоорзинингссистем ван де авто веренвудиген. Транзисторные соединения PP-362 и PP-350 в цепях соединены с генератором типа G 250. Транзисторные соединения PP-356 соединены с генератором G272. Geïntegreerde spanningsregelaars Ya 112A zijn ontworpen om te werken met een 14-вольтовый генератор.
Генераторный генератор spanningsregelaar I 120 создан для генератора G272, принадлежащего производителю. Оп афб. 1 также приведена схема контактного транзистора. Регулятор лучше всего подходит для транзистора T (элемента переключения), а также для регулирования PH (элемента переключения) и реле RZ. Релейная регулировка шунтирующей головки RNO является ангелом, охватывающим генератор, через блок-диод D2, вертикальную компенсационную тепловую стойку Rt. Он представляет собой нормально разомкнутый контакт с реле, работающим в релейной схеме транзистора. Wanneer де rotatiiesnelheid ван де генераторротор niet hoog является ан де генераторов, охватывающих Ingestelde waarde nog niet heeft bereikt, zijn де PH-контакт открыт, транзистор T открыт. Основой транзистора является соединение с voedingspool и транзистором uitgeschakeld. В дит geval gaat де excitatiestroom дверь де экстра Rd en versnellende Ry-weerstanden умирают де транзисторный шунт, wat een afname ван де exitatiestroom en bijgevolg де генераторов, охватывающих veroorzaakt.
Рис. 1.
Контакт реле-регулятора gaan weer open en de транзистор ontgrendelt. Vervolgens wordt heproces встретился с частым гостем. Rу – hiermee kunt u de Frequencyie van Activering en vrijgave van de relais-spanningsregelaar PH verhogen als gevolg van een verandering in de spanningsval over de weerstand in de open en vergrendelde toestand van de транзистор, wat leidt tot een scherpere verandering in de spanning op de РН-виккелинг. Диод D2, опциональный в цепи эмиттера транзистора T, идентифицирующий работу транзистора с повышенной температурой, часто не работает, если транзистор не нагревается.
Vergrendeling wordt uitgevoerd vanwege het feit dat de spanningsval over D2 van de stroom die door Ru en Rd vloeit, wanneer de traffic is vergrendeld, wordt toegepast op de эмиттер-базисоверганг ван де транзистора в де vergrendelingsrichting. De Tempatuurcompensatieweerstand Pt является nodig om de spanning open een bepaald niveau te houden in omstandigheden, встреченным с grote Temperatureuurverandering. Диод Dg диент ом де ЭДС ван де zelfinductie van de bekrachtigingswikkeling te dempen en de транзистор te beschermen tegen overspanning op het moment van vergrendeling. RZ-beveiligings relais переделан из транзистора, который обеспечивает большую мощность стромена, оптредена в этом гевале: kortsluiting klem Ø op de behuizing van de regelaar генератор. Het relais heeft een hoofdwikkeling RZo die in serie is geschakeld met de OVG, een hulp RZv die parallel is geschakeld met de OVG en die RZuvasthudt, RZo en RZv zijn in tegengestelde richtingen aangesloten.
Короткое замыкание на входе в дверь RZo Toe, tegelijkertijd de RZv overbrugd, sluiten RZ-contacten, sluit de Transtorin en wordt de RZu-houdwikkeling ingeschakeld. Weerstanden Ru en Rd, begrenzen de kortsluitstroom tot 0,3 A. Pas nadat de kortsluiting is opgeheven en de AB is uitgeschakeld, zal de RZU de RZ uitschakelen. Диод D1 подключается к генератору RZ, если он не подключен к контакту, установленному RN. De betrouwbaarheid ван де regelaar является te wijten aan een afname ван het verbreekvermogen ван де contacten. Slijtage, verbanding en erosie van contacten, de aanwezigheid van veer- en oscillerende systemen veroorzaken echter vaak hun falen. Оп афб. 2 новых контактных соединения фургона типа ПП-350, установленные на автомобилях ГАЗ Волга-авто.
Рийст. 2.
Бесконтактные соединения, установленные на транзисторах T2 и T3 – германиевые; T1 – кремний, диоды R6 – R9 и диоды D2 и D3, стабилитрон D1, стабилитроны R1, R2, R3, Rt и дроссель Dr. включен, стабилитрон D1 подключен к транзисторам T2 и T3 подключен к цепи (+) поляризатора – диод D3 – переход-эмиттер – коллектор к транзистору TZ – переходной переход OVG – (–) максимальное значение встречный. Zodra de gelijkgerichte, охватывающий все, что связано с niveau bereikt, “открытие двери zenerdiode” и слово транзистора T1 ontgrendeld. Минимальный шунт транзистора на основе транзистора с перекрытием транзистора T2 и T3, который не блокируется. Де OVG-струм начинается дальше. Het schakelen фургона het схемы wordt uitgevoerd встретился с een bepaalde частый ан dergelijke waarde ван де bekrachtigingsstroom wordt gecreëerd, waarbij де gemiddelde waarde ван де gereguleerde охватывая op een bepaald niveau wordt gehouden.
Om de holderheid van schakelende trafficen te verbeteren en de overgangstijd van het Circuit van de ene toestand naar de andere te verminderen, biedt heeen Feedbackcircuit встретился с weerstand R4. Встречено имя ван де инангсспаннинг, дан (+) ван де гелийкрихтер – диод D3 – эмиттерный переход – базовый транзистор Т3 – диод D2 – эмиттерный переход – коллектор или транзистор Т2 – переменный R4 – индуктивность Др – (-), neemt af, wat leidt Tot een afname van de spanningsval op Dr. In dit geval neemt de spanningsval over de zenerdiode D1 toe, waardoor de basestroom T1 toeneemt en het schakelen van deze транзистор seller gaat. Уменьшите охват цепи, соедините схему переключения между транзистором T1.
Активная блокировка выходного транзистора T3 и более высокая температура перегрева в цепи эмиттерного замыкания транзистора T3 и диода D3. Перемычка между диодами была выбрана с помощью стойки R9. Диод D2 соединен с переходным транзистором T2 и увеличенным транзистором T1, соединенным с дополнительным перекрывающим диодом. De smoorspoel Dr. wordt gebruikt om de ingangsspanning te filteren. Термистор Rt компенсирует компенсацию в перекрывающем валу эмиттера-базиса над транзистором T1 и стабилизатором D1 в зависимости от температуры. De spanningsregelaar voor zware vrachtwagens МАЗ, КамАЗ, КрАЗ представляет собой гемаакт на кремниевых транзисторах (рис. 3).
Рийст. 3.
Схема контроллера проверена в соответствии с PP-350, проверены транзисторы. Диоды D2 и D3, установленные в базовой схеме с транзистором T2, выполнены из двух транзисторов, выполненных с большим допуском по параметрам, в то же время в зависимости от диапазона T1. В соединении с напряжением 24 В предусмотрена дополнительная цепь в перемычке, включая термистор Rt и подставку R7. Оп афб. 4 tont een диаграмма van de spanningsregelar PP132A умирает в родном УАЗе.
Рийст. виер. Schema van de spanningsregelar RR 132A:
1 – газовая колонка; 2, 3, 4, 5, 6, 13, 14, 15, 16, 18, 20, 22, 23, 24 – вёрстанден; 7 – диод; 8, 9, 17 – транзисторен; 10, 11, 12, 19 – стабилитроны. Эта схема состоит из бесконтактных транзисторов, соединенных между собой, а также сухих неразборных соединений. Het wijzigen van het bereik van de gereguleerde, охватывающий wordt uitgevoerd door schakelaar 25, die zich op het bovenste deel van de behuizing ван де regelaar bevindt. Несгораемый пролетный генератор ротора – 35 мин-1, ток 14 А, температура 20 O
De regelar werkt als volgt. Он встроен в струю с трансформатором Q1, соединяющим гелевые цепи и диоды VD1, VD2, и в первую очередь подключается к трансформатору T1. В том же месте установлен гелийкрихтер, лучший из диодных блоков VD6-VD9, конденсатор C1 и переменная стойка R1, а также корпус из транзистора, установленный в открытом виде. Кроме того, в момент, когда регулярное слово загорается, сеть имеет отрицательную полярность, ее охватывающая высота, а также пропускная способность двери в цепи VD2 – эмиттер-коллектор VT1-VD3. Кроме того, полярность положительного перекрытия сети, а также отсутствие сквозной цепи VD1 – коллектор-эмиттер VT1-VD4. De waarde van de belastingsstroom hangt af van de Grootte van de stuurspanning op base van VT1. Дверь мотора R1 te draaien en de waarde van de stuurspanning te veranderen, regelen ze de collectionstroom VT1. Deze stroom, en dus de stroom die in de belasting vloeit, zal des te groter zijn naarmate de stuurspanning hoger is en omgekeerd. Met de uiterst rechtse positie van de variabele weersstandsmotor volgens het диаграмма, зал транзистора, полностью открытый zijn en zal de “dosis” elektriciteit die door de belasting wordt verbruikt, overeenkomen met denovae waarde. Als-де-R1-schuifregelaar naar-де-meest linke positie wordt verplaatst, wordt VT1 vergrendeld en stroomt er geen stroom door de belasting.
Дверь транзистора регелена, регелена мы eigenlijk де амплитуда ван де wisselspanning en -stroom умирают в де belasting werken. Tegelijkertijd werkt де транзистор в een продолжать режим, waardoor een dergelijke regelaar vrij является van de nadelen умирают, присущие zijn тиристорного аппарата.
Позднее мы встретились с ним в Онтверпене в аппарате. Диодный блок, конденсатор, переходник R2 и диод VD6, установленный на открытую печатную плату 55×35 мм, герметизированный фургон с фолиевой кромкой гетинакса из текстолита толщиной 1-2 мм (рис. 2).
De volgende onderdelen kunnen in het apparaat worden gebruikt. Транзисторные – КТ812А(Б), КТ824А(Б), КТ828А(Б), КТ834А(Б,В), КТ840А(Б), КТ847А или КТ856А. Диодблоккен: ВД1-ВД4-КЦ410Б КЦ412В. ВД6-ВД9 – КЦ405 или КЦ407 с буквенным индексом; диод VD5 – серии Д7, Д226 из Д237. Переменный стенд – тип СП, СПО, ППБ с минимальной мощностью 2 Вт, постоянный – ВС, МЛТ, ОМЛТ, С2-23. Оксидный конденсатор – К50-6, К50-16. Сетевойтрансформатор – ТВ3-1-6 для встроенных радиоприемников и передатчиков, ТС-25, ТС-27 – для Юности ТВ и других маломощных телепередач с секвенсором 5-8В. фургон 1 A. Tuimelschakelaar – T3-C из een ander netwerk. XP1 – стандартный стеккер, XS1 – стоп-контакт.
Alle elementen van de regelar zejn geplaatst in een kunsstof koffer with afmetingen van 150x100x80 mm. Een tuimelschakelaar является geïnstalleerd op het bovenpaneel van de behuizing en variabele weerstand с декоративной рукой. De aansluiting voor het aansluiten van de belasting en de zekeringaanluiting zijn gemonteerd op een van de zijwanden van de behuizing. Aan dezelfde kant zit een gat voor het netsnoer. Aan de onderkant van de behuizing zijn een транзистор, een трансформатор и een printplaat geïnstalleerd. Транзистор имеет малую толщину 200 см2 и диаметр фургона 3-5 мм.
De regelaar hoeft niet afgesteld te worden. Met de juiste installatie en bruikbare onderdelen begint het onmiddellijk te werken nadat het op het netwerk aangesloten.
Nu een paar aanbevelingen voor degenen die het apparaat willen verbeteren. De wijzigingen betreffen встретил имя де verhoging van het uitgangsvermogen van de regelaar. Dus, bijvoorbeeld, bij gebruik van KT856-transistor, can het vermogen from the wordt verbruikt door de belasting van het netwerk 150 W zijn, for KT834 – 200 W en for KT847-250 W. Кроме того, он может быть использован для подключения оборудования nog meer te verhogen, kunnen meerdere parallel geschakelde trafficen worden gebruikt als regelelement door hun regelieve klemmen aan te sluiten. Waarschijnlijk zal в дит geval де regelaar moeten worden uitgerust встретился с вентилятором kleine voor intensivere luchtkoeling van halfgeleiderapparaten. Моет VD1-VD4-диодный блок с увеличенной дверью с более краткими диодами, соединенный с минимальной 250-кратной мощностью в одном корпусе в перестроенном узле с дальним выводом. Многофункциональный аппарат для серий D231-D234, D242, D243, D245-D248 geschikt. Het zal ook nodig zijn om VD5 te vervangen door een krachtigere диод, geschikt voor stroom tot 1 A. Ook moet de zekering bestand zijn tegen een grotere stroom.
Fase spanningsregelaars vrij gebruikelijk in het dagelijks leven. Hun meest voorkomende toepassingsgebied: dimapparaten .
Hieronder een paar envoudige schakelingen spanningsaanpassing voor zelfherhaling для начинающих радиолюбителей .
Аандахт !! Все схемы подключены к установленным станциям с сетью на 220 вольт, поэтому их можно установить и установить!!
Deze regeling is de meest voorkomende in verschillende buitenlandse huishoudelijke apparaten, als de eenvoudigste en meest betrouwbare, maar het volgende schema is meer wijdverbreid in ons land:
Тиристор KU202N werd meestal gebruikt als thiristor, maar er moet worden opgemerkt DAT als u van plan bent een krachtige belasting te gebruiken, de тиристор с открытым радиатором moet worden geïnstalleerd.
Een ander kenmerk van deze schakeling is de KN102A dinistor. Het is ok niet het meest voorkomende radio element, maar het kan worden vervangen door een Analoge Transmission en dan spanningsregelaar Circuit: het zal zo uitpakken:
Alle overwogen ontwerpen zijn zeer eenvoudig, betrouwbaar, regelen de spanning perfect, maar zijn niet zonder gebreken, waardoor enthousiastelingen niet worden vertaald omjbiet hunden complex, aan zite. Het grootste probleem van de bovenstaande Circuits is de inverse afhankelijkheid van de fasehoek van het niveau van de voedingsspanning, d.w.z. wanneer de spanning in het netwerk daalt, neemt de fasehoek van de opening van de тиристор симистора, wat leidt toto een onevenredige afname van de spanning bij de belasting. Een kleine afname van de spanning zal een merkbare afname van dehelderheid van de lampen veroorzaken en vice versa. Als er kleine rimpelingen in het lichtnet zijn, bijvoorbeeld door de werking van een lasmachine, zal het flikkeren van de lampen veel meer opvallen.
Еще одна проблема, связанная с цепями, заключается в том, что он может быть перекрыт через тиристор симистора.
Как правильно собрать двойной транзистор. Составной транзистор. Сборка транзисторов Дарлингтона. Устройство составного транзистора и обозначение на схемах
Усилитель назван так не потому, что его автор DARLINGTON, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтонских (составных) транзисторах.
Для справки
: Два транзистора одинаковой структуры соединены особым образом для получения высокого коэффициента усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона, названный в честь изобретателя этой схемотехники. Такой транзистор применяют в схемах, работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадах усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большое входное сопротивление. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора составляет ≈1000 для транзисторов большой мощности и ≈50000 для транзисторов малой мощности.
Преимущества транзистора Дарлингтона
Высокий коэффициент усиления по току.
Схема Дарлингтона выполнена в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Эти схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.
Недостатки составного транзистора
Низкое быстродействие, особенно переход из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы применяются в основном в низкочастотных ключевых и усилительных цепях, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.
Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти вдвое больше, чем в обычном транзисторе, и составляет примерно 1,2 – 1,4 В для кремниевых транзисторов.
Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер для кремниевого транзистора составляет около 0,9 В для транзисторов малой мощности и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Схема УНЧ
Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом для самостоятельной сборки усилителя сабвуфера. Самое ценное в схеме – это выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее такой усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Проведем небольшое сравнение, какая из микросхем может выдать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в умах знаменитых. Но если сравнивать цены, то схема Дарлингтона и дешевле, и мощнее TDA7294!
Сам чип без комплектующих стоит минимум 3$, а цена активных компонентов схемы Дарлингтона не более 2-2,5$! Причем схема Дарлингтона на 50-70 Вт мощнее TDA7294!
При нагрузке 4 Ом усилитель выдает 150 Вт, это самый дешевый и хороший вариант усилителя сабвуфера. В схеме усилителя используются недорогие выпрямительные диоды, которые можно найти в любом электронном устройстве.
Такую мощность усилитель может обеспечить за счет того, что на выходе применены составные транзисторы, но при желании их можно заменить на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя упадет до 50-70 Вт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107.
Полный аналог транзистора ТИП41 – наш КТ819А. Этот транзистор используется для усиления сигнала дифференциальных каскадов и формирования выходных сигналов. Эмиттерные резисторы можно использовать мощностью 2-5 Вт, они для защиты выходного каскада. Узнайте больше о технических характеристиках транзистора TIP41C. Спецификация для TIP41 и TIP42.
Материал p-n перехода: Si
Структура транзистора: NPN
Ограничение постоянной рассеиваемой мощности транзистора (Pc): 65 Вт
Максимальное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 В эмиттер (Uce) транзистора: 100 В
Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 В
Максимальный ток коллектора транзистора постоянного тока (Ic max): 6 A
Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C
Частота среза коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 МГц
– Емкость коллекторного перехода (Cc): пФ
Статический коэффициент передачи тока в цепи с общим эмиттером (Hfe), не менее: 20
Такой усилитель можно использовать как в качестве сабвуфера, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя также неплохие. При нагрузке 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 Вт, при нагрузке 8 Ом мощность 100 Вт, максимальная мощность усилителя может достигать до 200 Вт при питании +/-50 В. вольт.
Darlington), часто являются неотъемлемой частью конструкций радиолюбителей. Как известно, при таком включении усиление по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, действующему на каскад. Усилители на, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии на них импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочной литературе.
Бороться с этим неприятным эффектом можно по-разному. Один из них – самый простой – это наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Можно, конечно, приобрести специальный композитный кремний в одной упаковке, например: КТ712, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ973 и т. д. В этот список входят устройства большой и средней мощности, рассчитанные почти на весь спектр радиотехнических устройств. А можно использовать классический – с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В – или использовать КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом вывод затвора подключается вместо базы VT1, а вывод истока – вместо эмиттера VT2, вывод стока – вместо совмещенных коллекторов VT1, VT2.
Рис. 1.24. Замена составного транзистора на полевые транзисторы по
После такой простой доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокий ввод и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления этим электронным блоком.
Коэффициент усиления по току результирующего каскада не менее 50. Он увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.
ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В возможно применение микросхемы 1014КТ1В без потери качества устройства. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б, этот выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера – до 200 В постоянного напряжения. Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на рис. 1.25.
Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), они соединены параллельно.
Цоколёвка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…Б
Автор протестировал десятки электронных узлов, входящих в состав . Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично включению составных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии, благодаря высокому входу, они практически не потребляют ток. Что же касается стоимости таких транзисторов, то на сегодняшний день она практически равна стоимости транзисторов среднего типа (и им подобных), которые обычно используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.
Если транзисторы соединить так, как показано на рис. 2.60, то получившаяся схема будет работать как один транзистор, а ее коэффициент β будет равен произведению коэффициентов β составляющих транзисторов. Этот метод полезен для сильноточных цепей (таких как регуляторы напряжения или выходные каскады усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, где требуется высокое входное сопротивление.
Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.
В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше нормального, а напряжение насыщения не менее равно падению напряжения на диоде (поскольку эмиттерный потенциал транзистора Т 1 должен превышать эмиттерный потенциал транзистора Т 2 на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, включенные таким образом транзисторы ведут себя как одиночный транзистор с довольно низким быстродействием, так как транзистор Т 1 не может быстро выключить транзистор Т 2 . Учитывая это свойство, между базой и эмиттером транзистора Т 2 обычно включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает попадание транзистора Т 2 в область проводимости из-за токов утечки транзисторов Т 1 и Т 2 . Сопротивление резистора выбирают таким образом, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали падение напряжения на нем не больше, чем падение напряжения на диоде, при этом позволяя току течь. через это. мал по сравнению с током базы транзистора Т 2 . Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом у мощного транзистора Дарлингтона и несколько тысяч Ом у малосигнального транзистора Дарлингтона.
Рис. 2.61. Увеличение скорости выключения составного транзистора Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде комплектных модулей, включающих, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы является мощный n-p-n-транзистор Дарлингтона типа 2N6282, его коэффициент усиления по току 4000 (типовой) при токе коллектора 10 А.
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Шиклай). Соединение транзисторов по схеме Шиклаи – схема аналогичная той. которые мы только что рассмотрели. Это также обеспечивает увеличение коэффициента β. Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как NPN-транзистор с большим коэффициентом β. В схеме одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, не меньше, чем падение напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Т 2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Эту схему конструкторы используют в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор является коллекторным резистором транзистора Дарлингтона Т 1 , образованного транзисторами Т 2 и Т 3 . ведет себя как одиночный транзистор NPN. с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы Т 4 и Т 5, включенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный p-n-p транзистор. с высоким коэффициентом усиления. Как и прежде, резисторы R 3 и R 4 имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазикомплементарной симметрией. В реальном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарной) транзисторы Т 4 и Т 5 были бы соединены по схеме Дарлингтона.
Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).
Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы типа n-p-n.
Транзистор со сверхвысоким коэффициентом усиления по току. Составные транзисторы – транзистор Дарлингтона и им подобные – не следует путать с транзисторами с чрезвычайно высоким коэффициентом усиления по току, у которых в технологическом процессе изготовления элемента получается очень большое значение коэффициента h 21э. Примером такого элемента является транзистор типа 2Н59.62. для которых гарантирован минимальный коэффициент усиления по току 450 при изменении тока коллектора в диапазоне от 10 мкА до 10 мА; этот транзистор относится к серии элементов 2N5961-2N5963, которая характеризуется максимальным диапазоном напряжения Uкэ от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть выше, то следует пойти на уменьшение значения С). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов с чрезвычайно большим значением коэффициента β. Применяются в усилителях с низким уровнем сигнала, для чего транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому выпуску посвящен разд. 2.18. Примерами таких стандартных схем являются такие схемы, как LM39.4 и МАТ-01; это транзисторные пары с высоким коэффициентом усиления, у которых напряжение Uбэ согласовано до долей милливольта (в лучших схемах обеспечивается согласование до 50 мкВ), а коэффициент h 21э до 1%. Схема типа МАТ-03 представляет собой согласованную пару p-n-p-транзисторов.
Транзисторы с чрезвычайно большим значением коэффициента β можно комбинировать по схеме Дарлингтона. В этом случае ток смещения базы можно сделать равным всего 50 пА (примерами таких схем являются ОУ типа LM111 и LM316).
Если транзисторы соединить так, как показано на рис. 2.60, то получившаяся схема будет работать как один транзистор, а ее коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большое входное сопротивление
Рис 2.60 Составной транзистор Дарлингтона
Рис. 2.61. Увеличение скорости выключения составного транзистора Дарлингтона.
В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше нормального, а напряжение насыщения как минимум равно падению напряжения на диоде (поскольку эмиттерный потенциал транзистора должен превышать эмиттерный потенциал транзистора). транзистор на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, транзисторы, подключенные таким образом, ведут себя как одиночный транзистор с довольно низким быстродействием, так как транзистор не может быстро выключить транзистор. Учитывая это свойство, между базой и эмиттером транзистора обычно включают резистор (рис. 2.61). Резистор R препятствует смещению транзистора в область проводимости из-за токов утечки транзисторов и . Сопротивление резистора выбирают таким образом, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падение напряжения на диоде, а при одновременно так, чтобы через него протекал ток, малый по сравнению с базовым током транзистора. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен Ом у мощного транзистора Дарлингтона и несколько тысяч Ом у малосигнального транзистора Дарлингтона.
Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде комплектных модулей, включающих, как правило, эмиттерный резистор. Примером такой типовой схемы является мощный р-р-п транзистор типа Дарлингтона, его коэффициент усиления по току 4000 (типовой) при токе коллектора 10 А.
Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai).
Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, аналогичную только что рассмотренной нами. Это также обеспечивает повышение коэффициента. Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор типа n-p-n с большим коэффициентом. В схеме одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, не меньше, чем падение напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Эту схему конструкторы используют в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор является коллекторным резистором транзистора. Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами, ведет себя как одиночный транзистор типа n-p-n с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы, включенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный п-п-п-тиа транзистор с большим коэффициентом усиления.
Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором используются только выходные транзисторы.
Как и прежде, резисторы и имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазикомплементарной симметрией. В реальном каскаде с дополнительной симметрией (комплементарной) транзисторы были бы соединены по схеме Дарлингтона.
Транзистор со сверхвысоким коэффициентом усиления по току.
Составные транзисторы – транзистор Дарлингтона и им подобные не следует путать с транзисторами с чрезвычайно высоким значением коэффициента усиления по току, у которых в технологическом процессе изготовления элемента получается очень большое значение коэффициента. Примером такого элемента является тип транзистор, для которого гарантирован минимальный коэффициент усиления по току 450, при изменении тока коллектора в диапазоне от до данный транзистор принадлежит к ряду элементов, для которого характерен диапазон максимального напряжения от от 30 до 60 В (если напряжение коллектора должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов с чрезвычайно большим значением коэффициента. Они используются в усилителях слабого сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому выпуску посвящен разд. 2.18. Примерами таких типовых схем являются схемы типа транзисторные пары с высоким коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано до долей милливольта (лучшие схемы обеспечивают согласование до , а коэффициент схемы типа согласованная пара.
Транзисторы с чрезвычайно высоким значением коэффициента можно комбинировать по схеме Дарлингтона. В этом случае ток смещения базы можно сделать равным как раз (примерами таких схем являются операционные усилители типа.
Буквально сразу после появления полупроводниковых приборов, скажем, транзисторов, они стали стремительно вытеснять электровакуумные приборы и, в В частности, триоды В настоящее время лидирующее положение в схемотехнике занимают транзисторы
Новичку, а иногда и опытному радиолюбителю-конструктору не сразу удается найти правильное схемное решение или разобраться с назначением тех или иных элементов в схеме. имея под рукой набор «кирпичиков» с известными свойствами, гораздо проще построить «здание» того или иного устройства.
Не останавливаясь подробно на параметрах транзистора (об этом достаточно написано в современной литературе, например, в ), рассмотрим лишь отдельные свойства и способы их улучшения.
Одной из первых проблем, с которой сталкивается конструктор, является увеличение мощности транзистора. Ее можно решить, подключив транзисторы параллельно (). Токовыравнивающие резисторы в эмиттерных цепях способствуют равномерному распределению нагрузки.
Получается, что параллельное соединение транзисторов полезно не только для увеличения мощности при усилении больших сигналов, но и для снижения шумов при усилении слабых. Уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельно соединенных транзисторов.
Защита от перегрузки по току проще всего решается введением дополнительного транзистора (). Недостатком такого самозащитного транзистора является снижение КПД из-за наличия датчика тока R. Возможный вариант улучшения показан в . Благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки удается уменьшить номинал резистора R в несколько раз, а значит, и мощность, рассеиваемую на нем.
Для защиты от обратного напряжения обычно параллельно выводам эмиттер-коллектор подключают диод, как, например, в составных транзисторах типа КТ825, КТ827.
При работе транзистора в ключевом режиме, когда требуется быстрое переключение из открытого состояния в закрытое и наоборот, иногда используется форсирующая RC-цепь (). При включении транзистора заряд на конденсаторе увеличивает его базовый ток, что сокращает время включения. Напряжение на конденсаторе достигает падения напряжения на базовом резисторе, вызванного базовым током. В момент закрытия транзистора конденсатор, разряжаясь, способствует рассасыванию неосновных носителей в базе, уменьшая время выключения.
Увеличить крутизну характеристики транзистора (отношение изменения тока коллектора (стока) к изменению напряжения на базе (затворе), вызвавшее его при постоянном Uкэ Uси)) можно с помощью схемы Дарлингтона ( ). Резистор в цепи базы второго транзистора (может отсутствовать) служит для задания коллекторного тока первого транзистора. Аналогичный составной транзистор с большим входным сопротивлением (за счет применения полевого транзистора) представлен в . Составные транзисторы, показанные на рис. и , собраны на транзисторах разной проводимости по схеме Шиклаи.
Введение в схемы Дарлингтона и Шиклаи дополнительных транзисторов, как показано на рис. и , увеличивает входное сопротивление второго каскада по переменному току и, соответственно, коэффициент передачи. Применение аналогичного решения в транзисторах рис. и дает соответственно схемы и , линеаризующие крутизну транзистора .
Представлен быстродействующий широкополосный транзистор. Увеличение производительности было достигнуто за счет снижения эффекта Миллера аналогично и .
Представлен “алмазный” транзистор по немецкому патенту. Возможные варианты его включения показаны на . Особенность этого транзистора-отсутствие инверсии на коллекторе. Отсюда удвоение нагрузочной способности схемы.
Мощный составной транзистор с напряжением насыщения около 1,5 В показан на рис. 24. Мощность транзистора можно значительно увеличить, заменив транзистор VT3 составным транзистором ().
Аналогичные соображения можно сделать для p-n-p транзистора, а также полевого транзистора с каналом p-типа. При использовании транзистора в качестве регулирующего элемента или в ключевом режиме возможны два варианта включения нагрузки: по коллекторной цепи () или по эмиттерной цепи ().
Как видно из приведенных формул, наименьшее падение напряжения, а соответственно и минимальная рассеиваемая мощность – на простом транзисторе с нагрузкой в коллекторной цепи. Применение составного транзистора Дарлингтона и Шиклаи с нагрузкой в коллекторной цепи эквивалентно. Транзистор Дарлингтона может иметь преимущество, если коллекторы транзисторов не объединены. При подключении нагрузки к цепи эмиттера преимущество транзистора Шиклаи очевидно.
Литература:
1. Степаненко И.И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1977.
2. Патент США 4633100: Опубл. 20-133-83.
3. А.с. 810093.
4. Патент США 4,730,124: Опубл. 22-133-88. – С.47.
1. Увеличение мощности транзистора.
Резисторы в эмиттерных цепях нужны для равномерного распределения нагрузки; уровень шума уменьшается пропорционально квадратному корню из числа параллельно соединенных транзисторов.
2. Защита от перегрузки по току.
Недостаток – снижение КПД из-за наличия датчика тока R.
Другой вариант – благодаря введению германиевого диода или диода Шоттки можно уменьшить номинал резистора R в несколько раз , и на нем будет рассеиваться меньше мощности.
3. Составной транзистор с высоким выходным сопротивлением.
Благодаря каскодному включению транзисторов значительно снижается эффект Миллера.
Другая схема – за счет полной развязки второго транзистора от входа и подачи на сток первого транзистора напряжения, пропорционального входу, составной транзистор имеет еще более высокие динамические характеристики (единственное условие – второй транзистор должен иметь больше отсечек по высокому напряжению). Входной транзистор можно заменить биполярным.
4. Защита транзистора от глубокого насыщения.
Предотвращение прямого смещения перехода база-коллектор с помощью диода Шоттки.
Более сложный вариант – схема Бейкера. Когда напряжение коллектора транзистора достигает напряжения базы, «лишний» ток базы сбрасывается через переход коллектора, предотвращая насыщение.
5. Схема ограничения насыщения относительно низковольтных выключателей.
С базовым датчиком тока.