Параметры транзистора кт829: Транзистор КТ829: характеристики, параметры, аналоги, цоколевка

alexxlab | 28.02.2023 | 0 | Разное

Содержание

Кт837 характеристики и аналоги – Telegraph

Кт837 характеристики и аналоги

====================================

>> Перейти к скачиванию

====================================

Проверено, вирусов нет!

====================================

КТ837Р, КТ837С – не более 0,9 в. Обратный ток коллектора. – не более 0,15 мА. Рассеиваемая мощность коллектора. – 30 Вт(с радиатором). Зарубежные аналоги транзисторов КТ837.

Характеристики транзистора КТ837В. Структура p-n-p. Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 80 В.Коэффициент шума биполярного транзистора 2.5 дБ. Аналоги транзистора КТ 837В.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Б : • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр – Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.

Основные технические параметры транзистора КТ837. Транзистор. IК, макс, Ампер.fгр, МГц. КТ837А.

Аналоги для КТ837 – Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов.Функциональный аналог. Элементы входят в одну функциональную группу, например усилители, со схожими характеристиками.

Аналог: 2N6111. Цоколевка КТ837: Э-К-Б, см. рисунок. Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск).Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров). Основные параметры транзисторов КТ837

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик изделий без предварительного уведомления.Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является ближайшим или функциональным аналогом.

Аналоги и замены.смешно читать про кт837 что они пришли на замену германиевым Просто в 60-х годах пришло время частот и мощностей.Хотя германий хоронить рано его потенциал в будущем основной как арсенид германия.

Значение. Ед. изм. Аналог.КТ837Ф. ≥1. Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.

КТ837Х, Структура pnp, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5, Статический коэффициент передачи тока h31э мин 15, Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.5.

Справочник транзисторов. Аналоги. Основные параметры и характеристики. Для поиска введите не менее 3 букв или цифр! Транзистор KT837H (КТ837Х ).

Аналог На Кт837Н. Автор kot48260, 17 августа, 2012.Уважаемые форумчане, подскажите пож чем можно заменить пару кт837н в унч, если учесть что в паре с ними стоит пара кт805ам?

КТ837 , 2Т837. Справочник по отечественным транзисторам. КТ837 , 2Т837 (кремниевый транзистор, p-n-p). Прибор. Предельные параметры.

Аналоги (замена) для KT837F.КТ837 биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Предназначен для применения в схемах переключения, выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях и стабилизаторах постоянного.

КТ837А – КТ837Х. Назначение -универсальные большой мощности. Область применения – линейные и импульсные схемы широкого и специального применения. Обозначения. Аналог.

Аналоги транзистора КТ837Ф. Справочник основных характеристик транзисторов.Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора КТ837Ф? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

В этом видео я вам покажу как сделать простой усилитель на транзисторе КТ 837, по очень п.Усилитель на одном транзисторе кт837.

Биполярный транзистор КТ837Е: технические характеристики, область применения, цветовая маркировка, зарубежные аналоги, схемы и параметры.Технические характеристики биполярного транзистора КТ837Е.

Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а такжеЦоколевка у транзисторов КТ829 – перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ827.

КТ837Ф – Транзистор большой мощности среднечастотный структуры PNP для работы в линейных и переключающих схемах. Характеристики транзистора КТ837Ф

Транзисторы


Новые транзисторы	Справочные данные по транзисторам: ГТ108, ГТ309, 1Т308, 1Т303, 2Т301, П504, П505, П607-П609, П702	“Радио”	1964	7	Нет автора
Новые полупроводниковые приборы	Справочные сведения по диодам 2Д503, 2С920, 2С930, 2С950, 2С980 и транзисторам ГТ109, ГТ310, 1Т403, П42	“Радио”	1965	4	Нет автора
Новые полупроводниковые приборы	Справочные данные по транзисторам ГТ320 и ГТ701А	“Радио”	1967	4	Нет автора
Транзисторы для телевизоров	(Продолжение №7, 9 1967г. стр.57). Справочные данные по транзисторам ГТ313, ГТ311, КТ601А, МП37, МП38, МП39, МП40, МП41, ГТ308, П213, П214, П216, П217, КТ801А, КТ802А	“Радио”	1967	2	Фролов В.
Параметры и цоклевки плоскостных транзисторов, разработанных до 1964 года	Справочная таблица по транзисторам П5 – П42, П101 – П110, П505	“Радио”	1968	2	Леонтьев В.
Параметры и цоклевки плоскостных транзисторов, разработанных до 1964 года	Приведены справочные таблицы по транзисторам П4, П201 – П203, П207 – П217, П302 – П306, П401 – П423, П501 – П503, П601 – П609	“Радио”	1968	3	Леонтьев В.
Транзисторы ГТ402А, ГТ402Б	Параметры, цоклевка	“Радио”	1968	8	Черный Б.
Транзисторы широкого применения	Параметры транзисторов ГТ108, ГТ322, КТ301, КТ315	“Радио”	1968	10	Зайцева О.
Новые полупроводниковые приборы	Параметры транзисторов ГТ321 и ГТ311	“Радио”	1969	5	Сардаковская Л.
Новые транзисторы	(Продолжение в №7 1969г. стр.56). Параметры транзисторов КТ602, КТ605, КТ312, КТ903	“Радио”	1969	6	Гордеева В.
Транзисторы малой мощности широкого применения	Таблица и цоклевка на транзисторы ГТ309, ГТ310, ГТ108, ГТ109, П27 – МП42, ГТ320 – ГТ322, П401 – П422, ГТ313, ГТ311, МП111 – МП116, КТ301, КТ315, КТ312, П307 – П309	“Радио”	1969	10	Белов А.
Транзисторы массового применения	Параметры транзисторов П701, ГТ701А, ГТ309	“Радио”	1969	1	Павлова О.
Полевые транзисторы КП102	Приведены параметры, практические схемы (Гальванометр, реле времени, триггер, истоковый повторитель)	“Радио”	1970	6	Вальков А.
Транзисторы средней и большой мощности	Приведены параметры транзисторов ГТ402, ГТ403, П601, П602, П605, П606, ГТ8-4, П210, П302 – П306, КТ601 – КТ605, П607 – П609, КТ801 – КТ803, КТ903, П702	“Радио”	1970	3	Белов А.
Аналоги зарубежных транзисторов	Приведена таблиза аналогов с 2N34 по 2SD191	“Радио”	1971	6	Нефедов А.
Новые транзисторы	Приведены параметры транзисторов КТ306, КТ307, КТ316	“Радио”	1971	5	Домнин Б.
Новые транзисторы	Параметры транзисторов КТ904А,Б; КТ905А,Б	“Радио”	1971	12	Гришина Л.
Полевые транзисторы КП103		“Радио”	1971	4	Вальков А.
Новые имнульсные транзисторы	Приведены параметры на КТ343, КТ349, КТ350, КТ351, КТ352.	“Радио”	1972	2	Тишина В.
Новые транзисторы	(Продолжение в №8 1972г стр.55). Параметры на транзисторы КТ907, КТ908, КТ319, ГТ323, КТ324	“Радио”	1972	7	Гришина Л.
Транзисторы Венгрии и их отечественные аналоги	Приведена таблица аналогов с параметрами транзисторов	“Радио”	1972	11	Нет автора
Новые германиевые транзисторы	Приведены справочные сведения на транзисторы ГТ115, ГТ305, ГТ404	“Радио”	1973	10	Нет автора
Новые кремниевые транзисторы широкого применения	Справочные сведения по КТ104, КТ118, КТ201	“Радио”	1973	2	Нет автора
Новые транзисторы	КТ331, КТ332, КТ339	“Радио”	1973	6	Нет автора
Однопереходные транзисторы КТ117А – КТ117Г		“Радио”	1973	12	Нет автора
Полевые транзисторы с изолированными затворами	Приведены справочные сведения на транзисторы КП301, КП305, КП350	“Радио”	1973	11	Нет автора
Транзисторы ЧССР и их советские аналоги	Справочные данные и приближенные аналоги	“Радио”	1973	8	Нет автора
Кремниевые транзисторы КТ342А – КТ342Г и КТ345А – КТ345В		“Радио”	1974	6	Гришина Л.
Мощные мезапланарные транзисторы КТ802А, КТ803А, КТ807А, КТ807Б, КТ808А, КТ809А		“Радио”	1974	4	Алхимов В.
Полевые транзисторы КП302А – КП302В		“Радио”	1974	3	Абдеева Н.
Полевые транзисторы КП303А – КП303И		“Радио”	1974	5	Гришина Л.
Высокочастотные германиевые транзисторы ГТ329, ГТ330 и ГТ341		“Радио”	1975	3	Гришина Л.
Кремниевые транзисторы КТ608, КТ610		“Радио”	1975	6	Гришина Л.
Транзисторные германиевые матрицы серии ГТС609		“Радио”	1975	8	Найда Б.
Транзисторы КТ325А – КТ325В		“Радио”	1975	10	Коняев В.
Транзисторы КТ340А-КТ340В, КТ340Д		“Радио”	1975	1	Гришина Л.
Транзисторы КТ611А – КТ611Г		“Радио”	1975	9	Гришина Л.
Транзисторы серий КТ909 и КТ911		“Радио”	1975	12	Гришина Л.
Транзисторы	(Продолжение в №8 1976г стр.55). Сводная таблица параметров на транзисторы выпускавшиеся до 1976г.	“Радио”	1976	7	Коняев В.
Зарубежные транзисторы и их советские аналоги	(Продолжение в №7, 9 1977г., №2 – 5, 6 1978г.). Приведены приближенные аналоги	“Радио”	1977	4	Нет автора
Полевой транзистор КП304А		“Радио”	1977	1	Абдеева Н.
Транзисторы КТ814 – КТ817		“Радио”	1977	3	Вородин Б.
Транзисторы серий КТ502, КТ503		“Радио”	1977	9	Якубовский С.
Транзисторы серий КТ919, КТ819		“Радио”	1977	7	Вородин Б.
Высоковольтные транзисторы КТ940		“Радио”	1978	8	Киреев Ю.
Полевые транзисторы серий КП901, КП902		“Радио”	1979	12	Бамов А.
Транзисторные полевые сборки серии КПС104		“Радио”	1979	6	Богдан А.
Транзисторы КТ639 и КТ644		“Радио”	1979	2	Ахламенок Г.
Транзисторы КТ913		“Радио”	1979	4	Богдан А.
Полевые транзисторы серии КП307	Параметры, цоклевка	“Радио”	1980	10	Гришина Л.
Транхисторы серии КТ3102	Приведены графики, параметры, цоклевка (корпус металлический)	“Радио”	1981	1	Нет автора
Высокочастотные транзисторы КТ961А, Б, В	Параметры, цоклевка	“Радио”	1982	9	Нет автора
Матрицы из полевых транзисторов	Приведены справочные сведения на КПС202, КПС104	“Радио”	1982	5	Нет автора
СВЧ транзистор КТ3123	Параметры, графики, цоклевка	“Радио”	1982	6	Виноградов Р.
Транзистор КТ969А	Параметры, цоклевка	“Радио”	1982	8	Гордеев А.
Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б	Справочные данные, цоклевка	“Радио”	1983	10	Овсянников Н.
Транзисторы КТ3126А, КТ3126Б	Параметры, цоклевка	“Радио”	1983	6	Овсянников Н.
Транзисторы КТ3127А, КТ3128А	Справочные сведения, цоклевка	“Радио”	1983	11	Овсянников Н.
Транзисторы КТ635Б	Параметры, цоклевка	“Радио”	1984	7	Николаев О.
Транзисторы КТ645	Параметры, цоклевка	“Радио”	1984	6	Овсянников Н.
Транзисторы КТ646А, КТ646Б	Параметры, цоклевка	“Радио”	1984	7	Овсянников Н.
Транзисторы КТ808АМ-КТ808ГМ	Параметры, цоклевка	“Радио”	1985	10	Пушкарев М.
Транзисторы КТ972А, КТ972Б	Параметры, цоклевка, маркировка	“Радио”	1985	10	Овсянников Н.
Транзисторы серии КТ973	Параметры, цоклевка, маркировка	“Радио”	1986	6	Овсянников Н.
Транзисторы серий КТ639, КТ835	Параметры, графики, цоклевка	“Радио”	1987	8	Юшин А.
Новые транзисторы широкого применения серии КТ837	(Продолжение в №6 1988г стр. 59). Параметры, графики, цоклевка	“Радио”	1988	5	Аксенов А.
Транзисторы КТ3127А и КТ3128А	Параметры, графики, цоклевка	“Радио”	1989	6	Зиньковский А.
Мощные переключающие полевые транзисторы серий КП912 и КП922	(Продолжение в №1 1991г стр.73). Параметры, цоклевка	“Радио”	1990	12	Зиньковский А.
КТ8101, КТ8102	Цоклевка, параметры	“Радиолюбитель”	1991	9	Нет автора
Микросхемы серии К174. Усилитель мощности К174УН14	Структурная схема, параметры, схема включения	“Радио”	1991	1	Новаченко И.
Мощные транзисторы серий КТ8101 и КТ8102	Параметры, цоклевка. графики.	“Радио”	1991	12	Артюков А.
СВЧ транзисторы	Приведены очень краткие сведения на биполярные транзисторы КТ982, КТ984, КТ985, КТ986, КТ987, КТ988, КТ991, КТ994, КТ995, КТ9105, КТ9109, КТ9114 на полевые (+цоклевка) 3П320, 3П321, 3П324, 3П325, 3П326, 3П330, 3П331, 3П339, 3П328, 3П602, 3П603, 3П604, 3П9	“Радиолюбитель”	1991	3	Нет автора
Транзисторы серии КТ850	Цоклевка, параметры, графики	“Радио”	1992	11	Ломакин Л.
Фототранзисторы	(Продолжение в №7,8 1992г). Устройство, параметры, цоклевка, применение. ФТ1 – ФТ8	“Радио”	1992	6	Нет автора
Быстродействующие ключевые транзисторы со статической индукцией	Таблица параметров на КП946, КП948, КП810, КП953 – КП961	“Радио”	1993	7	Нет автора
Транзистор КТ838А	(Продолжение в №4 1994г стр. 45). Цоклевка, параметры, графики	“Радио”	1994	3	Ломакин Л.
Транзисторы	Параметры, цоколевка на КП717, КП718, КП722…КП728, КТ6109…КТ6117, КТ8156А(Б), КП365А, КТ3130А9…Ж9, КТ3153А9, КТ805АМ	“Радиолюбитель”	1995	7	Нет автора
Транзисторы серии КТ829	Цоклевка, парамеры, графики	“Радио”	1995	11	Ломакин Л.
Мощные N-канальные полевые транзисторы	Приведена цоколевка, таблица параметров на транзисторы КП723…КП727 и их аналогов IRF, IRL	“Радиолюбитель”	1996	8	Алешкевич Г.
Новые транзисторы СВЧ	Приведены справочные сведения на КТ9128, КТ9147, КТ9132, КТ9153, КТ9156, КТ9187, 2Т9175	“Радио”	1996	5	Асессоров В.
Транзисторы серии КП705, КП706	Параметры, цоклевка, графики	“Радио”	1996	7	Ломакин Л.
N-канальные МОП-транзисторы КП505А…Г	Цоколевка, параметры	“Радиолюбитель”	1997	10	Киселев В.
Маркировка маломощных транзисторов	Приведена таблица маркировок отечественных транзисторов	“Радиолюбитель”	1997	9	Саранча О.
Мощные МОП-транзисторы КП373А…В	Цоколевка, параметры	“Радиолюбитель”	1997	12	Киселев В.
Полевые транзисторы КП341, АП602	Параметры, цоклевка, графики	“Радио”	1997	3	Ломакин Л.
Транзисторы серии КТ8156	Параметры, цоклевка, графики	“Радио”	1997	4	Киселев В.
Высоковольтные переключательные транзисторы КТ8170А,Б1	Цоколевка, параметры	“Радиолюбитель”	1998	5	Киселев В.
Высоковольтные полевые транзисторы сери КП802	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	1998	4	Ломакин Л.
Высоковольтные транзисторы КТ812А,Б	Параметры, цоколевка	“Радиолюбитель”	1998	4	Беляева С.
Высоковольтные транзисторы КТ8164А,Б	Параметры, цоколевка	“Радиолюбитель”	1998	2	Киселев В.
Мощные вертикальные N-канальные МОП транзисторы КП753А. ..В	Параметры, цоколевка	“Радиолюбитель”	1998	4	Чеботков С.
Однопереходные транзисторы серии КТ133	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	1998	4	Киселев В.
Транзисторы 2Т935А и КТ935А	(Продолжение в №9 1998г стр.58). Цоколевка, параметры, графики	“Радио”	1998	8	Ломакин Л.
Транзисторы серии КТ6113	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	1998	4	Киселев В.
Мощные низковольтные СВЧ транзисторы для подвижных средств связи	(Продолжение в №11 1999г). Цоколевка, параметры транзисторов серий 2Т9175, 2Т9188, КТ9190, КТ9193, КТ8197.	“Радио”	1999	10	Кожевников В.
Комплементарные транзисторы серий КТ6116 и КТ6117	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2000	2	Киселев В.
Транзисторы серии КТ8156	Цоколевка, параметры, внутренняя схема.	“Радио”	2000	7	Киселев В.
Транзисторы серии КТ8156	Цоколевка, параметры	“Радио”	2000	8	Киселев В.
Высоковольтный транзистор КТ8255А	Параметры, цоколевка.	“Радиолюбитель”	2001	3	Беляева С.
Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы International Rectifier	Приведена таблица параметров на транзисторы серий IRF и IRL	“Радио”	2001	5	Нет автора
Новые мощные полевые транзисторы	Приведена таблица параметров КП723. ..КП796	“Радиомир”	2001	8	Чеботков С.
Отечественные аналоги зарубежных транзисторов	(Продолжение в РМ №10,11 2001г., №1,2 2002г.). Приведена таблица аналогов.	“Радиомир”	2001	9	Нет автора
Транзисторы серий КТ520 и КТ521	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2001	9	Киселев В.
N-канальный МОП-транзистор КП214А9	Параметры, цоколевка	“Радиомир”	2002	4	Казмерчук В.
Комплементарные транзисторы КТ529А и КТ530А	Цоколевка, параметры	“Радио”	2002	1	Штырев А.
Комплиментарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116	Габариты, цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2002	9	Киселев В.
Полевые транзисторы “BUZ”	Приведена таблица с параметрами.	“Радиоконструктор”	2002	1	Нет автора
Полевые транзисторы серии КП723	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2002	3	Киселев В.
Полевые транзисторы серии КП727	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2002	1	Киселев В.
Полевые транзисторы серии КП737	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2002	5	Киселев В.
Биполярный кремниевый N-P-N транзистор КТ8261А	Цоколевка, параметры	“Радиомир”	2003	3	Беляева С.
Мощный полевой транзистор КП784А	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2003	5	Киселев В.
Транзистор КТ538А	Цоколевка, параметры.	“Радиомир”	2003	7	Беляева С.
Транзисторные сборки серии КТ222	Цоколевка, параметры.	“Радио”	2003	7	Коновалов С.
Транзисторы КТ8212А,Б,В	Цоколевка, параметры	“Радиомир”	2003	6	Радюк М.
Транзисторы КТ8214А,Б,В	Цоколевка, параметры	“Радиомир”	2003	12	Радюк М.
Транзисторы КТ8248А,А1	Цоколевка, параметры	“Радиомир”	2003	11	Беляева С.
Маломощный полевой транзистор КП214А9	Габаритные размеры, цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2004	1	Киселев В.
Мощные полевые транзисторы серии КП742	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2004	4	Киселев А.
Полевые транзисторы серии КП504	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2004	7	Киселев В.
Составной транзистор КТ8225А	Принципиальная схема, цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2004	12	Киселев В.
Стандартная цветовая маркировка отечественных транзисторов малой мощности	Приведены цоколевка и маркировка некоторых транзисторов.	“Радиоконструктор”	2004	4	Нет автора
Мощные N-канальные полевые транзисторы	Приведена таблица параметров на транзисторы BUZ	“Радиоконструктор”	2005	5	Нет автора
Мощные высоковольтные транзисторы серии КТ8224	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2005	2	Киселев В.
Полевые маломощные транзисторы серии КП523	Цоколевка, параметры, графики.	“Радио”	2005	4	Киселев В.
Аналоги зарубежных транзисторов	Приведена таблици на 180 транзисторов широкого примененичя	“Радиоконструктор”	2006	11	Нет автора
Высоковольтные транзисторы КТ8247А	Цоколевка, параметры	“Радио”	2006	8	Киселев В.
Мощные биполярные транзисторы	Приведены цоколевки и таблица параметров на транзисторы серий КТ718, КТ818, КТ819, КТ827, КТ829, КТ845, КТ850, КТ851, КТ853, КТ863, КТ892, 2Т935, КТ8121, КТ8143, КТ8144, КТ8155, КТ6157, КТ8191, КТ8223, КТ8227, КТ8232, КТ8254, 2Т8292, 2Т8294.	“Радио”	2006	2	Нефедов А.
Мощные полевые транзисторы	Приведена таблица параметров, цоколевка	“Радио”	2006	3	Нефедов А.
Мощный высоковольтный транзистор КТ8290А	Габаритные размеры, параметры, цоколевка	“Радио”	2006	9	Киселев В.
Основные параметры мощных транзисторов	Приведена таблица параметров транзисторов КТ801…КТ842	“Радиоконструктор”	2006	7	Нет автора
Основные параметры мощных транзисторов	Приведена таблица параметров транзисторов КТ844…КТ898, КТ8101…КТ8107	“Радиоконструктор”	2006	8	Нет автора
Сборка мощных транзисторов сери 2Т8295	Габаритные размеры, параметры, цоколевка	“Радио”	2006	9	Шерстюк В.
Основные параметры мощных транзисторов	Приведена таблица параметров транзисторов серий КТ8108…КТ8140, КТ9101…КТ9181	“Радиоконструктор”	2007	1	Нет автора
Мощный биполярный транзистор с изолированным затвором КЕ703А	(Прототип – IRGB14C40L). Структурная схема, цоколевка, параметры.	“Радио”	2007	2	Киселев В.

Анализ схемы

– Как понять параметры транзистора

Задавать вопрос

спросил 5 лет, 1 месяц назад

Изменено 5 лет, 1 месяц назад

Просмотрено 518 раз

\$\начало группы\$

Я пытаюсь разработать схему с использованием транзистора, но не понимаю параметры транзистора, записанные в программе. Кто-нибудь знает, что означают следующие символы?

I_s,B_R,R_B,R_E,T_R, M_JE, C_JC0, V_JC, B_F, V_A, R_C, T_F, C_JE0, V_JE, M_JC

Я понимаю логику транзисторов PNP и NPN. Я не понимаю названия параметров здесь.

Спасибо!

вот цифра от редактора:

транзисторы
схема-анализ
техническое описание
npn
pnp

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Это параметры модели . В симуляторе схемы модель используется для имитации поведения транзистора. Одной из самых простых моделей является Транзисторно-диодная модель 9.0003

Разработчики схем чаще используют модель Hybrid Pi, это линеаризованная модель (малый сигнал).

Список можно продолжить, есть много моделей.

Модель, используемая симулятором, будет еще более сложной, чем обе упомянутые выше модели. Сложные модели нуждаются во многих параметрах для «настройки» модели таким образом, чтобы она вел себя не только как NPN-транзистор, но и, в частности, как BC547, 2n2222 или 2n3055. Это все NPN, но они имеют очень разные максимальные токи и бета (коэффициент усиления по току), чтобы назвать только два.

Некоторые примеры параметров модели: R_B: базовое последовательное сопротивление R_C: последовательное сопротивление коллектора C_JC0: Емкость перехода B_F: Усиление тока в прямом режиме

Подробнее см. здесь: Модель Spice

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Я нашел здесь следующее:

BJT Параметры

BF Прямой активный коэффициент усиления по току

BR Обратный активный коэффициент усиления по току

IS Транспортный ток насыщения

CJE Емкость перехода база-эмиттер при нулевом смещении

CJC Емкость перехода база-коллектор при нулевом смещении

VJE Встроенный потенциал база-эмиттер

VJC Встроенный потенциал база-коллектор

VAF Напряжение прямого режима

VAR Обратный режим Раннее напряжение

NF Коэффициент идеальности прямого режима

NR Коэффициент идеальности обратного режима

Спасибо за ответ, он также помог мне найти другие параметры

\$\конечная группа\$

Какие параметры в техническом описании дают информацию о качестве переходной характеристики BJT?

спросил 8 лет, 8 месяцев назад

Изменено 8 лет, 8 месяцев назад

Просмотрено 2к раз

\$\начало группы\$

Я провел тест со случайно выбранными 12 NPN BJT. Я подал тактовый импульс на каждый из них и наблюдал их коллекторные напряжения. Некоторые из них показывали очень малое время нарастания, а некоторые реагировали ужасно медленно. Насколько я понял, силовые транзисторы, такие как 2N3055, имеют очень большое время нарастания, в то время как транзисторы с очень низким номинальным током коллектора имеют очень малое время нарастания.

Раньше я думал, что “частота перехода” даст достаточно информации об этом. Я выбрал транзистор на 100 МГц (BC817), но он не выдержал даже на 20 кГц. Следовательно, параметр «частота перехода» сам по себе не должен давать достаточно информации, или он должен говорить о чем-то совершенно другом (я не знаю).

Мой вопрос: как приблизительно предсказать переходные характеристики BJT, глядя на его техническое описание? Какие записи таблицы дают информацию об этом поведении?

bjt
техническое описание
высокочастотный
выбор компонентов
производительность

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Как правило, проблемы возникают из-за емкости, и, как правило, основной причиной является емкость Миллера. Емкость Миллера находится внутри от коллектора к базе, и если база питается от высокого импеданса (10 кОм на вашей диаграмме – действительно довольно много, чтобы ожидать приличной производительности), емкость Миллера образует фильтр нижних частот с входным резистором.

Если миллер C равен 10 пФ, а входное сопротивление равно 10 кОм, то эти два компонента образуют фильтр нижних частот с отсечкой: –

\$f_C = \dfrac{1}{2\pi R C}\$ = 1,59 МГц.

Попробуйте уменьшить входной резистор на 10 кОм до чего-то более разумного, например 330 Ом, и увидите разницу. Я смоделировал BC817, как вы его нарисовали, и потребовалось около 2,3 мкс, чтобы достичь 11 вольт в выключенном состоянии. С входным резистором 1 кОм потребовалось меньше 0,33 мкс. При 330 Ом потребовалось около 0,25 мкс.

Если бы я уменьшил нагрузку коллектора до 1 кОм и оставил входной резистор 330 Ом, это заняло бы около 0,09нас.

Уменьшение этих резисторов служит для уменьшения влияния емкости Миллера (среди прочего).

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

В большинстве спецификаций есть раздел под названием «динамические характеристики» или «характеристики переключения» (или и то, и другое). Также некоторые параметры могут быть в характеристиках слабого сигнала.

Важные параметры, которые вы должны проверить:

время задержки/нарастания/спада — они точно означают: время переключения
произведение текущего усиления на полосу пропускания — выше этой частоты часть вообще не будет усиливаться (усиление меньше единицы), на половинной частоте усиление будет равно двум и т. д.
ввод/вывод/и т.д. емкости – они влияют на импеданс цепи, например. базовый резистор с входной емкостью образует ФНЧ с определенной частотой среза.

Обратите внимание: если производитель разработал транзистор для линейного режима, то характеристики переключения могут быть на удивление плохими. напр. как вы видите, время выключения транзистора может быть очень большим по сравнению со временем включения. Это связано с тем, что в районе базы много второстепенных носителей, которым требуется значительное время для рекомбинации. Этот эффект может быть уменьшен e. г. путем вождения базы с отрицательным напряжением при выключении.

Посмотрите и смоделируйте приведенную ниже схему, чтобы увидеть, как изменение вождения влияет на производительность переключения. \$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Внутренняя емкость является частью проблемы, как говорят Энди и Нидхин. Это влияет на компонент времени нарастания времени переключения, делая большое устройство с высокой емкостью, такое как 2N3055, медленнее, чем BC547.

Но несколько кривых переключения показывают, что происходит что-то еще: большая задержка перед началом переключения; затем следует относительно быстрое время подъема. Эти транзисторы находятся в состоянии насыщения: беглый взгляд на схему показывает, что Ib=Ic (приблизительно), а насыщение определяется как Ib >= Ic*0,1.

По сути, насыщающий транзистор накапливает заряд в области базы, и когда вы удаляете ток базы, оставшийся заряд притягивается к коллектору силой Vce, но Vce близок к 0, так что притяжение слабое, и транзистор остается проводящим до тех пор, пока заряд рассеивается.

Транзисторы с быстрым переключением должны быть разработаны, чтобы свести к минимуму накопление заряда.

В этом разделе вопросов и ответов представлена предыстория насыщения и возможное исправление, которое может быть интересно попробовать на одном из насыщающих транзисторов (например, зеленая кривая: BC337?), чтобы посмотреть, улучшится ли его скорость переключения.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Многое будет зависеть от транзистора. Если производитель предполагает, что он будет использоваться так, как вы его используете, в техническом паспорте будет раздел «Характеристики переключения», который будет состоять из времени задержки, хранения, времени нарастания и спада, а также условий, при которых они используются. указано.

Если в техпаспорте нет такого раздела, вполне вероятно, что вы не захотите использовать его для переключения. В случае с BC817 я понятия не имею, почему он плохо себя ведет. Он обладает отличными характеристиками насыщения, а его произведение усиления на полосу пропускания (также известное как частота перехода) составляет примерно 1/3 от показателя 2N3904 или 2N2222.

Я не могу прочитать ваши графики – текст слишком мелкий, поэтому я не могу сказать, какая дорожка к какому транзистору относится.

\$\конечная группа\$

\$\начало группы\$

Я думаю, что это внутренняя емкость, которая вызывает задержку. Время нарастания увеличивается по мере увеличения этой емкости. Я не уверен, что все даташиты содержат эти данные.

Я видел несколько спецификаций, в которых упоминалась входная и выходная емкости (например, BC547).

TOP HEADLINES