Сф3 1 параметры: СФ3-1 фоторезистор >> от производителя недорого купить

alexxlab | 05.02.1976 | 0 | Разное

Содержание

Основные характеристики фоторезисторов | Мастер Винтик. Всё своими руками!

Добавил: Chip,Дата: 13 Июн 2017

Фоторезистор — это неполярный прибор, изменяющий своё сопротивление под действием источника света.

Принцип работы фоторезистора основан на эффекте фотопроводимости полупроводников. Затемненный прибор имеет максимальное сопротивление, при засветке оно уменьшается в 20…150 раз!

Фоторезисторы имеют высокую чувствительность к излучению в самом широком диапазоне — от инфракрасной до рентгеновской области спектра, сопротивление их может меняться на несколько
порядков. Фоторезисторам присущи высокая стабильность во времени, они имеют небольшие габариты и выпускаются на различные номиналы сопротивлений. Приборы оформлены в корпус с прозрачным окном и двумя выводами, полярность подключения значения не имеет.

Обозначение фоторезистора на схемах

Основные параметры отечественных фоторезисторов 

Тип
ФР
Uраб,
В
Rт,
ом.
Iт,
мка
Iсв,
мка
dI=Iсв-Iт,
мка
Rт/Rсв
Удельная
чувств.,
мка/лм-в
Интегр.
чувств., а/лм
Мощность
рассеяния, Вт
12345678910
ФСА-04-10040*103-1061,25000,01
ФСА-14-10040*10
3
-106
1,25000,01
ФСА-Г14-4047*103-470*1031,25000,01
ФСА-Г24-4040*103-1061,25000,01
ФСА-65-3050-300*1031,25000,01
ФСК-0
50
5*106102000199020070001,40,125
ФСК-1505*106102000199020070001,40,125
ФСК-210010*106108007908015000,125
ФСК-4505*106102000199020070001,40,125
ФСК-5
505*106101000199010060001,20,05
ФСК-6503,3*106152000188590001,80,2
ФСК-7а501065035030015000,35
ФСК-7б501055080075060001,20,35
ФСК-Г7505*106102000199020035000,70,35
ФСК-Г1505*106101500149015060001,20,12
ФСК-Г2505*1061040003990400120002,40,2
ФСК-П110010100,011000-20001000-200040000,1
СФ2-11530*1060,51000100020004000000,01
СФ2-22(10)4*1060,5150015003000750000,05
СФ2-4151,0>7500,01
СФ2-925>3,3*106240-900
0,125
СФ2-1215>15*106200-12000,01
ФСД-02020*1081200020002000400000,05
ФСД-12020*1061200020002000400000,05
ФСД-Г12020*1061200020002000400000,05
СФ3-11515*1080. 01150015001500006000000,01
СФ3-825<17500,025

В таблице приведены средние значения, определенные (кроме Iт) при освещенности 200 лк.

Rт – сопротивление затемненного прибора;
Rс – сопротивление освещенного прибора;

Iт – ток через затемненный прибор;

Uр – максимально возможное рабочее напряжение 

Тип

спектр приема, нм

Rт., МОм

Iт. мкА

Uр., В

Rт/Rс

габариты

ФСК-1300…9003,3155010028×5
ФСК-2300…9003,315502028х12,5×5
ФСД-1300…9003102015018×5
ФР1-3300…9000,047…0,333201510,7×6
ФР-118400…7500,3…0,23067,8 х 4,5
ФР-121400…750101104,2 х 1,4
ФР-162А(Б)750…120052109.6×3.5
ФР-764300…9003.3
15
5015010,7×6
ФР-765300…9002102015010,7×6
ФПФ7-1300…900166507,8 х 3,2
СФ2-1820…900100.0110010.3×5,8
СФ2-1920…9000.250.082010.3×5,8

При повышении температуры темновое сопротивление резисторов уменьшается.
Габаритные размеры даны для корпуса без учета длины выводов в виде диаметр х высота или высота х ширина х толщина.

Наибольшее распространение получили фоторезисторы, изготовленные из сернистого свинца, сернистого кадмия, селенистого кадмия. Название типа фоторезисторов слагается из букв и цифр, причем в старых обозначениях буквы А, К, Д обозначали тип использованного светочувствительного материала, в новом же обозначении эти буквы заменены цифрами. Буква, стоящая за дефисом, при старом обозначении, характеризовала конструктивное исполнение (Г-герметизированные, П-пленочные). В новой маркировке эти буквы также заменены цифрами. В таблице, ниже приведены наименования наиболее распространенных обозначений фоторезисторов.

ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ 

Вид фоторезисторовСтарое обозначениеНовое обозначение
Сернисто-свинцовыеФСА-0, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г1, ФСА-Г2
Сернисто-кадмиевыеФСК-0, 1, 2, 4, 5, 6, 7, ФСК-Г1,
ФСК-Г2, ФС’Р;-Г7, ФСК-П1
СФ2-1, 2, 4, 9, 12
Селенисто-кадмиевыеФСД-0, ФСД-1, ФСД-Г1СФ3-1, 8

 Чувствительность фоторезисторов меняется (уменьшается) в первые 50 часов работы, оставаясь в дальнейшем практически постоянной в течение всего срока службы, измеряемого несколькими тысячами часов. Интервал рабочих температур для сернисто-кадмиевых фоторезисторов составляет от -60 до +85°С для селенисто-кадмиевых — от -60 до +40°С и для сернисто-свинцовых — от -60 до +70°С.

Конструкция фоторезистора

Впервые фотопроводимость была обнаружена у Селена, впоследствии были обнаружены и другие материалы с аналогичными свойствами. Современные фоторезисторы выполнены из сульфида свинца, селенида свинца, антимонида индия, но чаще всего из сульфида кадмия и селенида кадмия. Популярные LDR из сульфида кадмия обозначаются как CDS фоторезистор.

Спектральная кривая отклика сульфида кадмия совпадает с человеческим глазом. Длина волны пиковой чувствительности составляет около 560-600 нм, что соответствует видимой части спектра.

Область применения фоторезисторов

Основной областью применения фоторезисторов является автоматика, где они в некоторых случаях с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Обладая повышенной допустимой мощностью рассеивания по сравнению с некоторыми типами фотоэлементов, фоторезисторы позволяют создавать простые и надежные фотореле без усилителей тока. Такие фотореле незаменимы в устройствах для телеуправления, контроля и регулирования, в автоматах для разбраковки, при сортировке и счете готовой продукции, для контроля качества и готовности самых различных деталей.

Широко используются фоторезисторы в полиграфической промышленности при обнаружении обрывов бумажной ленты, контроле за количеством листов, подаваемых в печатную машину.

В измерительной технике фоторезисторы применяются для измерения высоких температур, для регулировки температуры в различных технологических процессах.

Контроль уровня жидкости и сыпучих тел, защита персонала от входа в опасные зоны, контроль за запыленностью и задымленностью самых различных объектов, автоматические выключатели уличного освещения и т.д.

Применение фоторезисторов можно так же встретить в детских игрушках. Это далеко не полный перечень областей применения фоторезисторов. 

Практическое применение фоторезистора

Схема автоматического регулятора освещенности:



ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:

Популярность: 7 208 просм.

СФ3-1 фоторезистор для роботи в складі апаратури фотоелектричної автоматики

СФ3-1 фоторезистор Предназначен для работы в составе аппаратуры фотоэлектрической автоматики. Выпускается в пластмассовом корпусе. СФ3-1 Фоторезистор. Предназначен для работы в составе аппаратуры фотоэлектрической автоматики. Выпускается в пластмассовом корпусе. Основные технические параметры фоторезистора СФ3-1: • Рабочее напряжение - постоянное напряжение, при котором обеспечены номинальные значения его параметров: 15 В; • Световой ток - ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении и воздействии потока излучения заданных интенсивности и спектрального распределения: 750 мкА; • Темновой ток - ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности: 0,5 мкА; • Темновое сопротивление - сопротивление фоторезистора в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности: 30 мОм; • Постоянная времени по спаду тока - время, в течение которого световой ток уменьшается до значения 37 % от максимума при затемнении фоторезистора: 20 мс; • Постоянная времени по нарастанию тока - время, в течение которого световой ток увеличивается до значения 63 % от максимума при прямоугольной форме единичного импульса света: 60 мс; • Максимум спектрального распределения - длина волны, соответствующая максимуму, спектральной чувствительности фоторезистора: 0,79 мкм. Основные технические характеристики фоторезисторов СФ3: Наименование фоторезистора Значения основных параметров фоторезисторов СФ3 Число фоточувствительных элементов Размеры элементов U РАБ R Т I Т I ОБЩ RТ/RСВ P MAX Масса мм В МОм мкА мА отн.ед. мВт г СФ3-1 1 0,5x1,5 30 75 >1500 10 0,5 СФ3-2 1 6x12 5 0,5 >500 100 1,0 СФ3-2А 1 5,8 5 3 >1500 50 2,0 СФ3-2Б 1 5,8 100 1,5 >1500 50 2,0 СФ3-3 1 10x10 10 0,3 >1000 50 2,0 СФ3-4А 1 5,8 1 2 >1300 25 2,0 СФ3-4Б 1 5,8 15 1,2 >12000 25 2,0 СФ3-5 1 5,8 2 0,5 >500 50 2,0 СФ3-7А 1 2x5,8 или 1x5,8 20 2 >2000 50 2,0 СФ3-7Б 1 2x5,8 или 1x5,8 2000 1,2 >1,2x105 50 2,0 СФ3-8 1 2x5,8 20 0,5 >500 25 2,0 СФ3-9А 1 2,5x5,8 2,5 - >3 >15000 100 2,0 СФ3-9Б 1 2,5x5,8 5000 - >1,5 >1,5x106 100 2,0 СФ3-16 1 0,25x1,8 10 1,5 >500 10 1,0 Условные обозначения электрических параметров фоторезисторов: U РАБ - Рабочее напряжение фоторезистора. R Т - Темновое сопротивление фоторезистора. I Т - Темновой ток. I ОБЩ - Общий ток. R Т/R СВ - Отношение темнового сопротивления к световому. P MAX - Максимальная мощность излучения фоторезистора.

Фоторезистор

Условное обозначение фоторезистора

Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом. Не имеет p-n перехода, поэтому обладает одинаковой проводимостью независимо от направления протекания тока.

Явление изменения электрического сопротивления полупроводника, обусловленное непосредственным действием излучения, называют фоторезистивным эффектом, или внутренним фотоэлектрическим эффектом.

Блок: 1/7 | Кол-во символов: 444
Источник: https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80

Что такое фоторезистор?

Остановимся более подробно на описании полупроводникового фоторезистора. Для начала дадим ему определение.

Фоторезистор — это полупроводниковый прибор (датчик), который при облучении светом изменяет (уменьшает) свое внутреннее сопротивление.

В отличие от фотоэлементов других типов (фотодиодов и фототранзисторов) данный прибор не имеет p-n перехода. Это значит, что фоторезистор может проводить ток независимо от его направления и может работать не только в цепях постоянного тока, где присутствует постоянное напряжение, но и с переменными токами.

Блок: 2/10 | Кол-во символов: 587
Источник: https://www.asutpp.ru/fotorezistor.html

Что такое фоторезистор

Фоторезистор представляет из себя полупроводниковый радиоэлемент, который меняет свое сопротивление в зависимости от освещения. Для видимого света (солнечный свет или свет от осветительных ламп) используют сульфид или селенид кадмия. Есть также фоторезисторы, которые регистрируют инфракрасное излучение. Их делают  из германия с некоторыми примесями других веществ. Свойство менять свое сопротивление под воздействием света очень широко используется в электронике.

Блок: 2/5 | Кол-во символов: 494
Источник: https://www.RusElectronic.com/fotorezistor/

Устройство

Конструкция разных моделей фоторезисторов может отличаться по форме материалу корпуса. Но в основе каждого такого прибора лежит подложка, чаще всего керамическая, покрытая слоем полупроводникового материала. Поверх этого полупроводника наносятся змейкой тонкий слой золота, платины или другого коррозиестойкого металла. (см. рис. 1). Слои наносятся методом напыления.

Рис. 1. Устройство фоторезисторов

Напиленные слои соединяют с электродами, на которые поступает электрический ток. Всю эту конструкцию часто покрывают прозрачным пластиком и помещают в корпус с окошком для попадания световых лучей (см. рис. 2).

Рис. 2. Конструкция фоторезистора

Форма корпуса, его размеры и материал зависит от модели фоторезистора, определяемой технологией производителя. Примеры моделей показаны на рисунках 3 и 4.

Рис. 3. Датчик на основе фоторезистораРис. 4. Фотоприемник

Сегодня в продаже можно увидеть детали в металлическом корпусе, часто в пластике или модели открытого типа. Некоторые модели изготавливают без метода напыления, а вырезают тонкий резистивный слой непосредственно из полупроводника. Существуют также технологии изготовления пленочных фотодатчиков (см. рис. 5).

Рис. 5. Конструкция пленочного фоторезистора

Для напыления слоя полупроводника используют различные фоторезистивные материалы. Для фиксации видимого спектра света применяют селенид кадмия и сульфид кадмия.

Более широкий спектр материалов восприимчив к инфракрасному излучению:

  • германий чистый либо легированный примесями золота, меди, цинка;
  • кремний;
  • сульфид свинца и другие химические соединения на его основе;
  • антимонид или арсенид индия;
  • прочие химические соединения чувствительные к инфракрасным лучам.

Чистый германий или кремний применяют при изготовлении фоторезисторов с внутренним фотоэффектом, а вещества легированные примесями – для конструкций с внешним фотоэффектом. Независимо от вида применяемого фоторезистивного материала, оба типа фоторезисторов обладают одинаковыми свойствами – обратной, нелинейной зависимостью сопротивления от силы светового потока.

Блок: 3/10 | Кол-во символов: 2070
Источник: https://www.asutpp.ru/fotorezistor.html

Внешний вид и обозначение на схеме

В основном фоторезисторы выглядят вот так

На схемах могут обозначаться так

или так

Блок: 3/5 | Кол-во символов: 124
Источник: https://www.RusElectronic.com/fotorezistor/

Виды фоторезисторов и принцип работы

На основании материалов, используемых при производстве, фоторезисторы могут быть разделены на две группы: с внутренним и внешним фотоэффектом. В производстве фоторезисторов с внутренним фотоэффектом используют нелегированные материалы, такие как кремний или германий.

Фотоны, которые попадают на устройство, заставляют электроны перемещаться из валентной зоны в зону проводимости. В результате этого процесса появляется большое количество свободных электронов в материале, тем самым улучшается электропроводность и, следовательно, уменьшается сопротивление.

Цифровой мультиметр AN8009

Большой ЖК-дисплей с подсветкой, 9999 отсчетов, измерение TrueRMS…

Мультиметр — RICHMETERS RM101

Richmeters RM101 — удобный цифровой мультиметр с автоматическим изменен…

Мультиметр — MASTECH MY68

Измерение: напряжения, тока, сопротивления, емкости, частоты…

Фоторезисторы с внешним фотоэффектом производятся из материалов, с добавлением примеси, называемой легирующая добавка. Легирующая добавка создает новую энергетическую зону поверх существующей валентной зоной, заселенную электронами. Этим электронам требуется меньше энергии, чтобы совершить переход в зону проводимости благодаря меньшей энергетической щели. Результат этого – фоторезистор чувствителен к различным длинам волн света.

Несмотря на все это, оба типа демонстрируют уменьшение сопротивления при освещении. Чем выше интенсивность света, тем больше падает сопротивление. Следовательно, сопротивлением фоторезистора является обратная, нелинейная функция интенсивности света.

Фоторезистор на схемах обозначается следующим образом:

Блок: 3/8 | Кол-во символов: 1644
Источник: http://www.joyta.ru/7603-fotorezistor-osnovnaya-informaciya/

Основные параметры отечественных фоторезисторов

Тип
ФР
Uраб,
В
Rт,
ом.
Iт,
мка
Iсв,
мка
dI=Iсв-Iт,
мка
Rт/Rсв
Удельная
чувств.,
мка/лм-в
Интегр.
чувств., а/лм
Мощность
рассеяния, Вт
12345678910
ФСА-04-10040*103-1061,25000,01
ФСА-14-10040*103-1061,25000,01
ФСА-Г14-4047*103-470*1031,25000,01
ФСА-Г24-4040*103-1061,25000,01
ФСА-65-3050-300*1031,25000,01
ФСК-0505*106102000199020070001,40,125
ФСК-1505*106102000199020070001,40,125
ФСК-210010*106108007908015000,125
ФСК-4505*106102000199020070001,40,125
ФСК-5505*106101000199010060001,20,05
ФСК-6503,3*106152000188590001,80,2
ФСК-7а501065035030015000,35
ФСК-7б501055080075060001,20,35
ФСК-Г7505*106102000199020035000,70,35
ФСК-Г1505*106101500149015060001,20,12
ФСК-Г2505*1061040003990400120002,40,2
ФСК-П110010100,011000-20001000-200040000,1
СФ2-11530*1060,51000100020004000000,01
СФ2-22(10)4*1060,5150015003000750000,05
СФ2-4151,0>7500,01
СФ2-925>3,3*106240-9000,125
СФ2-1215>15*106200-12000,01
ФСД-02020*1081200020002000400000,05
ФСД-12020*1061200020002000400000,05
ФСД-Г12020*1061200020002000400000,05
СФ3-11515*1080.01150015001500006000000,01
СФ3-825<17500,025

В таблице приведены средние значения, определенные (кроме Iт) при освещенности 200 лк.

 – сопротивление затемненного прибора;
 – сопротивление освещенного прибора;

 – ток через затемненный прибор;

 – максимально возможное рабочее напряжение 

Тип

спектр приема, нм

Rт., МОм

Iт. мкА

Uр., В

Rт/Rс

габариты

ФСК-1300…9003,3155010028×5
ФСК-2300…9003,315502028х12,5×5
ФСД-1300…9003102015018×5
ФР1-3300…9000,047…0,333201510,7×6
ФР-118400…7500,3…0,23067,8 х 4,5
ФР-121400…750101104,2 х 1,4
ФР-162А(Б)750…120052109.6×3.5
ФР-764300…9003.3155015010,7×6
ФР-765300…9002102015010,7×6
ФПФ7-1300…900166507,8 х 3,2
СФ2-1820…900100.0110010.3×5,8
СФ2-1920…9000.250.082010.3×5,8

При повышении температуры темновое сопротивление резисторов уменьшается.
Габаритные размеры даны для корпуса без учета длины выводов в виде диаметр х высота или высота х ширина х толщина.

Наибольшее распространение получили фоторезисторы, изготовленные из сернистого свинца, сернистого кадмия, селенистого кадмия. Название типа фоторезисторов слагается из букв и цифр, причем в старых обозначениях буквы А, К, Д обозначали тип использованного светочувствительного материала, в новом же обозначении эти буквы заменены цифрами. Буква, стоящая за дефисом, при старом обозначении, характеризовала конструктивное исполнение (Г-герметизированные, П-пленочные). В новой маркировке эти буквы также заменены цифрами. В таблице, ниже приведены наименования наиболее распространенных обозначений фоторезисторов.

Блок: 4/12 | Кол-во символов: 3025
Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

Как работает фоторезистор

Давайте рассмотрим одного из представителя семейства фоторезисторов

На нем, как и во всех фотоэлементах, есть окошко, с помощью которого он “ловит” свет.

Сбоку можно прочитать его маркировку

Главным параметром фоторезистора является его темновое сопротивление. Темновое сопротивление фоторезистора — это его сопротивление при полном отсутствии падения света на него. Судя по справочнику, темновое сопротивление нашего подопечного 15х108 Ом или словами — 1,5 ГОм. Можно даже сказать — полнейший обрыв. Так ли это? Давайте глянем. Для этого я использую свою записную книжку и прячу там фоторезистор:

Даже в диапазоне 200 МОм мультиметр показал единичку. Это означает, что сопротивление фоторезистора далеко за 200 МОм.

Убираем нашего подопытного из книжки и включаем в комнате свет. Результат сразу же на лицо:

106,7 КОм.

Теперь включаю свою настольную лампу. В комнате стало еще светлее.  Смотрим на показания мультиметра:

76,2 КОм.

Подношу фоторезистор вплотную к настольной лампе:

18,6 КОм

Делаем вывод: чем больше поток света попадает на фоторезистор, тем меньше его сопротивление.

Блок: 4/5 | Кол-во символов: 1123
Источник: https://www.RusElectronic.com/fotorezistor/

Символ фоторезистора на схеме

Символ американского стандарта и символ международного фоторезистора показаны на рисунке ниже.

Блок: 4/6 | Кол-во символов: 123
Источник: https://meanders.ru/fotorezistor-opredelenie-i-vidy-kak-rabotajut-preimushhestva-i-nedostatki.shtml

Чувствительность фоторезистора

Фотрезисторы имеют более низкую чувствительность, чем фотодиоды и фототранзисторы. Фотодиоды и фототранзисторы — полупроводниковые устройства, в которых используется свет для управления потоком электронов и дырок через PN-переход, а фоторезисторы лишеные этого PN-перехода.

Если интенсивность светового потока находиться на стабильном уровне, то сопротивление по-прежнему может существенно изменяться вследствие изменения температуры, поскольку LDR также чувствительны и к изменениям температуры. Это качество фоторезистора делает его непригодным для точного измерения интенсивности света.

Блок: 5/8 | Кол-во символов: 621
Источник: http://www.joyta.ru/7603-fotorezistor-osnovnaya-informaciya/

ТИПОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТОРОВ

Вид фоторезисторовСтарое обозначениеНовое обозначение
Сернисто-свинцовыеФСА-0, ФСА-1, ФСА-6, ФСА-Г1, ФСА-Г2
Сернисто-кадмиевыеФСК-0, 1, 2, 4, 5, 6, 7, ФСК-Г1,
ФСК-Г2, ФС’Р;-Г7, ФСК-П1
СФ2-1, 2, 4, 9, 12
Селенисто-кадмиевыеФСД-0, ФСД-1, ФСД-Г1СФ3-1, 8

 Чувствительность фоторезисторов меняется (уменьшается) в первые 50 часов работы, оставаясь в дальнейшем практически постоянной в течение всего срока службы, измеряемого несколькими тысячами часов. Интервал рабочих температур для сернисто-кадмиевых фоторезисторов составляет от -60 до +85°С для селенисто-кадмиевых — от -60 до +40°С и для сернисто-свинцовых — от -60 до +70°С.

Блок: 5/12 | Кол-во символов: 673
Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

Виды

Несмотря на разнообразие фотодатчиков их можно разделить всего на два вида:

  1. Фоторезисторы с внутренним фотоэффектом;
  2. Датчики с внешним фотоэффектом.

Они отличаются лишь по технологии производства, а точнее, по составу фоторезистивного слоя. Первые – это фоторезисторы, в которых полупроводник изготавливается из чистых химических элементов, без примесей. Они малочувствительны к видимому свету, однако хорошо реагируют на тепловые лучи (инфракрасный свет).

Фоторезисторы с внешним эффектом содержат примеси, которыми легируют основной состав полупроводникового вещества. Спектр чувствительности у этих датчиков гораздо шире и перемещается в зону видимого спектра и даже в зону УФ излучения.

По принципу действия эти два вида фоторезисторов не отличаются. Их внутреннее сопротивление нелинейно уменьшается с ростом интенсивности светового потока в зоне чувствительности.

Блок: 6/10 | Кол-во символов: 888
Источник: https://www.asutpp.ru/fotorezistor.html

Инертность фоторезистора

Еще одно интересное свойство фоторезистора заключается в том, что существует инертность (время задержки) между изменениями в освещении и изменением сопротивления.

Для того чтобы сопротивление упало до минимума при полном освещении необходимо около 10 мс времени, и около 1 секунды для того, чтобы сопротивление фоторезистора возросло до максимума после его затемнения.

По этой причине LDR не может использоваться в устройствах, где необходимо учитывать резкие перепады освещения.

Блок: 6/8 | Кол-во символов: 505
Источник: http://www.joyta.ru/7603-fotorezistor-osnovnaya-informaciya/

Практическое применение фоторезистора

Схема автоматического регулятора освещенности:

Блок: 8/12 | Кол-во символов: 94
Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

П О П У Л Я Р Н О Е:
  • Зарубежные аналоги микросхем
  • Блок: 9/12 | Кол-во символов: 78
    Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

    Чем заменить микросхему?

    Часто возникает вопрос при ремонте радиоаппаратуры. Если не удается найти нужную микросхему, то можно заменить её аналогом по приведённой ниже таблице.

    Подробнее…

  • Цветовая маркировка светодиодных индикаторов
  • Блок: 10/12 | Кол-во символов: 260
    Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

    Цветовая маркировка светодиодных индикаторов.

    Подробнее…

  • О беспроводном модеме для передачи данных в ISM диапазонах
  • Блок: 11/12 | Кол-во символов: 143
    Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

    Беспроводной интеллектуальный модем для надежной передачи данных в ISM диапазонах (433 МГц, 868 МГц и 902 МГц)

    Сегодня технологии высокочастотных схем развиваются стремительными темпами, появляются новые беспроводные системы. Большинство из них (системы беспроводной телефонии, Bluetooth и WLAN 802.11b и т.п.) работают также как и СВЧ печи, в нелицензируемом диапазоне СВЧ 2,4 ГГц.

    Из-за насыщенного трафика в этом диапазоне и связанных с этим вопросов совместимости возрос интерес к диапазонам ISM (industrial, scientific, medical), расположенным на более низких частотах — 433 и 868 МГц в Европе, а так же от 902 до 928 МГц в США.

    Подробнее…

Блок: 12/12 | Кол-во символов: 668
Источник: http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/

Кол-во блоков: 30 | Общее кол-во символов: 14690
Количество использованных доноров: 6
Информация по каждому донору:
  1. https://www.asutpp.ru/fotorezistor.html: использовано 3 блоков из 10, кол-во символов 3545 (24%)
  2. http://www.joyta.ru/7603-fotorezistor-osnovnaya-informaciya/: использовано 3 блоков из 8, кол-во символов 2770 (19%)
  3. https://meanders.ru/fotorezistor-opredelenie-i-vidy-kak-rabotajut-preimushhestva-i-nedostatki.shtml: использовано 1 блоков из 6, кол-во символов 123 (1%)
  4. http://www.MasterVintik.ru/osnovnye-harakteristiki-fotorezistorov/: использовано 8 блоков из 12, кол-во символов 6067 (41%)
  5. https://www.RusElectronic.com/fotorezistor/: использовано 3 блоков из 5, кол-во символов 1741 (12%)
  6. https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%A4%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%80%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D1%82%D0%BE%D1%80: использовано 1 блоков из 7, кол-во символов 444 (3%)

Схема фотодатчика движения » Паятель.Ру


Фотодатчик регистрирует малейшие изменения светового потока, вызванные перемещением людей или предметов, включением-выключением различных световых приборов и т.п. Датчик трудно заметить, поскольку он не испускает радио и световых излучений, а малогабаритный фоторезистор легко замаскировать. Специальный источник света не обязателен, достаточно существующего освещения помещения.


Чувствительный элемент - фоторезистор R2, (Рис 1) включен в эмиттерную цепь транзистора VT1, который, задает режим ОУ DA1 (половина напряжения питания на выв 3) Благодаря С2 достаточно быстрые изменения сопротивления фоторезистора (транзистор VT1 работает как источник тока), вызывают колебания напряжения на входе ОУ в цепи обратной связи, которого, параллельно R6 включены транзисторы VT2, VT3.

Как только напряжение на R6 достигнет 0,6 В открывается один из транзисторов, нагружая на выход ОУ одно из сопротивлений R7 или R8 и вызывая общее повышение потребляемого тока детекторным блоком. Повышение тока регистрируется в блоке питания (приемнике сигнала) транзистором VT5, который, может быть нагружен на реле, звуковой или световой сигнализатор VT4, VD1, R11 выполняют роль стабилизатора напряжения.

Для подавления переменной составляющей с частотой 50 Гц от люминесцентных ламп или ламп накаливания фоторезистор зашунтирован конденсатором С1, а в цепи обратной связи ОУ добавлена цепочка С3, С4, R5, которая, по сути, является аналогом неполярного конденсатора большой емкости.

Для индикации работы датчика в коллекторы транзисторов можно включить светодиоды, несколько уменьшив номиналы R7 и R8. Детекторный блок можно питать от любого стабилизированного источника питания на напряжение 9 - 12 В и ток до 15 мА

Рис.2
Недостатком данной схемы является наличие ложных срабатываний связанных с нестабильностью освещения (скачки напряжения в электросети, идущие по небу облака и т.п.). Этот эффект можно ослабить, если применить схему дифференциального датчика (Рис 2) исключив VT1, R1 - R4, С2. Для нормальной работы этой схемы потребуется отобрать два фоторезистора с возможно более близкими характеристиками и установить их разделив вертикальной светонепроницаемой перегородкой.

Транзисторы можно заменить любыми кремниевыми широкого применения соответствующей проводимости (КТ315, КТ361, SS9014, SS9015, КТ209 и др.) Операционный усилитель должен работать при напряжении питания 9 - 12В отдавая ток 5 - 10 мА в нагрузку. Резисторами R6. R9 настраивается чувствительность датчика (на место R6 можно установить подстроечный 680 кОм), конденсаторами С2, С5 временные характеристики чувствительности (чем больше емкость, тем больше чувствительность к медленным движениям и наоборот)

Фоторезистор в конструкции применялся малогабаритный, типа СФ3-1. С ним детектор без труда определял движение человека в небольшой комнате Возможно применение и других типов фоторезисторов. Надо учитывать также, что приборы с маркировкой СФ2-18 СФ2-19 наиболее чувствительны к ультрафиолетовому излучению, ФСК-х и СФ2-х к видимому свету, ФСД-х, ФСА-х, СФ3-х и СФ4-х к инфракрасному излучению.

СФ 3-6 по стандарту:

Стойки СФ 3-6 со сборным сварным соединением представляют собой элементы сборных монолитных прямостоечных фундаментов дополнительной номенклатуры конструкций ЛЭП. Конструктивно стойка представляет собой железобетонный стержень квадратного сечения, на одном конце имеется болтовое соединение с фундаментной плитой. Общая высота стойки с фундаментом составляет 3200 мм, то есть глубина заложения составляет 3 метра, при этом опорная часть может занимать 3500-4500 мм.

1. Варианты написания маркировки

Допускается писать маркировочные знаки следующими вариантами:

1. СФ 3-6;

2. СФ 3.6.

2. Основная сфера эксплуатации

Составные фундаменты нашли широкое применение в электроэнергетике. Данная группа железобетонных изделий включает повышенные подножники с прямоугольной плитой основания, которые оптимальны для применения под промежуточные и промежуточно-угловые опоры линий электропередач. Стойки фундаментов СФ 3-6 благодаря особой конструкции способны работать во всех типах грунтов, при этом воспринимают весь диапазон нагрузок от анкерно-угловых опор тип Вл номинальным напряжением 35-500 кВт. Эксплуатация стоек СФ осуществляется с одноразмерными анкерными или подкладными типами, а также с ригелями для восприятия горизонтальных нагрузок.

Сборка фундамента производится на пикете, на который завозятся полный комплект. Обратите внимание, что между составными частями при соединении не было посторонних частей и мусора. Болты надежно затягиваются до упора. Стойка должна быть установлена соосно с поясом опор, то есть без наклонов и перекосов. Стыки обрабатываются гидроизоляционными и гидрофобными материалами. Для огрунтовки подходит битум, для обмазки – резинобитумная мастика или стеклохолст, полости заполняют паклей, пропитанной битумным составом.

3. Обозначение маркировки

Маркировочные знаки СФ 3-6 формируют по условиям действующего стандарта Серии 3.407-115 выпуск 2. В обозначение указывают:

1. СФ - тип изделия (стойка фундамента),

2. 3 - типоразмер,

3. 6 - номинальное напряжение.

Цифробуквенная комбинация пишется на боковой грани балки черной краской. Надпись не должна стираться на протяжении всего срока использования фундаментной основы.

Основные размерные параметры:

Длина = 2200;

Ширина = 400;

Высота = 400;

Вес = 800;

Объем бетона = 0,32;

Геометрический объем = 0,352.

4. Изготовление и основная сфера эксплуатации

Их производство осуществляется на специализированных заводах, где ограничены технологические возможности, но имеется возможность выпускать фундаменты данной унификации. Геометрические размеры стойки подобраны из расчета их формования в металлических неразъемных опалубках. Для выемки из формы стержень имеет специальные монтажные петли и технологические скосы. На стадии производства выполняется отбраковка балок. Приемка изделий осуществляется в соответствии с наличием и правильностью расположения закладных деталей, правильной геометрией, качеством бетонной поверхности и точным бетонированием арматурных выпусков (защитный слой не менее 30 мм).

Изготавливают стойки СФ 3-6 из плотных бетонов марки прочности М400 и выше. Бетоны также контролируют по свойствам морозостойкости (не менее F150-200), водонепроницаемости (не менее W4-6) и трещиностойкости.

Для усиления балки используется стальная горячекатаная арматура класса А-100 и А-300, из которой изготавливают различные армокаркасы. Согласно рабочим спецификациям действующего регламента используются следующие узлы:

1. Сварные пространственные каркасы.

2. Плоские сетки.

3. Сварные конструкции.

4. В тело стойки закладывают отдельные стержни с рифленой поверхностью разного диаметра.

5. Крепеж: анкерные болты, гайки и шайбы. Изготавливают из инструментальной стали Ст3.

Все стальные детали покрывают антикоррозионными составами – оцинкованные и атмосферостойкие краски.

5. Транспортировка и хранение

Доставка железобетонных стоек СФ 3-6 осуществляется спецтранспортом нормальной грузоподъемности. Так как элементы фундаментной конструкции имеют достаточно большие размеры, то оптимально применять длинномерные автомашины (нередко используют автомачтовозы), железнодорожные или паромные платформы. Перевозке уделяется немало внимания. Принимаются все меры против повреждения анкерных болтов и иных выступающих частей. Не допускается перемещать элементы волоком или производить разгрузку сбросом. Все работы осуществляет спецтехника (автокраны со строповым сцепом или траверсой). Все операция машинист крана должен выполнять корректно, не допускать резких толчков, ударов и рывков. Для погрузки или разгрузки выполняется надежная строповка в 2 местах, симметричных относительно центра тяжести опоры. Складирование выполняется штабелями, слои в которых изолируют деревянными подкладками.

Уважаемые покупатели! Сайт носит информационный характер. Указанные на сайте информация не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара просьба уточнять в офисе продаж или по телефону 8 (800) 500-22-52

Оптроны, фоторезисторы, фотоэлементы

Фоторезисторы

Параметры на фоторезисторы СФА, ФСК, ФСД, СФ2, СФ3

"Радио"

1969

12

Нет автора

Новые фоторезисторы

Приведены параметры на фоторезисторы СФ2-4, СФ2-5, СФ2-8, СФ2-9, СФ2-12, СФ2-16, СФ3-5, СФ3-8

"Радио"

1970

11

Олеск А.

Оптроны

АОУ103, АОР104

"Радио"

1974

9

Гришина Л.

Резисторные оптопары ОЭП-9 - ОЭП-14

Параметры, цоклевка

"Радио"

1982

6

Коняев О.

Фоторезисторы СФ2-6

Параметры, габаритные размеры

"Радио"

1982

6

Нет автора

Оптроны и оптронные микросхемы на основе фототиристора и фотодиодов

(Продолжение в №10 1983г стр.59, №1-3 1984г стр.59). Справочные сведения на АОУ103, АОУ115, 415КТ1, 295КТ1, 295АГ1, АОД101, АОД107, 3ОД129, АОД109, (К)ОЛ201, (К)ОД301, КОД302, АОД130, АОД111, АОД201, АОД202, 3ОД121, АОД120, АОД112, К262КП1, К249КН1, К249Л

"Радио"

1983

9

Нет автора

Фоторезисторные оптроны

Справочные сведения на ОЭП-1, ОЭП-2, ОЭП-7...ОЭП14, ОЭП16, АОР-113, АОРС-113

"Радио"

1983

5

Нет автора

Транзисторные оптроны

АОТ101, АОТ102, АОТ110, АОТ122, АОТ123, АОТ126, АОТ127, АОТ128, К249КП1, К249КП2

"Радио"

1986

1

Юшин А.

Фоторезисторы

(Продолжение в №3-5 10987г). Параметры, габаритные размеры фоторезисторов СФ2, СФ3, ФСД, ФСА, ФСК

"Радио"

1987

1

Юшин А.

Фотоэлементы

(Дополнения в №5,6 1992г стр.57). Селеновые фотоэлементы Ф-32С ... Ф-55С, ФЭ-139С. Устройство, габаритные размеры.

"Радио"

1992

4

Бараночников М.

Микросхемы сильноточных оптоэлектронных реле

Параметры, цоколевка, принципиальные схемы реле 5П19, 5П20, 5П40.

"Радиолюбитель"

1996

7

Архипов С.

Оптроэлектронные реле серии КР293

Приведены параметры, габаритные размеры, цоклевка

"Радио"

1996

6

Барановский Д.

Новые оптоэлектронные приборы

(Продолжение в №9,10 1997г стр.51,62). Приведены параметры светодиодов КИПД36, КИПД33, КИПМ13, КИПТ17, КИПЦ16, АЛ156, АОУ160, АОТ146

"Радио"

1997

8

Юшин А.

Кремниевые фотодиоды

Приведены цоклевка, параметры, габаритные размеры, фотодиодов ФДК-1, ФД-3...ФД-265

"Радио"

1998

2

Ломакин Л.

Оптоэлектронные реле

(Продолжение в №9 1999г.). Принципиальные схемы, параметры, цоколевка реле серии 5П19, 5П20, 5П36.

"Радио"

1999

8

Юшин А.

Оптроны серии АОУ115

Цоколевка, параметры.

"Радио"

2000

5

Бирюков С.

Фототранзисторы

Приведены справочные сведения на фототранзисторы серий КТФ102, КТФ104, КТФ108, КТФ109, КОФ224, ФТ-1К, ФТ-7Б, ФТ-8, ФТ-1Г - ФТ-3Г, ФТГ3 - ФТГ-5

"Радио"

2000

8

Юшин В.

Оптоэлектронные МОП-реле NAIS

(Продолжение в РМ №3-8 2003г.). Приведены справочные таблицы реле AQ*******

"Радиомир"

2003

2

Нет автора

Диодные оптопары

Параметры, цоколевка на АОД101, АОД107, АОД109 АОД120, АОД129, АОД130, АОД133, АОД134, АОД149, АОД167, АОД176.

"Радио"

2005

6

Юшин А.

Оптореле переменного/постоянного тока с выходом на МОП-транзисторах

Цоколевка, таблица параметров на оптореле 5П114, 5П19

"Радиоконструктор"

2005

11

Нет автора

Транзисторные оптопары SIEMENS

Цоколевка, параметры оптопар h21, 4N, 6N, CN, IL

"Радиоконструктор"

2005

6

Нет автора

Щелевые оптические датчики SPI-235...SPI-240

Цоколевка, параметры

"Радиоконструктор"

2005

9

Нет автора

1.6 Полупроводниковые фоторезисторы

Полупроводниковые фоторезисторы – это дискретные резисторы, принцип действия которых основан на увеличении проводимости полупроводникового материала под действием светового излучения.

В зависимости от материала резистивного элемента фоторезисторы могут быть чувствительны к электромагнитному излучению в широком интервале длины волны – от ультрафиолетового до инфракрасного.

Для изготовления светочувствительного резистивного элемента фоторезисторов в основном применяют полупроводниковые соединения типа А2В6: сернистый кадмий и селенистый кадмий, а также соединения типа А4В6: сернистый свинец. Светочувствительный резистивный элемент фоторезисторов изготовляют в виде тонкой пленки, наносимой на поверхность стеклянной подложки, либо в виде таблетки, спрессованной из порошка полупроводникового материала, либо в виде монокристаллического образца. Светочувствительный резистивный элемент фоторезисторов обычно помещают в пластмассовый или металлический корпус, который защищен прозрачной пластмассовой пленкой (рис.1.13).

Основными параметрами фоторезисторов являются:

  1. Рабочее напряжение – это постоянное напряжение, приложенное к фоторезистору, при котором обеспечены номинальные значения его параметров при длительной работе.

  2. Световой ток –это ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении и воздействии потока излучения заданных интенсивности и спектрального излучения.

  3. Темновой ток– это ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении в отсутствии потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.

  4. Темновое сопротивление – это сопротивление фоторезистора в отсутствии потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.

  5. Кратность изменения сопротивления – это отношение светового тока к темновому току.

  6. Постоянная времени по спаду тока – это время, в течение которого световой ток уменьшается до значения 37% от максимума при затемнении фоторезистора.

  7. Постоянная времени по нарастанию тока – это время, в течение которого световой ток увеличивается до значения 63% от максимума при прямоугольной форме единичного импульса света.

  8. Максимум спектрального распределения – это длина волны, соответствующая максимуму спектральной чувствительности фоторезистора.

Основные характеристики фоторезисторов – спектральная, частотная, люкс-амперная и вольтамперная.

Спектральная характеристика отражает чувствительность фоторезистора при воздействии на него излучения определенной длины волны (рис.1.14 а). Спектральная чувствительность фоторезистора зависит от полупроводникового материала. Так сернисто-кадмиевые фоторезисторы имеют максимальную чувствительность в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, селенисто-кадмиевые – в красной и ближней инфракрасной области, а сернисто-свинцовые в инфракрасно.й области спектра.

Частотная характеристика определяет чувствительность фоторезистора при действии на него светового потока, изменяющегося с определенной частотой (рис.1.14 б). Наличие инерционности у фоторезисторов приводит к тому, что величина их фототока зависит от частоты модуляции падающего на них светового потока – с увеличением частоты светового потока фототок уменьшается. Инерционность ограничивает возможности применения фоторезисторов при работе с переменными световыми потоками высокой частоты.

Вольтамперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через фоторезистор, от приложенного напряжения. Вольтамперная характеристика полупроводниковых фоторезисторов обычно линейна в широком интервале напряжений (рис.1.14 в). Линейность нарушается только при очень малых напряжениях.

Люкс-амперная характеристика фоторезисторов показывает зависимость светового тока, протекающего через резистор, от освещенности. Люкс-амперная характеристика полупроводниковых фоторезисторов нелинейная и имеет область насыщения при больших освещенностях (рис.1.14 г).

Фоторезисторы обозначаются буквами СФ – сопротивление фоточувствительное. После букв следует цифра (ранее была буква), обозначающая тип полупроводникового материала (1 или А –PbS, 2 или К –CdS, 3 или Д –CdSe). Цифры, стоящие после дефиса обозначают конструктивное оформление фоторезистора.

Например: СФ3-1 –фоторезистор изCdS, тип разработки 1.

ФСА-6 - фоторезистор изPbS, тип разработки 6.

17

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Сродство пиридинов к трифториду серы (SF3 +), определенное кинетическим методом: Стереоэлектронные эффекты в газовой фазе

  • 1. (a)

    Bowers, M. T., Ed. Gas Phase Ion Chemistry , Vols. 1–3; Академический: Нью-Йорк, 1979;

    Google ученый

  • 1. (b)

    Futrell, J.H., Ed. Газо-ионная химия и масс-спектрометрия ; Wiley: Нью-Йорк, 1986;

    Google ученый

  • 1.(c)

    Lias, S.G .; Ausloos, P. Ионно-молекулярные реакции, их роль в радиационной химии ; Американское химическое общество: Вашингтон, округ Колумбия, 1975;

    Google ученый

  • 1. (d)

    Franklin, J. L., Ed. Ion-Molecule Reactions ; Пленум: Нью-Йорк, 1972 г .;

    Google ученый

  • 1. (e)

    Harrison, A.G. Ed. Масс-спектрометрия с химической ионизацией ; CRC: Бока-Ратон, Флорида, 1983.

    Google ученый

  • 2. (a)

    Cooks, R.G .; Патрик, Дж. С .; Котихо, Т .; McLuckey, S.A. Масс-спектрометрия . Сборка 1994 , 13 , 287;

    CAS Статья Google ученый

  • 2. (b)

    McLuckey, S.A .; Cameron, D .; Cooks, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1981 , 103 , 1313.

    CAS Статья Google ученый

  • 3.

    Eberlin, M. N .; Котихо, Т .; Shay, B.J .; Ян, С. С .; Cooks, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1994 , 116 , 2457.

    CAS Статья Google ученый

  • 4.

    Yang, S. S .; Bortolini, O .; Steinmetz, A .; Cooks, R.G. J. Mass Spectrom. 1995 , 30 , 184.

    CAS Статья Google ученый

  • 5.

    Yang, S. S .; Chen, G .; Ma, S .; Cooks, R.G .; Gozzo, F.C .; Eberlin, M. N. J. Mass Spectrom. 1995 , 30 , 807.

    CAS Статья Google ученый

  • 6.

    Yang, S. S .; Wong, P .; Ma, S .; Cooks, R. G. J. Am. Soc. Масс-спектрометрия. 1996 , 7 , 198.

    CAS Статья Google ученый

  • 7.

    Herron, J. T. J. Phys. Chem. Ref. Данные 1987 , 16 , 1.

    CAS Google ученый

  • 8. (a)

    Mackay, G.I .; Schiff, H.I .; Bohme, D. K. Int. J. Mass Spectrom. Ионные процессы 1992 , 117 , 38;

    Артикул Google ученый

  • 8.(b)

    Latimer, D. R .; Smith, M.A. J. Chem. Phys. 1994 , 101 , 3410.

    CAS Статья Google ученый

  • 9. (a)

    Stone, J. A .; Wytenberg, W. J. Int. J. Mass Spectrom. Ионные процессы 1989 , 94 , 269;

    CAS Статья Google ученый

  • 9.(b)

    Zangerle, R .; Hansel, A .; Richter, R .; Lindinger, W. Int. J. Mass Spectrom. Ионные процессы 1993 , 129 , 117;

    CAS Статья Google ученый

  • 9. (c)

    Cheung, Y.-S .; Chen, Y.-J .; Ng, C.-Y .; Chiu, S.-W .; Ли, В.-К. J. Am. Chem. Soc. 1995 , 117 , 9725;

    CAS Статья Google ученый

  • 9.(d)

    Dillard, J. G .; Troester, J. H. J. Phys. Chem. 1975, 79, , 2455;

    CAS Статья Google ученый

  • 9. (e)

    Fehsenfeld, F. C. J. Chem. Phys. 1971 , 54 , 438;

    CAS Статья Google ученый

  • 9. (f)

    Babcock, L.M .; Streit, G.E. J. Chem. Phys. 1981 , 75 , 3864.

    CAS Статья Google ученый

  • 10.

    Тамура, А .; Inoue, K .; Onuma, T .; Sato, M. Appl. Phys. Lett. 1987 , 51 , 1503.

    CAS Статья Google ученый

  • 11.

    Schwartz, J. C .; Schey, K. L .; Cooks, R.G. Int. Дж.Масс-спектрометрия. Ионные процессы 1990 , 101 , 1.

    CAS Статья Google ученый

  • 12. (a)

    Schwartz, J. C .; Wade, A. P .; Enke, C.G .; Cooks, R.G. Anal. Chem. 1990 , 62 , 1809;

    CAS Статья Google ученый

  • 12. (b)

    Cooks, R.G .; Эми, Дж.; Bier, M .; Schwartz, J.C .; Schey, K. L. Adv. Масс-спектрометрия. 1989 , 11A , 33.

    CAS Google ученый

  • 12. (c)

    Juliano, V. F .; Gozzo, F.C .; Эберлин, М. Н .; Kascheres, C .; Lago, C. L. Anal. Chem. 1996 , 68 , 1328.

    CAS Статья Google ученый

  • 13.

    Cooks, R.G .; Rockwood, A. L. Rapid Commun. Масс-спектрометрия. 1991 , 5 , 93.

    CAS Google ученый

  • 14.

    Dewar, M. J. S .; Zoebisch, E. G .; Healy, E. F .; Стюарт, Дж. Дж. П. J. Am. Chem. Soc. 1985 , 107 , 3902.

    CAS Статья Google ученый

  • 15.(a)

    Majumdar, T. K .; Clairet, F .; Tabet, J.-C .; Cooks, R. G. J. Am. Chem. Soc. 1992 , 114 , 2897;

    CAS Статья Google ученый

  • 15. (b)

    Ho, Y .; Squires, R. R. J. Am. Chem. Soc. 1992 , 114 , 10961.

    CAS Статья Google ученый

  • 16.

    Nourse, B.D .; Cooks, R.G. Int. J. Mass Spectrom. Ионные процессы 1991 , 106 , 249.

    CAS Статья Google ученый

  • 17. (a)

    Corderman, R. R .; Beauchamp, J. L. J. Am. Chem. Soc. 1976 , 98 , 3998.

    CAS Статья Google ученый

  • 17.(b)

    Jones, R.W .; Staley, R.H. J. Phys. Chem. 1982 , 86 , 1387;

    CAS Статья Google ученый

  • 17. (c)

    Operti, L .; Tews, E.C .; Freiser, B. S. J. Am. Chem. Soc. 1988 , 110 , 3847.

    CAS Статья Google ученый

  • 18.

    Дженкинс, Х.D. B .; Kelly, E.J .; Samuel, C.J. Tetrahedron Lett. 1994 , 34 , 6543.

    Артикул Google ученый

  • 19.

    Brookhart, M .; Грин, М. Л. Х. J. Organomet. Chem. 1983 , 250 , 395.

    CAS Статья Google ученый

  • 20. (а)

    Грин, М. Л.H. Pure Appl. Chem. 1984 , 56 , 47;

    CAS Статья Google ученый

  • 20. (b)

    Brookhart, M .; Грин, М. Л. Н .; Вонг, Л-Л. В «Успехи неорганической химии» ; Lippard, S.J., Ed .; Wiley: Нью-Йорк, 1988; Vol. 36, p 1.

    Глава Google ученый

  • 21.

    Crabtree, R.H .; Холт, Э.М .; Лавин, М .; Morehouse, S. M. Inorg. Chem. 1985 , 24 , 1986.

    CAS Статья Google ученый

  • 22.

    Carmona, E .; Contreras, L .; Poveda, M. L .; Sànchez, J. J. Am. Chem. Soc. 1991 , 113 , 4322.

    CAS Статья Google ученый

  • 23.

    Кога, Н .; Obara, S .; Morokuma, K. J. Am. Chem. Soc. 1984 , 106 , 4625.

    CAS Статья Google ученый

  • Справочное руководство по плате Pmod SF3 - Digilent, Inc.

    Важные примечания и предупреждения

    Micron Technology, Inc. («Micron») оставляет за собой право вносить изменения в информацию, опубликованную в этом документе,

    , включая, помимо прочего, технические характеристики и описания продуктов.Этот документ заменяет всю информацию

    , предоставленную до ее публикации. Вы не можете полагаться на какую-либо информацию, изложенную в этом документе

    , если вы получаете описанный здесь продукт у любого неавторизованного дистрибьютора или из другого источника, не авторизованного

    компанией Micron.

    Автомобильные приложения. Продукты не предназначены и не предназначены для использования в автомобильной промышленности, если только спецификация

    не обозначена Micron как автомобильная в соответствующих технических паспортах.Дистрибьютор и заказчик / дистрибьютор-

    utor принимает на себя исключительный риск и ответственность, а также возмещает и ограждает Micron от всех претензий,

    затрат, убытков и расходов, а также разумных гонораров адвокатам, возникающих в результате, прямо или косвенно, любых претензия

    об ответственности за качество продукции, травмах, смерти или имущественном ущербе, прямо или косвенно вызванных любым использованием в автомобильной промышленности продуктов автомобильного класса, отличных от

    . Заказчик / дистрибьютор должен гарантировать, что в условиях и условиях продажи между клиентом / дистрибьютором и любым клиентом дистрибьютора / клиента (1) указано, что продукты Micron

    не предназначены и не предназначены для использования в автомобильной промышленности, если иное не указано отдельно. Micron

    относится к автомобильному классу согласно их соответствующим таблицам данных и (2) требует, чтобы такой заказчик дистрибьютора / покупателя в-

    опровергал все претензии, издержки, убытки и расходы, а также разумные гонорары адвокатам. вытекающие из, прямо или косвенно, любых претензий об ответственности за качество продукции, травм, смерти или имущественного ущерба

    в результате любого использования неавтомобильных продуктов в автомобильных приложениях.

    Критические приложения. Продукты не разрешены к использованию в приложениях, в которых отказ компонента Micron

    может привести, прямо или косвенно, к смерти, телесным повреждениям или серьезному ущербу собственности или окружающей среде

    («Критические приложения»). Заказчик должен защитить себя от смерти, телесных повреждений, серьезных материальных и экологических повреждений

    , включая меры безопасности в приложения заказчика, чтобы гарантировать, что отказ компонента

    Micron не приведет к такому ущербу.Если заказчик или дистрибьютор покупает, использует или продает какой-либо компонент Micron

    для любого критически важного приложения, заказчик и дистрибьютор должны возместить ущерб и обезопасить Micron и

    его дочерние компании, субподрядчиков и аффилированных лиц, а также директоров, должностных лиц и сотрудников каждого из них. все претензии,

    издержки, убытки и расходы, а также разумные гонорары адвокатам, вытекающие из, прямо или косвенно, любого иска

    об ответственности за качество продукции, телесных повреждениях или смерти, возникших каким-либо образом из такого важного приложения, независимо от того, Mi-

    cron или ее дочерние компании, субподрядчики или аффилированные лица проявили небрежность при разработке, производстве или предупреждении о продукте

    Micron.

    Ответственность клиента. Заказчики несут ответственность за разработку, производство и эксплуатацию своих систем, приложений

    и продуктов, в которых используются продукты Micron. ВСЕ ПРОДУКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМЕЮТ ВНУТРЕННИЙ НЕДОСТАТК -

    ЦЕНЫ И ОГРАНИЧЕНИЕ ПОЛЕЗНОЙ ЖИЗНИ. ЗАКАЗЧИК ОБЯЗАН ОПРЕДЕЛЕНИЕ

    ПОДХОДИТ И ПОДХОДИТ ЛИ ПРОДУКТ MICRON ДЛЯ СИСТЕМЫ, ПРИМЕНЕНИЯ ИЛИ

    ПРОДУКТА ЗАКАЗЧИКА. Заказчики должны обеспечить, чтобы соответствующие меры безопасности при проектировании, производстве и эксплуатации были включены в приложения и продукты заказчика

    , чтобы исключить риск травм, смерти или серьезного повреждения имущества или ущерба окружающей среде в результате выхода из строя любого полупроводникового компонента.

    Ограниченная гарантия. Ни при каких обстоятельствах Micron не несет ответственности за какие-либо косвенные, случайные, штрафные, специальные или косвенные убытки

    (включая, помимо прочего, упущенную выгоду, потерянные сбережения, прерывание бизнеса, расходы, связанные с удалением

    или заменой каких-либо продуктов или доработкой) основаны ли такие убытки на деликте, гарантии, нарушении контракта

    или другой правовой теории, если это явно не указано в письменном соглашении, подписанном надлежащим образом уполномоченным представителем Micron

    .

    3 В, 256 Мбайт: Последовательная флэш-память с несколькими входами / выходами

    Важные примечания и предупреждения

    09005aef84566603

    n25q_256mb_65nm.pdf - Ред. X 06/18 RU 6Micron Technology, Inc. оставляет за собой право изменять продукты или спецификации без уведомления .

    © 2011 Micron Technology, Inc. Все права защищены.

    [Институты] [Типы справочников] [Журналы] [Отчеты] [Книги + конференции]
    [Соединения] [Частицы] [Объекты] [Источники]
    [Коды результатов] [Дополнительные результаты] [Методы] [Детекторы] [Анализ] [Заголовки данных] [Единицы данных]
    [Частицы SF2] [Продукты SF3] [Процессы SF3] [Ветвь SF5] [Параметр SF6]
    [Рассматриваемые частицы SF7] [Модификаторы SF8] [Типы данных SF9] [New Cinda Количество] [Старые количества Cinda]


      Код Описание 
    (A) Неопределено с поправкой на естественное изотопное содержание.1K2 Модификатор для коэффициентов Лежандра или косинуса
    2AG умножить на 2 * изотопное содержание. и стат. весовой коэффициент
    2G умножить на 2 * статистический весовой коэффициент
    2L2 Модификатор для коэффициентов Лежандра или косинуса
    4AG умножить на 4 * изотопное содержание. и стат. весовой коэффициент
    4PI умножить на 4 пи
    Данные, умноженные на естественное изотопное изобилие
    Формализм А.А. Адлера-Адлера
    AG умножается на изотопное содержание.и стат. весовой коэффициент
    Коэффициенты AL1 для ассоциированного Лежандра первого порядка
    AMP Amplitude (для параметров резонанса)
    ANA Векторная анализирующая способность A (y) для падающего луча
    ASY Асимметрия поляризации вылетающих частиц
    AV Среднее
    AXX Тензорная анализирующая способность, декартова координата
    AYY Tensor analysis.power, inc.proj.spin normal to scatt.самолет
    AZZ Tensor analysis.power, inc.proj.spin parall.to scatt.plane
    BRA Усредненный спектр тормозного излучения
    BRS Среднее по части спектра тормозного излучения
    C Параметр спиновой корреляции
    COS Косинусные коэффициенты
    CS2 Коэффициенты вида d-Sig / d-Omega = a (0) +
    D Параметр вращения спина
    Разница DSP для параллельных спинов - антипараллельные
    DT в единицу времени (для выхода толстых мишеней)
    EPI Среднее значение спектра эпитепловых нейтронов
    FCT умножает на коэффициент (см. Текст)
    Среднее значение спектра деления FIS
    Среднее значение спектра нейтронов реактора на быстрых нейтронах FST
    G, умноженный на статистический весовой коэффициент
    IPA интегрирован в частичном угловом диапазоне
    K Параметр передачи спина
    Модификатор L4P для коэффициентов Лежандра или Cos вида
    LEG коэффициенты Лежандра
    LIM Модификатор для резонансного интеграла, заданный для
    МОЛ относительно моттовского рассеяния
    MSC Только приблизительное определение, см. Текст РЕАКЦИИ
    MXD Spectrum rel.до макс.распределения заданной температуры
    MXW Максвелловское среднее
    NCP Некопланарный
    NSF Non-spin-flip
    PHY Физический выход
    Проект PP Inc. параллельно / перпендикулярно реактивной плоскости
    РБА, умноженное на об. Дел. Див. На об. Цел. 1-го семестра
                   * умноженное на естественное изотопное содержание, деленное на изотопное содержание целевого объекта первого члена суммы РЕАКЦИИ 
    RAW Необработанные данные (см. Текст РЕАКЦИИ)
    REL Относительные данные
    RES на пике резонанса
    RG раз (2J (i) +1) * (2J (j) +1)
    Формализм Р. М. Райха-Мура
    Формализм R-матрицы RMT
    RNV Non-1 / v часть
    RS Times 4pi / сигма
    Модификатор RS0 для коэффициентов Лежандра или косинуса
    Модификатор RSD для коэффициентов Лежандра или косинуса
    Модификатор RSL для коэффициентов Лежандра или косинуса
    RTE, умноженное на квадратный корень (E)
    RTH относительно рассеяния Резерфорда
    Только часть RV 1 / v
    RYL Выход реакции
    S0, умноженное на полное сечение пика
    S2T Коэффициенты вида: d-Sig / d-Omega =
    SF Spin флип
    S-фактор SFC
    SN2 Коэффициенты для суммы в степени синуса ** 2
    СПА Спектр средний
    SQ Количество в квадрате
    Функция вращения SRF Spin
    SS Спин-спиновое сечение
    TAP Tensor анализирующая способность, сферические координаты
    TM на толщину мишени 1 МэВ (для мощностей толстой мишени)
    Передача РНН
    TST Полный перенос отжима
    TT Измерено для толстой цели
    VAP Vector анализирующая способность, сферические координаты
    Формализм VGT Vogt
     

    PINK1-зависимое фосфорилирование серина111 в мотиве SF3 Rab GTPases нарушает эффекторные взаимодействия и LRRK2-опосредованное фосфорилирование по Threonine72 | Биохимический журнал

    Клетки собирали и ресуспендировали в буфере A (50 мМ HEPES, 500 мМ LiCl, 10 мМ имидазол, 1 мМ MgCl 2 , 10 мкМ GDP, 2 мМ β-меркаптоэтанол, pH 8.0), содержащий 1 мМ PMSF и DNaseI. Клетки лизировали на льду обработкой ультразвуком (амплитуда 60%, 5 мин, импульс 5 с, выключение 15 с), и нерастворимые клеточные остатки удаляли центрифугированием (48 254,4 × г , 45 мин, 4 ° C) . Все Rab-белки очищали из супернатанта с помощью никелевой аффинной хроматографии (колонка HiTrap ™ Chelating HP, 5 мл, GE Healthcare). Неспецифически связанные белки удаляли ступенчатой ​​промывкой буфером B (50 мМ HEPES, 500 мМ LiCl, 500 мМ имидазол, 1 мМ MgCl 2 , 10 мкМ GDP, 2 мМ β-меркаптоэтанол, pH 8.0): 5% буфер B для удаления примесей из нефосфорилированных (WT) белков Rab или три последовательных промывки 3%, 5% и 7% буфером B для очистки фосфорилированных белков Rab соответственно. Белки WT-Rab элюировали линейным градиентом от 5% до 60% буфера B в 100 мл, а фосфорилированные белки Rab элюировали линейным градиентом от 7% до 50% буфера B в 50 мл. Собранные фракции анализировали с помощью SDS – PAGE. Фракции, содержащие желаемый белок с меткой His 6 , концентрировали до 2 мл с использованием ультрацентробежных фильтров Amicon® (10000 MWCO, Merck Millipore) и напрямую вводили в колонку для эксклюзионной хроматографии (Superdex 75 16/60, GE Healthcare. ), уравновешенный буфером C (20 мМ HEPES, 50 мМ NaCl, 1 мМ MgCl 2 , 10 мкМ GDP, 1 мМ DTT, pH 7.5). Чистоту фракций методом эксклюзионной хроматографии определяли с помощью SDS-PAGE, чистые фракции объединяли, концентрировали с использованием ультрацентробежных фильтров Amicon® (10000 MWCO, Merck Millipore) и замораживали в жидком азоте. Идентичность и целостность белка подтверждена методом ЖХ-МС. Обратите внимание, что Rab-белки с N-концевой меткой His 6 или меткой His 6 -MBP обрабатывали протеазой TEV после аффинной очистки никеля и подвергали диализу против 5 мкл буфера D (20 мМ HEPES, 100 мМ NaCl, 10 мкМ GDP, 2 мМ β-меркаптоэтанол, pH 8.0) при 4 ° C в течение ночи. Отщепленные N-концевые метки отделяли от белков Rab второй аффинной очисткой с никелем перед эксклюзионной хроматографией.

    Режим композиции / паттерна / микширования

    Разница между режимом исполнения и режимом микширования композиции / паттерна:
    _ Исполнение - это четыре партии (которые можно играть и управлять ими с клавиатуры вместе)
    _ микширование - это шестнадцать партий (которые обычно вы играете по одной)

    Поскольку все партии микширования по умолчанию имеют собственный MIDI-канал, обычно вы играете их по одной за раз.Если бы вы поместили первые четыре части микширования на Midi Receive Channel 1, это было бы точно так же, как Performance в режиме Performance. Вы сможете играть на них и управлять ими вместе с клавиатуры.

    Вы можете КОПИРОВАТЬ любое исполнение MOXF в микширование композиции / паттерна.
    Нажмите [SONG] или [PATTERN]
    Нажмите [MIXING]
    Нажмите [JOB]
    Нажмите [F3] COPY
    . Нажмите [SF3] PERFORM
    . Установите атрибуты, которые вы хотите скопировать ... это берет ваше исходное исполнение и помещает его в целевые партии текущего микширования... он назначает все партии одному и тому же MIDI Ch. Если вы выберете партии 1-4, все четыре партии будут реагировать на канал 1.

    In [MIXING]
    Нажмите [EDIT]
    . Нажмите номер детали, чтобы просмотреть ее параметры
    Нажмите [F1] VOICE
    Нажмите [SF2] MODE
    Здесь вы можете установить канал приема для каждой части.
    Вы найдете все те же параметры партии для установки NOTE LIMITS, VELOCITY LIMITS, NOTE SHIFT и т. Д. И т. Д. И т. Д. Все параметры в такой же компоновке, как при редактировании в режиме исполнения.

    Дополнительная заслуга: одно из основных различий между созданием многопартийного набора в микшировании и в исполнении. Вы не можете записать несколько партий на одном и том же миди-канале в режиме MIXING, если в них есть арпеджио. И, конечно же, вы МОЖЕТЕ записывать из режима исполнения в секвенсор, используя функцию прямой записи исполнения ... это потому, что из режима исполнения MOXF может выводить MIDI-данные каждой партии отдельно. Это требуется, когда некоторые партии взаимодействуют с арпеджио. (Ноты ударных плохо сочетаются с другими вашими звуками).

    Что означает SF3? The Free Dictionary

    Картридер серии SF3 - RED Mini-Mag Pro оснащен двумя слотами для карт и интерфейсом Thunderbolt 3 со скоростью 40 Гбит / с. Параметр фильтрации имени фильтра 1 NF1 IP 2 NF2 IP COUNT 3 NF3 НОМЕР ПОРТА 4 NF4 РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОРТОВ 5 NF5 СЧЕТЧИК ПАКЕТОВ 6 БАЙТОВ СТЕКА NF6 7 ПАКЕТОВ NF7 A-> B 8 ПАКЕТОВ NF8 B-> A 9 БАЙТОВ NF9 A-> B 10 БАЙТОВ NF10 B-> A 11 ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ NF11 12 АБСОЛЮТНОЕ ВРЕМЯ NF12 13 ПЕРИФЕРИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ SF1 14 ПРОЦЕСС SF2 НЕСПИСАННЫЙ ПРОЦЕСС 15 SF3 ВХОД ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ 16 ПРЕДПОЛАГАЕМОЕ ВРЕМЯ SF4 17 АКТИВНОСТЬ ДИСКА SF5 18 ПРИВЯЗКА ПОРТА SF6 19 LF FIN FIN FLAG 20 LF SYN SYN FLAG 21 LF TCP CONN () TCP CONN () FLAG 22 LF NULL NULL FLAG 23 LF PING ICMP FLAG 24 LF ВЕРСИЯ ОБНАРУЖЕНИЕ ВЕРСИИ FLAG 25 LF UDP SCAN UDP FLAG 26 LF BULK SCAN BULKFLAG 27 LF WINDOWS SCAN WIN SCAN FLAG 28 LF RPC SCAN RPC FLAG 29 LF LIST SCAN LSTFLAG 30 LF IDLE SCAN IDL FLAG 31 LF FTP BOUNCE BOUNCE FLAG ТАБЛИЦА II.A Participante SF3 fez o seguinte relato: "Eu fui la para aprender a ser Professor, mas nao parecia o que ela queria para mim [...]". (2) Резкие изменения происходят в RMS осевой силы (SF1), сдвиг в продольном направлении (SF3) и сдвиг в поперечном направлении (SF2) в одном и том же месте боковой опоры нижней поперечной балки. * Точки данных являются оценками с соответствующими пределами погрешности (MOE): данные SF3 имели MOE, но не были опубликованы. среда и среда CMA дали 9 (SF1, SF2, SF3, SwF4, SwF5, SweF7, SweF8, SweF10, SweF11, CrF12) и 3 (SweF6, SweF9, SweF10) грибов соответственно.Образец (г) (г) PR - PR 94150 SF0,5-PR SF0,5 PRSN0,5 94 150 SFI-PR SFI PRSNI 94 150 SF2-PR SF2 PRSN2 94150 SF3-PR SF3 PRSN3 94 150 SF4-PR SF4 PRSN4 94 150 Образец диоксида кремния №. Мы также обнаружили ген малого (S) сегмента SFTSV методом ОТ-ПЦР со специфическими праймерами (SF3, 5'-GGGTCCCTGAAGGAGTTGTAAA-3 '; SRI, 5'-TGGTGAGCAGCAGCTCAATT-3') Стандарт. разделение двух наборов данных Dataset Standard Division Zachary Karate SK1: {1, 2, 3, 4, клубная сеть 5, 6,7, 8,11,12,13,14,17,18, 20, 22}, SK2: { 9,10,15,16,19, 21,23, 24, 25, 26, 27,28,29, 30,31, 32,33,34} Американская SF1: {2, 26, 34, футбол 38, 46 , сеть 90,104,106,110}, SF2: {20, 30, 31, 36, 56, 80, 95,102}, SF3: {3,7,14,16, 33, 40, 48, 61, 65,101,107}, SF4: {4, 6, 11, 41, 53,73,75, 82, 85, 99,103,108,111,113}, SF5: {45, 49, 58, 67, 76, 87, 92, 93}, SF6: {37, 43, 81, 83, 91}, SF7: {13,15, 19, 27, 32, 35, 39, 44, 55, 62, 72, 86, 100}, SFS: {1, 5, 10, 17, 24, 42, 94,105} , SF9: {8, 9, 22, 23, 52, 69, 78,79,109,112}, SF10: {18, 21, 28, 57, 63, 66,71,77, 88, 96, 97,114} , SF11: {12, 25, 51, 60, 64,70, 98}, SF12 {29, 47, 50, 54, 59, 68,74, 84, 89,115} Таблица 2.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *