Оптодрайверы применяемые в сварочных инверторах: HCPL-3120 – оптодрайвер MOSFET IGBT – даташит
alexxlab | 17.06.2023 | 0 | Разное
всё, что вам нужно знать
Время чтения: 6 минут
За последние 100 лет технология сварки претерпела значительные изменения. Классические сварочные аппараты были усовершенствованы, а в продаже появились совершенно новые устройства. Наибольший вклад в развитие домашней и любительской сварки внесло изобретение инверторного сварочного аппарата. Его электронная «начинка» позволяет внедрить функции, которые недоступны классическому трансформатору или выпрямителю.
А если в сварочном аппарате применяется электроника, значит, используются и транзисторы. В этой статье мы подробно расскажем, что такое транзистор, какие транзисторы используются в сварочных инверторах и чем отличаются транзисторы IGBT в сварочном аппарате от транзисторов MOSFET.
Содержание
Транзисторы — что это такое? Наверняка каждый, кто хоть раз сталкивался с ремонтом или банальной разборкой радиоэлектроники, слышал этот термин. Говоря простыми словами, транзистор — это электронная деталь с выводами, изготовленная из полупроводникового материала.
Основная функция транзистора — это усиление или генерирование электрических сигналов, поступающих извне. Также с помощью транзисторов выполняется коммутация.
На данный момент транзисторы есть в любом электронном приборе и являются один из важнейших компонентов. В середине прошлого века сразу несколько ученых получили Нобелевскую премию за изобретение транзистора. И с тех пор это небольшое приспособление кардинально изменило мир электроники.
Транзисторы очень маленькие и компактные. Они экономичны, их производство стоит недорого. Несмотря на свой скромный размер, транзистор устойчив к механическому воздействию и долговечен. Также транзисторы способны исправно работать при низком напряжении и при высоких значениях тока. Именно благодаря этим достоинствам к концу 20-го века транзисторы стали неотъемлемой частью каждого электронного прибора. В том числе, у инверторных сварочных аппаратов.
Читайте также: Инструкция по эксплуатации сварочного инвертора для новичков
С помощью транзисторов удалось собрать компактную схему и внедрить ее в инвертор.
Таким образом, существенно снизились размеры и вес сварочного аппарата. На данный момент производители предлагают инверторы весом до 5 кг, которые можно положить в рюкзак и взять с собой на выездные работы. Также такие аппараты незаменимы при сварке на высоте или в труднодоступных местах.
В сравнении с обычным трансформатором, который использовался раньше для сварки, инверторы намного проще в освоении. А наличие дополнительных функций (например, функции горячего старта или антизалипания) помогает новичкам как можно скорее приступить к работе. И все это заслуга транзисторов.
Транзисторы в инверторах
Транзистор — это один из главных компонентов современного сварочного инвертора. Без него инвертор в принципе не будет так называться. И, поскольку сварочные инверторы уже прочно вошли в нашу жизнь, то нелишним будет узнать немного больше об их электронной «начинке». Эта информация будет полезна не столько мастерам по ремонту сварочных аппаратов, сколько самим сварщикам. Для лучшего понимая сути используемого вами оборудования.
Итак, на данный момент чаще всего в сварочных инверторах применяются транзисторы двух типов: IGBT и MOSFET. Именно благодаря им удается добиться достойного качества работ, внедрения новых функций и уменьшению габаритов аппарата.
Подробнее про IGBT
Мы решили заострить ваше внимание на IGBT транзисторах, поскольку они считаются самыми технологичными. IGBT представляет собой стандартный биполярный транзистор с изолированным затвором. Усиливает и генерирует электрические колебания. Часто применяется в инверторе. От полевого транзистора отличается тем, что генерирует силовой канал, а не управляет им. Представляет собой 2 транзистора на подложке.
Именно благодаря IGBT транзисторам удалось развить производство современных сварочных инверторов. Поскольку именно данный тип транзисторов способен работать при высоком напряжении. Очень скоро производителям стало ясно, что применение IGBT транзисторов способно вывести производство инверторов на новый уровень. Удалось значительно уменьшить размеры аппаратов и увеличить их производительность.
Порой стандартный IGBT транзистор способен заменить даже тиристор.
Иногда в IGBT инверторы внедряют специальные микросхемы, которые усиливают управляющий электрический сигнал и ускоряют зарядку затворов. Это необходимо для исправного функционирования мощных переключателей.
IGBT или MOSFET?
Выше мы уже упомянули, что помимо транзисторов типа IGBT существуют еще и транзисторы MOSFET. И многие сварщики любят спорить на форумах, какие транзисторы лучше, а какие хуже. Что мы думаем по этому поводу? Сейчас узнаете.
Если вы используете недорогой инвертор для домашней сварки, то разницу между IGBT и MOSFET вы точно не заметите. Все преимущества IGBT раскрываются только в профессиональном оборудовании, предназначенном для высоковольтного подключения. В таком случае больший диапазон мощностей действительно играет важную роль и стоит предпочесть IGBT инвертор.
В остальных же случаях не важно, какие транзисторы установлены. Вы, как любитель, разницу не почувствуете.
Словом, если вы новичок, то приобретайте инвертор на любых транзисторах. Инвертор на MOSFET будет стоить дешевле, вы сможете проще и быстрее его отремонтировать. А если вы выбираете инвертор для профессиональной сварки, то лучше выбрать аппарат на IGBT транзисторах. Они позволят использовать больше мощности. Но и их обслуживание обойдется дороже.
Вместо заключения
Не важно, какие именно силовые транзисторы для сварочных инверторов вы выберите. В любом случае, современный инвертор предоставит вам множество удобных плюсов. Вы сможете брать его с собой, поскольку вес и размеры незначительны. Вы сможете выполнять мелкий ремонт, даже если варите впервые, поскольку дополнительные функции упростят вашу работу. А благодаря технологичным транзисторам электронная схема будет работать еще стабильнее и дольше.
Да, инверторные аппараты куда сложнее по своему строению как раз за счет применения электроники.
Вы не сможете починить инвертор «на коленке», как это можно сделать с трансформатором. Но преимуществ слишком много, чтобы отказываться от нововведений. А что вы думаете по этому поводу? Поделитесь своим мнением в комментариях ниже. Желаем удачи в работе!
Как вам статья?
Сварочные инверторы. Схемы подключения высокочастотных преобразователей
Довольно часто для построения сварочного инвертора применяют основные три типа высокочастотных преобразователей, а именно преобразователи включенные по схемам: асимметричный или косой мост, полумост, а также полный мост. При этом резонансные преобразователи являются подвидами схем полумоста и полного моста. По системе управления данные устройства можно поделить на: ШИМ (широтно-импульсной модуляцией), ЧИМ (регулирование частоты), фазовое управления, а также могут существовать комбинации всех трех систем.
Все выше перечисленные преобразователи имеют свои плюсы и минусы. Разберемся с каждым в отдельности.
Система полумост с ШИМ
Блок схема показана ниже:
Это, пожалуй, один из самых простых, но не менее надежных преобразователей семейства двухтактных. «Раскачка» напряжения первичной обмотки трансформатора силового будет равна половине напряжения питания – это недостаток данной схемы. Но если посмотреть с другой стороны, то можно применить трансформатор с меньшим сердечником, не опасаясь при этом захода в зону насыщения, что одновременно является и плюсом. Для сварочных инверторов имеющих мощность порядка 2-3 кВт такой силовой модуль вполне перспективен.
Поскольку силовые транзисторы работают в режиме жесткого переключения, то для их нормальной работы необходимо ставить драйверы. Это связано с тем, что при работе в таком режиме, транзисторам необходим высококачественный управляющий сигнал. Также обязательно наличие безтоковой паузы, чтоб не допустить одновременное открытие транзисторов, результатом чего станет выход последних из строя.
Резонансный полумост
Довольно перспективный вид полумостового преобразователя, его схема показана ниже:
Резонансный полумост будет немного проще, чем полумост с ШИМ.
Это обусловлено наличием индуктивности резонансной, которая ограничивает максимальный ток транзисторов, а коммутация транзисторов происходит в нуле тока или напряжения. Ток, протекающий по силовой цепи, будет иметь форму синусоиды, что снимет нагрузку с конденсаторных фильтров. При таком построении схемы необязательно необходимы драйверы, переключение может осуществляться обычным импульсным трансформатором. Качество управляющих импульсов в данной схеме не столь существенно как в предыдущей, но безтоковая пауза все равно должна быть.
В данном случае можно обойтись без токовой защиты, а форма вольт-амперной характеристики ВАХ будет иметь падающий вид, что не требует ее параметрического формирования.
Выходной ток будет ограничиваться только индуктивностью намагничивания трансформатора и соответственно сможет достигать довольно таки значительных величин, в случае, когда возникнет короткое замыкание КЗ. Данное свойство положительно влияет на поджиг и горение дуги, но и его также необходимо учитывать при подборе выходных диодов.
Как правило, выходные параметры регулируются изменением частоты. Но и регулирование фазное тоже дает немного своих плюсов и является более перспективным для сварочных инверторов. Он позволяет обойти такое неприятное явление как совпадение режима короткого замыкания с резонансом, а также увеличивает диапазон регулирования выходных параметров. Применение фазовой регулировки может позволить изменять выходной ток в диапазоне от 0 до Imax.
Полумостовой двухтактный инвертор с ШИМ, с дросселем рассеяния, резонансный
Темы: Сварочное оборудование.
Полумостовые преобразователи применяются в сварочных инверторах достаточно часто. Особенно их любят китайские производители.
И хотя, для получения приличной мощности, они требуют двойных токов, современные IGBT модули позволяют строить сварочные аппараты с достойными характеристиками, именно на основе полумоста. Простота и минимум деталей, надёжность и высокий КПД. Всё это привлекает разработчиков сварочной техники. В этой главе объединены описания трёх типов полумостовых преобразователей, схемы их очень похожи, различия только в принципах управления выходным током, ограничения тока силовых ключей и передачи энергии в нагрузку.
Полная принципиальная схема полумостового сварочного инвертора с ШИМ показана на Рис.12.
Сварочник построенный по такой схеме способен отдать в дугу до 130А, частота преобразования 30-40кГц, определяется применяемыми транзисторами. Моточные данные приведены ниже.
Тр.1 Е65, №87 , ЭПКОС
1-9-10 витков, ПЭТВ-2, диаметр 2,5мм;
II — 3+3 витка (6 с отводом от середины), ПЭТВ-2, диметр 2,24 в четыре провода.
Тр.2 Б-22, 2000НМ1
I — 60 витков, ПЭВ-2, диаметр 0,3 мм;
II — 7+7 витков, ПЭВ -2, диаметр 0,56
Тр. 2хК20х12х6, 2000НМ1 одна обмотка 50 витков, ПЭВ-2, диаметр 0,3;
Др.1 К28х16х9, 2000НМ1, 15 витков монтажного провода, 1мм кв.
Тр.З К28x16x9, 2000НМ1
Все 4 обмотки одинаковые, мотаются одновременно, 30-35 витков, МГТФ-0,12. Фазировка указана точками. Переходим к электрической схеме. Задающий генератор собран на микросхеме UC3825, это один из лучших двухтактных драйверов, в нём есть всё, защита по току, по напряжению, по входу, по выходу.
При нормальной работе его практически нельзя сжечь! Как видно из схемы ЗГ это классический двухтактный преобразователь, трансформатор которого управляет выходным каскадом. Настраивается ЗГ так, подаём питание и частотозадающим резистором настраиваем частоту 30-40к Гц, нагружаем выходную обмотку трансформатора Тр3 резистором 20-30 Ом и смотрим форму сигнала, она должна быть такой как на рис.13.
Мёртвое время или ступенька для IGBT транзисторов должно быть не менее 1,2мкс, если применяются MOSFET транзисторы, то ступенька может быть меньше, примерно 0,5мкс. Собственно ступеньку формирует частотозадающая емкость драйвера, и при деталях указанных на схеме, это около 2мкс. Подключаем к трансформатору Тр.З драйверы силовых ключей и естественно сами ключи. На затворах должны быть сигналы похожие на Рис.14, только в противофазе. При вращении резистора регулировки величины тока (на 8 ноге), длительность затворных импульсов должна меняться от 0 до тах 50%(- dead time).
При подаче положительного напряжения на 9 ногу, в пределах 0-1,5В, происходит примерно тоже самое, но более резко.
В нашей схеме ограничение максимального тока ключей происходит через 9 ногу, а плавная регулировка выходного тока через 8 ногу UC3825N. Методика настройки предельно проста, подаём напряжение на блок управления, а к силовому блоку подключаем ЛАТР. Вместо силового трансформатора подключаем лампочку на 200Wх110V, и проверив наличие в затворах управляющих импульсов, начинаем постепенно поднимать напряжение приложенное к силовому блоку. Периодически останавливаясь и проверяя осциллографом, что у нас на лампочке. Если лампочка горит ровно и на экране осциллографа наблюдается картинка, похожая на Рис.13, пробуем регулировать ток. При этом лампочка должна плавно реагировать на поворот резистора, свечение должно меняться от 0 и до мах! Если этого не происходит — разобраться почему. Возможно прийдётся подобрать резисторы вокруг регулятора, ведь именно от них зависит диапазон регулировки выходного тока! На 8 ноге напряжение должно изменяться от +3В до +4В, в это время происходит изменение длительности выходных импульсов от 0 до 50%.
Следующим нашим действием, будет отключение лампочки, и подключение на её место силового трансформатора, вторичная обмотка должна быть нагружена лампочкой 100Wх36V. Всё повторяем с самого начала, постепенно ЛАТРом поднимаем напряжение до 220V. Всё должно работать аналогично. Если так и есть, смело подключаем силовые диоды, отключаем ЛАТР, он нам уже не поможет. Включаем напрямую в сеть 220V, без нагрузки, через секунду должно сработать запускающее реле, замкнуть запускающую RC цепочку и подать силовое напряжение на ключи. Реле одновременно является и защитой от длительного режима К3.. Если в момент включения аппарата его выход будет замкнут, реле не включится, и мощность потребляемая аппаратом не превысит 50Вт. И так будет до того момента, пока на выходе сохраняется режим К3.
Запускающая RC -цепочка ограничивает ток потребляемый от сети, на уровне 250мА в режиме полного КЗ. Примерно тоже происходит при залипании электрода, конденсатор включенный параллельно реле, определяет время задержки на отключение.
Переходим к следующему этапу настройки, для этого нужно запастись реостатом на 5кW сопротивлением 1,0 Ом. Устанавливаем регулятор тока на мах и подключаем балластник (реостат) на выход. Измеряем на нём напряжение, оно должно быть примерно 35-40В, медленно вращаем ручку регулятора тока в сторону уменьшения. Напряжение должно плавно уменьшаться. Следующее наше действие самое ответственное — настройка отсечки максимального тока ключей (защиты). Ставим подстроечный резистор «защита» в среднее положение и уменьшая сопротивление балластного реостата пытаемся найти точку срабатывания, в этот момент возможно появление попискивания в силовом трансформаторе. Делать наоборот, тоесть подстроечником находить положение срабатывания нельзя категорически. Не соблюдение этого обчно приводит к выгоранию ключей! Подстройку резистора защиты можно делать только при отключенной нагрузке! Ну, вот собственно и всё. Если на нагрузке 0,25 Ом удастся получить 26-28В, а на 0,15 Омах будет срабатывать защита, то аппарат будет чудесно варить, но только с удвоителем, или дросселем на выходе.
Следующая схема -резонансный полумостовой сварочный инвертор с фазовой регулировкой выходного тока. Полная схема представлена на Рис.15. Такая схема позволяет получать в дуге ток, от 5 до 120А, этого вполне достаточно для нормальной работы электродами диаметром 1,6 — 3,0 мм, при напряжении в сети 210 — 240В.
Ниже представлены данные на трансформаторы и дроссели.
Тр.1 Е65, №87 , ЭПКОС
I-9-10 витков, ПЭТВ-2, диаметр 2,5мм;
II — .3+3 витка (6 с отводом от середины), ПЭТВ-2, диаметр 2,24 в четыре провода.
Тр.2 Б-22, 2000НМ1
I — 60 витков, ПЭВ-2, диаметр 0,3 мм;
II — 7+7 витков, ПЭВ -2, диаметр 0,56
Тр. 2хК20х12х6, 2000НМ1 одна обмотка 50 витков, ПЭВ-2, диаметр 0,3;
Др.1 Ш20х28, 2000НМ 12 витков, ПЭТВ-2, диаметр 2,5 мм, зазор от 0,3 до 0,9мм, подбирается экспериментально.
Др.2 К28х16х9, 2000НМ1, 15 витков монтажного провода, 1мм кв.
Тр.З К28х16х9, 2000НМ1 Все 4 обмотки одинаковые, мотаются одновременно, 30-35 витков, МГТФ-0,12.
Фазировка указана точками. Как видите схема очень похожа на предыдущую, но конструкция силовой части значительно проще! Это объясняется тем, что вся схема работает в резонансе и для переключения транзисторов нужно значительно меньше энергии, чем в схеме с силовым переключением.
Переключить ключ в нуле напряжения или тока значительно легче, именно этим объясняется тот факт, что на схеме Вы не увидите драйверов для силовых ключей, нет необходимости и в КСО цепочках (снабберах) защиты, нет защиты от перегрузки по току, функцию ограничения тока выполняет резонансный дроссель и собственная индуктивность рассеяния силового трансформатора.
Процесс настройки тоже немного отличается от настройки инвертора с ШИМ, хотя начало совершенно одинаково, до момента подачи управляющих импульсов в затворы силовых транзисторов.
Поскольку драйверов нет, то и осциллограмма напряжения в затворах будет выглядеть несколько иначе, смотри Рис.16. Как видим, задний фронт имеет довольно плавный спад, это разряжается затвор ключа.
Для предыдущей схемы такая форма разряда затворов, была бы смертерльна на 100%! Резонансному преобразователю на это наплевать! Поэтому проверкой формы управляющих импульсов в затворах и ограничимся. Регулятором тока выставим максимальную длительность управляющих импульсов, если этого не сделать, дальнейшая настройка ничего не даст. Настроим задающий генератор на частоту 45кГц, вместо силового трансформатора, последовательно с резонансной КС цепочкой включим лампочку на 100Wх36V.
Вместо силовой сети подключаем ЛАТР, блок управления запитываем от отдельного источника, и начинаем медленно повышать напряжение на силовом блоке. Примерно при 40-50В если лампочка не горит, или горит не очень ярко, делаем остановку и изменяя частоту задающего генератора добиваемся максимальной яркости лампочки. Немагнитный зазор в резонансном дросселе должен быть при этом 0,4-0,5 мм, это примерно 4-6 слоев бумажного малярного скотча. Если всё прошло гладко, меняем лампочку на 100Wх110V и продолжаем повышать напряжение до 220В, периодически подкручивая частоту, если резонанс будет уходить.
Это была предварительная настройка.
Отключаем лампочку и подключаем силовой трансформатор нагруженный лампочкой 100Wх 36V. Весь процесс повторяем сначала, постепенно ЛАТРом поднимая напряжение, а частотой подстраивая резонанс, до точки наиболее яркого горения лампы. Всё это необходимо проделать для выявления ляпов и ошибок монтажа, иначе, если подать сразу 220V, и что-то сгорит, никогда не поймёшь почему. Следующий этап, отключаем лампу и подключаем силовые диоды. ЛАТР тоже можно убрать, включаем напрямик в сеть. Через секунду должно сработать запускающее реле и на выходе появится напряжение 46-50В. Для начала надо подключить лампочку 100Wх36V и убедиться, что всё работает устойчиво, посторонних звуков нет. Свечение лампы ровное и регулятором тока плавно меняется от max до min.
Если всё именно так, меняем лампу на балластный реостат 1,0 Ом на 5 КW и продолжаем настройку. Кратковременно подключая нагрузку (1,0Ом) подстраиваем частоту до того момента, когда вольтметр покажет тах напряжение на балластнике, и при вращении частотозадающего резистора в любую сторону, напряжение будет уменьшаться.
Примерно это может быть 30-З6кГц, при этом максимальное напряжение будет около 38В. Далее уменьшаем сопротивление нагрузки до 0,5 Ом, и повышая частоту находим максимум напряжения, затем всё повторяем для нагрузки, 0,25 Ом.
Все операции по настройке резонанса производить только при максимальной длительности управляющих импульсов! Конечным результатом настройки должно получиться 26-28В на нагрузке 0,25 Ом, и при дальнейшем уменьшении сопротивления нагрузки напряжение должно понижаться. Таким образом, если резонанс будет настроен на нагрузке 0,2 — 0,25 Ом, то именно в этом месте и будет максимум мощности! Максимальный выходной ток полностью зависит от резонансного дросселя, вернее от немагнитного зазора в сердечнике. Чем толще зазор, тем больше ток и выше частота. Это следует помнить, и при монтаже закрепить резонансный дроссель так, чтобы его можно было снять, разобрать и подкорректировать в случае необходимости толщину зазора.
Рабочая толщина зазора может достигать 1 — 1,5мм, но начинать настройку лучше с 0,3- 0,5 мм.
Такой зазор сразу ограничит максимальные токи через ключи, и в случае возникновения аварийной ситуации, не даст им сгореть.
Дальнейшее увеличение нагрузки, при неизменной частоте вызовет падение напряжения и снижение мощности. При К3 ток может превышать мах ток дуги в 1,2 -1,5 раза, но напряжение на выходе упадёт до 2-ЗВ, и соответственно мощность не будет выделяться.
Это неоспоримый плюс резонансного инвертора, естественное ограничение мощности. При такой настройке, аппарат не боится режимов КЗ, скорость ограничения тока на порядок выше, чем при самой быстрой параметрической защите. А применение удвоителя напряжения на выходе позволяет зажигать и поддерживать дугу при самых неблагоприятных условиях! На Рис. 17-19 показаны осциллограммы напряжения в затворах ключей при изменении выходного тока в сторону уменьшения, при фазовой регулировке. И ещё один способ настройки резонанса, для продвинутых радиолюбителей.
В разрыв первичной цепи включается токовый трансформатор. Например 50 витков на колечке К28, 2000НМ.
Нагружаем аппарат на предельную нагрузку, например 25В и 150А, это примерно 0,17 Ом. Ширину импульса ставим на максимум, частоту заведомо выше резонансной, в нашем случае это примерно 45-50кГц. Подключаем через ЛАТР не более 40-60В. Естественно блок управления питается отдельно, осциллограф подключаем к токовому трансформатору. Картинка выглядит, как разорванная синусоида. Потихоньку опускаем частоту до того момента, когда синусоида склеится в непрерывную линию. Вот и всё! Практически тоже самое можно наблюдать подключившись осциллографом к резонансному конденсатору, или включив последовательно в первичную цепь резистор 0,1 Ом, и подключив осциллограф параллельно ему.
Третий тип полумоста с дросселем рассеяния, представляет собой гибрид между преобразователем с ШИМ и резонансным с частотным или фазовым регулированием.
Его схема ничем не отличается от схемы с ШИМ преобразователем, введена только RC цепочка последовательно с силовым трансформатором, как в резонансном. Но это не резонансная цепочка, а просто цепь ограничения максимального тока.
Конденсатор в этой цепочке является просто симметрирующим и его ёмкость равняется 22мкФх63В, тип К73-16В. Дроссель можно поставить точно такой, как в резонансном преобразователе, от величины его индуктивности зависит максимальная мощность преобразователя.
- < Инверторный источник сварочного тока ДС 140.31
- Сварочный инвертор, видео >
Ассиметричный или «косой» мост
Это однотактный, прямоходовой преобразователь, блок схема которого приведена ниже:
Данный тип преобразователя довольно популярен как у простых радиолюбителей, так и у производителей сварочных инверторов. Самые первые сварочные инверторы строились именно по таким схемам – асимметричный или «косой» мост. Помехозащищенность, довольно широкий диапазон регулирования выходного тока, надежность и простота – эти все качества до сих пор привлекают производителей до сих пор.
Довольно высокие токи, проходящие через транзисторы, повышенное требование к качеству управляющего импульса, что приводит к необходимости использовать мощные драйвера для управления транзисторами, а высокие требования к выполнению монтажных работ в этих устройствах и наличие больших импульсных токов, которые в свою очередь повышают требования к конденсаторным фильтрам – это существенные недостатки такого типа преобразователя.
Также для поддерживания нормальной работы транзисторов необходимо добавление RCD цепочек – снабберов.
Но несмотря на выше перечисленные недостатки и низкий КПД устройства по схеме асимметричный или «косой» мост все еще применяются в сварочных инверторах. В данном случае транзисторы Т1 и Т2 будут работать синфазно, то есть закрываться и открываться одновременно. В данном случае накопление энергии будет происходить не в трансформаторе, а в катушке дросселя Др1. Именно поэтому для того, чтоб получить одинаковую мощность с мостовым преобразователем необходим удвоенный ток через транзисторы, так как рабочий цикл при этом не будет превышать 50%. Более подробно данную систему мы рассмотрим в следующих статьях.
Улучшение теплоотвода
Первый недостаток, которым грешит подавляющее большинство недорогих инверторных аппаратов — плохая схема отвода тепла с силовых ключей и выпрямительных диодов. Начинать доработку в этом направлении лучше с увеличения интенсивности принудительного обдува.
Как правило, в сварочных аппаратах устанавливают корпусные вентиляторы с питанием от служебных цепей напряжением 12 В. В «компактных» моделях принудительное воздушное охлаждение может вовсе отсутствовать, что для электротехники такого класса, безусловно, нонсенс.
Достаточно просто увеличить воздушный поток путём установки нескольких таких вентиляторов последовательно. Проблема в том, что «родной» кулер скорее всего придётся снять. Чтобы эффективно работать в последовательной сборке, вентиляторы должны иметь идентичную форму и число лопастей, а также скорость вращения. Собрать одинаковые кулеры в «стопку» крайне просто, достаточно стянуть их парой длинных болтов по диаметрально противоположным угловым отверстиям. Также не стоит беспокоиться о мощности источника служебного питания, как правило её достаточно для установки 3–4 вентиляторов.
Читать также: Рейтинг ручных ножовок по дереву
Если внутри корпуса инвертора недостаточно места для установки вентиляторов, можно приладить снаружи один высоко.
Его установка проще по той причине, что не требуется подключение к внутренним цепям, питание снимается с клемм кнопки включения. Вентилятор, разумеется, должен устанавливаться напротив вентиляционных жалюзеек, часть которых можно вырезать, чтобы снизить аэродинамическое сопротивление. Оптимальное направление потока воздуха — на вытяжку из корпуса.
Второй способ улучшить теплоотвод — замена штатных алюминиевых радиаторов на более производительные. Новый радиатор нужно выбирать с наибольшим количеством как можно более тонких рёбер, то есть с наибольшей площадью контакта с воздухом. Оптимально в этих целях использовать радиаторы охлаждения компьютерных ЦП. Процесс замены радиаторов довольно прост, достаточно соблюдать несколько простых правил:
- Если штатный радиатор изолирован от фланцев радиоэлементов слюдой или резиновыми прокладками, их нужно сохранить при замене.
- Для улучшения теплового контакта нужно использовать кремнийорганическую термопасту.
- Если радиатор нужно подрезать, чтобы он поместился в корпус, обрезанные рёбра нужно тщательно обработать надфилем, чтобы снять все заусенцы, иначе на них будет обильно оседать пыль.
- Радиатор должен быть плотно прижат к микросхемам, поэтому предварительно на нём нужно разметить и просверлить крепёжные отверстия, возможно, потребуется нарезать резьбу в теле алюминиевой подошвы.
Дополнительно отметим, что нет смысла менять штучные радиаторы отдельно стоящих ключей, замене подвергаются только теплоотводы интегральных схем или нескольких высокомощных транзисторов, установленных в ряд.
Полный мост с ШИМ
Представляет собой классический двухтактный преобразователь, блок схема которого показана ниже:
Данная схема позволяет получать мощность в 2 раза больше, чем при включении типа полумост и в 2 раза больше чем при включении типа «косой» мост, при этом величины токов и соответственно потери во всех трех случаях будут равны. Это можно объяснить тем, напряжение питания будет равным напряжению «раскачки» первичной обмотки трансформатора силового.
Для того, чтоб получить одинаковые мощности с полумостом (напряжение раскачки 0,5Uпит.
) необходим ток в 2 раза! меньше чем для случая полумоста. В схеме полного моста с ШИМ транзисторы будут работать поочередно – Т1, Т3 включены, а Т2, Т4 выключены и соответственно наоборот при изменении полярности. Через трансформатор тока отслеживают и контролируют значения амплитудное тока протекающего через эту диагональ. Для его регулирования есть два наиболее часто применяемые способы:
- Оставить неизменным напряжение отсечки, а изменять только длину импульса управления;
- Проводить изменения уровня отсекающего напряжения по данным с трансформатора тока при этом оставляя неизменным длительность импульса управления;
Оба способа могут позволить проводить изменения выходного тока в довольно больших пределах. У полного моста с ШИМ недостатки и требования такие же, как и у полумоста с ШИМ. (Смотри выше).
Поэтапное описание сборки
Сборка блока питания. В качестве основы трансформатора рекомендуется брать феррит 7×7 или 8×8. Устройство первичной обмотки осуществляется намоткой проволоки по ширине сердечника.
Это улучшает работу устройства при перепадах напряжения. Используются медные провода (проволока) ПЭВ-2, а при отсутствии шины провода соединяют в пучок. Первичная обмотка изолируется стеклотканью. После слоя стеклоткани сверху наматываются витки экранирующих проводов.
Корпус. Этим важным элементом может служить старый системный блок компьютера, в котором есть достаточно необходимых отверстий для вентиляции. Использоваться может старая 10-литровая канистра, в которой можно проделать отверстия и разместить кулеры. Для повышения прочности конструкции из корпуса размещают металлические уголки, закрепляющиеся болтовыми соединениями.
Силовая часть. Роль силового блока играет понижающий трансформатор. Его сердечники могут быть двух видов: Ш 20×208 2000 нм. Между обоими элементами должен быть зазор, что обеспечивается с помощью газетной бумаги. При устройстве вторичной обмотки витки наматываются в несколько слоев. На вторичную обмотку укладывается три слоя проводов, и между ними помещается прокладка из фторопласта.
Между обмотками располагают усиленный слой изоляции, позволяющий избежать пробоя напряжения на вторичную обмотку. Конденсатор должен быть напряжением не менее 1000 В.
Для обеспечения циркуляции воздуха между обмотками оставляется воздушный зазор. На ферритовом сердечнике собирают трансформатор тока, включающийся в цепь к плюсовой линии. Сердечник обматывается термобумагой, в качестве которой лучше использовать кассовую ленту. Выпрямительные диоды крепят к алюминиевой пластине радиатора. Выходы диодов соединяют неизолированными проводами, сечение которых равно 4 мм.
Инверторный блок. Основным предназначением инверторной системы является преобразование постоянного тока в переменный с большой частотой. Для ее увеличения используются полевые транзисторы, работающие на закрытие и открытие с высокой частотой. Использовать рекомендуется не один мощный транзистор, а реализовать схему на основании двух менее мощных. Нужно это для стабилизации частоты тока.
В схеме должны присутствовать конденсаторы, соединяющиеся последовательно.
Система охлаждения. На стенке корпуса устанавливаются вентиляторы охлаждения, для чего могут быть использованы компьютерные кулеры. Они необходимы для охлаждения рабочих элементов. Чем больше их используется, тем лучше. Обязательно устанавливается два вентилятора для обдувки вторичного трансформатора. Один кулер обдувает радиатор, благодаря чему предотвращается перегрев рабочих элементов — выпрямительных диодов.
Стоит воспользоваться вспомогательным элементом — термодатчиком, который рекомендуется устанавливать на нагревающемся элементе. Датчик срабатывает при достижении критической температуры нагрева какого-либо элемента. После его срабатывания питание устройства отключается.
В процессе работы инверторная сварка быстро нагревается, поэтому обязательно должно быть два мощных кулера. Эти кулеры или вентиляторы помещаются на корпус устройства, чтобы работали на вытяжку воздуха. Свежий воздух поступает в систему через отверстия в корпусе.
В системном блоке данные отверстия уже имеются, а при использовании любого другого материала не забудьте об обеспечении притока свежего воздуха.
Читать также: Переходник для бура на шуруповерт своими руками
Пайка платы. Ключевой фактор, ведь схема основана на плате. Транзисторы и диоды на ней важно смонтировать встречно друг к другу. Монтируется плата между радиаторами охлаждения, при помощи чего и соединяется цепь электроприборов. Рассчитывается питающая цепь на 300 В напряжения. Дополнительное расположение конденсаторов 0,15 мкФ позволяет сбрасывать избыток мощности обратно в цепь. На выходе трансформатора помещаются конденсаторы и снабберы, при помощи которых гасится перенапряжение на выходе вторичной обмотки.
Настройка, отладка работы. После сборки инверторной сварки требуется еще ряд процедур, в частности, настройка функционирования. Для этого к ШИМ (широтно-импульсному модулятору) надо подключить 15 В напряжения и запитать кулер.
Дополнительно в цепь включают реле через резистор R11. Реле в цепь включается во избежание скачков напряжения в сети 220 В. Важно проконтролировать включение реле, а затем подать питание на ШИМ. В итоге должна получиться картина, когда прямоугольные участки на диаграмме ШИМ должны исчезнуть.
О правильности соединения можно судить, если при настройке реле выдает 150 мА. Если сигнал слабый, значит, платы соединены неправильно. Возможно, пробита одна из обмоток. Для устранения помех укорачиваются все питающие электропроводы.
Резонансный мост
Является наиболее перспективной схемой высокочастотного преобразователя для сварочного инвертора, блок схема которого показана ниже:
Резонансный мост не сильно отличается от полного моста с ШИМ. Разница заключается в том, что при резонансном подключении последовательно с обмоткой трансформатора подключают резонансную LC цепочку. Однако ее появление в корне меняет процесс перекачки мощности. Уменьшатся потери, увеличится КПД, снизится нагрузка на входные электролиты и электромагнитные помехи уменьшатся.
В данном случае драйверы на силовые транзисторы нужно применять только в случае если будут использованы MOSFET транзисторы, которые имеют емкость затвора более 5000 pF. IGBT могут обойтись лишь наличием импульсного трансформатора. Более подробные описания схем будут приводится в следующих статьях.
Управление выходным током может производится двумя способами – частотным и фазовым. Оба эти способы описывались в резонансном полумосте (смотри выше).
Полный мост с дросселем рассеивания
Схема его ничем практически не отличается от схемы резонансного моста или полумоста, только вместо резонансной цепи LC последовательно с трансформатором включают не резонансную LC цепь. Емкость С, примерно С≈22мкф х 63В, работает как симметрирующий конденсатор, а индуктивное сопротивление дросселя L как реактивное сопротивление, величина которого будет линейно изменятся в зависимости от изменения частоты. Преобразователь управляется частотным способом. Как известно нам с электротехники, при увеличении частоты напряжения сопротивление индуктивности возрастет, что уменьшит ток в силовом трансформаторе.
Довольно простой и надежный способ. Поэтому довольно большое количество промышленных инверторов строят по такому принципу ограничения выходных параметров.
MOSFET%20схема%20сварка%20инвертор спецификация и примечания по применению
MOSFET%20схема%20сварка%20инвертор Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
д 434 мосфет Резюме: T0220AB MOSFET 345 T0-220AB MOSFET MOSFET N BUK854-500IS 200B 100a MOSFET MOSFET 606 | OCR-сканирование | БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л д 434 мосфет T0220AB мосфет 345 Т0-220АБ мосфет МОП-транзистор N БУК854-500ИС 200Б 100а мосфет МОП-транзистор 606 | |
2006 – ан799 Аннотация: MOSFET 500V 15A MOSFET 55 nf 06 an799 микрочип tc1426 TC4431 приложение 348 MOSFET MOSFET 6A “MOSFET” 400V TC4425 | Оригинал | АН799 500В14АН ан799 МОП-транзистор 500В 15А мосфет 55 нф 06 микросхема ан799 тк1426 Приложение TC4431 348 мосфет МОП-транзистор 6А “МОП-транзистор” 400В TC4425 | |
БУК417-500Б Реферат: TOPFETs FETs T0-220AB mosfet BUK454-600 BUK617-500BE BUK551-100A PHILIPS MOSFET igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство Igbts | OCR-сканирование | T0220AB ОТ186 ОТ186 БУК856-400ИЗ БУК417-500Б полевые транзисторы Т0-220АБ мосфет БУК454-600 БУК617-500БЭ БУК551-100А PHILIPS МОП-транзистор igbt Руководство по выбору полупроводников Philips Руководство по IGBT | |
Т0-220АБ Реферат: PHILIPS MOSFET igbt mosfet переключатель BUK866 4001z | OCR-сканирование | БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt МОП-переключатель БУК866 4001з | |
МОП-транзистор Реферат: AN9506 ISL6572 переключатель zvs драйвер SEM600 Lloyd H. | Оригинал | ИСЛ6752ИСЛ6753 АН1262 ISL6752 ISL6753 АН1002 АН1246 ИСЛ6752ИСЛ6753ЗВС АН1002АН1246 МОП-транзистор AN9506 ISL6572 переключить драйвер zvs СЭМ600 Ллойд Х. Диксон ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий мосфет каталог мосфетов | |
ссф7509 Резюме: MC33035 K1 mosfet SIL-PAD400 mosfet 400a 1335W MOSFet MOSFET B TO220 RthJA 400A mosfet | Оригинал | SSF7509 15 кГц MC33035 SSF7509 MC33035 МОП-транзистор K1 SIL-PAD400 мосфет 400а 1335 Вт MOSFet МОП-транзистор B ТО220 РтЯ МОП-транзистор 400А | |
схема контактов MOSFET Реферат: LM3641 MOSFET 2KV mosfet+on+09нг | Оригинал | LM3641 схема выводов MOSFET LM3641 МОП-транзистор 2 кВ мосфет+на+09нг | |
Мощный МОП-транзистор 200 кГц Резюме: транзистор c 558 mosfet 4b npn транзистор dc 558 транзистор dc 558 npn 12v 10A dc драйвер управления двигателем mosfet mosfet драйвер с npn транзистором ic 558 mosfet 300v 10a импульсный трансформатор привод pwm ic | Оригинал | Ан-558 AN010063-01-JP 112нс 200нс Мощный мосфет 200 кГц транзистор с 558 мосфет 4b npn-транзистор постоянного тока 558 транзистор постоянного тока 558 npn МОП-транзистор управления двигателем постоянного тока 12 В 10 А драйвер мосфета с транзистором npn ик 558 мосфет 300в 10а привод импульсного трансформатора pwm ic | |
2007 – LM25116 Реферат: Si7850DP TSSOP-20-EP amp mosfet принципиальная схема IC MOSFET QG 6 PIN mosfet | Оригинал | ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП дс300075 DS300156-01-JP ЛМ25116 Si7850DP ЦСОП-20-ЭП схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG 6 PIN мосфет | |
1970 – МОП-транзистор-48В Аннотация: схема powr607 emmc 4700uF mosfet-n EIA96 ISPPAC-POWR607 eMMC DC-DC 5V-3,3V ISPPAC-POWR1014 | Оригинал | ГС-12В MOSFET8сек32сек 12VNMOSFET 12В12В страница-126- 32сек2сек ispPAC-POWR1220AT8 AldecActive-HDLHDL9-10 МОП-транзистор-48В мощность607 схема эммк 4700 мкФ мосфет-н ОВОС96 ИСППАК-POWR607 eMMC DC-DC 5В-3,3В ИСППАК-POWR1014 | |
837 мосфет Реферат: 912 MOSFET T0-220AB PHILIPS MOSFET igbt BUK108-50DL 50SP 200b MOSFET MOSFET 1053 MOSFET справочник | OCR-сканирование | БУК100-50ДЛ БУК100-50ГЛ БУК100-50ГС БУК101-50ДЛ БУК101-50ГЛ БУК101-50ГС БУК102-50ДЛ БУК102-50ГЛ БУК102-50ГС БУК104-50Л 837 МОП-транзистор 912 МОП-транзистор Т0-220АБ PHILIPS МОП-транзистор igbt БУК108-50ДЛ 50СП 200b мосфет МОП-транзистор 1053 руководство по МОП-транзисторам | |
2007 – IC MOSFET QG 6 PIN Резюме: MOSFET amp ic ZF 24060 14 В 10 А MOSFET 100 ампер MOSFET 200 кГц мощность MOSFET MOSFET 12 В 4A BAT54 IC MOSFET QG LM78L05 | Оригинал | LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель ic ЗФ 24060 мосфет 14В 10А МОП-транзистор на 100 ампер Мощный мосфет 200 кГц мосфет 12В 4А БАТ54 IC МОП-транзистор QG LM78L05 | |
1995 – 10063 Резюме: SIEMENS MOSFET 14 MOSFET 10063 AN-558 IRF330 IRF450 SIEMENS MOSFET TI MOSFET RRD-B30M115 10063 | Оригинал | ТЛ/Г/10063 Ан-558 ТЛ/Г/10063 РРД-Б30М115/Печать ЦСП-9-111С2 10063 Сименс МОП-транзистор 14 мосфет 10063 Ан-558 IRF330 IRF450 сименс мосфет TI МОП-транзистор РРД-Б30М115 10063 | |
2001 – IRHNJ597230SCS Аннотация: международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS IRHNJ597034SCS IRHG6110SCS IRHNJ57234SESCS IRFE130SCX 35CLQ045SCS IRHNJ597130SCS IRHNJ7430SESCS | Оригинал | 4047А ИРХНДЖ597130 ИРХНДЖ593130 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНДЖ597230СКС международный выпрямитель SMD 30CLJQ100SCS ИРХНДЖ597034СКС ИРХГ6110СКС ИРХНДЖ57234СЕСКС IRFE130SCX 35CLQ045SCS ИРХНДЖ597130СКС IRHNJ7430SESCS | |
2007 – МОП-транзистор 14В 10А Аннотация: IC MOSFET QG 6-контактный MOSFET AMP IC MOSFET 12V 4A 300 Amp MOSFET RCS 72 BAT54 FDS6898A LM2747 LM78L05 | Оригинал | LM2747 дс201509 50 кГц 250 кГц 50кГц1МГц 250 кГц 1 МГц ЦСОП-14 мосфет 14В 10А IC МОП-транзистор QG 6 PIN MOSFET усилитель ic мосфет 12В 4А МОП-транзистор на 300 ампер ркс 72 БАТ54 ФДС6898А LM2747 LM78L05 | |
2001 – ИРХНА57064СКС Резюме: IRHNJ597230SCS IRHNJ9130SCS IRHG6110SCS IRHY7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV IRHNJ57034SCS irfy9230 35CLQ045SCS | Оригинал | 94046Б ИРХНДЖ597230 ИРХНДЖ593230 О-254АА 22JGQ045SCV 22GQ100SCV 25GQ045SCS ИРХНА57064СКС ИРХНДЖ597230СКС IRHNJ9130SCS ИРХГ6110СКС ИРХИ7434 IRHE57130SCS 8CLJQ045SCV ИРХНДЖ57034СКС irfy9230 35CLQ045SCS | |
2005 – 5 мм Резюме: LDR 5 мм 300 кГц драйвер MOSFET IC ldr 10k LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 LM2655 MTC16 | Оригинал | LM2655 ЦСОП-16 300 кГц DS101284-04-JP LM2655 nat2000 5 мм лдр ЛДР 5мм Микросхема драйвера МОП-транзистора 300 кГц лдр 10к LM2655MTC-ADJ 593D 594D LM2653 МТС16 | |
Силовой МОП-транзистор Реферат: МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А Диод Шоттки 30В MOSFET | Оригинал | Si4642DY SiE726DF 1-1500 мкФ 47-680 мкФ Мощный МОП-транзистор МОП-переключатель Диод Шоттки 40В 2А диод шоттки 30v МОП-транзистор | |
2010 – Схема усилителя MOSFET Реферат: IC MOSFET QG IC MOSFET CFT top 256 en схема LM25116 модулятор RDS Si7850DP MOSFET 2KV | Оригинал | ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП DS300156-03-JP МХА20А схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG IC МОП-транзистор CFT топ 256 ru схема ЛМ25116 модулятор РДС Si7850DP МОП-транзистор 2 кВ | |
2005 – СЛУП169 Реферат: slup206 peter markowski Руководство по проектированию и применению SLUP206 для высокоскоростных MOSFET IC SEM 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT-транзистора Bill Andreycak SLUA341 Синхронный выпрямитель MOSFET | Оригинал | SLUA341 SLUP169 slup206 Питер Марковски СЛУП206 Руководство по проектированию и применению высокоскоростных полевых МОП-транзисторов ИК СЭМ 2005 СПИСОК ДРАЙВЕРОВ МОП-транзисторов Драйвер IGBT MOSFET Билл Андрейчак SLUA341 синхронный выпрямитель mosfet | |
2007 – AC24V Аннотация: DC24V LM3102 | Оригинал | LM3102 ЭЦСОП-20 DC5VDC12VDC24VAC12VAC24V ДС300213-03-ДжП LM3102 AC24V DC24V | |
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET dip стабилитрон 6. | Оригинал | Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415 | |
2007 – MOSFET ВЧ усилитель Реферат: Схема усилителя MOSFET IC MOSFET QG LM25116 Si7850DP 13MOSFET 5256A | Оригинал | ЛМ25116 50 кГц ЦСОП-20ЭП дс300075 DS300156-01-JP МОП-транзистор ВЧ усилитель схема усилителя мосфета IC МОП-транзистор QG ЛМ25116 Si7850DP 13МОП-транзистор 5256А | |
2006 – S 170 МОП-транзистор Аннотация: 8203 двойной MOSFET S 170 MOSFET SOT323 MOSFET P MOSFET ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ IPS09N03LA P-канальный силовой MOSFET SO-8 TDA21102 MOSFET, все MOSFET, эквивалентные книге | Оригинал | Б152-Х8203-Г4-С-7600 S 170 МОП-транзистор 8203 двойной мосфет S 170 МОП-транзистор МОП-транзистор SOT323 P ЧАСТОТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ MOSFET IPS09N03LA P-канальный силовой MOSFET SO-8 TDA21102 мосфет все mosfet эквивалент книги | |
2008 – АН1114 Реферат: smd транзистор 2t1 smps* ZVT AN1114A DELTA 2000 smps микросхема 1414 термистор ptc 10d DS01114A AN-1114 90 В переменного тока-230 В переменного тока | Оригинал | АН1114 ДС01114А АН1114 смд транзистор 2t1 смпс* ЗВТ АН1114А ДЕЛЬТА 2000 смс микросхема 1414 термистор ptc 10d Ан-1114 90В переменного тока-230В переменного тока | |
Dixon ISL6752 ISL6753 индуктор переключающий MOSFET каталог MOSFET 
2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 Предыдущий
1
2
3
.
..
23
24
25
Далее
Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies
2023 финансовый год
Итоги квартала
4 мая 2023 г.
Больше информации
Ускорьте переход на новые источники энергии с помощью тепловых насосов
Наши компоненты и системные решения делают современные тепловые насосы более интеллектуальными и эффективными — от управления питанием и подключения до человеко-машинного интерфейса и датчиков
Узнать больше
PCIM Europe 2023
С 9 по 11 мая. Зал 7 / Стенд 412.
В этом году мы все о декарбонизации и цифровизации
Полная программа здесь
HYPERRAM™: память расширения в компактном корпусе
Представляем широкий ассортимент энергозависимых решений с низким энергопотреблением и высокой производительностью для промышленной автоматизации и автомобильных приложений
Приходите узнать больше!
Формирование промышленного Интернета вещей путем расширения возможностей интеллектуальных фабрик
Переход к эффективным, устойчивым, гибким и безопасным интеллектуальным фабрикам уже начался благодаря легко интегрируемым полупроводниковым решениям
Узнать больше
Твердотельные реле (ТТР) на базе SJ-FET
Модернизация до технологии CoolMOS™ S7 MOSFET с суперпереходом с лучшим в своем классе R(on) x A для более эффективных и надежных решений SSR
Найти продукт
SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм
Мы расширяем портфолио решений SECORA™ Pay с использованием технологии 28 нм для обеспечения наилучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением
Узнать больше
Новости
03 апреля 2023 г.