Тиристор т 100 характеристики: Тиристор Т100: продаж, ціна у Луцьку. Тиристори та симістори від “ЕлектроПриладТехСервіс”
alexxlab | 01.03.2023 | 0 | Разное
ᐈ Тиристор Т100 ᐈ Луцк 260 ГРН
Описание
Тиристор Т100-4 – 1шт
Тиристор Т100-6 – 4шт
Тиристоры серии Т: Т25, Т60, Т100, Т160, Т3-160, Т2-200, Т3-200, Т250, Т2-250, Т9-250, Т320, Т2-320, Т500. Тиристоры серии Т на токи от 25 до 500 А предназначены для применения в статических полупроводниковых преобразователях электрической энергии, а также в цепях постоянного и переменного тока частоты до 500 Гц.
Соответствуют техническим условиям ТУ16-529.793-73 и признана годной к эксплуатации.
Основные технические данные.
Основные параметры тиристоров при приемке и поставке не превышают норм, установленных в табл. 1.
Типы тиристоров
Предельный ток при температуре корпуса 85°С, А
Повторяющееся напряжение, В
Обратный ток и ток утечки при повторяющемся напряжении, мА, не более
Прямое падение напряжения при амплитудном значении предельного тока, В, не более
Т25
25
100-1400
10
1,90
Т60
50
1,75
Т100
100
20
1,95
Т160
160
100-1400
20
1,75
Т3-160
600-2200
50
1,95
Т2-200
200
100-1400
40
1,80
Т3-200
600-2200
50
1,85
Т250
250
100-2200
2,30
Т2-250
100-1400
1,64
Т9-250
400-1600
15
1,85
Т320
320
100-1600
40
2,10
Т2-320
100-1600
20
Т500
500
100-1600
Примечание: Тиристоры типов: Т25, Т60, Т100, Т160, Т3-160, Т2-200, Т3-200, Т2-250 имеют штыревую конструкцию. Тиристоры: Т250, Т9-250, Т320, Т2-320, Т500 – таблеточную конструкцию. В зависимости от значений повторяющихся напряжений тиристоры делятся на классы в соответствии с табл. 2.
Таблица 2
Классы тиристоров
Повторяющиееся напряжение, В
Неповторяющееся напряжение, В
1
100
110
2
200
225
3
300
335
4
400
450
5
500
560
6
600
670
7
700
785
8
800
900
9
900
1000
10
1000
1120
11
1100
1230
12
1200
1340
13
1300
1460
14
1400
1570
16
1600
1800
18
1800
2000
20
2000
2250
22
2200
2460
В зависимости от времени выключения, максимально-допустимой скорости нарастания прямого напряжения (du /dt) и максимально-допустимой скорости нарастания прямого тока тиристоры делятся на группы, значения которых приведены в таблице 3.
Таблица 3.
Группы
Время выключения, мкс, не более
Максимально-допустимая скорость нарастания прямого напряжения, в/мкс, не менее
Максимально-допустимая скорость нарастания прямого тока, А/мкс, не менее
3
100
100
70
4
70
200
100
5
50
500
200
6
30
1000
400
Примечание: Для тиристоров, которым присвоен Государственный знак качества, группе «О» соответствует время выключения не более 500 мкс, du/dt не менее 10 в/мкс и di/dt не менее 10 A/мкс.
Тиристоры типов Т2-320, Т500 в случае пробоя полупроводниковой структуры выдерживают без выброса пламени и ионизированных газов воздействие одного импульса тока треугольной формы амплитудой 35 кА
Интенсивность отказов тиристоров не более 2 х 10 в -5 степени 1/ч, вероятность безотказной работы на время 18000 часов составляет 0,7.
Установившееся внутреннее тепловое сопротивление тиристоров – не более указанных в таблице 4.
Таблица 4.
Типы
Установившиеся тепловые сопротивления
структура-корпус, °С/Вт
структура-анодный вывод, °С/Вт
структура-катодный вывод, °С/Вт
Т25
0,9
–
–
Т50
0,5
–
–
Т100
0,17
–
–
Т160
–
–
Т3-160
0,14
–
–
Т2-200
0,12
Т3-200
0,14
–
–
Т9-250, Т250, Т320
0,05
Тиристор низкочастотный Т151-100
- VDRM/VRRM = 300 – 1800 В
- IT(AV) = 100 А (TC = 85 °C)
- ITSM = 2 кA (Tj = 140 °C)
- герметичный металлокерамический корпус
- низкие потери в открытом состоянии
МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ | ||||||
Наименование параметра |
Условное обозначение |
Значения параметров | Единица измерения |
|||
мин.![]() |
тип. | макс. | ||||
Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Повторяющееся импульсное обратное напряжение, Tj = – 60 °C …+ 140 °C |
VDRM / VRRM |
300 |
– |
1800 |
В |
|
Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии / Неповторяющееся импульсное обратное напряжение, Tj = – 60 °C …+ 140 °C |
VDSM / VRSM |
400 |
– |
1900 |
||
Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии / Повторяющийся импульсный обратный ток, Tj = 140 °C, VD / VR = VDRM / VRRM | IDRM / IRRM |
– |
– |
15 |
мА |
|
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии, f = 50 Гц, ТС = 85 °C |
IT(AV) |
– |
– |
100 |
А |
|
Действующий прямой ток, f = 50 Гц, ТС = 85 °C | ITRMS | – | – | 157 | ||
Ударный ток в открытом состоянии, VR = 0, Tj = 140 °C, tp = 10 мс | ITSM |
– |
– |
2 |
кА |
|
Защитный показатель | I2t | – | – | 20 | кА2c | |
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, V = 0,67VDRM , IT = 200 А, IFG = 1 A, tr = 1 мкс, f = 50 Гц, Tj = 140 °C |
(diT/dt)crit |
– |
– |
160 |
A/мкс |
|
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, VD = 0,67VDRM, Tj = 140 °C |
(dVD/dt)crit |
200 |
– |
1000 |
В/мкс |
|
Максимальная мощность управления, постоянный ток | PGM | – |
– |
4 |
Вт |
|
Температура перехода | Tj | – 60 | – | + 140 | °C |
|
Температура хранения | Tstg | – 60 | – | + 50 |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ | |||||
Импульсное напряжение в открытом состоянии, IT = 314 A, Tj = 25 °C | VTM |
– |
– |
1,80 |
В |
Пороговое напряжение, Tj = 140 °C, IT = 150 – 500 A |
V(TO) |
– |
– |
1,15 |
|
Динамическое сопротивление, Tj = 140 °C, IT = 150 – 500 A | rT |
– |
– |
2,40 |
мОм |
Время задержки включения, V = 0,5VDRM , IT = 100 А, IFG = 1 A, tr = 1 мкс, Tj = 25 °C |
td |
– |
– |
3,0 |
мкс |
Время выключения, IT = 100 A, diT/dt = – 5 A/мкс, VR ? 100 В, |
tq |
– |
– |
160 |
|
Заряд обратного восстановления, diT/dt = – 5 A/мкс, Tj = 140 °C, IT = 100 А, VR ? 100 В |
Qrr |
– |
– |
300 |
мкКл |
Ток удержания, VD =12 В, Tj = 25 °C |
IH |
– |
– |
300 |
мА |
Ток включения, VD = 12 В, tР = 50 мкс, Tj = 25 °C |
IL |
– |
– |
700 |
|
Отпирающее постоянное напряжение управления, VD = 12 В, Tj = – 60 °C Tj = 25 °C Tj = 140 °C |
VGT |
– |
– |
4,5 2,5 2,0 |
В |
Отпирающий постоянный ток управления, VD = 12 В, Tj = – 60 °C Tj = 25 °C Tj = 140 °C |
IGT |
– |
– |
400 200 150 |
мА |
Неотпирающее постоянное напряжение управления, VD = 0,67VDRM, Tj = 140 °C |
VGD |
0,25 |
– |
– |
В |
Неотпирающий постоянный ток управления, VD = 0,67VDRM, Tj = 140 °C | IGD |
15 |
– |
– |
мА |
ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ | |||||
Тепловое сопротивление переход – корпус (постоянный ток) | Rthjc |
– |
– |
0,28 |
°С/Вт |
Тепловое сопротивление корпус – охладитель | Rthch | – | – | 0,08 | |
МЕХАНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ | |||||
Масса | w | – | 0,15 | – | кг |
Крутящий момент | Md | 10 | – | 20 | Nm |
ПРОЧИЕ ПАРАМЕТРЫ | |||||
Климатическое исполнение по ГОСТ 15150 | УХЛ2, Т2 |
pesec4.

Тиристоры производятся почти исключительно методом диффузии. Тиристоры можно разделить на девять категорий в зависимости от физического строительство, время включения и время выключения. Эти категории:
- Фаза Тиристоры управления (SCR)
- Быстро Переключающие тиристоры (SCR)
- Ворота Отключающие тиристоры (ГТО)
- двунаправленный Триодные тиристоры (триаки)
- Реверс Проводящие тиристоры (ТРТ)
- Статический Индукционные тиристоры (SITH)
- Свет Активированные кремниевые управляемые выпрямители (LASCR)
- полевой транзистор Управляемые тиристоры (FET-CTH)
- МОС Управляемые тиристоры (MCT)
Тиристоры фазового управления
Этот тип тиристора работает на частоте сети и
выключен естественной коммутацией. Время выключения порядка 50
100 мкс. Поскольку тиристор изготовлен из кремния и является управляемым устройством,
он называется кремниевым управляющим выпрямителем (SCR). Этот тип используется в низких
приложений переключения скорости и также известен как тиристор преобразователя . Современный
тиристоры используют схему затвора с усилением для включения основного тиристора. В
рисунок 4.11 вспомогательный тиристор T A запирается внешним стробирующим сигналом.
Усиленный выход этого вспомогательного тиристора используется для питания затвора.
сигнал на главный тиристор T M .
Рисунок 4.11 Тиристор с усиливающим затвором
Быстро Переключающий тиристор
Этот тип тиристора используется в высокоскоростном переключении
приложений и принудительно коммутируются. Они имеют быстрое время выключения в
диапазон от 5 до 50 мкс. Падение напряжения во включенном состоянии изменяется примерно как
обратная функция времени выключения т q . Этот тип известен как инвертор .
тиристор .
Запорный тиристор
Выключение ворот тиристор включается подачей положительного сигнала на затвор и выключается при применение отрицательного стробирующего сигнала. GTO имеют ряд преимуществ перед SCR. Эти преимущества:
- Ликвидация коммутирующих компонентов, что приводит к снижению стоимости, веса и объем.
- Уменьшение в акустических и электромагнитных помехах за счет устранения коммутационные дроссели.
- Быстрее отключение, позволяющее использовать приложения с высокой частотой переключения.
- Улучшенный КПД преобразователей.
ГТО, при использовании в маломощные устройства имеют ряд преимуществ перед биполярными транзисторами. Эти преимущества:
- Высшее
возможность блокировки по напряжению.
- А высокое отношение пикового регулируемого тока к среднему току.
- А высокое отношение пикового импульсного тока к среднему току.
- А высокий коэффициент усиления в открытом состоянии, т. е. отношение тока анода к току затвора.
- А импульсный стробирующий сигнал меньшей длительности.
Контролируемый пиковый ток в открытом состоянии I TGQ
Определяется как пиковое значение тока в открытом состоянии, которое можно отключить с помощью управления воротами.
Двунаправленный триодный тиристор
Двунаправленный тиристор или симистор проводит ток в обоих
направлениях и обычно используется в цепях управления фазой переменного тока. Может быть
рассматривается как два тринистора, соединенных встречно-параллельно с общим затвором
связь. Символ TRIAC и характеристики V-I показаны на рисунке.
4.12.
Рисунок 4.12 Характеристики TRIAC
Двунаправленное устройство не может иметь анод и катод, следовательно, клеммы обозначены как ворота, MT 1 и MT 2 . Если клемма MT 1 положительна по отношению к MT 2 , симистор может включить, подав положительный сигнал затвора между затвором и MT 1 . Если терминал MT 2 отрицательно по отношению к MT 1 , симистор может включить, подав отрицательный сигнал затвора между затвором и MT 1 . Это не необходимо иметь обе полярности управляющих сигналов для включения тиристора. Если работает в квадранте 1, ему нужны положительные напряжение и ток затвора, в то время как если он работает в квадранте III, ему требуется отрицательное напряжение и ток затвора.
Тиристор обратной проводимости
RCT представляет собой тиристор со встроенным встречно-параллельным диодом. показано на рисунке 4.13.
Рисунок 4.13 Тиристор обратной проводимости
Этот тиристор используется в схемах прерывателя и инвертора для позволить обратному току из-за индуктивных нагрузок протекать через встречно-параллельный диод. Обратное запирающее напряжение RCT обычно очень низкое. Диапазон от 30 до 40 вольт.
Тиристор статической индукции
SITH — устройство, принадлежащее меньшинству. Он включается прикладывая положительное напряжение затвора и выключаясь, применяя отрицательное напряжение затвора Напряжение. Он имеет высокую скорость переключения в диапазоне от 1 до 6 мкс и высокое значение dv/dt. и возможности di/dt.
Активированный светом кремний, контролируемый Тиристор
Это устройство включается, когда свет падает на кремний.
вафля. Электронно-дырочные пары, создаваемые триггером падающего света. устройство при приложении электрического поля. LASCR используются в высоковольтных
сильноточные приложения, такие как передача HVDC. Эти устройства предлагают
полная гальваническая развязка между источником срабатывания света и
коммутационное устройство. LASCR не могут быть отключены воротами.
Управляемый тиристор на полевых транзисторах
Тиристор, управляемый полевым транзистором, состоит из полевого транзистора, включенного параллельно с тиристором, как показано на рисунке 4.14. Тиристор срабатывает, когда напряжение затвора подается на МОП-транзистор. Эти устройства нельзя отключить управление воротами.
Рисунок 4.14 Управляемый полевой транзистор Тиристор
МОС Управляемый тиристор
Эти устройства
сочетает в себе свойства регенеративного четырехслойного тиристора и МОП-затвора
состав. Эквивалентная схема и обозначение этого устройства показаны на рис. рисунок 4.15. Особенности MCT:
- Низкий прямое падение напряжения во время проводимости.
- Быстро время включения и выключения.
- Низкий коммутационные потери.
- Низкий возможность блокировки обратного напряжения.
- Высокий входное сопротивление затвора.
Этот тип используется в приложениях с низкой скоростью переключения и также известный как преобразователь тиристор . В современных тиристорах для включения используется усилительная схема затвора. основной тиристор. На рисунке 4.11 вспомогательный тиристор T A закрыт внешним затвором. сигнал. Усиленный выход этого вспомогательного тиристора используется для питания сигнал включения главного тиристора Т М .
Рисунок 4. 15 MOS
Controlled Thyristor
Implement thyristor model – Simulink
Implement thyristor model
Library
Fundamental Blocks/Power Electronics
Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics
Description
The thyristor is a semiconductor устройство, которое может быть включено через стробирующий сигнал. модель тиристора моделируется как резистор Ron, индуктор Lon и источник постоянного напряжения представляющее прямое напряжение Vf, соединенное последовательно с переключателем. Переключатель управляется логическим сигналом, зависящим от напряжения Vak, тока Iak и управляющего сигнала g.
Тиристорный блок также содержит демпферную цепь Rs-Cs, которую можно включается параллельно тиристорному устройству.
Статическая характеристика VI этой модели показана ниже.
Тиристорный прибор включается при замыкании анод-катод В ак напряжение больше Вф и
на вход затвора подается положительный импульсный сигнал (g > 0). Высота импульса должна быть
больше 0 и длится достаточно долго, чтобы позволить анодному току тиристора стать больше, чем
ток фиксации Ил .
Тиристорное устройство отключается, когда ток, протекающий в устройстве, становится равным 0 (Iak = 0) а на аноде и катоде появляется отрицательное напряжение не менее чем на время, равное к моменту выключения Tq. Если напряжение на устройстве становится положительным в течение время меньше, чем Tq, устройство включается автоматически, даже если стробирующий сигнал низкий (g = 0) и анодный ток меньше тока фиксации. Кроме того, если во время включения устройство амплитуда тока остается ниже уровня фиксирующего тока, указанного в диалоговом окне, устройство выключается после того, как уровень стробирующего сигнала становится низким (g = 0).
Время выключения Tq представляет собой время восстановления несущей: это интервал времени между
момент, когда анодный ток уменьшился до 0, и момент, когда тиристор способен
выдерживания положительного напряжения Vak без повторного включения.
Параметры
Модель тиристора и подробная модель тиристора
Для оптимизации скорости моделирования доступны две модели тиристоров: модель тиристора
и детальная модель тиристора. Для модели тиристора ток фиксации Il и время восстановления Tq принимаются равными 0
.
- Сопротивление Ron
Внутреннее сопротивление тиристора Ron, в омах (Ом). По умолчанию
0,001
. Параметр Resistance Ron не может быть установлен на0
, когда установлен параметр Inductance Lon до0
.- Индуктивность Lon
Внутренняя индуктивность тиристора Lon, в генри (Гн). По умолчанию
0
для тиристорных блоков и1e–3
для подробного Тиристорные блоки. Параметр Inductance Lon обычно устанавливается до0
, за исключением случаев, когда установлен параметр Resistance Ron .до
0
.- Прямое напряжение Vf
Прямое напряжение тиристора в вольтах (В). По умолчанию
0,8
.- Начальный ток Ic
Когда параметр Inductance Lon больше
0
можно задать начальный ток, протекающий через тиристор. Это обычно устанавливается на0
, чтобы запустить моделирование с заблокированным тиристором. По умолчанию0
.Можно указать значение Начальный ток Ic , соответствующее конкретное состояние цепи. В таком случае все состояния линейной цепи должны быть установлены соответственно. Инициализация всех состояний силового электронного преобразователя является сложной задачей. Поэтому этот вариант полезен только с простыми схемами.
- Сопротивление снаббера Rs
Сопротивление снаббера в омах (Ом).
По умолчанию
500
. Установить демпфирующее сопротивление Rs параметр наinf
исключить демпфер от модели.- Снабберная емкость Cs
Снабберная емкость в фарадах (F). По умолчанию
250e-9
. Установить Снабберная емкость Параметр Cs до0
устранить снаббер, илиинф
, чтобы получить резистивный снаббер.- Показать порт измерения
Если выбрано, добавьте выход Simulink ® в блок, возвращающий ток и напряжение тиристора. По умолчанию выбрано.
- Ток фиксации Il
Ток фиксации детализированной модели тиристора в амперах (А). По умолчанию
0,1
. Этот параметр специфичен для детализированного тиристора. блоки.- Время выключения Tq
Время выключения Tq подробной модели тиристора в секундах (с).
По умолчанию
100e–6
. Этот параметр специфичен для детализированного тиристора. блоки.
Входы и выходы
-
g
Сигнал Simulink для управления затвором тиристора.
-
m
Выход Simulink блока представляет собой вектор, содержащий два сигнала. Вы можете демультиплексировать эти сигналы при помощи блока Bus Selector, предоставленного в библиотеке Simulink.
Signal
Definition
Units
1
Thyristor current
A
2
Напряжение тиристора
В
Допущения и ограничения
Блок Тиристор реализует макромодель реального тиристора. Он не принимает во внимание
учитывать либо геометрию устройства, либо сложные физические процессы, которые моделируют поведение
устройства [1, 2]. Прямое напряжение пробоя и критическое значение производной
повторно приложенное напряжение анод-катод не учитывается в модели.
В зависимости от значения индуктивности Lon блок тиристора моделируется либо как источник тока (Lon > 0) или как цепь с переменной топологией (Lon = 0). Тиристорный блок не могут быть соединены последовательно с катушкой индуктивности, источником тока или разомкнутой цепью, если только используется демпферная цепь.
Индуктивность Lon устанавливается на 0, если вы решили дискретизировать схему.
Примеры
В силовом тиристоре
Например, одноимпульсный тиристорный выпрямитель используется для питания нагрузки RL. Импульсы затвора
получают от генератора импульсов, синхронизированного по напряжению источника. Следующие параметры
использовано:
R | | |
L | | |
Thyristor block: | Ron | |
Lon | | |
Vf | | |
Rs | | |
Cs | |
Угол открытия регулируется генератором импульсов, синхронизированным с источником напряжения. Запустите моделирование и наблюдать ток нагрузки и напряжение нагрузки, а также ток тиристора и Напряжение.
Ссылки
[1] Rajagopalan, V., Компьютерный анализ мощности Electronic Systems , Marcel Dekker, Inc., New York, 1987.
[2] Mohan, N., T.M. Унделанд и В.П. Роббинс, Власть
Электроника: преобразователи, приложения и дизайн , John Wiley & Sons, Inc.