Ниже приведены некоторые ключевые слова для пористого кремния.

• пористый кремний
• металлические наноструктуры
• электрохимическое травление
• анодный кремний    
• кремниевые пластины    
• слои кремния    
• кремниевые нанокристаллиты    
• силиконовые поверхности    
• кремниевые структуры    
• кремниевая подложка    
• производство кремния    
• атома кремния    
• электрохимическое анодирование   
• кристаллический кремний    
• образование кремния    
• оптический биосенсор

Метод изготовления

Метод изготовления пористого кремния фокусируется на наслоении p-Si или AgNP. Используя технику вакуумного удержания и вытягивания, большие кремниевые пластины травятся в электрохимической ячейке. Затем на подготовленный солнечный элемент «осаждается» слой пористого кремния, что повышает эффективность элемента. Этот процесс может быть использован в накопителях энергии и фотоэлектрических устройствах.

Способ изготовления пористого кремния относительно прост. Электрохимическое травление пористого кремния позволяет получить пористый кремний с порами разного размера. Размер пор можно контролировать, изменяя плотность тока. Большие размеры пор предпочтительны для больших молекул или лекарств. Чем больше размер пор, тем быстрее деградирует основная матрица. Протокол изготовления пористого кремния подробно описан в публикациях.

Второй метод изготовления пористого кремния включает технику переноса слоев. Этот метод требует использования анодирования кремниевой подложки, чтобы обеспечить формирование толстых слоев кремния. Первый пористый слой изготавливается с низкой пористостью, а второй слой формируется с высокопористым слоем. Затем слой устройства сплавляется с подложкой ручки с помощью высокотемпературного отжига в аргоне.

При образовании пористого кремния будет выделяться водород. Введение в раствор абсолютного этанола устранит водород. Введение этанола улучшит инфильтрацию раствора HF в поры и приведет к более равномерному распределению толщины и пористости. Наконец, адсорбция спирта усиливает процесс диффузии и способствует образованию слоя пористого кремния. Итак, если вы ищете метод изготовления пористого кремния, читайте дальше!

Геометрия пор зависит от ориентации кристаллов. Например, кристалл Si сотой огранки имеет перпендикулярные поры. С другой стороны, Si (001) имеет перпендикулярные поры. Следовательно, геометрия пор 100-гранного кремния зависит от его ориентации. Геометрия пор и архитектура пористого слоя имеют решающее значение для образования пор. Метод изготовления пористого кремния все еще является относительно молодым процессом, но в последнее десятилетие он привлекает большое внимание.

Пористый кремний — это полупроводник, состоящий из монокристалла кремния. Его размер пор и структура важны для различных применений. Этот материал можно использовать в электронике из-за его большой площади поверхности. В дополнение к этому пористый кремний может служить предшественником толстых оксидных слоев на Si и может служить диэлектрическим слоем для химических сенсоров на основе емкости. В 19В 80-х годах две независимые исследовательские группы обнаружили, что кристаллическая тонкая пленка пористого кремния может демонстрировать эффекты квантового ограничения , которые позволяют изучать электроны.

Пористый кремний представляет собой мезопористый материал, который нашел широкое применение в биомедицинских устройствах. Его можно изготовить с помощью процесса «сверху вниз», когда структура пор вытравливается из кристаллического кремния. Поскольку структуру пористых материалов можно настраивать, можно регулировать различные параметры подготовки и уровни легирования для создания определенной структуры. Это делает его пригодным для широкого спектра применений.

Его уникальные свойства позволили найти множество применений в электронной промышленности. Поскольку пористый кремний совместим с методами микропроизводства кремния, он идеально подходит для использования в датчиках, солнечных элементах и ​​мощных лазерах. Эти материалы также являются отличными материалами для биомедицинских и электронных устройств, что позволяет исследователям производить высокоэффективные электронные компоненты. Эти достижения в области технологий сделали его популярным выбором для датчиков и электроники.

Пористый кремний является перспективным материалом для многих приложений, включая биомедицинские устройства и датчики. Его свойства существенно настраиваются и различаются по глубине и размеру. Его низкая теплоемкость и большая удельная поверхность делают его идеальным для высокотехнологичных фотонных приложений, включая лазеры и фотонику. Однако этот процесс может привести к нежелательным изменениям оптических свойств. Из-за этого материал лучше всего подходит для применений, требующих высокой светопропускной способности и высокой стабильности.

Пористый кремний изготавливается путем электрохимического травления кремния и очень перспективен для фотонных приложений. Его свойства очень чувствительны к изменениям в окружающей среде. Он также демонстрирует предсказуемый сигнал при воздействии различных условий. Кроме того, его можно интегрировать в хорошо зарекомендовавшие себя процессы производства кремниевой микроэлектроники. В результате пористый кремний является перспективным материалом для многих приложений. Например, он полезен в биомедицинских приложениях, накопителях энергии и оптоэлектронике.

Материал пористого кремния полезен для многих различных применений. Широкий спектр микро- и наноструктур делает его чрезвычайно универсальным материалом. Его высокий уровень взаимодействия со светом делает его хорошей платформой для оптических и биосенсорных устройств. Ниже перечислены наиболее распространенные приложения. Вы также можете связаться с Quantum14, чтобы обсудить ваши потребности. Они могут помочь вам в разработке и производстве других технологий и решений для пористого кремния.

Поскольку пористый кремний обладает высокой биосовместимостью, его можно использовать в медицинских целях. Материалы пористого кремния также являются резорбируемыми. Они биосовместимы, биоразлагаемы и биосовместимы. Окисленные кремниевые наноструктуры окисляются до кремниевой кислоты внутри организма. Во время процесса они производят углеводороды, которые являются токсичными. Этот материал часто используется в медицинской промышленности.

В дополнение к этим приложениям, пористый кремний является революционным наноматериалом, который может создать крупные технологические прорывы в различных областях. Он широко распространен, обладает биосовместимостью и используется во многих высокотехнологичных отраслях. Он также обеспечивает наибольшую емкость лития, что означает, что его можно использовать в батареях. Через пористый слой можно анализировать большое количество атомов в одной молекуле.

Электрические свойства этого материала также впечатляют, что делает его потенциальным кандидатом для применения в высоких технологиях. Поскольку кремний широко распространен в природе, его биосовместимость и электрические свойства делают его отличным выбором для различных применений. Кроме того, он имеет самую высокую емкость лития, что увеличивает емкость батареи. Из-за этого он является важным материалом для высокотехнологичной промышленности.

Универсальность пористого кремния проявляется и в процессе изготовления материалов. Химический элемент кремний является распространенным материалом и используется во многих различных областях. Изготовленный из него полупроводниковый чип первого поколения — отличный пример того, как пористый силикон можно использовать в различных областях. Его высокое отношение поверхности к объему является одной из наиболее важных характеристик материала. Кроме того, материалы обладают высокой гибкостью, легко поддаются обработке и обладают высокой проводимостью.

Кремний (Si), также известный как металлический кремний, является одним из стратегических материалов, необходимых сегодня для удовлетворения потребностей многих отраслей, таких как производство электроники, медицинских устройств и электроники. Это ключевой компонент при разработке высокопроизводительных компьютеров и систем хранения данных. Кремний Si, также известный как металлический кремний, является важной частью современного стратегического материала, необходимого для удовлетворения потребностей различных отраслей, таких как компьютеры, здравоохранение, энергетика, телекоммуникации и другие приложения. [Источники: 4]

Это ключевой компонент при разработке мощных компьютеров и систем хранения данных. Кремний Si, также известный как металлический кремний, является одним из стратегических материалов, необходимых сегодня для удовлетворения потребностей многих отраслей, таких как производство электроники, медицинских устройств и электроники. Это важная часть стратегического материала, необходимого для удовлетворения потребностей компьютеров и компьютеров, таких как бытовая техника, электроника и другие приложения. Пористый кремний (por-si) — наиболее распространенная форма пористого кремния, материал с пористой поверхностью менее 1 микрометра на квадратный сантиметр (микрон). Кремний (Si), также известный как металлический кремний, является важным компонентом современного стратегического материала, необходимого для удовлетворения потребностей компьютеров, таких как бытовая техника, электроника и производство электроники. [Источники: 3, 4]

Пористый кремний является биосовместимым и используется в оптоэлектронике для цветения и для изучения трансмембранных белков. Его можно использовать для солнечных элементов, где требуется тонкий слой пористого кремния. Образование пористого кремния поддерживается золотом, а отверстия, необходимые для удаления атомов кремния, создаются восстановлением перекиси водорода золотом в качестве металлического катализатора. Желаемый рисунок пористой области достигается за счет того, что образование пористого кремния происходит только в области, покрытой металлическими катализаторами. [Источники: 1, 2]

Если энергия фотона превышает ширину запрещенной зоны кремния, он поглощается и удаляется. Если свету, генерируемому отверстиями, способствует энергия фотона ниже, чем энергия его поглощения кремнием (например, 0,1%), фотоны поглощаются, а свет не поглощается из-за присутствия атомов кремния. Путем отжига при высоких температурах в течение достаточно длительного времени перенос атомов кремния на большие расстояния приводит к тому, что соседние с ними области заполняются порами в губкообразной структуре – похожей на структуру (т.е. на поверхности диффундируют пустоты). Чтобы не рекомбинировать со свободными электронами в кремниевых пластинах, в атомы кремния вводят дырки, которые затем оказываются локальными анодами и окисляются (как показано в уравнении). [Источники: 0, 2]

Последний слой пористого кремния служит слоем устройства, образуя первый пористый слой кремниевой подложки. Процесс созревания Освальда реорганизует многие из этих пор в большие полости, создавая хрупкую структуру, которая более устойчива к окислению, чем предыдущие пористые слои кремниевых пластин. [Источники: 0]

Пористость и толщина пористого кремния определяются в процессе анодирования, а кремниевое покрытие, которое может определять продолжительность воздействия силана, имеет решающее значение для формирования пористого кремния. Формирование и SiOxFy этого слоя стабилизирует окончательную пористую структуру, которая более устойчива к окислению, чем поры в кремниевой подложке, и, следовательно, более подходит для формирования кремниевой структуры кремниевых пластин на основе радиочастот, чем любая другая сформированная пористая кремниевая структура. по ВЧ. [Источники: 0, 2]

В 1999 году Бессе и его коллеги заметили, что пористый кремний можно производить в устройстве, распыляемом каплями RF, но скорость травления составляет всего несколько нанометров в час [13]. Разрешение кремниевой пластины возможно в решениях на основе радиочастот, которые создаются отверстиями на поверхности кремния. Предполагается, что на стадии гидрирования радикальная водородная плазма замещает оборванные связи в слое аморфного кремния водородными радикалами из плазмы. Затем при отжиге в этом образце происходит исчерпание h3, а локальный расплав приводит к депассивации поверхности кремния и образованию слоя пористого кремния. [Источники: 2]

Восстановление пористого кремния является основной задачей – вплоть до синтеза пористых кремниевых структур. Кремниевые подложки N-типа. В этом методе формирование пористой структуры ограничено N-кремниевой подложкой, так как раствор содержит кремниевый интерфейс, который существует в электрическом поле на кремнии. Отверстия вдавливаются в поверхность, где они могут способствовать удалению близлежащих атомов кремния, в то время как электрические поля здания отгоняют отверстия. [Источники: 2]

Восходящий подход к созданию пористого кремния заключается в сборе кластеров кремния, полученных лазером. Поскольку внешние потенциалы не приложены к кремниевой пластине во время травления в пути, разделение атомов кремния имеет локальный электрохимический механизм. Известно, что большие токи протекают по поверхности кремниевой подложки и реагируют со стенками пор, а это означает, что дно кремниевой подложки анодируется с образованием пористого слоя с поверхностью около 1,5 мкм. Если через кремниевую пластину пропускают электрический ток, достигается критическая плотность тока (Дж/ПСЛ), которая превышается большим количеством пор или пор в верхнем и нижнем слое N-кремниевой подложки. [Источники: 0, 2]

Источники:

[0]: https://www.nature.com/articles/s41598-019-49119-8

[1]: Мембраны из пористого кремния https://sites.google.com/site/ khalidtantawi/porous-silicon

[2]: https://www.intechopen.com/books/porosity-process-technologies-and-applications/porous-silicon

[3]: https://www.hindawi. com/journals/jnm/2016/2629582/

Новая технология позволяет производить пластины из пористого кремния, которые используются для солнечных элементов и панелей солнечных батарей. В процессе используется стандартный металлургический кремний для создания пористого кремния квадратной формы. Компания также производит макропористый кремний и мезопористый кремний. Они не идентичны по структуре, но имеют некоторые сходства. Оба очень универсальны и могут использоваться для различных приложений.

Электрохимическое травление кристаллического кремния дает пористый слой. Толщина слоя зависит от плотности тока и продолжительности травления. Компании, производящие пластины из пористого кремния, используют этот метод для производства передовых электронных устройств. Среди многих приложений, которые могут быть созданы с использованием пористого кремния, — солнечные панели, фотогальваника и хранение энергии. Уникальные возможности компании делают ее идеальным партнером для передовых технологий.

Исследователи использовали пластины пористого кремния в экспериментах, чтобы увидеть, как они будут вести себя в космосе. Этот тип материала обладает способностью взрывоопасно реагировать с кислородом при криогенных температурах. Если его поместить в открытый космос, он высвободит больше энергии, чем динамит, но гораздо быстрее. Из-за этих свойств пористый кремний также исследуется как потенциальный двигатель спутников. И есть много других применений пористого кремния.

Пластины пористого кремния — перспективный материал для современной электроники. Его свойства делают его жизнеспособным материалом для космических кораблей. Его можно использовать в высококачественных дисплеях и других чувствительных устройствах. В дополнение к солнечным элементам, пористый кремний может использоваться для хранения энергии и фотогальванических приложений. Если эта технология будет использоваться в космосе, ее производство станет более доступным, чем когда-либо. Эти достижения означают, что потенциал передовых технологий больше, чем когда-либо.

Помимо производства солнечных элементов, пористый кремний также используется для многих других целей. Его способность реагировать с кислородом при криогенных температурах позволяет ему реагировать со взрывом с кислородом. Этот материал может высвобождать больше энергии, чем динамит, и он может делать это на более высоких скоростях. Его даже можно использовать в качестве спутникового двигателя. Также возможно производить солнечные элементы с использованием пластины пористого кремния.

Хотя существует несколько различных типов пористого кремния, этот материал является наиболее универсальным. Его пористая структура позволяет настраивать его с различными удельными поверхностями и размерами пор. Он также используется для изготовления солнечных батарей и другой современной электроники. Этот материал прошел испытания в экспериментах, в том числе для солнечных батарей. Эти материалы также могут быть использованы в нанотехнологиях. Однако для этих приложений он более эффективен, чем традиционный кремний.

Пластины из пористого кремния используются для различных целей. Одним из самых популярных применений является полупроводниковая промышленность. Они могут быть использованы для многих различных типов солнечных элементов. Некоторые из этих продуктов разработаны как биосовместимые, что означает, что их можно использовать в медицинских целях. Эти системы широко используются в полупроводниковой промышленности и в различных отраслях промышленности. Его биосовместимость также делает его привлекательным вариантом для широкого спектра применений.

Компании, производящие пластины пористого кремния, ориентированы на различные области применения. Тем, кто хочет использовать этот материал для солнечных батарей, следует подумать о компаниях, которые производят этот материал. Технология, лежащая в основе этой технологии, очень универсальна. Он широко используется в производстве полупроводников. Кроме того, его можно использовать для изготовления других видов материалов. Некоторые из этих материалов уже используются в других отраслях. Они обычно используются в мобильных телефонах и других электронных устройствах.

Компания планирует использовать пластины пористого кремния для солнечных батарей. Эта технология способна повысить производительность солнечных батарей. Он также совместим с традиционными методами микрообработки. Это делает его привлекательным вариантом для производства твердотельных батарей. К его преимуществам также можно отнести то, что он совместим с большинством существующих технологий. И легко найти компании, которые производят пластины пористого кремния.

Пористый кремний, который представляет собой форму кремния с большим количеством мелких пор или отверстий, может использоваться для инкапсуляции небольших молекул, таких как лекарства или красители, с помощью процесса, называемого молекулярной инкапсуляцией. Поры пористого кремния служат вместилищем для малых молекул, и молекулы могут быть введены в поры различными способами, такими как пропитка жидкостью, осаждение из паровой фазы или адсорбция.

Для определения того, что небольшие молекулы успешно проникли в поры пористого кремния, можно использовать ряд методов характеризации, в том числе:

1. Инфракрасная спектроскопия (ИК): ИК-спектроскопия может использоваться для определения химического состава инкапсулированных малых молекул путем анализа колебательных мод молекул.