Схема яуо 9604: Страница не найдена

alexxlab | 12.05.1971 | 0 | Разное

Содержание

Ящики (щитки) управления освещением серии яуо-9600

ЩЗИП-ЯУО-9601

 

Щиток защиты от импульсных перенапряжений (ЩЗИП-ЯУО-9601) предназначен для автоматического, местного, ручного или дистанционного
(из диспетчерского пункта) управления осветительными сетями и
установками производственных зданий, сооружений, территорий любых
объектов с любыми источниками света (лампами накаливания, ДРЛ, ДРИ,
ДНаТ, люминесцентными и др.) и защиты самой электроустановки от
импульсных перенапряжений со стороны фидеров питания освещения.

Климатическое исполнение и категория размещения — У3. 

ЩЗИП-ЯУО-9601 обеспечивает:
включение и отключение осветительной установки от сигнала фотодатчика при достижении заданного уровня освещенности;
отключение и включение осветительной установки в заданные периоды времени (например, в технологические перерывы) по программам, задаваемым программатором режимов;

ручное включение и отключение осветительной установки кнопками, установленными на двери ящика;

включение и отключение осветительной установки посредством устройств телемеханики от диспетчерских пунктов энергослужб;
защиту электроустановки от импульсных перенапряжений со стороны фидеров питания освещения при размещении источников света на прожекторных мачтах, совмещенных с молниеприемниками или иных антенно-мачтовых ооружениях (АМС).

 
Конструкция:

ЩЗИП-ЯУО-9601  состоит из двух частей:

ящик из листовой стали степени защиты IP54, настенного исполнения;
выносной фотодатчик из пластмассового корпуса с устройством крепления, в котором устанавливается фоторезистор.

Встраиваемые аппараты:

силовая часть – клеммы, УЗИП, автоматический выключатель и контактор с терморасцепителем;
аппаратура управления -, переключатель режимов, кнопки и программатор режимов с фотореле.

Дополнительные принадлежности:
 

Для заказа ЩЗИП.ЯУО щитка необходимо заполнить опросный лист и присылать его в технический отдел АО «Хакель» по e-mail: [email protected] или  факсу: +7 (812) 207-47-05 для согласования. 

Сертификаты:
сертификат соответствия системы добровольной сертификации ИНТЕРГАЗСЕРТ ОГН4.RU.1302.В00667 Щитки защиты от импульсных перенапряжений низковольтные комплектные ЩЗИП ТУ 3434-001-79740390-2007
сертификат
соответствия системы добровольной сертификации ИНТЕРГАЗСЕРТ
ОГН4.RU.1302.В00666 Щитки защиты от импульсных перенапряжений
низковольтные комплектные для оборудования электрохимической защиты
ЩЗИП.ЭХЗ ТУ 3434-001-79740390-2007
сертификат соответствия №ЕАЭС RU
C-RU.МЛ02.В.00199/20 Щитков защиты от импульсных перенапряжений низковольтных комплектных типов: ЩЗИП и ЩЗИП.ЭХЗ, ТУ 3434-001-79740390-2007 требованиям Технического регламента Таможенного союза ТР ТС 004/2011 «О
безопасности низковольтного оборудования» и ТР ТС 020/2011 «Электромагнитная совместимость  технических средств».

сертификат соответствия РОСС RU.АД07.H00420
Щитков защиты от импульсных перенапряжений низковольтных комплектных
ЩЗИП требованиям п.1.2.3.6 ТУ 3434-001-79740390-2007 по стойкости к
воздействию землетрясений интенсивностью 9 балов по шкале MSK-64  по
ГОСТ  30546.1-98

сертификат
соответствия системы менеджмента качества СТО Газпром 9001-2018
применительно к проектированию, разработке, производству, испытаниям,
продажи УЗИП, ЩЗИП низковольтных комплектных, УЗК, УМК, приборов
контроля сопротивления изоляции; испытаниям электротехнической
продукции, средств связи, передачи данных, видеонаблюдения,
светотехнической продукции и измерениям электрических и магнитных,
механических, тепловых, пространственно-временных величин
ОГН1.RU.31401.К00098

   

Оформление заказа

При оформлении заказа НКУ необходимо указать:
— Полное наименование маркировки, согласно структуре условного обозначения;
— Техническое задание, либо опросный лист;
— Нетиповые схемы, комплектация нетиповыми аппаратами, нетиповые габариты, прочее.
Заявку и любые вопросы по выбору оборудования, можно отправить любым удобным для Вас способом:
— Электронная почта: [email protected]
— Тел/факс: +7 (8352) 57-00-28, 57-00-49, 57-06-71.
Изготовление и комплектация каждого ящика зависит от технических требований заказчика и выполняется согласно заявке. По отдельному заказу возможно изготовление индивидуальных нетиповых ящиков и щитков.

Конструкция

НКУ управления освещением имеют надёжный металлический корпус навесного исполнения, внутри которого расположена аппаратура: автоматический выключатель и электромагнитный пускатель в силовой части; аппаратура управления – фотовыключатель (ЯУО-9602), предохранитель, клеммные колодки и программатор (фотовыключатель) в ЯУО-9601.
Ящик имеет дверцу для доступа к аппаратуре. На внутренней стороне дверцы помещена электрическая схема. Ввод питающих и вывод отходящих линий осуществляется через верхнюю и нижнюю съемные крышки.
Общий вид приведен на рисунке 1. Габаритные размеры щитков приведены в таблице 3. Схемы электрические принципиальные главных цепей ящиков приведены на рисунках 2, 3 и 4.

Рисунок 1 – Общий вид НКУ.
Таблица 3 – Габаритные размеры

Габаритные размеры ящиков, мм
высота (H) ширина (L) глубина (B)
500 400 200
500 500 250
600 500 200
750 500 250
800 600 200
Возможно изготовление ящиков с нетиповыми габаритами по вашему заказу H x L x B

В схеме ЯУО-9601 возможен автоматический режим управления освещением только по времени, по времени и уровню освещенности, и только по уровню освещенности. Выбор режимов управления освещением, в том числе перевод управления с автоматического режима (“дистанционное”) на ручной (“местное”), осуществляется переключателем SA.
Ручное включение освещения осуществляется нажатием кнопки SB2, а отключение — кнопки SB1, расположенных на двери ящика.
В схеме ЯУО-9602 возможен автоматический режим управления освещением только по уровню освещенности и ручной режим управления.
Схема ЯУО-9603 работает в двух режимах с автоматическим и ручным (местным) управлением. Данные режимы выбираются при помощи переключателя SA1. В положении переключателя SA1 в автоматическом режиме, включение и отключение осветительной установки выполняется о т диспетчерского пульта или программатора, выбор режима работы обеспечивается переключателем SA2. Сигнальная лампа HLG «Включено», служит для световой сигнализации состояния задействованной электрической цепи. Кнопки «Пуск», «Стоп» служат для оперативного управления осветительной установкой в ручном режиме.
Ящик управления освещением ЯУО-9604 с дистанционным управлением освещением по каналу GSM имеет ряд преимуществ:
• Управление осуществляется по каналу радиосвязи, что не требует дополнительных затрат на прокладку кабеля к диспетчерскому пульту.
• Управление осуществляется дистанционно всеми исполнительными пунктами.
• Контроль работоспособности и исправности отходящий линий.
• Контроль и учет потребляемой электроэнергии, с учетом тарифного расписания.
• При нарушении обмена по каналу GPRS контроллер переключается на SMS канал, а при нарушении и SMS канала переходит на работу по SMS каналу с другим сотовым оператором.
• Ящик управления ЯУО 9604 имеет защиту от несанкционированного доступа сторонних лиц, и посылает сигнал на диспетчерский пульт в случае открытия ящика.
• Ящик управления ЯОУ 9604 в случае неработоспособности системы управления имеет возможность переключения на местное (ручное) управление освещением.

Рисунок 2 – Принципиальная электрическая схема ЯУО-9601

Рисунок 3 – Принципиальная электрическая схема ЯУО-9602

Рисунок 4 – Принципиальная электрическая схема ЯУО-9603

Оцените статью:

Ящики ЯУО-9600 » Цены на сборку и монтаж в Волгограде и Волжском по низким ценам

Функции ЯУО в системе

Современные предприятия ориентированы на эффективное использование доступных ресурсов. Тарифы на электроэнергию постоянно растут, потому хозяйственные объекты заинтересованы в сокращении потребления электричества. Один из способов снизить затраты – монтаж ЯУО серии 9600. В Волгограде широкий выбор щитового оборудования различных модификаций предлагает компания «СМ-Комплект». Можно приобрести готовое изделие из каталога или заказать сборку устройства по индивидуальной схеме.

Что представляет собой ЯУО?

Специализированные комплектные устройства монтируют для управления уличными линиями освещения, осветительными сетями предприятий или отдельными осветительными установками. Сфера использования оборудования очень широка: его внедряют на любых объектах, где есть источники света. В зависимости от комплектации, ящики выполняют следующие функции:

  • Обеспечивают включение или выключение осветительной техники по сигналу фотодатчика, когда установлен заданный уровень освещения.
  • Отвечают за включение/ отключение линии освещения или установку в определенное время согласно заданным программам.
  • Позволяют вручную включать или отключать осветительное оборудование.
  • Обеспечивают дистанционное управление сетями освещения с диспетчерского пульта или через интернет.

При выборе щитового оборудования учитывают особенности системы освещения на объекте и потребности предприятия. Свяжитесь со специалистами компании «СМ-Комплект» по телефону – вам предоставят грамотные консультации по подбору техники.

Что входит в конструкцию ЯУО?

Конструктивно ЯУО представляет собой металлический ящик в навесном исполнении с дверцей и запорным механизмом. Внутри корпуса размещена аппаратура – набор технической «начинки» определяется схемой. Щитовое оборудование может быть монтировано внутри или снаружи помещений – в зависимости от условий эксплуатации мы предлагаем ящики с разной степенью пыле- и влагозащиты (IP 31 или IP 54). Внутреннее содержимое ящика включает:

  • предохранители;
  • программаторы;
  • автоматические выключатели;
  • силовые пускатели;
  • клеммные колодки;
  • фотовыключатели.

Ввод и вывод питающих линий производится через верхнюю и нижнюю части корпуса.

Преимущества ЯУО от компании «СМ-Комплект»

Компания «СМ-Комплект» длительное время занимается производством щитового оборудования, имеет отлаженные механизмы контроля качества – наши электрощиты отличаются надежностью и долговечностью. Кроме того, мы занимаемся поставкой комплектующих для сборки устройств, что позволяет нам предлагать разные по цене варианты технической «начинки». Доступные в продаже электрощиты отличаются простым управлением и обслуживанием. Все изделия проходят сертификацию и получают пакет разрешительных документов.

Наши специалисты готовы оказать помощь в инсталляции электрощитов, их введении в эксплуатацию. Вы можете оставить заявку на сборку – представитель компании сделает предварительный расчет стоимости оборудования.

Ящик управления механическими прессами и ножницами Топаз-217#187- взамен устаревших ящиков Я9101, Я9102 в Харькове (Ящики управления асинхронными электродвигателями)

Ящик управления механическими прессами и ножницами Топаз-217»- взамен устаревших ящиков Я9101, Я9102 Обеспечивает полную взаимозаменяемость с ящиками Я9101, Я9102 (по разъемам, циклограмме управления и индикации).

Ящик управления «-Топаз-217»- —- комплектное устройство, по сигналам от существующих органов управления, датчиков, обеспечивает все функции управления кузнечно-прессовой машиной.

«-Топаз-217»- обеспечивает постоянный контроль исправности элементов схемы, подсчет и индикацию числа ходов, управление механизмом регулирования закрытой высоты, управление системой смазки и по установленной в контроллере программе ведёт заданный режим работы. При наличии сигналов аварии, нештатной ситуации – процессор останавливает работу пресса и выдает информацию для оператора о причине остановки.
При использовании «-Топаз-217»- значительно повышается надежность работы кузнечно-прессового оборудования, и выполняются все функции управления в соответствии с требованиями безопасности по ГОСТ 12.2.007 и ГОСТ 12.2.017.

Ящик разработан для ЗАО «-Сальский завод КПО»- с маркировкой КИ2126-093, сертифицирован на соответствие требованиям ГОСТ Р 51321.1 под наименованием «-Топаз-217»-.

Ящики применимы для управления механическими однокривошипными прессами, листогибочными прессами, ножницами, производства следующих предприятий:

  • ЗАО «-Сальский завод КПО»–
  • ОАО «-Воронежпресс»–
  • ОАО «-Барнаульский завод механических прессов»–
  • Пинское РУМП «-Кузлитмаш»–
  • ЗАО «-Завод по выпуску КПО «-Донпрессмаш»- г. Азов-
  • ОАО «-Карпатпрессмаш»- г. Ивано-Франковск-
  • ОАО «-Стрыйский завод КПО»–
  • «-Чимкенское ПО»- по выпуску КПО.

Ведется работа по адаптации контроллера к кузнечно-прессовым машинам других производителей.

На сегодняшний день в эксплуатации на предприятиях находится достаточно большое количество кривошипно-шатунных прессов, ножниц, листогибов ящики управления, которых оснащены очень ненадёжной электроникой разработки 80-х годов, находящейся в плачевном состоянии.

Ящик управления «-Топаз-217»- это современная замена ранее выпускавшегося оборудования, позволяет избежать проблем связанных с простоем оборудования и обеспечить его надёжную работу с соблюдением всех требований по безопасности. Соответствие разъёмов и циклограммы управления со старыми ящиками, позволяет произвести наименьшие изменения в схеме пресса и тем самым существенно сократить трудозатраты на его переоборудование.

При заказе ящика необходимо сообщить:


  • Тип и модель кузнечно-прессовой машины, на которую предполагается установить ящик управления «-Топаз-217»–

  • Мощность главного привода кузнечно-прессовой машины.

Основные технические характеристики ящика:
Наименование параметра
Норма
Примечание
номинальное питающее напряжение сети трёхфазного тока, В
~(380 ± 38)
частота питающей сети, Гц
50 ± 0,5
Номинальные напряжения цепей управления, В
приводами (главным, системы смазки, механизма регулировки)
~110 ± 10%
муфтой тормозом
= 24 ± 10%
средневыпрямленное значение
защитным экраном
= 24 ± 10%
местное освещение
~110 ± 10%
Максимальные токи, А:
силовой цепи дополнительных средств механизации
10
по каждой фазе
цепи управления защитным экраном
0,45
цепи управления муфтой тормозом
0,9
0,45 для каждого канала
цепи управления маслостанцией с пневмоприводом
0,45
цепь местного освещения
2,5- 10
зависит от типоисполнения ящика
номинальный ток главного привода (ток уставки теплового реле), А
1,6- 6,3- 8,0- 10- 12,5- 25- 32- 40
зависит от примененного двигателя
номинальный условный ток короткого замыкания, А
600
наибольшая мощность подключаемых электродвигателей, кВт:
главного привода
10
привода системы смазки
10
привода механизма регулирования
1,0
мощность цепи местного освещения, Вт
60
тип электрических соединений
F – F – F
Режимы работы и виды управления электропневмовентилями муфты-тормоза
Режим работы
Вид управления
Одиночный ход (Х)
двурукое включение *
от педали
от внешнего устройства
Непрерывный ход (авторабота) (Н)
двурукое включение*
от педали
от внешнего устройства
Наладка (Толчок) (Т)
двурукое включение*
Наладка (Толчок) (Т)
двурукое включение*

* Двурукое включение – это двурукое синхронное включение с интервалом времени рассогласования, не превышающим 0,5 секунды. При отпускании любой из кнопок до прохождения ползуном нижней «-мёртвой»- точки муфта отключается. Действует во всех режимах работы при управлении кнопками, кроме режима работы с защитным ограждением.


Ящик обеспечивает:
  • управление системой смазки-
  • управление механизмом регулирования-
  • подсчёт и индикацию числа ходов-
  • самопроверку исправности элементов схемы.

функции контроля (при наличии соответствующих датчиков):

  • тормозного пути-
  • частоты вращения двигателя главного привода-
  • остановки маховика в режиме «-ручной проворот»–
  • закрытой высоты.

световую индикацию:

  • напряжение в схему подано-
  • главный привод включён-
  • нет давления в пневмомагистрали-
  • контроль тормозного пути-
  • работа с защитным устройством рабочей зоны пресса-
  • режим «-авторабота»–
  • режим «-одиночный ход»–
  • режим «-наладка»–
  • режим «-ручной проворот»–
  • управление педалью-
  • двурукое управление-
  • смазка включена-
  • нижний уровень масла-
  • авария смазки.

цифровую индикацию:

  • параметров режима смазки-
  • количество сменных ходов (сбрасываемое)-
  • суммарное количество ходов (несбрасываемое)-
  • величину закрытой высоты с разрешающей способностью 0,1 мм.

защиты и блокировки:

  • защита от короткого замыкания-
  • защита от перегрузки-
  • блокировки, исключающие возможность включения электро-пневмовентилей муфты-тормоза
    • при неограждённой рабочей зоне в режиме «Авторабота» и управление от педали-
    • при работе без сопровождения рук в режиме «Одиночные хода»-
    • если угол выбега эксцентрикового вала (при отключении муфты в конце хода) превысит допустимый-
    • при неисправности датчиков командоаппарата-
    • при обнаружении программой неисправности элементов схемы-
  • блокировки работы электродвигателя главного привода
    • при отсутствии давления в пневмосистеме-
    • при открытой двери ограждения ползуна.

Характеристики управления жидкой смазкой
Параметр
Диапазон
Пределы регулирования паузы по времени, мин
от 1 до 100
Шаг регулирования по времени, мин
1
Пределы регулирования паузы по ходам
от 10 до 1000
Шаг регулирования по ходам
10
Пределы регулирования длительности включённого состояния по времени выдержки под давлением, с
от 1 до 60 с шагом 1
Пределы регулирования длительности включённого состояния по времени работы насоса, с
от 1 до 100 с шагом 1
Автоматическая прокачка системы смазки КПМ при включении питания, циклов
40
Пределы регулирования длительности включенного состояния работы насоса при начальной прокачке, с
от 1 до 10 с шагом 1

Приборы для изучения солнечной физики и космической погоды VI | (2015) | Публикации

SSUSI-Lite: дальний ультрафиолетовый гиперспектральный формирователь изображений для дистанционного зондирования космической погоды
Авторы): Бернар Огоржалек; Стивен Остерман; Уно Карлссон; Мэтью Грей; Джон Хикс; Рэмси Хурани; Самуэль Керем; Кэтрин Маркотт; Чарльз Паркер; Ларри Дж.Пакстон

Показать аннотацию

SSUSI-Lite – это гиперспектральный сканер дальнего ультрафиолета (115–180 нм) для мониторинга космической погоды. Датчики SSUSI и GUVI, их предшественники, продемонстрировали свою ценность в качестве мониторов космической погоды. SSUSI-Lite – это обновленная версия конструкции ультрафиолетового спектрографического формирователя изображения со специальным датчиком (SSUSI), который использовался на космических кораблях оборонной метеорологической спутниковой программы (DMSP) с F16 по F19.Обновление обновляет дизайн 25-летней давности и гарантирует, что следующее поколение датчиков SSUSI / GUVI может быть размещено на любом количестве потенциальных платформ. SSUSI-Lite поддерживает ту же оптическую схему, что и SSUSI, включает обновления ключевых функциональных элементов и снижает требования к объему, массе и мощности датчика. SSUSI-Lite содержит улучшенную конструкцию сканера, которая обеспечивает точное зеркальное наведение и позволяет использовать различные профили сканирования. Электроника детектора была модернизирована, чтобы использовать всю цифровую обработку импульсов.Наибольшее уменьшение объема, массы и мощности было получено за счет объединения всей управляющей и силовой электроники в один блок обработки данных.

Звездная калибровка специального датчика ультрафиолетового изображения конечностей (SSULI) на космическом корабле DMSP
Авторы): П. У. Уокер; А.С. Николас; С.Э. Будзен; Кеннет Даймонд; А. Стефан

Показать аннотацию

SSULI (Special Sensor Ultraviolet Limb Imager) – это спектрометр для сканирования конечностей в дальнем и крайнем ультрафиолете, летающий по программе Defense Meteorological Satellite Program (DMSP). Чувствительность сенсора отслеживается на протяжении всей миссии с помощью случайных звездных явлений, которые в течение нескольких дней отслеживаются в поле зрения сенсора, что позволяет не только построить кривую чувствительности по сравнению с известными звездными спектрами. , но дополнительную информацию о наведении и информацию о поле зрения можно получить, сравнивая ожидаемое и наблюдаемое положение звезды.В частности, поскольку появление звезды прослеживается в поле зрения предсказуемо по одной оси и случайным образом по другой, множественные появления этих точечных источников могут быть использованы для картирования усиления на всей поверхности детектора, показывая наличие и протяженность локализованных усиление проседает. Кроме того, для отслеживания поведения датчика в течение всего срока службы можно использовать множественные, стандартные и запланированные калибровки, включая такие эффекты, как очистка детектора, характеристики фотокатода и возможное загрязнение оптики.Представлены результаты калибровок звезд SSULI 002 / DMSP F18 и SSULI 005 / DMSP F19.

Результаты работы WINCS на орбите
Авторы): Эндрю С. Николас; Фред А. Эрреро; Эндрю В. Стефан; Теодор Финн

Показать аннотацию

Инструмент Winds-Ions-Neutral Composition Suite (WINCS), также известный как Малый спектрометр ветра и температуры (SWATS), был разработан и разработан совместно Лабораторией военно-морских исследований (NRL) и НАСА / Центром космических полетов имени Годдарда (GSFC) для исследования ионосферы-термосферы на орбите высотой от 120 до 550 км.Прибор WINCS содержит четыре спектрометра в одном корпусе, размер, вес и мощность которого совместимы с CubeSat. Эти спектрометры обеспечивают следующие измерения: нейтральный ветер, нейтральную температуру, нейтральную плотность, нейтральный состав, ионный дрейф, ионную температуру, ионную плотность и ионный состав. В настоящее время прибор работает на Международной космической станции и космическом корабле STP-Sat3. Данные спектрометра температуры ионного дрейфа (IDTS) используются для расчета дрейфа ионов, температуры и плотности при наличии больших изменений потенциала космического корабля.Дается краткое изложение будущих полетных манифестов.

Детектор протон-электронной дискриминации (PEDD) для мониторинга космической погоды
Авторы): Чад М. Уитни; Эрик Б. Джонсон; Сяо Цзе Чен; Кристофер Стапельс; Сэм Фогель; Джеймс Кристиан

Показать аннотацию

Электроника, используемая для космических приложений (например,г. спутники связи) восприимчивы к космической погоде, в основном состоящие из электронов и протонов. Поскольку в космосе используется более важное оборудование, необходима комплексная сеть мониторинга для снижения рисков, связанных с радиационным повреждением. Компактные детекторы, отвечающие этим требованиям, слишком сложны или не предоставляют достаточной информации. Поскольку повреждение от электронов (например, эффекты общей ионизирующей дозы) значительно отличается от повреждения протонов (например, эффекты повреждения смещения), для оценки миссии необходимы мониторы, которые могут предоставлять уникальные измерения дозы и / или спектральной информации по отдельности для электронов и протонов. определить стратегии для поддержания функции.Ранее мы продемонстрировали, что детектор протон-электронной дискриминации (PEDD) совместим с космосом и может отличать быстрые электроны от протонов, используя сцинтиллятор дифенилантрецена (DPA), соединенный с кремниевым фотоумножителем CMOS (SiPM). SiPM имеет температурную зависимость, и была разработана схема, обеспечивающая стабильный отклик в зависимости от температуры. Детектор PEDD должен участвовать в эксперименте RHEME на МКС, запуск которого запланирован на 2016 год.

Аномалия в Южной Атлантике и соображения по проектированию CubeSat
Авторы): Джуди А. Феннелли; Уильям Р. Джонстон; Дэниел М. Обер; Гордон Р. Уилсон; Т. Пол О’Брайен; Стюарт Л. Хьюстон

Показать аннотацию

Воздействие Южно-Атлантической аномалии (SAA) на космические аппараты на низкой околоземной орбите (LEO) хорошо известно и задокументировано.SAA подвергает космические аппараты на НОО воздействию высоких доз ионизирующего излучения, а также более высоких, чем обычно, показателей одиночных сбоев (SEU) и одиночных событий (SEL). CubeSats, космические аппараты, построенные из кубов размером 10 x 10 x 10 см, еще более восприимчивы к SEU и SEL из-за использования коммерческих готовых компонентов для электроники и приборов для полезной нагрузки. Представлено исследование SAA с использованием данных Оборонной метеорологической спутниковой программы (DMSP) и нового набора моделей потока частиц.Модели AE9, AP9 и SPM для энергичных электронов, энергичных протонов и космической плазмы были разработаны для использования в проектировании космических систем. Эти модели вводят основанные на данных статистические ограничения на неопределенности измерений и климатологической изменчивости. Представлено обсуждение возможностей и ограничений моделей в отношении конструкции LEO CubeSat.

Исследование эффектов имплантации ионов солнечного ветра в оптические покрытия в связи с работой космического аппарата Solar Orbiter
Авторы): Д.Бакко; А. Дж. Корсо; П. Зуппелла; Р. Бёттгер; Ф. Герлин; Э. Наполитани; Э. Тессароло; М. Нарделло; М. Г. Пелиццо

Показать аннотацию

Ионы низкой энергии, исходящие от солнечного ветра, считаются одной из причин потенциального повреждения оптических приборов и компонентов на борту космического корабля ESA Solar Orbiter.Прогнозы параметров космической радиации доступны для приборов, находящихся на борту такой миссии. Ускорители обычно используются для воспроизведения излучения частиц на космическом корабле в течение его срока службы на уровне земли. Подбирая энергии и эквивалентные дозы, можно воспроизвести повреждения, нанесенные космическим компонентам. Имплантация ионов гелия проводилась на различных однослойных тонких пленках на предприятии LEI в Forschungszentrum Dresden-Rossendorf, варьируя общую дозу.Профиль имплантированных образцов был экспериментально восстановлен с помощью измерений SIMS. Изменение характеристик отражения таких покрытий было экспериментально оценено и смоделировано. Результаты были использованы для проверки потенциального воздействия на прибор METIS и для оптимизации зеркального покрытия M0.

Исследование загрязнения тонкопленочных алюминиевых фильтров шлейфами MMH-NTO, подвергшимися воздействию УФ-излучения
Авторы): Вайбхав Гупта; Сет Виман; Леонид Дидковский; Ральф Хейгес; Юхан Яо; Вэй Ву; Майк Грунтман; Дэн Эрвин

Показать аннотацию

Тонкопленочные алюминиевые фильтры разлагаются в космосе со значительным снижением пропускания в экстремальных ультрафиолетовых (EUV) условиях.Эта деградация наблюдалась на спектрофотометре EUV (ESP) на борту эксперимента по изменчивости EUV обсерватории Solar Dynamics, а также на Solar EUV Monitor (SEM) на борту солнечной и гелиосферной обсерватории. Одной из возможных причин износа таких фильтров с течением времени является загрязнение их поверхностей шлейфами, возникающими в результате периодического срабатывания двигателей их спутника с монометилгидразином (MMH) – тетроксидом азота (NTO). При адсорбции фильтрами молекулы загрязняющих веществ подвергаются воздействию солнечного излучения и могут привести к двум возможным составам.Во-первых, они могут полимеризоваться, что приведет к постоянному накоплению углеводородного слоя на поверхности фильтра. Во-вторых, они могут ускорить и увеличить глубину окисления алюминиевого материала фильтра. Для изучения этого явления мы экспериментально воспроизводим загрязнение таких фильтров в смоделированной среде шлейфами MMH-NTO. Мы применяем сканирующую электронную микроскопию и рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию для определения физических и химических изменений на этих загрязненных поверхностях фильтров.Кроме того, мы представляем наш первый анализ эффектов дополнительных защитных слоев покрытия на основе самоорганизующихся углеродных монослоев для алюминиевых фильтров. Ожидается, что это покрытие значительно снизит их восприимчивость к загрязнению и уменьшит общую деградацию инструментов EUV на основе фильтров в течение срока их службы.

Статус разработки ASPIICS, коронографа с внешним затемнением для PROBA-3
Авторы): Этьен Ренотт; Андрес Алия; Алессандро Бемпорад; Жозеф Бернье; Кристина Браманти; Стив Бакли; Херардо Капобианко; Илеана Черника; Владимир Даниэль; Радослав Даракчиев; Марчин Дарметко; Арно Дебаиз; Франсуа Дени; Ричард Десселль; Лив де Вос; Адриан Динеску; Сильвано Финески; Карл Флери-Френетт; Мауро Фокарди; Орели Фумель; Дэмиен Галано; Камилла Гали; Жан-Мари Гиллис; Томаш Горски; Эстель Граас; Рафал Грачик; Конрад Гроховски; Жан-Филипп А.Халайн; Алин Херманс; Расс Ховард; Карл Джексон; Эммануэль Янссен; Хуберт Каспршик; Яцек Косец; Серж Кучми; Яна Ковачичинова; Нектариос Кранитис; Михал Куровски; Михал Ладно; Филипп Лами; Федерико Ландини; Радек Лапачек; Vít Lédl; Сильви Либек; Давиде Лореджиа; Брайан МакГарви; Джузеппе Массоне; Радек Мелич; Агнес Местро-Гарро; Доминик Молле; Лукаш Мосдорф; Михал Мосдорф; Матеуш Мрочковски; Ралука Мюллер; Джанальфредо Николини; Богдан Никула; Кевин О’Нил; Петр Орлеанский; Мари-Катрин Палау; Маурицио Панкрацци; Антониос Пасхалис; Карел Паточка; Радек Пересты; Ирина Попеску; Павел Псота; Мирослав Ратай; Ян Раутакоски; Марко Ромоли; Роман Рыбецки; Лукас Сальвадор; Жан-Себастьен Сервайе; Корнел Соломон; Иван Стокман; Аркадиуш Сват; Седрик Тизи; Мишель Томе; Канарис Цинганос; Джим Ван дер Мейлен; Нико Ван Вурен; Томаш Вит; Томаш Вальчак; Алисия Зажицкая; Джо Зендер; Андрей Жуков

Показать аннотацию

«Звуковая область» солнечной короны остается чрезвычайно трудной для наблюдения с пространственным разрешением и чувствительностью, достаточной для понимания мелкомасштабных явлений, которые управляют покоящейся солнечной короной, а также явлений, которые приводят к выбросам корональной массы (CME), которые влияют на пространство. Погода.Улучшение в этом направлении требует условий, подобных затмениям, в течение длительного времени наблюдения. Космические коронографы, пролетавшие до сих пор, обеспечивали непрерывное покрытие внешних частей короны, но их система перекрытия не позволяла проанализировать ту часть короны белого света, где сосредоточена основная масса короны. Предлагаемая система коронографа PROBA-3, также известная как ASPIICS (Ассоциация космических аппаратов для поляриметрических и визуализационных исследований солнечной короны), с ее новым дизайном станет первым космическим коронографом, охватывающим диапазон радиальных расстояний между ~ 1 .08 и 3 радиуса Солнца, где магнитное поле играет решающую роль в динамике короны, обеспечивая тем самым условия непрерывных наблюдений, очень близкие к условиям во время полного солнечного затмения. PROBA-3 – это первая миссия, посвященная демонстрации на орбите точных методов и технологий группового полета для будущих европейских миссий, в которых ASPIICS будет использоваться в качестве основной полезной нагрузки. Инструмент распределен между двумя спутниками, которые летят строем (примерно 150 м друг от друга), образуя гигантский коронограф, способный производить почти идеальное затмение, позволяя наблюдать солнечную корону ближе к краю, чем когда-либо прежде.Инструмент коронограф разработан крупным европейским консорциумом, в который входят около 20 партнеров из 7 стран под эгидой Европейского космического агентства. В этом документе анализируются последние улучшения и обновления конструкции инструмента ASPIICS на этапе его детального проектирования.

Дизайн и моделирование оптики ASPIICS
Авторы): С.Гали; С. Финески; Д. Галано; Р. А. Ховард; К. Кинцигер; В. Киршнер; С. Кучми; П. Лами; А. Маццоли; Р. Мелич; А. Местро-Гарро; Э. Ренотт; Ж. С. Сервайе; Ю. Штокман; К. Тизи; А. Жуков

Показать аннотацию

В рамках развития ASPIICS (Ассоциация космических аппаратов для поляриметрических и визуальных исследований короны Солнца) Центр Spatial de Liege отвечает за оптический дизайн коронографа, а оптика будет производиться TOPTEC.Особенность этого коронографа заключается в том, что внешний затвор, расположенный в 150 м перед первой линзой для визуализации. Этот внешний затмение отображается на внутреннем затмении, функция которого, как и в классическом коронографе Лио с внешним затенением, состоит в том, чтобы блокировать солнечный свет, дифрагированный внешним затмением, и уменьшать паразитный свет на детекторе. Выбор этой конфигурации обусловлен требованием наблюдать корону как можно ближе к лимбу Солнца (т.е. 1 R Sun ) без визуализации самого лимба.Требование 1.08 R Sun указано на уровне проектирования оптики, чтобы предоставить 1.2 R sun на уровне приборов. Инструмент коронографа имеет поле зрения 1,6 ° x 1,6 ° с разрешением менее 6 угловых секунд. Его характеристики ограничены дифракцией в диапазоне длин волн 530–590 нм. В этой статье представлена ​​оптическая конструкция и показано, что при проектировании требования выполняются в пределах несоосности, производственных и термоупругих погрешностей.

Датчики теневого позиционирования (SPS) для метрологии группового полета на борту миссии ESA-PROBA3
Авторы): А. Бемпорад; К. Баккани; Г. Капобьянко; С. Финески; М. Фокарди; Ф. Ландини; Д. Лореджиа; Г. Массоне; Г. Николини; В.Ноче; М. Панкрацци; М. Ромоли; С. Бакли; К. О’Нил; Э. Ренотт; Ж. С. Сервайе; К. Тизи

Показать аннотацию

PROBA3 – это технологическая миссия ЕКА, посвященная демонстрации на орбите техники группового полета (FF) с двумя спутниками, находящимися на среднем расстоянии около 144 м.Прибор ASPIIC на борту PROBA3 будет первым в истории космическим коронографом, работающим на одном спутнике и имеющим внешний оккультный свет, расположенный на втором спутнике, что позволит проводить наблюдения внутренней солнечной короны с беспрецедентным сокращением рассеянного света. Во время периодов наблюдений конфигурация FF будет поддерживаться с очень высокой точностью, и будут реализованы два разных метода: использование датчиков теневого позиционирования (SPS), расположенных на космическом корабле Coronagraph (диоды, измеряющие интенсивность полутеневого света на плоскости входного зрачка) и использование светодиодов датчика положения оккультера (OPSE), расположенных на задней стороне космического корабля оккультера.В этой статье будут рассмотрены основные требования к SPS, необходимые для определения трехмерного относительного позиционирования двух спутников PROBA3 с высокой точностью.

Формирование летающей метрологии для миссии ESA-PROBA3: считывающая электроника кремниевых фотоумножителей (SiPM) Shadow Position Sensors (SPS)
Авторы): М.Focardi; А. Бемпорад; С. Бакли; К. О’Нил; С. Финески; В. Ноче; М. Панкрацци; Ф. Ландини; К. Баккани; Г. Капобьянко; М. Ромоли; Д. Лореджиа; Г. Николини; Г. Массоне; К. Тизи; Ж. С. Сервайе; Э. Ренотт

Показать аннотацию

Европейское космическое агентство (ЕКА) планирует запустить в 2018 году миссию PROBA3, предназначенную для демонстрации возможности ориентации двух своих спутников на орбите в групповом полете (FF) и наблюдения за внутренней частью видимой солнечной короны в качестве основной научной цели.Солнечная корона будет наблюдаться благодаря присутствию на первом спутнике, обращенном к Солнцу, внешнего затмения, производящего искусственное затмение солнечного диска. Второй спутник будет оснащен телескопом-коронографом и системой цифровой камеры для получения изображений внутренней части короны в видимом поляризованном свете от 1,08 R ⦿ до примерно 3 R ⦿ . Одна из основных метрологических подсистем, используемых для контроля и поддержания относительного (то есть между двумя спутниками) и абсолютного (т.е. относительно Солнца) FF – это датчик положения тени (SPS) в сборе. Он состоит из восьми микромассивов кремниевых фотоумножителей (SiPM), способных измерять с необходимой чувствительностью и динамическим диапазоном интенсивность полутеневого света на входном зрачке коронографа. Далее в настоящей статье мы описываем всю подсистему SPS и ее считывающую электронику с точки зрения возможности удовлетворения требований миссии, от процесса преобразования света на борту кремниевых устройств SPS до считывания и дискретизации цифрового сигнала.Значение дифракции затенения для метрологии полета формации PROBA3 / ASPIICS
Авторы): Федерико Ландини; Алессандро Бемпорад; Мауро Фокарди; Сильвано Финески; Марко Ромоли; Маурицио Панкрацци; Кристиан Баккани; Херардо Капобианко; Давиде Лореджиа; Джанальфредо Николини; Джузеппе Массоне; Владимиро Ноче; Седрик Тизи; Жан-Себастьен Сервайе; Этьен Ренотт

Показать аннотацию

PROBA-3 / ASPIICS – это формационный летающий коронограф, выбранный ЕКА и в настоящее время находящийся на стадии C / D.Он состоит из двух космических аппаратов (OSC, Occulter SpaceCraft, несущий оккультер, диаметром 142 см, и CSC, Coronagraph SpaceCraft, с телескопом), разделенных расстоянием ~ 144 м, сохраняемых в строгом совмещении с помощью активной настраиваемой системы. Наиболее важными компонентами активной системы выравнивания являются теневые датчики позиционирования (SPS), серия Si-PM (кремниевых фотоумножителей), измеряющих полутень, создаваемую оккультором. Расположение SPS вокруг входной апертуры телескопа определяется как компромисс между механическими ограничениями и максимальной чувствительностью к перекосам.Сигнал, обнаруженный SPS, может быть приблизительно смоделирован с помощью геометрического анализа, основанного на изменении полутени, создаваемой внешним затмением. Рассеянный свет, создаваемый дифракцией от внешнего затмения, может повлиять на сигнал SPS. Обязательно внимательно оценить его уровень, чтобы уточнить алгоритм активной регулировки выравнивания. Настоящая работа посвящена описанию предварительного исследования, проведенного с целью оценки влияния дифракции на сигнал SPS.

Метрологическая система OPSE на борту миссии PROBA3 ESA
Авторы): Д. Лореджиа; А. Бемпорад; Г. Капобьянко; С. Финески; М. Фокарди; Ф. Ландини; Г. Массоне; Г. Николини; М. Панкрацци; М. Ромоли; И. Черника; М.Purica; Э. Будиану; К. Тизи; Э. Ренотт; Ж. С. Сервайе

Показать аннотацию

В последние годы ЕКА провело оценку нескольких миссий, связанных с групповым полетом (FF). Большой интерес к этой теме вызван, главным образом, необходимостью переноса с земли в космос местоположения астрономических телескопов следующего поколения, позволяющих преодолеть большинство критических проблем, таких как, например, создание огромных баз для интерферометрии.В этом сценарии метрологические системы играют решающую роль. PROBA3 – это технологическая миссия ЕКА, посвященная демонстрации на орбите технологии FF с двумя спутниками, оккультером и основным спутником, в котором размещен коронограф под названием ASPIICS, поддерживаемый на среднем расстоянии около 144 м с точностью до микрона. Направляющее предложение состоит в том, чтобы протестировать несколько метрологических решений для центровки космических аппаратов, с важным научным результатом наблюдения короны в никогда ранее не достигнутом угловом поле.Датчики положения тени (SPS) и датчики оптических излучателей положения (OPSE) – это две системы, используемые для точного отслеживания FF. Доработаны SPS для наблюдения за положением двух космических аппаратов относительно Солнца, и они обсуждаются в специальных статьях, представленных на этой конференции. OPSE будет отслеживать относительное положение двух спутников и состоит из 3 излучателей, расположенных на задней поверхности оккультера, которые будут наблюдаться самим коронографом. Следуя эволюции изображений излучателей в фокальной плоскости, выравнивание двух космических аппаратов восстанавливается с помощью специального алгоритма центроида.Мы представляем обзор системы OPSE и подхода центроида.

Телескоп экстремального ультрафиолетового излучения на борту космического корабля Solar Orbiter: обзор фаз C и D
Авторы): Ж.-П. Халайн; П. Рохус; Э. Ренотт; А. Германс; Л. Жак; Ф. Ошер; Д.Бергманс; Л. Харра; У. Шюле; В. Шмутц; А. Жуков; Р. Аснар Куадрадо; Ф. Дельмотт; К. Дюменил; М. Гё; Т. Кеннеди; П. Смит; Дж. Тэнди; Р. Мерсье; К. Вербек

Показать аннотацию

Миссия Solar Orbiter состоит из десяти научных инструментов, предназначенных для наблюдения за атмосферой Солнца и его гелиосферой, используя преимущества внеэклиптической орбиты и в перигелии, близком к 0.28 A.U. На борту Solar Orbiter сканер Extreme Ultraviolet Imager (EUI) будет обеспечивать последовательности изображений солнечной короны в крайнем ультрафиолете (17,1 нм и 30,4 нм), а также последовательности изображений солнечного диска с высоким разрешением в крайнем ультрафиолете ( 17,1 нм) и в вакуумном ультрафиолете (121,6 нм). В концепции EUI используется наследие от предыдущего аналогичного прибора для работы с экстремальным ультрафиолетом. Однако дополнительные ограничения со стороны конкретной орбиты (тепловая и радиационная среда, ограниченная загрузка телеметрии) требовали специальных технологий для достижения научных целей миссии.Фаза разработки C прибора и его подсистем была успешно завершена, включая проверки термомеханических и электрических расчетов с использованием структурной тепловой модели (STM) и инженерной модели (EM). Приборные блоки СТМ и ЭМ интегрированы в соответствующие модели космических аппаратов и будут проходить испытания на системном уровне. Параллельно с этим началась фаза D с квалификацией подсистем и производством летных деталей. Следующими этапами разработки EUI станут интеграция квалификационной модели (QM) прибора и квалификационные тесты.После этого за прибором полетной модели (FM) последуют приемочные испытания и калибровочные кампании.

Аппарат для формирования изображения солнечного орбитального аппарата в крайнем ультрафиолетовом диапазоне: оптическая конструкция и схема юстировки
Авторы): Ж.-П. Халайн; А. Маццоли; С. Майнинг; П. Рохус; Э. Ренотт; Ф.Ошер; У. Шюле; Ф. Дельмотт; К. Дюменил; А. Филипон; Р. Мерсье; А. Херманс

Показать аннотацию

Тепловизор экстремального ультрафиолета (EUI) – один из инструментов дистанционного зондирования на борту космического корабля Solar Orbiter. Он обеспечит двухдиапазонные полноэкранные изображения солнечной короны в крайнем ультрафиолете (17.1 нм и 30,4 нм), а также изображения солнечного диска с высоким разрешением как в крайнем ультрафиолете (17,1 нм), так и в вакуумном ультрафиолете (Lyman-alpha 121,6 нм). Оптическая конструкция EUI унаследована от предыдущих аналогичных инструментов. Канал Full Sun Imager (FSI) представляет собой однозеркальный телескоп конструкции Herschel. Два канала формирователя изображения высокого разрешения (HRI) основаны на двухзеркальной оптической рефракционной схеме, одном из которых является оптическая схема Ричи-Кретьена и одна оптическая схема Грегори для каналов EUV и Лайман-альфа, соответственно.Спектральные характеристики каналов EUI достигаются благодаря специальным зеркальным многослойным покрытиям и специальным полосовым фильтрам. В канале FSI используется двухполосное зеркальное покрытие в сочетании с полосовыми фильтрами из алюминия и циркония. В каналах HRI используются оптимизированные зеркальные покрытия с селективной полосой пропускания в сочетании с алюминиевыми полосовыми фильтрами и узкополосными интерференционными фильтрами для Lyman-alpha. Оптические характеристики являются результатом точных допусков на изготовление зеркала и двухэтапной процедуры юстировки.Сначала совмещаются основные зеркала. Затем настраивают положение вторичных зеркал HRI и фокальных плоскостей для получения оптимального интерферометрического резонатора в каждом из этих двух каналов. Для этой цели была подготовлена ​​специальная установка для проверки юстировки, состоящая из фиктивного узла фокальной плоскости, представляющего положение детектора. Перед юстировкой на летном оптическом стенде общий метод юстировки был проверен на структурной и термической модели, на манекене с использованием запасной летной оптики, а затем на квалификационной модели, которая будет использоваться для проверки системы и аттестации.

Анализ коронографа METIS на орбитальном аппарате Solar Orbiter в рассеянном свете
Авторы): С. Финески; П. Сандри; Ф. Ландини; М. Ромоли; В. ДаДеппо; Ф. Фрассетто; Э. Веррой; Г.Налетто; Д. Мореа; Э. Антонуччи; Д. Спадаро; В. Андретта

Показать аннотацию

Коронограф METIS на борту космического аппарата Solar Orbiter будет иметь уникальную возможность наблюдать за внешней атмосферой Солнца на расстоянии 0,28 а. Е. От Солнца и под углом до 35 ° вне эклиптики. Конструкция телескопа коронографа METIS включает два оптических пути: i) широкополосное изображение полной короны в линейно поляризованном видимом свете (VL: 580-640 нм), ii) узкополосное изображение полной короны в ультрафиолетовом свете. (УФ) Лайман α (121.6 нм). В этой статье описывается анализ рассеянного света, выполненный на каналах UV и VL телескопа METIS с непоследовательной модальностью Zemax OpticStudio. Подробная оптико-механическая модель телескопа METIS моделируется путем размещения деталей САПР всех узлов в номинальном положении. Каждая поверхность, механическая и оптическая, снабжена смоделированным покрытием и BSDF, воспроизводящим оптические и рассеивающие свойства. Геометрическая модель позволяет проверить правильность функционирования блокирующих элементов внутри телескопа и оценить уровень рассеянного света из-за шероховатости поверхности.Дифракция от внутреннего края IEO на плоскости IO моделируется отдельно от фактора микрошероховатости поверхности. Также анализируются составляющие из-за загрязнения частицами и косметических дефектов. Полученные результаты объединяются и сравниваются с требованиями рассеянного света. Результаты этого анализа вместе с результатами двух различных анализов, основанных на трассировке лучей Монте-Карло и полуаналитической модели, согласуются друг с другом и показывают, что конструкция METIS соответствует требованиям к уровню паразитного света.

Многослойные покрытия EUV для солнечной визуализации и спектроскопии
Авторы): Дэвид Л.Windt

Показать аннотацию

В этой статье описывается недавний прогресс в разработке новых многослойных покрытий EUV для физики Солнца. В частности, мы представляем результаты, полученные с использованием мультислоев Pd / B4C / Y, Al / Zr и Al-Mg / SiC, предназначенных для работы при нормальном падении в диапазоне длин волн 9–50 нм. Мы описываем разработку как периодических многослойных пленок, предназначенных для узкополосной визуализации, так и непериодических многослойных пленок, предназначенных для спектроскопии с широким спектральным откликом.Более высокий коэффициент отражения EUV, обеспечиваемый этими новыми покрытиями, по сравнению с покрытиями более старого поколения, такими как Si / Mo, Mo / Y и другие, будет способствовать разработке будущих инструментов физики Солнца как для визуализации, так и для спектроскопии, имеющих более высокое пространственное и спектральное разрешение. поддерживая время экспозиции и каденции, необходимые для захвата эволюции вспышек, струй, CME и других динамических процессов в солнечной атмосфере.

Корональные и гелиосферные формирователи изображений явлений солнечного ветра
Авторы): Кевин Ф.Миддлтон; Энтони Бурдель; Джеки А. Дэвис; Крис Дж. Эйлз; Дуг К. Гриффин; Ричард А. Харрисон; Тони Р. Ричардс; Дж. Кевин Роджерс; С. Джеймс Таппин; Ян А. Дж. Тош; Ник Р. Уолтем

Показать аннотацию

RAL Space расширяет свою программу, чтобы возглавить развитие европейских возможностей в области космических приборов для визуализации корональных и гелиосферных изображений в видимом свете в свете открывающихся возможностей, таких как программа Европейского космического агентства по осведомленности о космической обстановке и недавний вызов малой миссии S2.Визуализация в видимом свете корональных и гелиосферных явлений солнечного ветра, таких как выбросы корональной массы и области взаимодействия, имеет решающее значение для исследований космической погоды как с оперативной точки зрения, так и с точки зрения поддержки фундаментальной науки. Эта работа основана на наследии таких научных инструментов, как LASCO (широкоугольный и спектрометрический коронограф) на космическом корабле SOHO, SMEI (тепловизор выброса солнечной массы) на космическом корабле Кориолиса и инструменты HI (гелиосферный формирователь изображения) на STEREO.Такое наблюдение структур солнечного ветра в видимом свете основано на обнаружении солнечного света, который был рассеяен Томсоном электронами (так называемая K-корона). Сигнал, рассеянный Томсоном, должен быть извлечен из других сигналов, которые могут быть на много порядков больше (например, от F-короны и самого солнечного диска), и это накладывает строгие ограничения на подавление рассеянного света, а также на стабильность наведения. и точность. Мы обсуждаем определение требований к приборам, ключевые компромиссы при проектировании и эволюцию базовых схем для коронального и гелиосферного режимов.Мы объясняем, как следующее поколение приборов будет опираться на это наследие, а также, в некоторых случаях, решать проблемы, связанные с ресурсами, необходимыми для оперативных формирователей изображений космической погоды. В частности, мы обсуждаем проблемы оптической инженерии, связанные с проектированием этих инструментов.

Солнечный рентгеновский спектрометр Брэгга SolpeX
Авторы): Д.Cisłowski; Дж. Сильвестер; М. Стенслицкий; С. Плоценяк; J. Bąkała; Ż. Szaforz; М. Ковалински; П. Подгорский; В. Тшебиньски; Х. Эрнандес; Я. Барылак; А. Барылак; Сергей Кузин

Показать аннотацию

Обнаружение поляризации и измерение спектров рентгеновского излучения солнечных вспышек необходимы для улучшения нашего понимания процессов высвобождения энергии этих самых энергетических явлений в Солнечной системе.Мы представим некоторые детали конструкции SolpeX – инновационного брэгговского поляриметра и спектрометра мягкого рентгеновского вспышки. Прибор является частью КОРТЕС – российского приборного комплекса, который будет установлен на борту научного модуля, который будет прикреплен к Международной космической станции (2017/2018 гг.). SolpeX будет состоять из трех отдельных измерительных блоков: поляриметра мягкого рентгеновского излучения с порогом обнаружения линейной поляризации 1-2%, рентгеновского спектрометра с быстровращающимся плоским кристаллом и очень высоким временным разрешением (0.1 с) и простой обскурной мягкий рентгеновский формирователь изображения-спектрометр с умеренным пространственным (~ 20 угловых секунд), спектральным (0,5 кэВ) и высоким временным разрешением (0,1 с). Наличие быстро вращающегося устройства, которое будет снабжаться энергией, телеметрией и «интеллектом», представляет собой проблему для дизайнера. Некоторые решения этой проблемы будут предоставлены и описаны. ASO-S: Современная космическая солнечная обсерватория
Авторы): Вэйцюнь Ган; Yuanyong Deng; Хуэй Ли; Цзянь Ву; Хайин Чжан; Джин Чанг; Чанья Чен; Чжицян Чжан; Бо Чен; Ли Фэн; Цзяньхуа Го; Имин Ху; Ю Хуанг; Чжаохуэй Ли; Юмин Пэн; Дунгуан Ван; Хун Ван; Цзяньин Ван; Дешенг Вэнь; Чжэнь Ву; Чжэ Чжан; Эрсинь Чжао

Показать аннотацию

ASO-S – это миссия, предложенная китайским солнечным сообществом для 25-го солнечного максимума.Научные цели – изучить взаимосвязь между магнитным полем Солнца, солнечными вспышками и корональными выбросами массы (CME). ASO-S состоит из трех полезных нагрузок: магнитографа с полным диском (FMG), солнечного телескопа Lyman-alpha (LST) и тепловизора жесткого рентгеновского излучения (HXI) для измерения магнитного поля Солнца, наблюдения CME и солнечных вспышек соответственно. ASO-S сейчас находится на стадии B исследований. Этот документ представляет собой краткое введение в миссию.

Система освещения в видимом свете с переменной расходимостью Солнца для коронографа солнечного орбитального аппарата METIS
Авторы): М.Торди; М. Бартолоцци; С. Финески; Г. Капобьянко; Г. Массоне; С. Чезаре

Показать аннотацию

Измерение способности METIS по подавлению паразитных сигналов является частью приемочного пакета прибора. Система освещения в видимом свете (ISVL) была разработана для измерения подавления паразитного света до 1×10 -9 и в различных рабочих условиях.Обрисовываются и обсуждаются основные характеристики ISVL; деятельность по интеграции и проверке ISVL включала определение абсолютных радиометрических характеристик объекта, включая измерение яркости и пространственное и угловое распределение яркости. Обсуждаются процедуры, используемые для измерения характеристик объекта, и проиллюстрированы полученные результаты.

% PDF-1.3 % 938 0 объект > эндобдж xref 938 70 0000000016 00000 н. 0000001752 00000 н. 0000008235 00000 н. 0000008743 00000 н. 0000009331 00000 п. 0000018214 00000 п. 0000018878 00000 п. 0000019963 00000 п. 0000020867 00000 п. 0000021522 00000 п. 0000021724 00000 п. 0000022099 00000 н. 0000022679 00000 п. 0000022701 00000 п. 0000022835 00000 п. 0000023117 00000 п. 0000023761 00000 п. 0000024108 00000 п. 0000025254 00000 п. 0000025471 00000 п. 0000025809 00000 п. 0000026634 00000 п. 0000026656 00000 п. 0000027435 00000 п. 0000028007 00000 п. 0000028526 00000 п. 0000029006 00000 н. 0000036972 00000 н. 0000037645 00000 п. 0000037667 00000 п. 0000038003 00000 п. 0000038350 00000 п. 0000043570 00000 п. 0000044101 00000 п. 0000044320 00000 п. 0000044881 00000 п. 0000044903 00000 п. 0000045216 00000 п. 0000045656 00000 п. 0000046030 00000 п. 0000046459 00000 п. 0000054624 00000 п. 0000055304 00000 п. 0000057833 00000 п. 0000058081 00000 п. 0000058523 00000 п. 0000058992 00000 н. 0000059420 00000 п. 0000059705 00000 п. 0000060000 00000 н. 0000060334 00000 п. 0000063218 00000 п. 0000063903 00000 п. 0000063925 00000 п. 0000064568 00000 п. 0000064590 00000 п. 0000065181 00000 п. 0000065203 00000 п. 0000065807 00000 п. 0000065829 00000 п. 0000065969 00000 п. 0000071314 00000 п. 0000076288 00000 п. 0000076859 00000 п. 0000076932 00000 п. 0000077005 00000 п. 0000077078 00000 п. 0000077135 00000 п. 0000001843 00000 н. 0000008211 00000 п. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 939 0 объект > эндобдж 1006 0 объект > ручей H L | wg |> c_ _91 $ kLJZ2RșͭJ6 * i]: PG) k4J1 = ӽz>

Произошла ошибка при настройке вашего пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности.Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

  • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
  • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались.Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
  • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
  • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
  • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie.Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

тезисов JEM: апрель 1996 г.

тезисов JEM: апрель 1996 г.

СПЕЦИАЛЬНЫЕ ВЫПУСКНЫЕ ДОКУМЕНТЫ

Предисловие
Часть II: Обработка и характеризация
Университет Хоккайдо в городе Саппоро впервые стал местом проведения 7-й Международной конференции по фосфиду индия и родственным материалам (IPRM’95), которая проводилась в Японии.На этом прекрасном северном острове Хоккайдо ни одна деталь не могла ускользнуть от внимания организационных комитетов IPRM’95. Каждое мероприятие, от технического до социального, было спланировано с точностью и продуманностью. Англоговорящие гиды из университетов временами превосходили по численности попутчиков. Безоговорочно, техническое качество представленных и приглашенных документов было превосходным, что свидетельствует о статусе IPRM как крупного форума III-V полного спектра. Основная идея этой конференции – предложить своим делегатам всю пищевую цепочку технологий от партии товаров до устройств, включая доступ к коммерческим поставщикам материалов и оборудования, столь важных для фундаментальных исследований III-V и разработки продуктов.Во втором из двух специальных выпусков представлены материалы конференции, посвященные вопросам обработки и определения характеристик, а в части I основное внимание уделяется эпитаксии и объемному росту.

Движущей силой оптических технологий является обещание скорости и пропускной способности сетевых приложений. Дискретные устройства с рекордными характеристиками являются лишь индикаторами функциональной оптоэлектронной схемы и потенциала системы. В свою очередь, стали необходимы новые инструменты обработки, которые могут обеспечить фотонную интеграцию.Было совершенно очевидно, что область обработки переживает возрождение исследований в нескольких областях, особенно в области пассивации и контроля поверхностей и интерфейсов. Похоже, что общей целью многих исследователей является развитие обработки на месте. В одном случае долгоживущая проблема сильно закрепленного уровня Ферми на поверхности InP была проанализирована и решена с помощью процесса электрохимического травления и металлизации in-situ, что позволило создать неограниченный барьер Шоттки на незакрепленной поверхности.Другой простой, но эффективный метод – пассивирование поверхности и контроль скалывания с помощью низкотемпературной химической обработки CdS-тиомочевиной. Процесс эффективно удаляет природные оксиды, создает барьер для повторного роста оксидов и образует мостиковые связи III-S, уменьшающие ловушки из-за P-вакансий. Технологии обработки in-situ дополнительно совершенствуются за счет использования химического травления пучком в сочетании с методами выращивания CBE и GSMBE. Были представлены новые усовершенствованные методы изготовления устройств, такие как сплавление и пассивация с перевернутым эпитаксиальным переносом для различных электронных и оптоэлектронных устройств.Среди других достижений – InP-лазеры, непосредственно связанные с Si, и фотодетекторы со сплавленными пленками, селективными по длине волны, позволяющие создавать индивидуальные интегрированные устройства и дизайн OEIC. Формирование множества лазерных зеркал в новом лазере с многократным отражением с микрополостью было достигнуто путем вертикального химического травления, и были обсуждены высоконадежные методы пассивации электронных устройств с точки зрения практического применения.

В 1996 году восьмая международная конференция IPRM пройдет в Швебиш-Гмюнд, Германия, в конференц-центре Stadtgarten с 22 по 25 апреля.

ДЖО ЛОРЕНЦО, ОСАМУ ВАДА, ХАДЖИМЕ АСАХИ и ХИДЕКИ ХАСЕГАВА
Приглашенные редакторы

Высокая подвижность электронов 18300 см 2 / V . с в псевдоморфной структуре InAlAs / InGaAs, полученной с помощью канальной модуляции состава индия
Т. НАКАЯМА, Х. МИЯМОТО, Э. ОИСИ и Н. САМОТО
Kansai Electronics Research Laboratories, NEC Corporation, 2-9-1 Seiran, Otsu, Shiga 520, Japan.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Подвижность электронов, InAlAs, InAs, InGaAs, полевой транзистор с гетеропереходом (HJFET), псевдоморфная структура
Наибольшая подвижность электронов, о которой сообщалось ранее, для псевдоморфной структуры на основе InP при комнатной температуре, 18300 см 2 / V . с, было получено с использованием структуры с каналом, модулированным составом индия, а именно: In 0,53 Ga 0,47 As / In 0,8 Ga 0,2 As / InAs / In 0,8 Ga 0,2 As / In 0,53 Ga 0,47 As. Хотя общая толщина слоев с высоким содержанием In (In 0,8 Ga 0,2 As / InAs / In 0,8 Ga 0,2 As) превышает критическую толщину, предсказываемую теорией Мэтьюса, In 0.8 Ga 0,2 As Вставка позволяет формировать гладкие гетерограницы In 0,53 Ga 0,47 As / In 0,8 Ga 0,2 As и In 0,8 Ga 0,2 As / InAs. Эта структура может успешно улучшить удержание носителей в слоях с высоким содержанием In. Можно ожидать, что это превосходное ограничение носителей приведет к самой высокой подвижности электронов, о которой еще сообщалось.

Надежность HEMT AlInAs / InGaAs / InP с омическими контактами WSi
ЧАС.SASAKI, 1,2,3 K. YAJIMA, 1 N. YOSHIDA, 2 T. ISHIDA, 2 R. HATTORI, 2 T. SONODA, 2 O. ISHIHARA, 2 S. TAKAMIYA, 2 R. KONISHI, 3 и K. ANDO 3
1 – Отдел обеспечения качества, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara Itami City, Hyogo 664, Japan. 2 – Лаборатория оптоэлектронных и микроволновых устройств, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Mizuhara Itami City, Hyogo 664, Japan.3 – Инженерный факультет Университета Тоттори, 4-101, Кояма, Тоттори 680, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
AlInAs / InGaAs / InP HEMT, деградация, EDX, испытание на долговечность, омическое сопротивление контакт, WSi, X-TEM
Мы исследовали механизм деградации Al 0,48 In 0,52 As / In 0,53 Ga 0,47 As / InP транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) с использованием омических электродов WSi. Поперечное сечение просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) и энергодисперсионный рентгеновский анализ (EDX) показывают диффузию примесей электрода затвора (титан: Ti) и фтора (F) в слое AlInAs после высокой температуры (T a = Испытание на срок службы при 170 ° C в течение 500 часов.Уменьшение тока стока (I ds ) во время ресурсных испытаний показывает линейную зависимость от квадратного корня из времени старения. Это предполагает, что деградация контролируется диффузионным механизмом. Следовательно, предполагаемый механизм деградации этого устройства связан с уменьшением концентрации носителей в эпитаксиальном слое из-за этих диффузных примесей. С другой стороны, TEM и EDX не показывают ухудшения интерфейса WSi / InGaAs после старения. Таким образом, электрод WSi для этого типа HEMT демонстрирует превосходную высокую стабильность при ускоренном испытании на срок службы.

Вызванное примесью разупорядочение квантовых ям AlGaInAs путем низкотемпературной диффузии Zn
КАЗУХИКО ИТАЯ, 1 MARK J. MONDRY, 2 PHILIP D. FLOYD, 2 LARRY A. COLDREN, 2 and JAMES L. MERZ 3
1 – Кафедра электротехники и вычислительной техники, Университет of California, Santa Barbara, Santa Barbara, CA 93106. В отпуске от Toshiba Co., Япония, в настоящее время, Toshiba Materials and Devices Laboratories, 1 Komukai Toshibacho, Saiwai-ku, Kawasaki 210, Japan.2 – Департамент электротехники и вычислительной техники, Калифорнийский университет, Санта-Барбара, Санта-Барбара, Калифорния 93106. 3 – Постоянный адрес: Департамент электротехники, Университет Нотр-Дам, Нотр-Дам, IN 46556-5637.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
1,5 мкм, AlGaInAs, диффузия, разупорядочение, лазерный диод, многоквантовая яма (МКЯ), деформация, Zn
Мы исследовали индуцированное примесью разупорядочение (IID) в многоквантовых ямах (МКЯ) AlGaInAs на подложке InP путем диффузии Zn в условиях низких температур.Синий сдвиг ширины запрещенной зоны МКЯ AlGaInAs с согласованной решеткой на InP сильно зависит от температуры диффузии Zn. МКЯ с согласованной решеткой не была полностью разупорядочена ниже 500 ° C. С другой стороны, спектры фотолюминесценции деформированной сжатием МКЯ AlGaInAs после разупорядочения не зависели от температуры диффузии Zn. Значительное разупорядочение наблюдалось в напряженной МКЯ, которая была насыщена даже при низкой температуре 400 ° C. Измеренная концентрация дырок в диффузном слое Zn при 400 ° C была всего 3 · 10 18 см -3. Лазеры IID также были изготовлены и охарактеризованы. В этих лазерах не наблюдалось значительного увеличения оптических потерь из-за диффузии Zn.

Химическое травление InP пучком в GSMBE
J-L. ДЖЕНТНЕР, 1 PH. JARRY, 2 и L. GOLDSTEIN 2
1 – Alcatel Alsthom Recherche, Route de Nozay, F- Marcoussis (Франция). электронная почта :[email protected]. 2 – Alcatel Alsthom Recherche, Route de Nozay, F- Marcoussis (Франция).

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Травление, InP, молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), PCl 3 , дифракция электронов высоких энергий на отражение (RHEED)
Травление InP с использованием пучка PCl 3 демонстрируется на стандартной установке для молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником. Описан принцип метода точного определения конечной точки атомного слоя с использованием in-situ дифракции высокоэнергетических электронов на отражение , который используется для изучения кинетики травления PCl 3 .Скорость травления пропорциональна флюенсу PCl 3 и слабо зависит от температуры подложки. Морфология протравленных поверхностей и однородность скорости травления совместимы с отрастанием высококачественных активных структур InGaAsP и с реализацией последовательностей травления и отрастания, контролируемых в нанометровом масштабе. Профили травления на краях маски определяются почти идеальными кристаллографическими гранями с очень ограниченным вырезом маски (100 нм) из-за лучевой природы техники травления.

Морфологические и электрические характеристики контактов Al / Ni / n -InP с конической вставкой Ni-слоя
С. МИЯЗАКИ, Т.-К. LIN, C. NISHIDA, H.T. KAIBE и T. OKUMURA ​​
Департамент электроники и информационной инженерии, Токийский столичный университет, 1-1, Минами-Осава, Хатиодзи, Токио 192-03, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Контакт Al / Ni, InP, сканирующая внутренняя фотоэмиссионная микроскопия, увеличение высоты барьера Шоттки, коническая вставка Ni-слой
Добавление тонкого слоя Ni улучшило морфологию поверхности контактов Al / n -InP, которые показывают увеличенную высоту барьера Шоттки (SBH) после быстрого термического отжига.Чтобы определить оптимальную толщину вводимого слоя Ni, мы изготовили уникальный образец, в котором толщина вводимого слоя Ni уменьшалась в пространстве. Улучшение морфологии поверхности, а также усиление SBH были реализованы путем введения 35 нм слоя Ni, отожженного при довольно низких температурах (около 450 ° C). Твердофазная реакция между Ni и InP может играть важную роль в низкотемпературном образовании AlP, который отвечает за усиление SBH.

Лазер с квантовыми ямами с деформацией 1,3 мкм на градиентном буфере InGaAs с подложкой GaAs
T. UCHIDA, 1 H. KURAKAKE, 1 H. SODA, 2 и S. YAMAZAKI 1
1 – Fujitsu Laboratories Ltd., 10-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi 243-01, Япония . 2 – Fujitsu Limited, 1015 Камикоданака, Кавасаки 211, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Характеристическая температура, градиентный по составу слой, InGaAs / GaAs, лазер, релаксация решетки, эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOVPE), квантовая яма (QW), Se
Мы выросли на 1.Лазер с квантовыми ямами с напряженным слоем 3 мкм (SL-QW) со слоями оболочки InGaP на буферном слое для релаксации решетки методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. В качестве буфера для релаксации решетки использовалась градиентная по составу структура InGaAs / GaAs. Значительно уменьшенная шероховатость поверхности слоев оболочки InGaP, достигаемая за счет подачи большого количества H 2 Se, позволяет работать в непрерывном режиме нашего лазера с SL-QW толщиной 1,3 мкм. Мы достигли низкого порогового тока менее 10 мА и высокой характеристической температуры 100K около комнатной.

Сухое травление InP с контролируемым пучком с использованием Br 2 -N 2 Газ
SATOSHI OKU, 1 YASUO SHIBATA, 1 и KENICHI OCHIAI 2
1 – NTT Opto-electronics Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-01, Japan. 2 – NTT Advanced Technology, 3-1 Мориносато Вакамия, Ацуги-ши, Канагава 243-01, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Бром, угловое зеркало, сухое травление, фосфид индия, азот, реактивное ионно-лучевое травление, вторичный электрон, волновод
Сухое травление фосфида индия осуществляется с помощью реактивного пучка, выведенного из газоразрядной плазмы Br 2 -N 2 .Поддерживая постоянное давление газа N 2 на уровне 0,23 мТорр, давление газа Br 2 изменяли от 0 до 0,1 мТорр, а температуру образца изменяли от 40 до 200 ° C. Формы травления и скорости травления исследованы с точки зрения состава травильного пучка. В зависимости от давления газа Br 2 вступают в действие два различных типа механизмов травления. Гладкие вертикальные боковые стенки и независимая от температуры скорость травления могут быть получены при давлении газа Br 2 0.04 мТорр или меньше и температура выше 100 ° C, где травление вызвано окружающим газом Br 2 и пучком N 2 . Травление с поднутрением с зависящей от температуры скоростью травления наблюдается при давлении газа Br 2 0,07 мТорр или выше, где пучок травления содержит газообразные частицы как N 2 , так и Br 2 . Показано, что нейтрализованные частицы Br, образующиеся при выпуске газа Br 2 , образуют поднутрение. Угловое зеркало волновода с потерями менее 1 дБ изготавливается с использованием травильного луча без нейтрализованных частиц Br.

(NH 4 ) 2 S x – Обработанные поверхности InP (100), исследованные методом мягкой рентгеновской фотоэлектронной пектроскопии
С. МАЭЯМА, М. СУГИЯМА, С. ХЕУН и М. ОШИМА
Междисциплинарные исследовательские лаборатории NTT, Мидори-тё, Мусасино-ши, Токио 180, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
GaAs, InP, (NH 4 ) 2 S x – обработка, фотоэлектронная спектроскопия, мягкий рентгеновский снимок, сера, пассивация поверхности, синхротронное излучение
Состояние химической связи серы на (NH 4 ) 2 S x -обработанных поверхностях InP (100) было изучено с помощью фотоэлектронных измерений на уровне ядра S1 s с использованием мягкого рентгеновского излучения синхротронного излучения.Изменение состояний химической связи серы, вызванное промывкой водой и отжигом в вакууме после обработки (NH 4 ) 2 S x , отчетливо наблюдалось в спектрах S1 s . Четыре типа состояний связывания серы были разрешены в спектре S1 s обработанной поверхности. Только одно состояние связывания серы было обнаружено на поверхностях с промывкой водой и без нее после отжига, что указывает на то, что поверхности InP заканчиваются связью S-In.Эффект промывки поверхности InP, обработанной (NH 4 ) 2 S x , обсуждается в сравнении с обработанной (NH 4 ) 2 S x поверхностью GaAs.

Формирование структуры PN x / InP с помощью In situ Удаленные плазменные процессы
ЙОСИФУМИ САКАМОТО, ТАКАСИ СУГИНО, ТАКАСИ МИЯДЗАКИ и ДЗЮНДЗИ ШИРАФУДЗИ
Кафедра электротехники, инженерный факультет, Университет Осаки, 2-1 Ямадаока, Суита, Осака 565, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Высота барьера, InP, МДП-структура, нитрид фосфора, переход Шоттки, поверхностный уровень Ферми
In situ удаленные плазменные процессы, состоящие из удаления естественного оксида за счет водородной (H 2 ) плазмы, модификации поверхности за счет фосфиновой (PH 3 ) плазмы и осаждения нитрида фосфора (PN x ) разработаны пленки за счет разложения PH 3 азотной (N 2 ) плазмой.Изолирующая пленка PN x с оптической шириной запрещенной зоны 5,3 эВ и удельным электрическим сопротивлением 3,7 x 10 14 см получена методом дистанционного плазменно-химического осаждения из паровой фазы. Au / PN x / InP туннельный переход Шоттки типа металл-диэлектрик-полупроводник (MIS) формируется многопроцессорным in situ . Эффективная высота барьера оценивается как 0,83 эВ. Увеличение эффективной высоты барьера связано как с эффектами МДП-структуры, так и с откреплением поверхностного уровня Ферми.

Стабилизация поверхности сульфида кадмия для оптоэлектронных устройств на основе InP
К. ВАККАРО, А. ДЭВИС, Х.М. DAUPLAISE, S.M. СПАЦИАНИ, Э.А. МАРТИН и Дж. П. Лоренцо
Римская лаборатория ВВС США, отделение оптических компонентов, база ВВС Ханском, Массачусетс 01731.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Полупроводники III-V, сульфид кадмия, InP, интерфейс, MIS, пассивация, барьер Шоттки
Тонкие слои сульфида кадмия, осажденного в химической ванне, были использованы для улучшения поверхностных и межфазных свойств InP и его решеточно-согласованных соединений III-V.Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия указывает на химическое восстановление поверхностных оксидов и предотвращение последующего образования оксидов III или V групп. Спектры фотолюминесценции, измеренные между 1,0 и 1,3 мкм, указывают на резкое уменьшение вакансий фосфора после обработки CdS. Конденсаторы металл-диэлектрик-полупроводник, изготовленные на подложках InP типа n с прослойками CdS, демонстрируют почти идеальный квазистатический отклик и плотности интерфейсных состояний в низком диапазоне 10 11 / эВ · см 2 .Тонкие слои CdS использовались для пассивирования поверхности InAlAs / InGaAs транзисторов с высокой подвижностью электронов и фотодетекторов металл-полупроводник-металл. После обработки CdS регулярно получали высоту барьера диода Шоттки 0,6 эВ. Для HEMT после обработки CdS наблюдались отношения тока сток-затвор 8 x 10 4 . Для новой конструкции МСМ с задней подсветкой темновой ток обработанных CdS образцов был уменьшен на три порядка до уровня ниже 1 нА.

Межфазный слой в гомоэпитаксиальном InP, выращенном с помощью металлоорганической парофазной эпитаксии с TMIn и TBP
HIROYASU NAKATA, 1 KAZUO SATOH, 1 TYUZI OHYAMA, 1 YASUFUMI FUJIWARA, 2 YOUICHI NONOGAKI, 2 и YOSHIKA

00, факультет физики YOSHIKA , факультет физики YOSHIKA , 2 University, 1-16 Machikaneyama-cho, Toyonaka 560, Japan.2 – Департамент материаловедения и инженерии, Школа инженерии, Университет Нагоя, Фуро-тё, Тикуса-ку, Нагоя 464-01, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Дальний инфракрасный диапазон, InP, межфазный слой, фотолюминесценция
Влияние межфазных слоев с высокой концентрацией примесей на свойства гомоэпитаксиальных слоев InP было изучено с помощью магнитопоглощения в дальней инфракрасной области (FIR), в дополнение к измерениям подвижности постоянного тока, эффекта Холла и фотолюминесценции (PL).Слои выращивают методом металлоорганической эпитаксии из паровой фазы с использованием триметилиндия и трет-бутилфосфина. В FIR-измерениях наблюдается примесное поглощение, а также циклотронный резонанс. Вариации интенсивности резонансных сигналов и подвижностей, полученные из ширины линии циклотронного резонанса, интерпретируются моделью двойного слоя, то есть объемного слоя с межфазным слоем. Концентрация носителей, подвижность на постоянном токе и интенсивности ФЛ как связанных экситонов, так и свободных экситонов также объясняются моделью.

Изготовление квантовых проводов InGaAs Ridge на основе InP с использованием селективного молекулярно-лучевого эпитаксиального роста на (311) гранях A
Х. ФУДЗИКУРА и Х. ХАСЕГАВА
Исследовательский центр интерфейсной квантовой электроники и Высшая школа электроники и информационной инженерии, Университет Хоккайдо, Саппоро 060, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
(311) A / (411) A-грани, катодолюминесценция (CL), InGaAs / InAlAs, молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), структурированная подложка InP, фотолюминесценция (PL), гребенчатая квантовая проволока, селективный рост, сканирующая электронная микроскопия (SEM)
Гребенчатые квантовые проволоки InGaAs / InAlAs на основе InP были успешно изготовлены с помощью нашего нового подхода с использованием селективной молекулярно-лучевой эпитаксии (МБЭ).В качестве исходных структур массив гребневых структур InGaAs, состоящих из гладких (311) граней A, был сформирован методом МЛЭ на подложках InP с меза-рисунком. Перед фактическим изготовлением проволок были детально исследованы характеристики роста слоев In 0,53 Ga 0,47 As и In 0,52 Al 0,48 As на исходной структуре при МЛЭ. Затем результаты экспериментов по выращиванию были успешно применены для изготовления гребенчатых квантовых проволок InGaAs с высокой пространственной однородностью.Спектр низкотемпературной катодолюминесценции, измеренный в ответ на точечное возбуждение области проволоки, показал сильное излучение света, анализ которого показал, что оно исходит от самой квантовой проволоки гребня InGaAs. При измерениях фотолюминесценции излучение проволоки имело высокую интенсивность даже при комнатной температуре, что указывает на то, что проволочный кристалл обладает превосходным объемом и качеством границы раздела и в значительной степени свободен от центров безызлучательной рекомбинации.

Материалы и электрические характеристики диодов Шоттки Pt-InAlAs, легированных железом, выращенных методом LP-MOCVD
КЮШИК ХОНГ, ДИМИТРИС ПАВЛИДИС и ФРЕДЕРИК СЕЯЛОН
Лаборатория твердотельной электроники, факультет электротехники и информатики, Мичиганский университет, Анн-Арбор, Мичиган 48109-2122.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Глубокие ловушки, диоды Шоттки InAlAs, легирование железом
Решетка InAlAs, согласованная с InP, имеет большое значение в качестве материала с большой шириной запрещенной зоны для различных приложений гетероструктур на основе InP. Однако выращивание InAlAs хорошего качества с использованием металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) относительно сложно из-за реакционной природы его источников алюминия. В этой статье мы представляем использование железа в качестве возможной добавки для улучшения электрических свойств InAlAs, выращенного методом MOCVD.Фотоотражение с временным разрешением использовалось для подтверждения увеличения уровней ловушек с увеличением легирования железа. Влияние легирования железом на электрические свойства устройств исследовалось с использованием платиновых диодов Шоттки, изготовленных на нелегированных и легированных железом материалах InAlAs. Также были проведены измерения низкочастотного шума для исследования влияния включения железа на шумовые характеристики устройств. Хотя уровни шума показали незначительную разницу между нелегированными и легированными железом материалами, легированный железом InAlAs показал лоренцеву составляющую в спектрах шума, которая не обнаруживается в нелегированных материалах.Энергия активации ~ 0,77 эВ была оценена для ловушек, введенных введением железа, с использованием температурно-зависимых измерений низкочастотного шума.

Термическая стабильность Al 0,48 In 0,52 As / Ga 0,47 In 0,53 Гетероструктура As / InP и ее улучшение путем фосфидирования
N. TAKAHASHI, 1 M. SHIOTA, 1 Y. ZHU, 1 M. SHIMIZU, 1 D. HIRATA, 2 Y. SAKAMOTO, 2 T.SUGINO, 2 и J. SHIRAFUJI 2
1 – Центральные исследовательские лаборатории, SHARP Corporation, 2613-1 Ichinomoto, Tenri, Nara 632, Japan. 2 – Кафедра электротехники инженерного факультета Осакского университета, 2-1 Ямадаока, Суита, Осака 565, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Компенсация, повреждение, транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), InAlAs, молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE), пассивация, плазма
Резкое уменьшение концентрации листовых носителей в Al 0, легированном модуляцией.48 In 0,52 As / Ga 0,47 In 0,53 Гетероструктуры As / InP наблюдались после плазменной обработки O 2 с последующей термообработкой до 350 ° C. Снижение концентрации листового носителя, которое, как предполагается, вызвано как плазменным повреждением, так и примесями, проникающими с поверхности эпитаксиального слоя, может быть существенно подавлено с помощью плазменной обработки PH 3 перед плазменной и термической обработкой O 2 . .

Низкотемпературный восстановительный слой с легированной полосой InAlP, полученный при низких температурах, до ZnSe p-типа
К.IWATA, 1 H. ASAHI, 1 T. OGURA, 1 J. SUMINO, 1 S. GONDA, 1 A. OHKI, 2 Y. KAWAGUCHI, 2 and T. МАЦУОКА 2
1 – Институт научных и промышленных исследований, Университет Осаки, 8-1, Михогаока, Ибараки, Осака 567, Япония. 2 – NTT Opto-electronics Labns., Мориносато Вакамия, Ацуги, Канагава 243-01, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Слой уменьшения смещения полосы, молекулярно-лучевая эпитаксия с газовым источником (GSMBE), InAlP, омический контакт, ZnSe
Чтобы решить проблему достижения низкоомного омического контакта с ZnSe p-типа, методом молекулярно-лучевой эпитаксии из газового источника изучается использование промежуточного слоя InAlP p-типа для ZnSe p-типа в качестве слоя уменьшения смещения валентной зоны.Установлено, что концентрации дырок до 2 x 10 18 см -3 легко достигаются для слоев InAlP p-типа, выращенных на GaAs даже при низкой температуре 350 ° C, хотя требуется более высокая температура ячейки Be, чем что для InAlP p-типа, выращенного при 500 ° C из-за пониженной электрической активности Be в InAlP. Несмотря на очень высокие концентрации Be, осаждение / сегрегация Be не наблюдается. Было сложно получить такую ​​же концентрацию дырок в слоях InAlP, выращенных на ZnSe, как на GaAs.Однако введение всего нескольких монослоев GaAs между ZnSe и InAlP позволяет избежать огранки InAlP и улучшить электрические свойства InAlP, легированного Be, выращенного на ZnSe. Эти результаты предполагают, что слой InAlP, легированный Be, можно использовать в качестве промежуточного слоя для формирования омического контакта с низким сопротивлением к ZnSe p-типа.

Новый тройной закрывающий слой с низким контактным сопротивлением, обеспечивающий очень высокое G м InAlAs / InGaAs HEMTs
К.HIGUCHI, M. MORI, M. KUDO, and T. MISHIMA
Central Research Lab., Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185, Japan.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Контактное сопротивление, транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), InP, нелегированные электроды
Было продемонстрировано, что высоколегированный (Si: 3 · 10 19 см -3 ) тройной покрывающий слой, состоящий из n + -In 0,53 Ga 0.47 As, n + -In 0,52 Al 0,48 As и n + -In 0,53 Ga 0,47 As может значительно снизить сопротивление паразитного источника в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе InP ( HEMTs). Анализ сопротивления источника показал, что элемент сопротивления на n + -In 0,53 Ga 0,47 As / un-In 0,52 Al 0,48 As / un-In 0,53 Ga 0,47 Так как канальные гетероинтерфейсы составляли 70% сопротивления источника при использовании нелегированных омических электродов.Сильнолегированный тройной закрывающий слой снижает вклад сопротивления вертикальной проводимости между закрывающим слоем и каналом 2DEG. Низкое сопротивление источника 0,57 мм и низкое контактное сопротивление 3 · 10 -5 см 2 были получены для HEMT с высоколегированным тройным закрывающим слоем, которые были на 60% ниже и на порядок меньше, чем у для HEMT с обычным одинарным защитным слоем, легированным 5 X 10 18 см -3 соответственно.Эти значения были также на 70 и 30% ниже, чем у HEMT с высоколегированным (3 × 10 19 см -3 ) одиночным закрывающим слоем, соответственно. Низкое сопротивление источника обеспечивает высокую пиковую внешнюю крутизну 1 См / мм для устройства с длиной затвора 0,4 мкм, что на 42% выше, чем у ранее описанных HEMT с такой же длиной затвора.

Новая технология с изолированным затвором для InGaAs-транзисторов с высокой подвижностью электронов, использующая метод кремниевой межслойной пассивации
С.СУЗУКИ, С. КОДАМА, Х. ТОМОЗАВА и Х. ХАСЕГАВА
Исследовательский центр интерфейсной квантовой электроники и факультет электротехники, Университет Хоккайдо, Саппоро 060, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Емкость-напряжение (C-V), транзистор с высокой подвижностью электронов с изолированным затвором (IGHEMT), InGaAs, пассивация
Описывается новая технология с изолированным затвором для InGaAs-транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). В нем используется структура пассивации на основе кремниевого интерфейсного слоя управления (Si ICL).Применяя обработку поверхности HF, технология становится применимой к открытым для воздуха поверхностям InGaAs и InAlAs. Основные структуры металл-диэлектрик-полупроводник были изготовлены и детально охарактеризованы методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и вольт-фарадных измерений. Было показано, что интерфейс практически свободен от состояний интерфейса. Затем были успешно изготовлены HEMT затвора с изоляцией InGaAs (IGHEMT). Изготовленные IGHEMT с утопленным затвором имеют хорошее управление затвором тока стока с хорошими характеристиками отсечки.Была получена максимальная эффективная подвижность 2010 см 2 / Vs. Устройства показывают чрезвычайно низкие токи утечки затвора ниже 1 нА / мм.

Изготовление столбиков InP с шагом 60 нм с помощью электронно-лучевой литографии и анодирования
TOSHIYUKI TAKIZAWA, MASAFUMI NAKAHARA, EIJIRO KIKUNO и SHIGEHISA ARAI
Исследовательский центр квантовой электроники, Токийский технологический институт, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152 Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Анодирование, электронно-лучевая литография, треугольная столбчатая структура InP, фотолюминесценция.
Мы получили упорядоченные треугольные вертикальные колонны из InP с шагом 60 нм с высокой плотностью примерно 50% путем сочетания методов электронно-лучевой литографии и анодирования.Для условий более низкой дозы 2,3 × 10 -6 нКл / точка треугольные столбы с плотностью 70% наблюдались в пределах 5% от среднего размера столба (рис. 2). Кроме того, используя перенос сухого травления на SiO 2 , мы получили упорядоченные столбики шага 40 нм и наблюдали интенсивность фотолюминесценции, сравнимую с интенсивностью фотолюминесценции на массивных подложках InP, что указывает на незначительную безызлучательную рекомбинацию.

Анизотрофия фототока в композиционно-модулированной сверхрешетке дальнодействующего упорядоченного Ga 0.5 В 0,5 P
ТАКАСИ КИТА, АКИРА ФУДЗИВАРА, ХИРОШИ НАКАЯМА и ТАНЕО НИСИНО
Кафедра электротехники и электроники инженерного факультета Университета Кобе, 1-1 Роккодаи, Кобе 657, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
GaInP, упорядочение, фототок, сверхрешетка
Систематически исследована анизотропия фототока дальноупорядоченных сплавов Ga 0,5 In 0,5 P.Упорядоченный Ga 0,5 In 0,5 P представляет собой композиционную модулированную сверхрешетку из Ga 0,5 + / 2 In 0,5- / 2 P и Ga 0,5- / 2 In 0,5 + / 2 P монослойных плоскостей. , где – параметр дальнего порядка. Край фототока поляризации [ 110 ] ниже, чем у []. Наблюдаемая анизотропия в спектрах фототока обусловлена ​​расщеплением кристаллического поля в максимуме валентной зоны упорядоченного Ga 0,5 In 0.5 P. Анизотропия постоянно меняется в зависимости от. Чтобы прояснить влияние расщепления валентной зоны на спектры поляризованного фототока, мы провели теоретические расчеты, в которых учитывались распределение в эпитаксиальной пленке и зависимость силы осциллятора от параметра порядка. Из этих расчетов установлено, что сила осциллятора является ключевым параметром анизотропного характера. Результаты расчетов умеренно согласуются с данными измерений.Кроме того, исследована эпитаксиальная зависимость анизотропного характера фототока от толщины.

Идентификация самого верхнего атома на поверхности InP (001) методом коаксиальной ударно-столкновительной спектроскопии рассеяния ионов
T. NISHIHARA, 1 M. SHINOHARA, 1 O. ISHIYAMA, 1 F. OHTANI, 1 M. YOSHIMOTO, 2 T. MAEDA, 2 и H.000 KOINUMA 2 1 – Исследовательская лаборатория Кейханны, Shimadzu Corporation, Hikaridai 3-9, Seikacho, Sorakugun, Kyoto 619-02, Japan.2 – Исследовательская лаборатория инженерных материалов Токийского технологического института, Нагацута 4259, Мидорику, Йокогама 226, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Распыление Ar, коаксиальная ударно-столкновительная спектроскопия рассеяния ионов (CAICISS), фосфид индия, спектроскопия рассеяния ионов, анализ поверхности
Самый верхний атом поверхностей InP (001), которые были отожжены при температурах от 300 до 550 ° C или распылены с помощью 1 кэВ Ar + при 300 ° C в сверхвысоком вакууме, был непосредственно идентифицирован с помощью коаксиального ударного столкновения ионов. спектроскопия рассеяния (CAICISS).В спектрах времени пролета отожженной поверхности InP (001) наблюдались пики как In, так и P как по азимуту [], так и по азимуту [100], что показало, что самый верхний слой отожженного InP (001) состоял из оканчивающегося In и P-концевые поверхности. С другой стороны, времяпролетный спектр InP (001), распыленного при 300 ° C, показал только пик In в азимуте [] и выявил пики In и P в азимуте [100]. Этот результат указывает на то, что самый верхний слой на поверхности InP (001), напыленной на Ar + , полностью терминирован атомами In.Кроме того, мы указываем, что повреждение поверхности, вызванное этой обработкой распылением, невелико. Азимутальная зависимость интенсивности CAICISS, рассеянной от In и P, обнаруживает двойную симметрию относительно направления [100], которое происходит от структуры цинковой обманки.

Обмен атомами группы V из-за воздействия на поверхность InP AsH 3 (+ PH 3 ), выявленный с помощью рентгеновского CTR-рассеяния
M. TABUCHI, 1 N. YAMADA, 1 K. FUJIBAYASHI, 1 Y.TAKEDA, 1 и H. KAMEI 2
1 – Департамент материаловедения и инженерии, Школа инженерии, Нагойский университет, Нагоя 464-01, Япония. 2 – Лаборатории исследований и разработок в оптоэлектронике, Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1, Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244, Japan.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Обмен атомами, структура интерфейса, OMVPE, синхротронное излучение, рентгеновский стержень усечения кристалла (CTR)
Мы провели измерения усеченного стержня (CTR) рентгеновского кристалла с использованием синхротронного излучения для анализа распределения атомов As в InP до порядка 1 ML.Образцы InP, которые были подвергнуты воздействию только AsH 3 (+ PH 3 ) и закрыты InP, были исследованы для изучения влияния последовательности очистки. Последовательность очистки неизбежна для выращивания гетероэпитаксиальных слоев с помощью OMVPE и считается, что она в значительной степени влияет на структуру интерфейса. По результатам измерения и компьютерного моделирования распределение атомов P и As порядка 1 ML обсуждалось в зависимости от времени экспонирования. Было показано, что количество атомов As, содержащихся в образцах, насыщенных, когда время экспозиции AsH 3 превышает 10 с.Сравнивая профили экспонированных образцов AsH 3 с профилями экспонированных образцов (AsH 3 + PH 3 ), было обнаружено, что распределение As в буферном слое подавлялось в (AsH 3 + PH 3 ) -экспонированные образцы. Для получения резких границ время экспозиции AsH 3 должно быть меньше 0,5 с.

Исследования фотопроводимости и фотолюминесценции InP с диффузией из меди
D. PAL и D.N.BOSE
Центр материаловедения, Индийский технологический институт, Харагпур 721302, Индия.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Координатная диаграмма конфигурации, диффузия меди, InP, фотопроводимость, фотолюминесценция
Диффузию Cu проводили в p-InP при 300 ° C в течение одного часа, а затем при 600 ° C в течение одной минуты. В этом образце наблюдалась высокая фотопроводимость (I ph / I d = 2,6 x 10 5 при 200K). Информация о глубоких уровнях, связанных с Cu, была получена из темновой проводимости, фотопроводимости и ее спектрального отклика.Связанная с Cu полоса фотолюминесценции (ФЛ) наблюдалась при 1,216 эВ, и был проведен анализ ее формы и ширины линии. Координатная конфигурационная диаграмма полосы была рассчитана и показала небольшую релаксацию решетки. В n-InP диффузия Cu при 650 ° C в течение двух часов привела к появлению двух полос ФЛ при 1,20 и 1,01 эВ. Первый был подобен полосе 1,216 эВ в p-InP. Также детально исследована ФЛ полосы 1.01 эВ и построена соответствующая конфигурационная диаграмма координат. Параметры полос, связанных с Cu, полученные из анализа формы и ширины линии, сравниваются с параметрами, указанными для Mn и Fe в InP.

Пассивация доноров в слоях n-AlInAs фтором
Ю. ЯМАМОТО, Н. ХАЯФУДЗИ, Н. ФУДЗИИ, К. КАДОИВА, Н. ЙОСИДА, Т. СОНОДА и С. ТАКАМИЯ
Лаборатория оптоэлектронных и микроволновых устройств, Mitsubishi Electric Corporation, 4-1, Мидзухара, Итами, Хиого, 664 , Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
AlInAs / InGaAs / InP HEMT, пассивация доноров, фтор, n-AlInAs
Обсуждается механизм термической деградации как концентрации носителей заряда, так и подвижности в слоях AlInAs за счет термически диффузионного фтора.Термическая деградация происходит только в слоях AlInAs n-типа при температурах до 350 ° C. Напротив, подобная термическая деструкция никогда не наблюдалась для AlInAs, содержащего только акцепторные примеси. Это явление объясняется реакцией атомов фтора с эксклюзивными донорными примесями, в результате чего образуется ионизированный фтор (анион: F – ), что приводит к снижению концентрации носителей. Созданные ионы F – образуют центр рассеяния, что приводит к снижению подвижности носителей.Экспериментальные данные подтверждают, что атомы фтора имеют экологическое происхождение и не включаются во время роста слоев. Из дальнейших всесторонних исследований отжига для нескольких видов систем материалов (AlGaIn) As было обнаружено, что такое поведение пассивации доноров характерно для тех соединений, которые содержат как AlAs, так и InAs.

Структура химической связи поверхности InP в MOVPE, исследованная методом поверхностного фотоабсорбирования
ЯСУЮКИ КОБАЯСИ и НАОКИ КОБАЯСИ
NTT Basic Research Laboratories, 3-1, Morinosato Wakamiya Atsugi-Shi, Kanagawa 243-01 Japan.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
InP, металлоорганическая парофазная эпитаксия (MOVPE), димер фосфора, поверхностное фотопоглощение (SPA)
Используя спектры поверхностного фотопоглощения, мы установили фазовую диаграмму структуры химической связи поверхности для P-стабилизированной поверхности при эпитаксии из паровой фазы металлоорганических соединений InP в зависимости от температуры подложки и парциального давления PH 3 . При 550 ° C и парциальных давлениях 10 и 30 Па PH 3 поверхность представляет собой (2 x 4) -подобную поверхность, состоящую из димеров P, ось связи которых параллельна [].По мере того, как температура подложки снижается и парциальное давление PH 3 увеличивается, аморфные частицы P начинают чрезмерно адсорбироваться на (2×4) -подобной поверхности димера P. С (4 х 4) -подобной поверхности не наблюдалось. Из экспериментов по выращиванию InP для каждой поверхностной фазы P мы обнаружили, что для получения высококачественных эпитаксиальных слоев InP необходимо подавить избыточную адсорбцию P за счет минимизации образования собственных дефектов.

Исследование комбинационного рассеяния света в несмешивающейся области InGaAsP, выращенного методом ЖФЭ на GaAs (100) и (111)
TOUKO SUGIURA, 1 NOBUYASU HASE, 1 KAZUMASA HIRAMATSU, 2 and NOBUHIKO SAWAKI 2
1 – Кафедра электротехники, Toyota College of Technology, 2-1 Eisei-cho, Toyota-shi 471, Япония.2 – Кафедра электроники, Нагойский университет, Тикуса-ку, Нагоя 464-01, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Сплав полупроводник, лазерная рамановская спектроскопия, несмешиваемая область, InGaAsP
Мы исследовали асимметричное уширение рамановских спектров In x Ga 1-x As y P 1-y , выращенного на подложках GaAs, с помощью модели пространственной корреляции. Было обнаружено, что явления уширения усиливаются в области несмешиваемости, что согласуется с наблюдениями ФЛ.В рамановских измерениях уширение больше увеличивается в образцах, выращенных на подложках (100), чем в образцах, выращенных на подложках (111). Повышение объясняется несмешиваемостью образцов, выращенных на подложке (100).

Деградация характеристик ФЛ в структуре многоквантовой ямы с напряженным слоем с атомной структурой упорядочения
NOBUYUKI OTSUKA, 1 MASAHIRO KITO, 1 YASUFUMI YABUUCHI, 2 MASATO ISHINO, 1 и YASUSHI MATSUI 1 9000ductor Industrial Center, M&A, Ltd. 2 – Matsushita Technoresearch, Inc .; 3-1-1 Ягумонакамати, Моригути, Осака 570, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
InGaAsP / InP, металлоорганическая газофазная эпитаксия, упорядочение, полупроводниковый лазер, многоквантовая яма с напряженным слоем
Уточнение механизма деградации характеристик фотолюминесценции (ФЛ) структур InGaAsP с компрессионно-деформированным слоем с несколькими квантовыми ямами (SL-MQW) на подложке InP изучается для реализации сильно напряженных SL-MQW-лазеров с большим количеством слоев ям.В структуре SL-MQW наблюдается необычная температурная зависимость длины волны максимума ФЛ: сдвиг длины волны максимума ФЛ уменьшается с изменением температуры измерения. Ухудшение характеристик ФЛ оценивается по уменьшению сдвига ФЛ, а также по увеличению ширины линии ФЛ и уменьшению интенсивности пика ФЛ. Степень деградации фотолюминесценции увеличивается с увеличением количества ячеек и увеличением деформации. В структуре SL-MQW с ухудшенными характеристиками ФЛ структура атомного упорядочения типа CuPt впервые четко наблюдается в каждом барьерном слое с помощью измерений с помощью просвечивающего электронного микроскопа с высоким разрешением (HR-TEM).В структуре SL-MQW ни дислокация, ни трехмерное зародышеобразование не наблюдаются с помощью ПЭМ-измерений. За счет повышения температуры роста устранение упорядоченной структуры, а также улучшение характеристик ФЛ было подтверждено даже в структуре SL-MQW с большой степенью деформации и большим количеством слоев ям.

Оптоэлектронные свойства эпитаксиальных слоев переходных металлов и редкоземельных элементов на InP для магнитооптики
Б.J.H. STADLER, 1 K. VACCARO, 1 A. DAVIS, 1 G.O. RAMSEYER, 2 E.A. МАРТИН, 1 H.M. DAUPLAISE, 1 LM THEODORE, 1 and JP LORENZO 1
1 – Римская лаборатория USAF, отделение оптоэлектронных компонентов, база ВВС Hanscom, MA 01731. 2 – Римская лаборатория USAF, отделение физики надежности, Griffiss Air Force Base, NY 13441.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Фарадеевское вращение, nGaAs, InGaAsP, InP, LPE, оптоэлектронные свойства, редкоземельные элементы, легирование переходными металлами, волноводы
Тонкие пленки InP, легированные редкоземельными и переходными металлами, In 0.53 Ga 0,47 As и In 0,71 Ga 0,29 As 0,58 P 0,42 были выращены методом жидкофазной эпитаксии и оценены для использования в интегрированных электрооптических и магнитооптических приложениях, таких как волноводы и Вращатели Фарадея. Пленки были согласованы по решетке с подложками InP (100), а концентрации легирующих примесей переходных металлов (Mn) и редкоземельных элементов (Gd, Eu и Er) составляли от 2,6 x 10 18 до 1,5 x 10 20 см – 3 .Химические профили обычно были однородными с помощью ВИМС, хотя в более высоколегированных пленках наблюдалась сегрегация редкоземельных элементов по направлению к границам раздела. Нелегированные пленки были n-типа, а чистые концентрации носителей в пленках, легированных редкоземельными элементами (Gd, Eu, Er), были уменьшены на порядок. Пленки, легированные марганцем, были р-типа. Оптически наблюдалось, что примеси редкоземельных элементов увеличивают показатель преломления слоев при 632,8 нм, а последующее волноводное движение в легированных слоях InP наблюдалось при 1.3 мкм. Хотя фарадеевское вращение наших материалов было намного меньше, чем у хорошо известных оксидов, таких как железо-иттриевый гранат, их было достаточно для применения в устройствах, и наши материалы гораздо проще интегрировать с устройствами InP OEIC. Например, волновод шириной 1 см обеспечит большой поворот (45 °), необходимый в изоляторах.

Термическая стабильность границ раздела между металлами и материалами на основе InP
Я. АШИЗАВА, К. НОДЗАКИ, Т. НОДА, А.SASAKI
Центр исследований и разработок Toshiba, 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 210, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Электрод, транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), интерфейс металл / полупроводник, спектрометрия резерфордовского обратного рассеяния, стабильность
Термическая стабильность границ раздела между металлами (Ni, Pt, Ti, Mo) и полупроводниками соединений AIIIBV была исследована с помощью спектрометрии обратного резерфордовского рассеяния.Металлическая диффузия и межфазный беспорядок решетки полупроводников были проанализированы для различных образцов металл / полупроводник, отожженных при температурах до 500 ° C. Интерфейсы Ni / GaAs и Ti / GaAs оказались более стабильными, чем интерфейсы полупроводников на основе Ni / In и полупроводников на основе Ti / In, соответственно. Более быстрая диффузия атомов Pt наблюдалась в In- и As-содержащих материалах, чем в P-содержащих материалах. Интерфейсы Mo / полупроводник были наиболее стабильными.

Микроструктурный анализ омического контакта Ge / Pd (Zn) с p-InP
ПАРК ЛУН-ХО, 1 Л.C. WANG, 1 и D.M. HWANG 2
1 – Департамент электротехники, почтовая остановка 3128, Техасский университет A&M, Колледж-Стейшн, Техас 77843-3128. 2 – Лаборатория исследований и разработок передовых продуктов, Motorola, 3501 Ed Bluestein Blvd. Остин, Техас 78721.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Удельное сопротивление контактов, Ge / Pd (Zn), омический контакт p-III-V, p-омический интерфейс
Сообщается о межфазном микроструктурном анализе омического контакта Ge / Pd (Zn) с p-InP, основанном на принципе твердофазного отрастания.Типичные контактные сопротивления от от низкого 10 -4 от до низкого 10 -5 -см 2 могут быть получены для этой схемы контакта, отожженной при температурах выше 400 ° C. Просвечивающая электронная микроскопия поперечного сечения, картографирование энергодисперсионного рентгеновского состава и дифракция электронов на сходящемся пучке были использованы в этом исследовании для анализа межфазной микроструктуры. Процесс твердофазного отрастания был подтвержден в этой контактной системе на InP. Также наблюдались осадки захваченных материалов во время твердофазного повторного роста.Обращается внимание на взаимосвязь между электрическими и микроструктурными свойствами.

Атомные структуры пленок Au и Ag, эпитаксиально выращенных на поверхности InP (001) -p (2 X 4)
K. MORITA, K. SODA, T. KATOH и M. HANEBUCHI
Кафедра кристаллического материаловедения, Школа инженерии, Нагойский университет, Фуро-чо, Тикуса-ку, Нагоя 464-01, Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Ag, атомная структура, Au, электронная оже-спектроскопия (AES), поверхность InP, дифракция электронов низких энергий (LEED), дифракция электронов высоких энергий на отражение (RHEED), спектроскопия обратного резерфордовского рассеяния (RBS), тонкая пленка
Тонкие пленки Au и Ag, осажденные на поверхность InP (001) -p (2 x 4) при комнатной температуре, были охарактеризованы с помощью комбинированного поверхностно-слоистого анализа дифракции электронов низких энергий, дифракции электронов высоких энергий на отражение, спектроскопии электронов Оже. , и методы каналирования спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния.Обнаружено, что пленка Au растет эпитаксиально в послойном режиме вдоль направления <001>, а пленка Ag растет в направлении <110> в режиме Странского-Крастанова. Элементарная ячейка гранецентрированной кубической решетки пленки Au повернута азимутально на 45 ° относительно элементарной ячейки решетки цинковой обманки подложки InP. Островки кристаллитов Ag (110) предпочитают ориентировать свои грани (100) вдоль направления четырехкратной сверхрешетки поверхности InP (001) -p (2 x 4).Анализ минимального выхода RBS-каналирования для ионов He + с энергией 1,5 МэВ, падающих вдоль направления [] подложки InP (001), показывает, что как эпитаксиально выращенная пленка Au, так и кристаллит Ag толщиной менее 20 Å превосходны кристаллическое качество.

Определение характеристик электронных ловушек в плазменно-обработанном AlInAs
T. SUGINO, 1 D. HIRATA, 1 I. YAMAMURA, 1 K. MATSUDA, 2 and J. SHIRAFUJI 1
1 – Кафедра электротехники, инженерный факультет, Университет Осаки , 2-1 Ямадаока, Суита, Осака 565, Япония.2 – Horiba Ltd., Miyanohigashi, Kisshoin, Minami-ku, Kyoto 601, Japan.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
AlInAs, Ar плазма, электронная ловушка, изотермическая емкость
Электронные ловушки были исследованы для эпитаксиально выращенного молекулярного пучка n-AlInAs с помощью изотермической емкостной нестационарной спектроскопии. Две ловушки, EO1 (Ec-0,44 эВ) и EO2 (Ec-0,52 эВ), появляются для образцов, обработанных кислородной плазмой, в дополнение к E1 (Ec-0,47 эВ) и E2 (Ec-0.69eV) ловушки, обнаруженные для контрольного (после химического травления) образца. С другой стороны, ловушка EO1 не обнаруживается для образца, обработанного плазмой Ar. Это говорит о том, что EO1 образуется в результате реакции атомарного кислорода с AlInAs и что ловушка EO2 вызвана повреждением плазмы. Обнаружено, что уменьшение плотности четырех ловушек происходит за счет отжига впоследствии после обработки кислородной плазмой.

Деформация интерфейса в сверхрешетках InGaAs-InP
А. КЛОУСОН 1 и К.M. HANSON 2
1 – Калифорнийский университет в Сан-Диего, отдел ECE-0407, 9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093-0407. 2 – NCCOSC RDTE Div 555, 49285 Bennett St., Rm 111, San Diego, CA 92152-5790.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Замена As / P, сверхрешетка InGaAs / InP, межфазная деформация, парофазная эпитаксия металлоорганических соединений (MOVPE), дифракция рентгеновских лучей (XRD)
Деформация была измерена в многослойных сверхрешетках, выращенных OMVPE с ориентацией (001), состоящих из тонких слоев соединения As в InP и тонких слоев P-соединения в GaAs.Исходя из поведения при деформации, можно понять, что As быстро заменяет P на поверхности InP, подвергнутой воздействию AsH 3 , а P медленно заменяет As на поверхности с концевым As-концом, подвергающейся воздействию PH 3 . Это приводит к включению InAs-подобной деформации в InP, величина которой зависит от природы поверхности, оканчивающейся As. При температурах роста выше 600 ° C деформация эквивалентна примерно одному монослою InAs; при температуре ниже 600 ° C он эквивалентен двум монослоям InAs. Взаимодействие PH 3 с поверхностями GaAs достаточно медленное, так что деформация, подобная GaP, наблюдается только тогда, когда вводятся преднамеренные прерывания под PH 3 .GaP, выращенный на GaAs при 650 ° C, содержит достаточно остаточного As, чтобы поддерживать состав слоев GaAs ,5 P ,5 в течение нескольких первых монослоев.

Сильно замкнутый двумерный электронный газ в In 0,52 Al 0,48 As / In 0,53 Ga 0,47 As структура с модулирующими добавками и напряженной квантовой ямой InAs
TATSUSHI AKAZAKI, 1 JUNSAKU NITTA, 1 HIDEAKI TAKAYANAGI 1 TAKATOMO ENOKI, 2 и KUNIHIRO ARAI 2
1 – NTT.2 – NTT LSI Laboratories, 3-1 Мориносато-Вакамия, Ацуги-ши, Канагава, 243-01 Япония.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Эффективная масса, удержание электронов, канал со вставкой InAs, измерение Шубникова-де Гааза, деформация
В данной статье исследуется подробный анализ измерений эффективной массы двумерного электронного газа (2DEG) в In 0,52 Al 0,48 As / In 0,53 Ga 0, выполненный Шубниковым-де Гаасом.47 As структура, легированная модуляцией (MD), с квантовой ямой InAs, вставленной в канал InGaAs (канал со вставкой InAs). Измеренная эффективная масса ДЭГ в структуре МД с вставленным каналом InAs хорошо согласуется с расчетной массой напряженного слоя InAs на In 0,53 Ga 0,47 As. Это свидетельствует о том, что почти вся ДЭГ формируется в напряженной квантовой яме InAs. Эти результаты показывают, что структура МД со вставленным InAs-каналом улучшает удержание электронов, поскольку 2DEG удерживается в квантовой яме InAs толщиной 4 нм.

ОБЫЧНЫЕ ВЫПУСКНЫЕ ДОКУМЕНТЫ

Влияние потока через кожух на высокое качество осаждения x Ga 1-x N в промышленном реакторе с несколькими пластинами и вращающимися дисками
К. ЮАНЬ, 1 Т. САЛАГАЙ, 1 В. КРОЛЛ, 1 Р.А. СТОЛЛ, 1 М. ЩУРМАНА, 2 С.-Ю. HWANG, 2 Y. LI, 2 W.E. MAYO, 2 Y. LU, 2 S. KRISHNANKUTTY, 3 и R.M. КОЛБАС 3
1 – Исследовательская лаборатория EMCORE, пр. Елизаветы, 35., Сомерсет, штат Нью-Джерси, 08873. 2 – Университет Рутгерса, Пискатауэй, штат Нью-Джерси 08855. 3 – Департамент электротехники и вычислительной техники, Государственный университет Северной Каролины, Роли, Северная Каролина 27695.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Двухкристальная дифракция рентгеновских лучей (DCXRD), гетеропереход, многопластинчатый вращающийся диск, MOCVD, фотолюминесценция, обтекание
Высококачественные тонкие пленки InGaN и структуры с двойным гетеропереходом (DH) InGaN / GaN были эпитаксиально выращены на подложках из c-сапфира методом MOCVD в промышленном реакторе с несколькими пластинами и вращающимся диском при температуре от 770 до 840 ° C.Мы заметили, что защитный поток (основной газ-носитель в реакционной камере) является ключом к получению тонких пленок InGaN высокого качества. Высокая чистота H 2 , поскольку поток через кожух приводит к плохому качеству кристаллов и морфологии поверхности, но сильной фотолюминесценции (ФЛ) при комнатной температуре. Однако чистый N 2 в качестве потока через кожух приводит к высококачественному кристаллу InGaN с полной шириной рентгеновского излучения на полувысоте (FWHM) InGaN (0002) , равной 7,5 мин, и сильной ФЛ при комнатной температуре с максимумом на 400 нм.Кроме того, структуры с одинарным гетеропереходом (SH) InGaN / GaN и DH имеют отличную морфологию поверхности и четкие границы раздела. Полная ширина на полувысоте PL при 300 К для структуры InGaN / GaN DH составляет около 100 мэВ, что является лучшим из известных на сегодняшний день. Также были достигнуты высокая мольная доля индия в InGaN, составляющая 60%, и высококачественные осаждения InGaN, легированного цинком.

Уникальная удобная контактная система для устройств с мелким переходом p / n на основе фосфида индия
ВИКТОР Г.WEIZER 1 и NAVID S. FATEMI 2
1 – Исследовательский центр Льюиса НАСА, 21000 Brookpark Rd., Cleveland, OH 44135. 2 – Essential Research, Inc., 21000 Brookpark Rd., Cleveland, OH 44135.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Металлизация Ag / Zn / Ag, InP, взаимная диффузия, омические контакты
Мы обнаружили уникальную контактную систему для использования на InP p-типа. Новые контакты обеспечивают контакт с p-InP с низким сопротивлением без сильного металлургического перемешивания, которое обычно имеет место между материалом эмиттера и металлизацией контакта во время процесса спекания контактов.С помощью этой новой контактной системы, которая состоит из комбинации Ag и Zn, можно впервые создать омический контакт с низким сопротивлением непосредственно к устройству p / n InP с мелким переходом, не разрушая при этом устройство. Легко достигаются значения удельного контактного сопротивления в диапазоне 10 -4 -см 2 . После описания новой системы мы предлагаем возможные механизмы для объяснения наблюдаемого поведения.

Влияние термической обработки имплантации Post-As + на оптические свойства MBE HgCdTe
С.П. Гуо, Ю. Чанг, Дж. М. Чжан, X.C. SHEN, J.H. ЧУ и С. YUAN
Шанхайский институт технической физики Китайской академии наук, 420 Zhong Shan Bei Yi Road, Шанхай 200083, Китай.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
HgCdTe, ионная имплантация, МБЭ, термообработка
Эпитаксиальные слои HgCdTe выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Методом фотолюминесцентной спектроскопии исследована серия эпитаксиальных слоев CdTe и HgCdTe, имплантированных As + , отожженных при различных температурах.Подробнее Ионы As + могут занимать подрешетку Te после отжига образцов при 450 ° C, а уровень акцептора As + на подрешетке Te для материала HgCdTe (x0,39) составляет 31,5 мэВ. Исследование спектра комбинационного рассеяния указывает на восстановление кристаллического совершенства после термической обработки после имплантации As + .

Магнетронное напыление прозрачных проводящих тонких пленок КдО
К. ГУРУМУРУГАН, Д. МАНГАЛАРАДЖ, С.А.К. НАРАЯНДАСС
Лаборатория тонких пленок, Физический факультет, Бхаратиарский университет, Коимбатур 641 046, Индия.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
Оксид кадмия, напыление, структура
Тонкие пленки оксида кадмия были получены реактивным магнетронным распылением на постоянном токе в атмосфере азота и кислорода. Исследованы структурные, оптические и электрические характеристики этих пленок. Структурный анализ показывает, что пленки бывают поликристаллическими и кубическими. Был проведен анализ состава с помощью спектрометрии обратного резерфордовского рассеяния, и было обнаружено, что пленки содержат избыток кадмия и недостаток кислорода.Из оптических свойств видно, что пленки обладают коэффициентом пропускания около 85% в видимой и ближней инфракрасной областях спектра и значениями прямой запрещенной зоны в диапазоне от 2,50 до 2,68 эВ для пленок толщиной от 146 до 177 нм. Электрические измерения показывают, что пленки имеют удельное сопротивление, концентрацию носителей и подвижность в диапазоне от 2,65 до 6,64 X 10 -6 м, от 1,60 до 2,35 X 10 26 м -3 и от 57,65 до 100,48 X 10 -4 м 2 v -1 s -1 соответственно.

РАЗДЕЛ ПИСЬМА

Низкое содержание кислорода и углерода в AlGaAs с использованием тритертиарбутилалюминия в металлоорганической эпитаксии из паровой фазы
C.A. ВАНГ, 1 С. САЛИМ, 2 К.Ф. ДЖЕНСЕН, 2 A.C. JONES 3
1 – Лаборатория Линкольна, Массачусетский технологический институт, Лексингтон, Массачусетс 02173-9108. 2 – Департамент химической инженерии, Массачусетский технологический институт, Кембридж, Массачусетс 02139. 3 – Epichem Limited, Power Road, Bromborough, Wirral, Merseyside L62 3QF, United Kingdom.
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
AlGaAs, предшественник алюминия, металлоорганическая эпитаксия из паровой фазы (OMVPE), тритертиарбутилалюминий
Высококачественные эпитаксиальные слои AlGaAs были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений при низком давлении с использованием нового предшественника алюминия – тритертиарибутилалюминия (TTBAl). Слои, выращенные при 650 ° C, имеют безликую зеркальную морфологию поверхности и сильную фотолюминесценцию при комнатной температуре. Углерод не обнаруживается ни в химическом анализе с помощью масс-спектроскопии вторичных ионов, ни в спектрах низкотемпературной (4K) фотолюминесценции.Концентрация кислорода в Al 0,25 Ga 0,75 As составляет всего ~ 2-3 X 10 17 см -3 . Номинально нелегированные слои AlGaAs демонстрируют проводимость n-типа с электронной концентрацией ~ 1-1,5 · 10 16 см -3 . Была получена высокая степень однородности состава на подложках диаметром 5 см (0,268 +/- 0,001). Эти результаты указывают на потенциал TTBAl в качестве прекурсора алюминия для низкотемпературного роста Al-содержащих сплавов III-V.
Направляйте вопросы об этой или любой другой странице JEM на jem @ tms.орг.

Налоги на выбросы и разработка схем возмещения

Автор

Включено в список:
  • Ганс Герсбах
  • до запроса

Аннотация

Мы исследуем, как налоги на выбросы должны возвращаться компаниям, чтобы создать оптимальные стимулы для инвестиций в более чистые технологии. Поскольку возмещение не может зависеть от инвестиций, альтернативным способом является возврат налогов фирмам в соответствии с долей рынка.Мы показываем, что универсально применимые схемы возмещения должны быть линейными по доле рынка. Более того, существует социально оптимальная схема налогов / возмещения налогов, если загрязнение пропорционально объему производства и фирмы конкурируют по принципу Курно. Если существуют краткосрочные технологии борьбы с выбросами, схемы налоговых / налоговых возмещений могут по-прежнему обеспечивать вторые лучшие распределения. Однако, если фирмы собирают цены, возмещение налогов в соответствии с долей рынка вредно. Поскольку несовершенная конкуренция является заметным явлением во многих отраслях, загрязняющих окружающую среду, разработка социально оптимальных схем возмещения ущерба является важной частью экологического регулирования.

Рекомендуемая ссылка

  • Hans Gersbach & Till Requate, 2000. « Налоги на выбросы и разработка схем возмещения », Серия рабочих документов CESifo 325, CESifo.
    • Рукоятка: RePEc: ces: ceswps: _325

    Скачать полный текст от издателя

    Ссылки на IDEAS

    1. Barnett, AH, 1980. « Налоговое правило Пигувиана при монополии », Американский экономический обзор, Американская экономическая ассоциация, т.70 (5), страницы 1037-1041, декабрь.
    2. Cansier, Dieter & Krumm, Raimund, 1997. “ Налогообложение загрязнителей воздуха: эмпирическое исследование ,” Экологическая экономика, Elsevier, vol. 23 (1), страницы 59-70, октябрь.
    3. Till Requate, 1995. « Стимулы к внедрению новых технологий в рамках различных политик контроля загрязнения ,» Международное налогообложение и государственные финансы, Springer; Международный институт государственных финансов, т. 2 (2), страницы 295-317, август.
    4. Миллиман, Скотт Р.И Принц, Раймонд, 1989. « Фирменные стимулы для содействия технологическим изменениям в борьбе с загрязнением ,» Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 17 (3), страницы 247-265, ноябрь.
    5. Лаффон, Жан-Жак и Тироль, Жан, 1996. « Разрешения на загрязнение и экологические инновации », Журнал общественной экономики, Elsevier, vol. 62 (1-2), страницы 127-140, октябрь.
    6. Gersbach, Hans & Glazer, Amihai, 1999. « Проблемы с рынками и нормативными требованиями, », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol.37 (2), страницы 151-164, март.
      • Gersbach, Hans & Glazer, Amihai, 1998. « Рынки и проблемы сдерживания регуляторов », Транспортный центр Калифорнийского университета, Рабочие документы qt9gf9t35g, Транспортный центр Калифорнийского университета.
      • Gersbach, Hans & Glazer, Amihai, 1999. « Рынки и проблемы сдерживания регуляторов », Транспортный центр Калифорнийского университета, Рабочие документы qt76f9604n, Транспортный центр Калифорнийского университета.
    7. Амахер, Грегори С. и Малик, Арун С., 1996. «: переговоры в области экологического регулирования и идеальный регулятор », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 30 (2), страницы 233-253, март.
    8. Малик, Арун С., 1991. « Постоянные и временные правила: теоретико-игровой анализ », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 21 (2), страницы 127-139, сентябрь.
    9. Биглейзер, Гэри и Горовиц, Джон К. и Куиггин, Джон, 1995.« Регламент динамического загрязнения ,» Журнал регулирующей экономики, Springer, vol. 8 (1), страницы 33-44, июль.
    10. Ганс Герсбах, 2002. « Как убедить фирмы инвестировать: простое решение проблемы задержек в постановлении », Обзор экономического дизайна, Springer; Society for Economic Design, vol. 7 (1), страницы 45-56.
    11. Юнг, Чулхо и Крутилла, Керри и Бойд, Рой, 1996. « Стимулы для передовых технологий борьбы с загрязнением на отраслевом уровне: оценка альтернатив политики », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol.30 (1), страницы 95-111, январь.
    12. Яо, Деннис А., 1988. « Стратегические меры по контролю автомобильных выбросов: теоретико-игровой анализ », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 15 (4), страницы 419-438, декабрь.
    Полные ссылки (включая те, которые не соответствуют элементам в IDEAS)

    Цитаты

    Цитаты извлекаются проектом CitEc, подпишитесь на его RSS-канал для этого элемента.


    Цитируется по:

    1. Инес Мачо-Стадлер и Давид Перес-Кастрильо, 2010 г.« Оптимальный мониторинг для внедрения чистых технологий при случайном загрязнении », SERIEs: журнал Испанской экономической ассоциации, Springer; Испанская экономическая ассоциация, т. 1 (3), страницы 277-304, июль.
      • Инес Мачо-Стадлер и Давид Перес-Кастрилло, 2006 г. « Оптимальный мониторинг для внедрения чистых технологий при случайном загрязнении », Рабочие документы UFAE и IAE 672.06, Unitat de Fonaments de l’Anàlisi Econòmica (UAB) и Institut d’Anàlisi Econòmica (CSIC).
      • Инес Мачо-Стадлер и Давид Перес-Кастрилло, 2007. « Оптимальный мониторинг для внедрения чистых технологий при случайном загрязнении », Рабочие бумаги 289, Высшая школа экономики Барселоны.
      • Инес Мачо-Стадлер и Дэвид Перес-Кастрилло, 2007. « Оптимальный мониторинг для внедрения чистых технологий при случайном загрязнении », Рабочие статьи “Марко Фанно” 0060, Dipartimento di Scienze Economiche “Marco Fanno”.
      • Инес Мачо-Стадлер и Давид Перес-Кастрилло, 2007.« Оптимальный мониторинг для внедрения чистых технологий при случайном загрязнении », Серия рабочих документов CESifo 1966, CESifo.
    2. Requate, до 2005 г. « Экологическая политика в условиях несовершенной конкуренции: обзор », Рабочие документы по экономике 2005-12 гг., Кильский университет Кристиана Альбрехта, факультет экономики.

    Самые популярные товары

    Это элементы, которые чаще всего цитируют те же работы, что и эта, и цитируются в тех же работах, что и эта.
    1. Breitscheidel, Jörg, 2005. « Проблемы с задержкой инвестиций в НИОКР и лицензирования в Постановлении об охране окружающей среды », Документы для обсуждения ZEW 05-86, ZEW – Центр европейских экономических исследований имени Лейбница.
    2. Gersbach, Hans & Glazer, Amihai, 1999. « Проблемы с рынками и нормативными требованиями, », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 37 (2), страницы 151-164, март.
      • Gersbach, Hans & Glazer, Amihai, 1998.« Рынки и проблемы сдерживания регуляторов », Транспортный центр Калифорнийского университета, Рабочие документы qt9gf9t35g, Транспортный центр Калифорнийского университета.
      • Gersbach, Hans & Glazer, Amihai, 1999. « Рынки и проблемы сдерживания регуляторов », Транспортный центр Калифорнийского университета, Рабочие документы qt76f9604n, Транспортный центр Калифорнийского университета.
    3. Haucap, Justus & Kirstein, Roland, 2002. “ Warum Staaten Ökosteuern statt Lizenzen einführen, und wann das schlecht für die Wohlfahrt ist ,” Серия документов для обсуждения CSLE 2002-07, Саарландский университет, CSLE – Центр изучения права и экономики.
    4. Haucap, Justus & Kirstein, Roland, 2003. “ Государственные стимулы, когда разрешения на загрязнение являются товарами длительного пользования ,” Общественный выбор, Springer, т. 115 (1-2), страницы 163-183, апрель.
    5. Joerg Breitscheidel & Hans Gersbach, 2005. « Самофинансирующиеся природоохранные механизмы ,» Серия рабочих документов CESifo 1528, CESifo.
    6. Dagmar Nelissen & Till Requate, 2007. « Технологический прогресс снижения загрязнения и ресурсосбережения », Международный журнал сельскохозяйственных ресурсов, управления и экологии, Inderscience Enterprises Ltd, vol.6 (1), страницы 5-44.
    7. Requate, до 2005 г. « Динамические стимулы инструментами экологической политики – исследование », Экологическая экономика, Elsevier, vol. 54 (2-3), страницы 175-195, август.
    8. Мор, Роберт Д., 2006. « Стандарты экологической эффективности и внедрение технологии », Экологическая экономика, Elsevier, vol. 58 (2), страницы 238–248, июнь.
    9. Gersbach, Hans & Requate, Till, 2004. « Налоги на выбросы и оптимальные схемы возмещения ,» Журнал общественной экономики, Elsevier, vol.88 (3-4), страницы 713-725, март.
    10. Breitscheidel, Jörg, 2005. « Самофинансируемые механизмы налогообложения / субсидий в экологическом регулировании со многими фирмами ,» Документы для обсуждения ZEW 05-87, ZEW – Центр европейских экономических исследований имени Лейбница.
    11. Ставинс, Роберт и Джаффе, Адам и Ньюэлл, Ричард, 2000. « Технологические изменения и окружающая среда ,» Серия рабочих документов rwp00-002, Гарвардский университет, Школа государственного управления им. Джона Ф. Кеннеди.
      • Джаффе, Адам Б.И Ньюэлл, Ричард Г. и Ставинс, Роберт Н., 2001. « Технологические изменения и окружающая среда ,» Документы для обсуждения 10566, Ресурсы для будущего.
      • Адам Б. Джаффе, Ричард Г. Ньюэлл и Роберт Н. Ставинс, 2000. « Технологические изменения и окружающая среда ,» Рабочие документы NBER 7970, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
      • Ставинс, Роберт и Джаффе, Адам и Ньюэлл, Ричард, 2000. « Технологические изменения и окружающая среда ,» Документы для обсуждения dp-00-47, Ресурсы для будущего.
    12. Arguedas, Carmen & van Soest, Daan P., 2009. « Об уменьшении непредвиденной прибыли по программам экологического субсидирования ,» Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 58 (2), страницы 192-205, сентябрь.
    13. Cowen, Tyler & Glazer, Amihai & Zajc, Katarina, 2000. « Для достоверности может потребоваться осмотрительность, а не правила », Журнал общественной экономики, Elsevier, vol. 76 (2), страницы 295-306, май.
    14. Чжао, Цзиньхуа, 2003 г.« Необратимые инвестиции в борьбу с выбросами в условиях неопределенности затрат: торгуемые разрешения на выбросы и сборы за выбросы », Журнал общественной экономики, Elsevier, vol. 87 (12), страницы 2765-2789, декабрь.
      • Чжао, Цзиньхуа, 2000. « Необратимые инвестиции в сокращение выбросов в условиях неопределенности затрат: торгуемые разрешения на выбросы и сборы за выбросы », 2000 Ежегодное собрание, 30 июля – 2 августа, Тампа, Флорида. 21816, Американская ассоциация экономики сельского хозяйства (новое название 2008: Ассоциация сельскохозяйственной и прикладной экономики).
      • Цзиньхуа Чжао, 2000. « Необратимые инвестиции в сокращение выбросов в условиях неопределенности затрат: торгуемые разрешения на выбросы и сборы за выбросы », Публикации Центра сельскохозяйственного и сельского развития (CARD) 00-wp252, Центр сельскохозяйственного и сельского развития (CARD) при Университете штата Айова.
      • Чжао, Цзиньхуа, 2003 г. « Необратимые инвестиции в сокращение выбросов в условиях неопределенности затрат: торгуемые разрешения на выбросы и сборы за выбросы », Архив научных статей персонала 10223, Университет штата Айова, факультет экономики.
    15. Пуллер, Стивен Л., 2006. « Стратегическое использование инноваций для влияния на нормативные стандарты », Журнал экономики и менеджмента окружающей среды, Elsevier, vol. 52 (3), страницы 690-706, ноябрь.
    16. Флориан Хабермахер и Пол Леманн, 2020. « Обязательства против осмотрительности в климатической и энергетической политике », Экономика окружающей среды и ресурсов, Springer; Европейская ассоциация экономистов-экологов и специалистов по ресурсам, т. 76 (1), страницы 39-67, май.
    17. Джессика Кориа и Магнус Хеннлок, 2012 г. « Налоги, разрешения и дорогостоящая политическая реакция на технологические изменения », Исследования в области экономики и политики окружающей среды, Springer; Общество исследований в области экономики и политики окружающей среды – SEEPS, vol. 14 (1), страницы 35-60, январь.
    18. Юлия Осокина и Отто Суонк, 2008 г. « Субсидия на внедрение в сравнении с технологическими стандартами при асимметричной информации », Де Экономист, Springer, т. 156 (3), страницы 241-267, сентябрь.
    19. Джефф, Адам Б. и Ньюэлл, Ричард Г. и Ставинс, Роберт Н., 2003. « Глава 11 Технологические изменения и окружающая среда », Справочник по экономике окружающей среды, в: К. Г. Мелер и Дж. Р. Винсент (ред.), Справочник по экономике окружающей среды, издание 1, том 1, глава 11, страницы 461-516, Эльзевир.
    20. van Soest, Daan P., 2005. « Влияние инструментов экологической политики на сроки внедрения энергосберегающих технологий ,» Экономика ресурсов и энергетики, Elsevier, vol.27 (3), страницы 235-247, октябрь.

    Исправления

    Все материалы на этом сайте предоставлены соответствующими издателями и авторами. Вы можете помочь исправить ошибки и упущения. При запросе исправления укажите идентификатор этого элемента: RePEc: ces: ceswps: _325 . См. Общую информацию о том, как исправить материал в RePEc.

    По техническим вопросам, касающимся этого элемента, или для исправления его авторов, заголовка, аннотации, библиографической информации или информации для загрузки, обращайтесь:.Общие контактные данные провайдера: https://edirc.repec.org/data/cesifde.html .

    Если вы создали этот элемент и еще не зарегистрированы в RePEc, мы рекомендуем вам сделать это здесь. Это позволяет привязать ваш профиль к этому элементу. Это также позволяет вам принимать потенциальные ссылки на этот элемент, в отношении которого мы не уверены.

    Если CitEc распознал библиографическую ссылку, но не связал с ней элемент в RePEc, вы можете помочь с этой формой .

    Если вам известно об отсутствующих элементах, цитирующих этот элемент, вы можете помочь нам создать эти ссылки, добавив соответствующие ссылки таким же образом, как указано выше, для каждого ссылочного элемента. Если вы являетесь зарегистрированным автором этого элемента, вы также можете проверить вкладку «Цитаты» в своем профиле RePEc Author Service, поскольку там могут быть некоторые цитаты, ожидающие подтверждения.

    По техническим вопросам, касающимся этого элемента, или для исправления его авторов, названия, аннотации, библиографической информации или информации для загрузки, обращайтесь: Клаус Вольрабе (адрес электронной почты указан ниже).Общие контактные данные провайдера: https://edirc.repec.org/data/cesifde.html .

    Обратите внимание, что исправления могут отфильтроваться через пару недель. различные сервисы RePEc.

    Перейти к основному содержанию Поиск