Транзистор б1: Маркировка радиодеталей, Коды SMD B1, B1*, B1**, B1-, B1-**, B1-***, B10, B10A, B10B, B10C, B10D, B10E, B10F, B10G, B10H, B11, B113ZS, B1237, B1=***, B1G***, B1O, B1Y. Даташиты 1KSMB100A, 1KSMB110A, 1KSMB120A, 1KSMB130A, 1KSMB150A, 1KSMB160A, 1KSMB82A, 1KSMB91A, 2SB1237, BAS40, BD4745G, DTB113ZS, ELM9711NBA, EMB10, EMB11, FR9801S6CTR, IMB10A, IMB11A, KSC2715, RT9010-12GJ6, RT9010-12PJ6, RT9011-GSGQWC, RT9013-33PU5, RT9013A-33GY, RT9014A-PGPQV, RT9169-12GV, RT9169-12PV, RT9169-12PX, RT9903PQV, SST5461, UMB10N, UMB11N.

alexxlab | 26.10.1985 | 0 | Разное

Однопереходные транзисторы

 

Однопереходные транзисторы

 

       Принцип действия

       Однопереходный транзистор ( его еще называют- двухбазовый диод) представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним р-n переходом. Структура его условно показана на рис. 1 а, условное графическое обозначение в схеме— на рис. 1 б.

Основой однопереходного транзистора является кристалл полупроводника (например, с проводимостью n-типа), называемый базой.  На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми расположена область, имеющая выпрямляющий контакт с полупроводником р-типа, выполняющим роль эмиттера.

Рис. 1. Однопереходный транзистор. Структура (а), условное графическое обозначение(б) и эквивалентная схема (в)

 

Принцип действия однопероходного транзистора удобно рассмотреть, пользуясь простейшей эквивалентной схемой (рис.

1 в), где R_Б1 и R_Б2 — сопротивления между соответствующими выводами базы и эмиттером, а Д1— эмиттерный р-п переход. Ток, протекающий через сопротивления R_Б1 и R_Б2, создает на первом из них падение напряжения, смещающее диод Д1 в обратном направлении. Если напряжение на змиттере Uэ меньше падения напряжения на сопротивлении R_Б1, диод Д1 закрыт, и через него течет только ток утечки. Когда же напряжение U_Э становится выше напряжения на сопротивлении R_Б1, диод начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление R_Б1 уменьшается, что приводит к увеличению тока в цепи Д1 R_Б1, а это, в свою очередь, вызывает дальнейшее уменьшение сопротивления R_Б1. Этот процесс протекает лавинообразно. Сопротивление R_Б1 уменьшается быстрее, чем увеличивается ток через p-n переход, в результате на вольт-амперной характеристике однопереходного транзистора (рис. 2), появляется область отрицательного сопротивления (кривая 1). При дальнейшем увеличении тока зависимость сопротивления R_Б1 от тока через p-n переход уменьшается, и при значениях, больших некоторой величины ( Iвыкл) оно не зависит от тока (область насыщения).

 

Рис. 2. Однопереходный транзистор. Вольт-амперная характеристика

 

При уменьшении напряжения смещения Uсм вольт-амперпая характеристика смещается влево (кривая 2) и при отсутствии его обращается в характеристику открытого p-n перехода (кривая 3).

Основными параметрами однопереходных транзисторов, характеризующими их как элементы схем, являются: межбазовое сопротивление R_Б1Б2 – сопротивление между выводами баз при отключенном эмиттере; коэффициент передачи характеризующий напряжение переключения

:

напряжение срабатывания Ucp— минимальное напряжение на эмиттерном переходе, необходимое для перевода прибора из состояния с большим сопротивлением в состояние с отрицательным сопротивлением;
ток включения Iвкл — минимальный ток, необходимый для включения однопереходного транзистора, то есть перевода его в область отрицательного сопротивления;
ток выключения Iвыкл —наименьший эмиттерный ток, удерживающий транзистор во включенном состоянии;
напряжение выключения Uвыкл— напряжение на эмиттерном переходе при токе через него, равном Iвыкл;
обратный ток эмиттера Iэо — ток утечки закрытого эмиттерного перехода.

Эквивалент однопереходного транзистора может быть построен из двух обычных транзисторов с разным типом проводимости, как показано на рис. 3.

Рис. 3. Однопереходный транзистор. Эквивалент однопереходного транзистора

Здесь ток, протекающий через делитель, состоящий из резисторов R1 и R2, создает на втором из них падение напряжения, закрывающее эмиттерный переход транзистора Т1. При увеличении напряжения на эмиттере транзистор Т1 начинает пропускать ток в базу транзистора Т2, в результате чего он также открывается. Это приводит к снижению напряжения на базе транзистора Т1, что, в свою очередь, вызывает еще большее открывание его и т. д. Другими словами, процесс открывания транзисторов в таком устройстве также протекает лавинообразно и вольтамперная характеристика устройства имеет вид, аналогичный характеристике однопереходного транзистора.

 

В. КОНЯЕВ, В. РЕПИН

Источник материла: htt://radvs. boom.ru.  Ред. 12.09 В.Ф. Гайнутдинов

    

Copyright © V.F.Gainutdinov, 2006 – 2016. Все права защищены.
Разрешается републикация материалов сайта в Интернете с обязательным указанием активной ссылки на сайт http://vicgain.sdot.ru и со ссылкой на автора материала (указание автора, его сайта).

Справочник полевых транзисторов отечественных. Импортные аналоги.

Импортные MOSFET + отечественные полевые транзисторы Отечественные производители транзисторов Наименование Аналог PDF Тип Imax, A Uкэmax, В Rmin, Ом КП150 IRFP150   n 38  100  0,055 КП250 IRFP250 n 30 200 0,085 КП302 (А1-Г1) BFR30,2SK543-5 n 0,043 20 100 КП350 IRFP350   n 14  400 0,3 КП364 (А-И) 2SK653   n 0. 02 25   КП402 (А) BF998 p 0,15 200 20 КП403 (А) 3SK132   n 0,3 200  6 КП450 IRFP450 n 12 500 0,4 КП460 IRFP460 n 20  500  0,27 КП501(А,Б,В) ZVN2120 n 0,18 240 10 КП502А BSS124 n 0,12 400 28 КП504(А-Е) BSS88 n 0,25 240  8 КП505(А-Г) BSS295 n 1,4 60  0,3 КП507А BSS315 p 1,1 50 0,8 КП508А BSS92 p 0,15 240 20 КП511А,Б TN0535 n 0,14 400 22 КП601 (А,Б)   n 0,4 20   2П701 (А,Б) MTP3N50   n 9 500  1,2 2П703 (А,Б) RRF623   p 12 150 0,7 КП704 (А,Б) 2SK757   n 10 200  0,2 КП705 (А-В) APT1004 n 5,4 1000 3,3 2П706 (А-В) 2SK1248   n 20  500  0,4 КП707 (А-В) 2SK1117 n 25 750 1 КП707(А1-В1) BUZ90   n 6 750  1  КП709(А,Б) BUZ90A n 4 600 2 КП723 (А-В) IRFZ44,IRFZ45 n 50 60 0,028 КП726 (А,Б) BUZ90 n 4,5 600 1,6 КП727 (А,Б) КП727 (А-В) (new) IRFZ34 n 30 60 0,05 КП728 (Г1-С1)   n 3,3 700 3 КП731 (А-В) IRF710 n 2  400  3,6 КП733 (А)   n 1,5 400 3,6 КП737 (А-В) IRF634,IRF630 n 9 250 0,4 КП739 (А-В) IRFZ14,IRFZ10 n 10 60 0,2 КП740 (А-В) IRFZ24,IRFZ25 n 17 60 0,1 КП741 (А,Б) IRFZ48 n 50 60 0,018 КП742 (А,Б) STH75N06 n 80 60 0,012 КП743 (А-В) IRF510,IRF512 n 5,6 100 0,54 КП743 (А1-В1)   n 5,6 100 0,54 КП744 (А-Г) IRF520 n 9,2 100  0,27 КП745 (А-В) IRF530 n 14 100 0,16 КП746 (А-В) IRF540 n 28 100  0,077 КП747А IRFP150 n 41 100 0,055 КП748 (А-В) IRF610 n 3,3 200 1,5  КП749 (А-Г) IRF620 n 5,2 200 0,8 КП750 (А-Г) IRF640 n 18 200  0,18 КП751 (А-В) IRF720 n 3,3 400 0,8 КП767 (А-В) IRF640,IRF630   n 18 200 0,18 КП768 (А-М) IRF730,IRF720 n 10 400 0,55 КП769 (А-Г) IRF540,IRF530   n 28  100  0,077 КП770 (А,Д,К) IRF840,IRF830 n 8 500 0,85 КП771 (А-Г) STP40N10 n 40 100 0,055 КП775 (А-В) 2SK2498A n 50 60 0,009 КП780 (А-В) IRF820 n 2,5 500  3 КП784А IRF9Z34 p 18 60 0,14 КП785А IRF9540 p 19 100 0,2 КП796(А-В) IRF9540 p 4,1 300 1 2П797Г IRF540 n 28 100 0,077 2П7102Д IRFZ44 n 50 60 0,028 КП7128А,Б IRF5210 p 40 100 0,06 КП7129А SSU1UN60 n 1,2 600 11,5 2П7140А IRF7103 n 3 ??? 0,13 2П7144А IRF9140 p 19 100 0,2 2П7145А,Б IRF250 n 30 200 0,085 2П7160А   n 46 30 0,006 КП7173А STP4NK60Z n 4 600 2 КП7174А   n 18 75 0,075 КП7176А     n 80 100 0,026 КП7177 А,Б IXFH50N20,IRF260 n 50 200 0,045 КП7178А   n 40 300 0,085 КП7180 А,Б IRF460, IXFh34N50 n 26 500 0,2 КП7181А     n 40 500 0,14 КП7182А IXFh30N60 n 20 500 0,35 КП7183А OM6053SJ   n 30 600 0,83 КП7184А IXFh25N80 n 15 800 0,6 КП7275 IXFH75N10   n 75 100 0,026 КП801 (А-Г)   n 5 65 2,2 2П802А     n 2,5  500  1,5 2П803 (А,Б) BV2310   n 4,5 1000 4 КП804А RFL2N05   n 1 60 0,6 КП805 (А-В) BUZ216 n 4 600 2 КП809 (А-Е1) BVZ90   n 9,6 800  0,3 КП810 (А-В) DVZ216 n 7 700 0,2 КП812 (А1-В1) IRFZ44,IRFZ34   n 50 60  0,028 КП813 (А1,Б1)   n 22 200 0,12 КП901     n 2 85   КП902     n 0,25 70   КП904     n 7,5 100    КП905     n 0,3 80   КП907     n 2,1 80   2П912 (А,Б)   n 20 100 0,1 2П914А     n 0,1 50 23 2П917 (А,Б)   n 5 300 2,5 КП921А     n 10 45 0,08 КП922 (А,Б,А1,Б1) NTP7N05   n 10 100  0,13 2П926(А,Б)   n 16,5 450 0,1 КП931 (А-В) NTP7N05   n 5 800  0,07 КП932А MTP5N05 n 0,3 250 40 КП934 (А,Б) F1053   n 10 450 0,03 2П942 (А-В) MRF136 n 10 800 0,2 КП953 (А-Д) F1014   n 15 800  0,05 КП954 (А-Е) BFL545 n 20 150 0,025 КП959 (А-В) BVK462   n 0,2 300    КП960 (А-В) 2SK659 p 0,2 300   КП961 (А-Е) BLF242(A)   n 5 250 0,1 КП965 (А-Д)     p 5 250 0,1 КП971 А,Б КТ847,КТ878   n 25 900 0,04 КП973 А,Б КТ847,КТ848   n 30 700 0,03

Как проверить тарнзистор – тестирование биполярных, полевых, цифровых, однопереходных транзисторов

Прежде чем рассмотреть способы как проверить исправность транзисторов необходимо знать, как проверять исправность p-n перехода или как правильно тестировать диоды. Именно с этого мы и начнем… Тестирование полупроводниковых диодов При тестировании диодов с помощью стрелочных ампервольтомметрами следует использовать нижние пределы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом направлении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении — бесконечно большое сопротивление. При неисправности диода стрелочный (аналоговый) ампервольтомметр покажет в обоих направлениях сопротивление близкое к 0 (при пробое диода) или бесконечно большое сопротивление при разрыве цепи. Сопротивление переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и кремниевых диодов различно. Проверка диодов с помощью цифровых мультиметров производится в режиме их тестирования. При этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на р-n переходе при измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направлении. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составляет 0,5. ..0,8 В, для германиевых — 0,2…0,4 В. При проверке диода с помощью цифровых мультиметров в режиме измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюдается разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение на клеммах мультиметра недостаточно для того, чтобы переход открылся. Как проверить исправность транзистора Для наиболее распространенных биполярных транзисторов их проверка аналогична тестированию диодов, так как саму структуру транзистора р-n-р или n-р-n можно представить как два диода (см. рисунок выше), с соединенными вместе выводами катода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании транзистора прямое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45…0,9 В. Говоря проще, при проверке омметром переходов база-эмиттер, база-коллектор исправный транзистор в прямом направлении имеет маленькое сопротивление и большое сопротивление перехода в обратном направлении. Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть очень большое, за исключением описанных ниже случаев. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и остановимся подробнее. Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных транзисторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером. Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина тестирования. При проверке таких транзисторов следует сравнивать проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного транзистора. При проверке цифровым мультиметром транзисторов с резистором в цепи база-эмиттер напряжение на переходе база-эмиттер будет близким или равным 0 В. Другими «необычными» транзисторами являются составные, включенные по схеме Дарлингтона. Внешне они выглядят как обычные, но в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме, изображенной на рис. 2. От обычных их отличает высокий коэффициент усиления — более 1000. Тестирование таких транзисторов особенностями не отличается, за исключением того, что прямое напряжение перехода база-эмиттер составляет 1,2…1,4 В. Следует отметить, что некоторые типы цифровых мультиметров в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае прибор показывает разрыв. Тестирование однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-амперной характеристике участка, с отрицательным сопротивлением. Наличие такого участка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использоваться для генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.). Однопереходный транзистор используется в генераторных и переключательных схемах. Для начала разберем, чем отличается однопереходный транзистор от программируемого однопереходного транзистора. Это несложно: общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора) с 2мя р-n переходами; однопереходный транзистор имеет выводы, называемые база 1 (Б1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора; программируемый однопереходный транзистор имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В — прямое напряжение р-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения такого прибора т.е. “программировать” его. Чтобы проверить исправность однопереходного и программируемого однопереходного транзистора следует измерить омметром сопротивление между выводами Б1 и Б2 или А и К для проверки на пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для проверки однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов (см. схему ниже – для ОПТ — рис. слева, для программируемого ОПТ — рис. справа). Рис. 3 Проверка цифровых транзисторов Рис. 4 Упрощенная схема цифрового транзистора слева, Справа – схема тестирования. Стрелка означает «+» измерительного прибора Другими необычными транзисторами являются цифровые (транзисторы с внутренними цепями смещения). На рис 4. выше изображена схема такого цифрового транзистора. Номиналы резисторов R1 и R2 одинаковы и могут составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы. Цифровой транзистор внешне не отличается от обычного, но результаты его «прозвонки» могут поставить в тупик даже опытного мастера. Для многих они как были «непонятными», так таковыми и остались. В некоторых статьях можно встретить утверждение – “тестирование цифровых транзисторов затруднено… Лучший вариант – замена на заведомо исправный транзистор”. Бесспорно, это самый надежный способ проверки. Попробуем разобраться, так ли это на самом деле. Давайте разберемся, как правильно протестировать цифровой транзистор и какие выводы сделать из результатов измерений. Для начала обратимся к внутренней структуре транзистора, изображенной на рис.4, где переходы база-эмиттер и база-коллектор для наглядности изображены в виде двух включенных встречно диодов. Резисторы R1 и R2 могут быть как одного номинала, так и могут отличаться и составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы. Пусть сопротивление резистора R1 будет 10 кОм, a R2 – 22 кОм. Сопротивление открытого кремниевого перехода примем равным 100 Ом. В частности, эту величину показывает стрелочный авометр Ц4315 при измерении сопротивления на пределе х1. В прямом направлении цепь база-коллектор рассматриваемого транзистора состоит из последовательно соединенных резистора R1 и сопротивления собственно перехода база-коллектор (VD1 на рис. 1). Сопротивлением перехода, так как оно значительно меньше сопротивления резистора R1, можно пренебречь, и этот замер даст величину, приблизительно равную значению сопротивления резистора R1, которое в нашем примере равно 10 кОм. В обратном направлении переход остается закрытым, и ток через этот резистор не течет. Стрелка авометра должна показать «бесконечность». Цепь база-эмиттер представляет собой смешанное соединение резисторов R1, R2 и сопротивления собственно перехода база-эмиттер (VD2 на рис. 4 слева). Резистор R2 включен параллельно этому переходу и практически не изменяет его сопротивления. Следовательно, в прямом направлении, когда переход открыт, ампервольтомметр вновь покажет величину сопротивления, приблизительно равную значению сопротивления базового резистора R1. При изменении полярности тестера переход база-эмиттер остается закрытым, и ток протекает через последовательно соединенные резисторы R1 и R2. В этом случае тестер покажет сумму этих сопротивлений. В нашем примере она составит приблизительно 32 кОм. Как видите, в прямом направлении цифровой транзистор тестируется так же, как и обычный биполярный транзистор, с той лишь разницей, что стрелка прибора показывает значение сопротивления базового резистора. А по разности измеренных сопротивлений в прямом и обратном направлениях можно определить величину сопротивления резистора R2. Теперь рассмотрим тестирование цепи эмиттер-коллектор. Эта цепь представляет собой два встречно включенных диода, и при любой полярности тестера его стрелка должна была бы показать «бесконечность». Однако, это утверждение справедливо только для обычного кремниевого транзистора. В рассматриваемом случае из-за того, что переход база-эмиттер (VD2) оказывается зашунтированным резистором R2, появляется возможность открыть переход база-коллектор при соответствующей полярности измерительного прибора. Измеренное при этом сопротивление транзисторов имеет некоторый разброс, но для предварительной оценки можно ориентироваться на значение примерно в 10 раз меньшее сопротивления резистора R1. При смене полярности тестера сопротивление перехода база-коллектор должно быть бесконечно большим. На рис. 4 справа подведен итог вышесказанному, которым удобно пользоваться в повседневной практике. Для транзистора прямой проводимости стрелка будет означать «-» измерительного прибора. В качестве измерительного прибора необходимо использовать стрелочные (аналоговые) АВОметры с током отклонения головки около 50 мкА (20 кОм/В). Следует отметить, что вышеизложенное носит несколько идеализированный характер, и на практике, могут быть ситуации, требующие логического осмысления результатов измерений. Особенно в случаях, если цифровой транзистор окажется дефектным. Как проверить полевой МОП-транзистор Существует несколько разных способов проверки полевых МОП-транзисторов. Например такой: Проверить сопротивление между затвором — истоком (3-И) и затвором — стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим. Соединить затвор с истоком. В этом, случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания). Самой распространенной и характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание между затвором — истоком и затвором — стоком. Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между истоком и стоком, второй — между истоком и затвором. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах – второго омметра. Естественно, цифровые мультиметры для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки. Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы затвора и истока для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам истока-стока подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении затвор-исток около 2 В. При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя транзистор статическим электричеством. Как определить структуру и расположения выводов транзисторов, тип которых неизвестен При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора шести вариантов – определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе база-эмиттер всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе база-коллектор (при пользовании стрелочного мультиметра сопротивление перехода база-эмиттер в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода база-коллектор). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это «+» — транзистор структуры n-p-n, если «-» — структуры р-n-р.

Однопереходной транзистор как проверить

Транзисторы КТ117.

Транзисторы КТ117

КТ117 представляет из себя специальный полупроводниковый прибор, так называемый — однопереходный транзистор.
КТ117 предназначен для работы в генераторах, в качестве переключателя малой мощности. Коллектора у однопереходного транзистора нет, а есть эмиттер и две базы — 1 и 2.

Схема эквивалентная однопереходному транзистору КТ117 выглядит вот так:

А схема звукового генератора собранная на КТ117 может выглядеть вот таким образом:

Схема получается гораздо проще, поскольку один КТ117 заменяет здесь два обычных биполярных транзистора.

Параметры однопереходного транзистора.

Максимальный ток эмиттера — у КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г — 30мА.

Напряжение между базами — у всех КТ117 — 30в.

Напряжение между базой 2 и эмиттером — у всех КТ117 — 30в.

Максимальная рассеиваемая мощность — у всех КТ117 — 300мВт.

Межбазовое сопротивление:

У КТ117А,Б — от 4 до 9 кОм.
У КТ117В,Г — от 8 до 12 кОм.

Максимальная рабочая частота — у всех КТ117 — 200кГц.

Коэффициент передачи — отношение напряжения включения к напряжению между базами: У КТ117А — от 0,5 до 0,7
У КТ117Б — от0,65 до 0,9
У КТ117В — от 0,5 до 0,7
У КТ117Г — от 0,65 до 0,9

Корпус транзистора пластиковый или металло-стекляный. Маркировка буквенно — цифровая.

Принцип работы однопереходного транзистора.

Итак, любой однопереходный транзистор содержит в себе один p-n переход, что и вобщем то и так понятно — из его названия. Если переход один, откуда у него тогда три электрода, и как он вообще работает? На кристалле полупроводника однородной проводимости, на некотором расстоянии друг от друга имеются омические контакты — База1(Б1) и База2(Б2). Между ними находится область p-n перехода — контакт с полупроводником противоположной проводимости, омический контакт которого является — эмиттером.

Обычно, принцип действия однопереходного транзистора рассматривают с помощью несложной эквивалентной схемы.

R1 и R2 здесь — сопротивления между выводами Б1 и Б2, а V1 — эмиттерный p-n переход. Согласно данной схемы через R1 и R2 будет течь ток,причем падение напряжения на R1 будет смещать диод в обратном направлении. Таким образом, диод будет закрыт, пока на эмиттер не будет подано прямое напряжение превышающее величину падения напряжения на R1. Как только такое напряжение подано, диод открывается и начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление R1 еще более уменьшается — снижается напряжение падения. Происходит лавинообразный процесс открывания транзистора.

Схема тиристорного регулятора на однопереходном транзисторе.

На рисунке ниже — схема тиристорного регулятора, с лампой накаливания в виде нагрузки.

R1 — 100 КОм — переменный, мощностью 0,5 Вт, любого типа.
Резисторы R2 — 3 КОм, R3 — 1 КОм, R4 — 100 Ом, R5 — 30 КОм — МЛТ.
VD1 — стабилитрон Д814В
VD2 — КД105Б
VD3 — КД202Р
VS1 — КУ202Н
Конденсатор С1 — 0,1МФ 400В., любого типа.
Транзистор VT1 — КТ117А
Плавкий предохранитель 0.5 — 1.5 Ампер(в зависимости от мощности лампы.)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник: elektrikaetoprosto.ru

ПРОБНИК ДЛЯ ПРОВЕРКИ ОДНОПЕРЕХОДНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Многие радиолюбители, не имея специального прибора для измерения пара­метров однопереходных транзисторов, сравнивают измеренные авометром сопротивления р-n переходов транзистора с паспортными значениями. Однако, как показала практика, этот метод не всегда дает объективные результаты. Более полное представление о работоспособности однопереходного транзистора может дать пробник, принципиальная схема которого приведена на рисунке.

Испытуемый транзистор, после подключения его к пробнику, совместно с эле­ментами схемы R1R2R3C1 образует релаксационный генератор, настроенный на частоту около 830 Гц.

Если транзистор V1 исправен, то переменное напряжение, усиленное по мощ­ности эмиттерным повторителем на транзисторе V2, поступает на диоды V3, V4 и после выпрямления вызовет свечение светодиода. Если после подключения ис­пытуемого транзистора светодиод V4 не излучает, то это укажет на неисправность однопереходного транзистора.

На рис. 1 изображена принципиальная схема достаточно простого измерителя параметров транзисторов, позволяющего измерять h₂₁₃, начальные токи и R_{elза—эмитте р -гр анзист °р а T1 (и БэТ1 и БэТ м.ко ) .}

Затем вместо магазина останавливают близкий по номиналу резистор и припа­ивают выводы транзистора Т2.

Налаживание генератора заключается лишь в подборе резистора R12 до появ­ления устойчивых неискаженных колебаний.

Постоянное напряжение на выходе усилителя (на эмиттере транзистора Т6) должно быть равным половине напряжения источника питания Б1. Подбирая рези­стор R22 либо R23, устанавливают напряжение на выходе, а затем, изменяя их со­противления так, чтобы отношение сопротивлений оставалось постоянным, устанавливают ток транзисторов 1… 1,5 мА.

Далее при минимально возможном напряжении питания Б1 на вход усилителя с генератора подают максимальное калибровочное напряжение. Вместо диода Д2 включают осциллограф. Сопротивление резистора R21 увеличивают до тех пор, пока не исчезнут нелинейные искажения выходного сигнала. Диод Д2 устанавли­вают обратно на место. Затем подбирают резистор R25 таким, чтобы стрелка при­бора ИП1 отклонялась на всю шкалу.

Если используется микроамперметр, не имеющий шкалы переменных напряже­ний, то необходима калибровка прибора для измерения h₂₁₃. Для этого вместо ре­зистора R15 включают магазин сопротивлений (желательно со средней точкой). Набирают код 000, при максимальном напряжении питания стрелку устанавливают на последнюю отметку шкалы. Изменяя сопротивление магазина от 50 Ом до 0, градуируют шкалу. Отградуировать прибор для измерения R_{el>lKR , поэтому при про­верке на пробой исправного транзистора стрелка прибора почти не отклонится.}

Переключив тумблер ВЗ в положение «Калибровка» (код 110), величину началь­ного тока l_KR можно измерить более точно.

При измерении напряжения U_КЭ (код 101) для упрощения коммутации измеряют не само напряжение между коллектором и эмиттером проверяемого транзистора, а выходное напряжение стабилизатора U _пит Более точно U_ls можно определить по формуле: .

т. е. даже при максимальном токе коллектора (10 мА) напряжение U _пит отличается от U_IS всего на 0,5 В и можно считать U _пит = U _кэ.

Установка резистором R3 необходимое напряжение резистором R7 уста­

навливают коллекторный ток транзистора.

При измерении начальных токов транзистора (код 110) гнездо для подключения его вывода базы не используется.

Для определения начального тока коллектора 1_КН вывод базы транзистора необходимо соединить с выводом эмиттера. Сквозной ток транзистора1_КЭ0изме- ряется при неподключенном выводе базы. При измерении начального тока 1_Э0 эмиттерного перехода вывод эмиттера подключают к гнезду «К», а вывод базы — к гнезду «Э». При этом необходимо помнить, что для большинства высокочастот­ных транзисторов напряжение, подаваемое на них, не должно превышать 2…3 В. Измерение начального тока 1_К0 коллекторного перехода производится аналогич­ным образом (вывод коллектора подключают к гнезду «К», а вывод базы — к гнезду «Э»).

Перед определением И_21Э измеритель калибруют (код 010). Для этого перемен­ное напряжение с делителя R14R15 подается на вход усилителя и после выпрямле­ния диодом Д2 подается на прибор ИП1. _1ЭМ>ко = 100, во втором — на Ь|_21ЭМДКС = 200.

При измерении Ь|_21Э выходное напряжение генератора через резистор R17 по­ступает на базу проверяемого транзистора. При этом падение напряжения на ре­зисторе R20, измеряемое прибором, пропорционально коэффициенту передачи по току транзистора.

Изменяя ток коллектора 1_К, либо напряжение транзистора резисторами R7 и R3 соответственно, можно проследить влияние режима работы транзистора на Ь|_21Э. Это позволит оценить стабильность коэффициента передачи каскада, собранного на этом транзисторе. Чем больше изменяется Ь|_21Э, тем менее стабилен будет коэффициент передачи каскада.

Входное сопротивление транзистора R_{elof your page —>}

Источник: nauchebe.net

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

• Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
• Л – лампочка.
• R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Источник: www.asutpp.ru

ВРемонт.su — ремонт фото видео аппаратуры, бытовой техники, обзор и анализ рынка сферы услуг

Home Радиотехника Способы проверки транзисторов

Способы проверки транзисторов

Прежде чем рассмотреть способы как проверить исправность транзисторов необходимо знать, как проверять исправность p-n перехода или как правильно тестировать диоды. Именно с этого мы и начнем.

Тестирование полупроводниковых диодов

При тестировании диодов с помощью стрелочных ампервольтомметрами следует использовать нижние пределы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом направлении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении — бесконечно большое сопротивление. При неисправности диода стрелочный (аналоговый) ампервольтомметр покажет в обоих направлениях сопротивление близкое к 0 (при пробое диода) или бесконечно большое сопротивление при разрыве цепи. Сопротивление переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и кремниевых диодов различно.

Проверка диодов с помощью цифровых мультиметров производится в режиме их тестирования. При этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на р-n переходе при измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направлении. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составляет 0,5. 0,8 В, для германиевых — 0,2. 0,4 В. При проверке диода с помощью цифровых мультиметров в режиме измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюдается разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение на клеммах мультиметра недостаточно для того, чтобы переход открылся.

Как проверить исправность транзистора

Для наиболее распространенных биполярных транзисторов их проверка аналогична тестированию диодов, так как саму структуру транзистора р-n-р или n-р-n можно представить как два диода (см. рисунок выше), с соединенными вместе выводами катода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании транзистора прямое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45. 0,9 В. Говоря проще, при проверке омметром переходов база-эмиттер, база-коллектор исправный транзистор в прямом направлении имеет маленькое сопротивление и большое сопротивление перехода в обратном направлении. Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть очень большое, за исключением описанных ниже случаев. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и остановимся подробнее.

Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных транзисторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером. Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина тестирования. При проверке таких транзисторов следует сравнивать проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного транзистора. При проверке цифровым мультиметром транзисторов с резистором в цепи база-эмиттер напряжение на переходе база-эмиттер будет близким или равным 0 В.

Другими «необычными» транзисторами являются составные, включенные по схеме Дарлингтона. Внешне они выглядят как обычные, но в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме, изображенной на рис. 2. От обычных их отличает высокий коэффициент усиления — более 1000.

Тестирование таких транзисторов особенностями не отличается, за исключением того, что прямое напряжение перехода база-эмиттер составляет 1,2. 1,4 В. Следует отметить, что некоторые типы цифровых мультиметров в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае прибор показывает разрыв.

Тестирование однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов

Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-амперной характеристике участка, с отрицательным сопротивлением. Наличие такого участка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использоваться для генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.).

Однопереходный транзистор используется в генераторных и переключательных схемах. Для начала разберем, чем отличается однопереходный транзистор от программируемого однопереходного транзистора. Это несложно:

• общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора) с 2мя р-n переходами;
• однопереходный транзистор имеет выводы, называемые база 1 (Б1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора;
• программируемый однопереходный транзистор имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В — прямое напряжение р-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения такого прибора т.е. «программировать» его.

Чтобы проверить исправность однопереходного и программируемого однопереходного транзистора следует измерить омметром сопротивление между выводами Б1 и Б2 или А и К для проверки на пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для проверки однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов (см. схему ниже — для ОПТ — рис. слева, для программируемого ОПТ — рис. справа).

Проверка цифровых транзисторов

Рис. 4 Упрощенная схема цифрового транзистора слева, Справа — схема тестирования. Стрелка означает «+» измерительного прибора

Другими необычными транзисторами являются цифровые (транзисторы с внутренними цепями смещения). На рис 4. выше изображена схема такого цифрового транзистора. Номиналы резисторов R1 и R2 одинаковы и могут составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы.

Цифровой транзистор внешне не отличается от обычного, но результаты его «прозвонки» могут поставить в тупик даже опытного мастера. Для многих они как были «непонятными», так таковыми и остались. В некоторых статьях можно встретить утверждение — «тестирование цифровых транзисторов затруднено. Лучший вариант — замена на заведомо исправный транзистор». Бесспорно, это самый надежный способ проверки. Попробуем разобраться, так ли это на самом деле. Давайте разберемся, как правильно протестировать цифровой транзистор и какие выводы сделать из результатов измерений.

Для начала обратимся к внутренней структуре транзистора, изображенной на рис. 4, где переходы база-эмиттер и база-коллектор для наглядности изображены в виде двух включенных встречно диодов. Резисторы R1 и R2 могут быть как одного номинала, так и могут отличаться и составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы. Пусть сопротивление резистора R1 будет 10 кОм, a R2 — 22 кОм. Сопротивление открытого кремниевого перехода примем равным 100 Ом. В частности, эту величину показывает стрелочный авометр Ц4315 при измерении сопротивления на пределе х1.

В прямом направлении цепь база-коллектор рассматриваемого транзистора состоит из последовательно соединенных резистора R1 и сопротивления собственно перехода база-коллектор (VD1 на рис. 1). Сопротивлением перехода, так как оно значительно меньше сопротивления резистора R1, можно пренебречь, и этот замер даст величину, приблизительно равную значению сопротивления резистора R1, которое в нашем примере равно 10 кОм. В обратном направлении переход остается закрытым, и ток через этот резистор не течет. Стрелка авометра должна показать «бесконечность».

Цепь база-эмиттер представляет собой смешанное соединение резисторов R1, R2 и сопротивления собственно перехода база-эмиттер (VD2 на рис. 4 слева). Резистор R2 включен параллельно этому переходу и практически не изменяет его сопротивления. Следовательно, в прямом направлении, когда переход открыт, ампервольтомметр вновь покажет величину сопротивления, приблизительно равную значению сопротивления базового резистора R1. При изменении полярности тестера переход база-эмиттер остается закрытым, и ток протекает через последовательно соединенные резисторы R1 и R2. В этом случае тестер покажет сумму этих сопротивлений. В нашем примере она составит приблизительно 32 кОм.

Как видите, в прямом направлении цифровой транзистор тестируется так же, как и обычный биполярный транзистор, с той лишь разницей, что стрелка прибора показывает значение сопротивления базового резистора. А по разности измеренных сопротивлений в прямом и обратном направлениях можно определить величину сопротивления резистора R2.

Теперь рассмотрим тестирование цепи эмиттер-коллектор. Эта цепь представляет собой два встречно включенных диода, и при любой полярности тестера его стрелка должна была бы показать «бесконечность». Однако, это утверждение справедливо только для обычного кремниевого транзистора.

В рассматриваемом случае из-за того, что переход база-эмиттер (VD2) оказывается зашунтированным резистором R2, появляется возможность открыть переход база-коллектор при соответствующей полярности измерительного прибора. Измеренное при этом сопротивление транзисторов имеет некоторый разброс, но для предварительной оценки можно ориентироваться на значение примерно в 10 раз меньшее сопротивления резистора R1. При смене полярности тестера сопротивление перехода база-коллектор должно быть бесконечно большим.

На рис. 4 справа подведен итог вышесказанному, которым удобно пользоваться в повседневной практике. Для транзистора прямой проводимости стрелка будет означать «-» измерительного прибора.

В качестве измерительного прибора необходимо использовать стрелочные (аналоговые) АВОметры с током отклонения головки около 50 мкА (20 кОм/В).

Следует отметить, что вышеизложенное носит несколько идеализированный характер, и на практике, могут быть ситуации, требующие логического осмысления результатов измерений. Особенно в случаях, если цифровой транзистор окажется дефектным.

Как проверить полевой МОП-транзистор

Существует несколько разных способов проверки полевых МОП-транзисторов. Например такой:

• Проверить сопротивление между затвором — истоком (3-И) и затвором — стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.
• Соединить затвор с истоком. В этом, случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Самой распространенной и характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание между затвором — истоком и затвором — стоком.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между истоком и стоком, второй — между истоком и затвором. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах — второго омметра. Естественно, цифровые мультиметры для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы затвора и истока для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам истока-стока подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении затвор-исток около 2 В.

При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя транзистор статическим электричеством.

Как определить структуру и расположения выводов транзисторов, тип которых неизвестен

При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора шести вариантов — определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе база-эмиттер всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе база-коллектор (при пользовании стрелочного мультиметра сопротивление перехода база-эмиттер в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода база-коллектор). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это «+» — транзистор структуры n-p-n, если «-» — структуры р-n-р.

Источник: www.xn--b1agveejs.su

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Источник: go-radio.ru

КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д

Поиск по сайту Новости Экономичные DC-DC преобразователи от Diodes

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ316 Транзистор КТ316 – усилительный и переключательный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Коэффициент шума не нормирован. КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д применяются в УВЧ, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В – в переключающих устройствах. Имеют металлостеклянный корпус, выводы гибкие. Тип указывается на корпусе. Масса не более 0.6 г. (КТ316АМ – КТ316ДМ имеют пластмассовый корпус. Маркируются сокращённо: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса не более 0.5 г.) Цоколевка КТ316 Цоколевка КТ316 показана на рисунке. Электрические параметры КТ316 • Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 0, Iэ = 10 мА:   T = +25°C:     КТ316А, КТ316АМ, 2Т316А 20 ÷ 60     КТ316Б, КТ316В КТ316БМ, КТ316ВМ, 2Т316Б, 2Т316В 40 ÷ 120     КТ316Г, КТ316ГМ, 2Т316Г 20 ÷ 100     КТ316Д, КТ316ДМ, 2Т316Д 60 ÷ 300   T = −60°C:     2Т316А 10 ÷ 60     2Т316Б, 2Т216В 20 ÷ 120     2Т316Г 10 ÷ 100     2Т316Д 30 ÷ 300   T = +125°C:     2Т316А 20 ÷ 120     2Т316Б, 2Т216В 40 ÷ 240     2Т316Г 20 ÷ 200     2Т316Д 60 ÷ 600 • Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА: КТ316А, КТ316Г, КТ316АМ, КТ316ГМ, 2Т316А, 2Т316Г, не менее 600 МГц КТ316Б, КТ316В, КТ316Д, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ДМ, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д, не менее   800 МГц • Постоянная времени цепи обратной связи при Iэ = 10 мА, Uкб = 5 В, f = 10 МГц, для КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ, 2Т316Г, 2Т316Д, не более   150 пс • Время рассасывания при Iк = 10 мА, Iб1 = 1 мА, Rб2 = 1 мА, Rк = 75 Ом: КТ316А, КТ316Б, КТ316АМ, КТ316БМ, 2Т316А, 2Т316Б, не более 10 нс КТ316В, КТ316ВМ, 2Т316В, не более 15 нс • Граничное напряжение при Iэ = 1 мА, не менее 5 В • Напряжение насыщения К-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более 0. 4 В • Напряжение насыщения Б-Э при Iб = 1 мА, Iк = 10 мА, не более 1.1 В • Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более: T = +25°C 0.5 мкА T = +125°C 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 5 мкА • Ток эмиттера (обратный) при T = +25°C, Uэб = 4 В, не более 1 мкА • Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более 3 пФ • Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более 2. 5 пФ • Конструктивная ёмкость между выводами эмиттера и коллектора КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д 0.5 пФ • Индуктивность выводов базы и эмиттера КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д, 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д при l = 3 мм 6 нГн Предельные эксплуатационные характеристики КТ316 • Постоянное напряжение Б-К 10 В • Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 3 кОм: 10 В • Постоянное напряжение Б-Э 4 В • Ток коллектора и эмиттера (постоянный) 30 мА • Ток коллектора и эмиттера в режиме насыщения (постоянный)   50 мА • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)1: 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д:   при T ≤ +75°C, P ≥ 6550 Па 150 мВт   при T ≤ +75°C, P = 655 Па 100 мВт   при T = +125°C 60 мВт КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д:   при T ≤ +90°C 150 мВт   при T = +125°C 60 мВт КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ:   при T ≤ +85°C 150 мВт • Температура перехода (p-n) +150°C 1 В диапазонах температур +75. ..+125°C для 2Т316А ÷ 2T316Д и +90…+125°C для КТ316А ÷ КТ316Д допустимые значения рассеиваемой мощности снижаются линейно.

Транзистор C2335: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

C2335 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение TO-220.

Основная информация предоставлена для KSC2335. В таблице «модификации и группы» расмотрены и другие маркировки транзистора и их отличия между собой.

Содержание

1. Корпус и цоколевка
2. Предназначение
3. Характерные особенности
4. Электрические характеристики
5. Временные параметры
6. Модификации и группы транзистора 2335
7. Аналоги
8. Отечественное производство
9. Зарубежное производство
10. Графические иллюстрации характеристик

Корпус и цоколевка

Предназначение

Силовой транзистор в штампованном корпусе разработан для применения в качестве ведущего элемента в релейных регуляторах, преобразователях напряжения, инверторах, преобразователях частоты, высокочастотных усилителях мощности.

Характерные особенности

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1 В при I_C = 3 А.
• Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
• Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_{CEX (sus)1} ≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	7
Ток коллектора постоянный, А	IC	7
Ток коллектора импульсный, А	ICP ٭	15
Ток базы постоянный, А	IB	3,5
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт	PC	1,5
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт	PC	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%.

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO(sus)	IC = 3 А, IB1 = 0,6 А, L = 1 мгн	≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEX(sus)1	IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = – 0,6 А, UBE(off) = – 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEX(sus)2	IC = 6,0 А, IB1 = 2,0 А, IB2 = – 0,6 А, UBE(off) = – 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 400 В, IE = 0	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	ICER	UCE = 400 В, RBE = 51 Ом, Tc = 125°C	≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА	ICEX1	UCE = 400 В, UBE(off) = – 1,5В	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	ICEX2	UCE = 400 В, UBE(off) = – 1,5 В, Tc = 125°C	≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА	IEBO	UEB = 5,0 В, IC = 0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat) ٭	IC = 3,0 А, IB = 0,6 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) ٭	IC = 3,0 А, IB = 0,6 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1) ٭	UCE = 5,0 В, IC = 0,1 А	20…. 80
	hFE (2) ٭	UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А	20….80
	hFE (3) ٭	UCE = 5,0 В, IC = 3,0 А	≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс	ton	UCC = 150 В, IC = 3,0 А, IB1 = 0,6 А, IB2 = – 0,6 А, RL = 50 Ом.	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	tstg		≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	tf		≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
hFE2	20….40	30….60	40….80

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

• t_on – время включения;
• t_stg – время сохранения импульса тока;
• t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения U_IN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%.

• U_CC – напряжение питания.
• R_L – сопротивление нагрузки.
• I_C – ток коллектора.
• I_B1 и I_B2 – токи базы в разные периоды времени.
• U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Модификации и группы транзистора 2335

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	hFE	Группы по hFE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	R, O, Y	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс	TO-220
2SC2335F	40	500	400	7	7	150	10…80	–	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс	TO-220F
2SD2335	100	1500	600	5	7	150	4…30	–	tf ˂ 1 мкс	TO-3PML
CSC2335	40	500	400	7	7	150	20…80	R, O, Y	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс	TO-220
2SC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	M, L, K		TO-220AB

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	hFE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	–	10…80	ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс	TO-3
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс	TO-3
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс	TO-3
КТ847А	125	650	–	8	15	150	˃ 15	˃ 8	tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс	TO-3
КТ858А	60	400	400	6	7	150	–	˃ 10	tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс	TO-220
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс	TO-3
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	–	tf = 0,2…1,3 мкс	TO-3
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс	TO-220
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс	TO-220

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	hFE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	–	–	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	–	400	–	8	–	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	–	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	–	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	–	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	–	–	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	–	–	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	–	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

1. горизонтальный – предельный ток транзистора, определяющий устойчивость паяных соединений. При возрастании температуры корпуса вводится поправка согласно графику Рис. 4;
2. участок «Dissipation Limited» – предельный ток, ограничивающий общий нагрев п/п структуры;
3. участок «S/b Limited» — ограничение тока исходя из недопущения вторичного пробоя п/п структуры;
4. вертикальный участок – предельное напряжение коллектор-эмиттер, не приводящее к лавинному пробою п/п структуры.

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

• непревышение температурных ограничений по структуре в целом;
• токи и напряжения на интервале включения (t_on) не превышают ограничений ОБР;
• токи и напряжения на интервале выключения (t_stg + t_f) не превышают ограничений ОБР с обратным смещением.

smd%20transistor%20b1 спецификация и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть Ф28М35х30Б1РФПТ Инструменты Техаса 32-БИТ, FLASH, 100 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР RISC, PQFP144, ПЛАСТИК, HTQFP-144 F28M35E20B1RFPQ Инструменты Техаса Микроконтроллер Concerto 144-HTQFP от -40 до 125 Ф28М35х30Б1РФПК Инструменты Техаса 32-БИТ, FLASH, 100 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР RISC, PQFP144, ПЛАСТИК, HTQFP-144 org/Product”> Ф28М35М20Б1РФПС Инструменты Техаса Микроконтроллер Concerto 144-HTQFP от -40 до 125 Ф28М35х30Б1РФПС Инструменты Техаса 32-БИТ, FLASH, 100 МГц, МИКРОКОНТРОЛЛЕР RISC, PQFP144, ПЛАСТИК, HTQFP-144 F28M35E20B1RFPT Инструменты Техаса Микроконтроллер Concerto 144-HTQFP от -40 до 105

smd%20transistor%20b1 Datasheets Context Search

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

Каталог Datasheet	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор SMD 24 SDC3D16 smd транзистор 560 smd диод j Led smd дроссель smd 470 SMD INDUCTOR 47 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 SDC3D16 смд транзистор 560 smd-диод j светодиод смд индуктор смд 470 СМД ИНДУКТОР 47
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Индуктор bo smd транзистор SMD 24 smd сопротивление smd led “Силовые индукторы” МОЩНЫЕ ДАТЧИКИ SMD индуктор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 смд сопротивление смд светодиод «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Индуктор поверхностного монтажа
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд
2012 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D28
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led “Силовые катушки индуктивности” smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б
2012 – СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP “Силовые индукторы” Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы»
2012 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18HP 2Д18ХП
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j “Power Inductors” 3D14 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T smd 2035 82526-N SICOFI PEF 2465 DSP/pmb 4220 2705-F Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т СМД 2035 82526-Н СИКОФИ ПЭФ 2465 DSP/пмб 4220 2705-Ф
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd 2D12 smd диоды j 340 smd “Дроссели силовые” a32 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд 2D12 smd-диод j 340 смд «Силовые индукторы» а32 смд
2004 – стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод код Шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD стабилитрон a2 smd стабилитрон 27 2f SMD маркировка стабилитрона код 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа код стабилитрона smd bf
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET DIP стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

транзистор%20bd%20b1%20smd спецификация и примечания по применению

Лучшие результаты (6)

org/Product”> org/Product”>

Часть	Модель ECAD	Производитель	Описание	Техническое описание Скачать	Купить часть
ТК2Р4А08QМ		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-канальный, 80 В, 100 А, 0,00244 Ом при 10 В, TO-220SIS
XPN1300ANC		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	N-канальный МОП-транзистор, 100 В, 30 А, 0,0133 Ом при 10 В, TSON Advance(WF)
ТК090У65З		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-канальный, 650 В, 30 А, 0,09 Ом при 10 В, ТОЛЛ
ТК5R3E08QM		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-канальный, 80 В, 120 А, 0,0053 Ом при 10 В, TO-220AB
ТК155У65З		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	МОП-транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А, 0,155 Ом при 10 В, ПЛАТА
ТК6Р9П08КМ		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	MOSFET, N-канальный, 80 В, 62 А, 0,0069 Ом при 10 В, DPAK

транзистор%20bd%20b1%20smd Листы данных Context Search

org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”> org/Product”>

Каталог Лист данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н. э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор KIA78*p TRANSISTOR 2N3904 хб*9D5N20P хб9д0н90н KID65004AF TRANSISTOR mosfet хб*2D0N60P KIA7812API Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET хб*2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Резюме: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалентный 2sc5198 эквивалентный NPN транзистор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 эквивалент 2sc5198 НПН-транзистор
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор BC327 NPN-транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 транзистор npn переключающий транзистор 60в Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 транзистор npn-переключающий транзистор 60 В Ч521Г2-30ПТ Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор tlp 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 634 транзистор тлп 122 ТРАНЗИСТОР транзистор переменного тока 127 транзистор 502 транзистор ф 421
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 СЭ090Н 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 СЭ090 РБВ-406 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 высоковольтный транзистор 2SC5586 SE090 РБВ-406
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Д1Н750 Q2N1132 D02CZ10 Д1Н751
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Мосфет ФТР 03-Е Реферат: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V/65e9 транзистор 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V/65e9 2SC337 мосфет фтр 03 транзистор DTC143EF
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a
транзистор 91 330 Реферат: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 ТРАНЗИСТОР тлп 122 Р358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120
1999 – Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальной секции tv Горизонтальное отклонение Коммутационные транзисторы TV горизонтальные системы отклонения MOSFET горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ-телевизор электронная пушка ТВ трансформатор обратного хода Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА Ан363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтальной секции телевизор Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре ЭЛТ ТВ электронная пушка Обратный трансформатор для телевизора
транзистор Реферат: силовой транзистор npn to-220, транзистор PNP PNP POWER TRANSISTOR TO220, демпферный диод, транзистор Дарлингтона, силовой транзистор 2SD2206A, npn, транзистор Дарлингтона TO220 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 демпферный диод Транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2СД2206А нпн дарлингтон транзистор ТО220
1999 – транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив полевых транзисторов high hfe транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК Силовой низкочастотный транзистор n-канальный полевой массив высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР Р 3 транзистор мп40 список
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОР регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	БК327; БК327А; до н. э.328 БК337; БК337А; до н.э.338 до н.э.546; до н.э.547; до н.э.548 до н.э.556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548 транзистор 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
2002 – SE012 Реферат: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 санкен SE140N STA474 UX-F5B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N СТА474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A RG-2A диод Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 2sc5287
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Резюме: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочный контур KD221K75 kd2245 kd224510 примечание по применению транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Hitachi SAW Фильтр с двойным затвором MOSFET в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p-канала Mosfet-транзистор Hitachi VHF FET LNA Низкочастотный силовой транзистор Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Хитачи ПАВ Фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи УКВ Фет лна Силовой низкочастотный транзистор
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5387 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 эквивалент 2Sc5858 транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 – 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора
2007 – ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее

Однопереходный транзистор (UJT) | Тиристоры

Однопереходный транзистор: Хотя однопереходный транзистор не является тиристором, это устройство может запускать более крупные тиристоры импульсом на базе B1. Однопереходный транзистор состоит из бруска кремния N-типа, имеющего соединение P-типа посередине. См. рисунок (а). Соединения на концах стержня известны как основания B1 и B2; средняя точка P-типа является эмиттером. При отключенном эмиттере полное сопротивление R _BBO , элемент таблицы данных, представляет собой сумму R _B1 и R _B2 , как показано на рисунке (b). R _BBO варьируется от 4 до 12 кОм для различных типов устройств. Внутренний коэффициент зазора η представляет собой отношение R _B1 к R _BBO . Он варьируется от 0,4 до 0,8 для разных устройств. Схематическое обозначение: Рисунок (c)

Однопереходный транзистор: (a) Конструкция, (b) Модель, (c) Обозначение

Характеристическая кривая зависимости тока эмиттера от напряжения (рисунок (a) ниже) показывает, что как В _E увеличивается, ток I _E увеличивается до I _P в пиковой точке. За пиковой точкой ток увеличивается по мере уменьшения напряжения в области отрицательного сопротивления. Напряжение достигает минимума в точке впадины. Сопротивление R _B1 , сопротивление насыщения самое низкое в точке долины.

I _P и I _V , параметры паспорта; Для 2n2647, I _P и I _V 2 мкА и 4 мА соответственно. [AMS] VP — падение напряжения на RB1 плюс падение напряжения на диоде 0,7 В; см. рисунок (b) ниже. VV оценивается примерно в 10% от V _ББ .

Однопереходный транзистор: (а) эмиттерная характеристика, (б) модель для VP .

Релаксационный генератор является приложением однопереходного генератора. R _E заряжает C _E до точки пика. Однопереходная клемма эмиттера не влияет на конденсатор, пока не будет достигнута эта точка. Как только напряжение конденсатора, V _E , достигает точки пикового напряжения V _P , более низкое сопротивление эмиттер-база1 E-B1 быстро разряжает конденсатор. Как только конденсатор разряжается ниже точки долины V _В , сопротивление E-RB1 снова становится высоким, и конденсатор снова может заряжаться.

Генератор релаксации на однопереходном транзисторе и сигналы. Генератор управляет SCR.

Во время разряда конденсатора через сопротивление насыщения E-B1 на внешних нагрузочных резисторах B1 и B2 может наблюдаться импульс, рисунок выше. Нагрузочный резистор на B1 должен быть низким, чтобы не влиять на время разряда. Внешний резистор на B2 не является обязательным. Его можно заменить коротким замыканием. Приблизительная частота определяется как 1/f = T = RC. Более точное выражение для частоты приведено на рисунке выше.

Зарядный резистор R _E должен находиться в определенных пределах. Он должен быть достаточно мал, чтобы позволить I _P протекать на основе V _BB за вычетом V _P . Он должен быть достаточно большим, чтобы подавать I _V на основе V _BB без питания V _V . [MHW] Уравнения и пример для 2n2647:

Программируемый однопереходный транзистор (PUT): Хотя однопереходный транзистор указан как устаревший (читай, дорогой, если его можно приобрести), программируемый однопереходный транзистор жив и здоров. Недорого и в производстве. Хотя он выполняет функцию, аналогичную однопереходному транзистору, PUT представляет собой трехвыводной тиристор. PUT имеет четырехслойную структуру, типичную для тиристоров, показанную на рисунке ниже. Обратите внимание, что затвор, слой N-типа рядом с анодом, известен как «анодный затвор». Кроме того, вывод затвора на схематическом символе прикреплен к анодному концу символа.

Программируемый однопереходный транзистор: характеристика, внутренняя конструкция, условное обозначение.

Характеристическая кривая программируемого однопереходного транзистора на рисунке выше аналогична характеристике однопереходного транзистора. Это график анодного тока I _A в зависимости от анодного напряжения V _A . Установки напряжения затвора, программы, пиковое анодное напряжение V _P . По мере увеличения анодного тока напряжение увеличивается до точки пика. После этого увеличение тока приводит к уменьшению напряжения вплоть до точки впадины.

Эквивалент PUT однопереходного транзистора показан на рисунке ниже. Внешние резисторы PUT R1 и R2 заменяют внутренние резисторы однопереходного транзистора R _B1 и R _B2 соответственно. Эти резисторы позволяют рассчитать собственный коэффициент зазора η.

PUT-эквивалент однопереходного транзистора

 

На рисунке ниже показана PUT-версия однопереходного релаксационного генератора. Резистор R заряжает конденсатор до точки пика, затем сильная проводимость перемещает рабочую точку вниз по склону отрицательного сопротивления к точке впадины. Всплеск тока протекает через катод во время разрядки конденсатора, вызывая всплеск напряжения на катодных резисторах. После разряда конденсатора рабочая точка возвращается к наклону до точки пика.

Релаксационный генератор PUT

 

Проблема: Каков диапазон подходящих значений R на рисунке выше, релаксационного генератора? Зарядный резистор должен быть достаточно мал, чтобы обеспечивать ток, достаточный для поднятия анода до пиковой точки V _P при зарядке конденсатора. Как только достигается V _P , анодное напряжение уменьшается по мере увеличения тока (отрицательное сопротивление), что перемещает рабочую точку в впадину. Работа конденсатора заключается в обеспечении тока долины I _В . Как только он разряжен, рабочая точка сбрасывается обратно на восходящий наклон к пиковой точке. Резистор должен быть достаточно большим, чтобы он никогда не подавал большой ток впадины I _P . Если бы зарядный резистор когда-либо мог обеспечивать такой большой ток, резистор обеспечивал бы ток впадины после разрядки конденсатора, и рабочая точка никогда не возвращалась бы обратно в состояние высокого сопротивления слева от точки пика.

Выбираем тот же V _BB = 10 В используется для примера с однопереходным транзистором. Мы выбираем значения R1 и R2 так, чтобы η было около 2/3. Вычислим η и VS. Параллельным эквивалентом R1, R2 является R _G , который используется только для выбора из таблицы ниже. Наряду с V _S =10, ближайшим значением к нашему 6,3, находим V _T =0,6В и вычисляем V _P .

Мы также находим I _P и I _V пиковый и впадинный токи соответственно в таблице. Нам все еще нужен V _В , долина напряжения. Мы использовали 10% от V _BB = 1V в предыдущем примере с однопереходным переходом. Из таблицы данных мы находим прямое напряжение V _F = 0,8 В при I _F = 50 мА. Ток долины I _V =70 мкА намного меньше, чем I _F =50 мА. Следовательно, V _V должно быть меньше, чем V _F =0,8 В. Насколько меньше? На всякий случай устанавливаем V _V =0В. Это немного повысит нижний предел диапазона резисторов.

Выбор R > 143k гарантирует, что рабочая точка может быть сброшена из точки впадины после разрядки конденсатора. R < 755k позволяет заряжать до V _P в пиковой точке.

Выбранные параметры PUT 2n6027, адаптированные из таблицы данных 2n6027. [ON1]

Параметр	Условия	мин	типичный	макс.	шт.
В Т					В
	В S = 10 В, R G = 1 Мб	0,2	0,7	1,6
	В S = 10 В, R G = 10 кОм	0,2	0,35	0,6
И Р					мкА
	В S = 10 В, R G = 1 Мб	–	1,25	2,0
	В S = 10 В, R G = 10 кОм	–	4,0	5,0
И В					мкА
	В С =10 В, R G = 1 мегабайт	–	18	50
	В S = 10 В, R G = 10 кОм	70	150	–
	В S = 10 В, R G = 200 Ом	1500	–	–
В Ж	I F =50 мА	–	0,8	1,5	В

На рисунке ниже показан генератор релаксации PUT с окончательными значениями резисторов. Также показано практическое применение PUT, запускающего SCR. Эта схема нуждается в нефильтрованном источнике питания V _BB (не показан), разделенном от мостового выпрямителя, для сброса релаксационного генератора после каждого перехода мощности через ноль. Переменный резистор должен иметь минимальный резистор последовательно с ним, чтобы предотвратить зависание низкой настройки потенциометра в точке впадины.

Генератор релаксации PUT со значениями компонентов. PUT управляет диммером лампы SCR.

Схемы синхронизации PUT считаются пригодными для использования на частотах до 10 кГц. Если требуется линейное линейное изменение вместо экспоненциального, замените зарядный резистор источником постоянного тока, например диодом постоянного тока на основе полевого транзистора. Заменитель PUT может быть построен из кремниевого транзистора PNP и NPN, исключая катодный затвор и используя анодный затвор.

ОБЗОР:

• Однопереходный транзистор состоит из двух баз (B1, B2), прикрепленных к резистивной кремниевой пластине, и эмиттера в центре. Соединение E-B1 имеет свойства отрицательного сопротивления; он может переключаться между высоким и низким сопротивлением.
• PUT (программируемый однопереходный транзистор) представляет собой 3-выводной 4-слойный тиристор, работающий как однопереходный транзистор. Сеть внешних резисторов «программирует» η.
• Внутренний коэффициент зазора составляет η=R1/(R1+R2) для PUT; заменить R _B1 и R _B2 соответственно для однопереходного транзистора. Напряжение запуска определяется η.
• Однопереходные транзисторы и программируемые однопереходные транзисторы применяются в генераторах, схемах синхронизации и запусках тиристоров.

СВЯЗАННЫЙ РАБОЧИЙ ЛИСТ:

• Тиристоры Рабочий лист

US 7,126,869 B1 – Усилитель Sense с двумя каскодными транзисторами и улучшенным запасом по шуму

• • Оповещение
• • Пин

Первый пункт формулы изобретения

Патентные изображения

1. Усилитель считывания, содержащий:

• узел предварительной зарядки, соединенный с узлом источника питания через первый транзистор предварительной зарядки;

  узел датчика, соединенный с узлом источника питания через второй транзистор предварительной зарядки; и

  пара каскодных транзисторов, соединенных параллельно между узлом питания и линией считывания, при этом один из пары каскодных транзисторов сконфигурирован для отделения считывающего узла от узла предварительной зарядки.

Просмотреть все претензии

• 0 Ходатайства

Подпишитесь на InorStart с бесплатной пробной версией

• Обвиняемые продукты

Подпишитесь на InorStart с бесплатной пробной версией

• Аннотация

Усилитель считывания, система и способы увеличения запаса по шуму усилителя считывания рассматриваются здесь. Как правило, усилитель считывания включает в себя пару каскодных транзисторов, включенных параллельно между узлом источника питания и линией считывания усилителя считывания. Усилитель считывания также включает в себя узел предварительного заряда, соединенный с узлом источника питания через первый транзистор предварительного заряда, и узел считывания, соединенный с узлом источника питания через второй транзистор предварительного заряда. Описанный здесь усилитель считывания служит для отделения узла считывания от узла предварительной зарядки с помощью пары каскодных транзисторов, что, в свою очередь, увеличивает запас по шуму усилителя считывания за счет развязки узла считывания от любых колебаний напряжения, которые могут присутствовать на считывателе. линия во время состояния восприятия.

• 40 Цитаты

• Просмотреть как результаты поиска

• 21 Заявление

• 1. Усилитель считывания, включающий:
  • узел предварительного заряда, соединенный с узлом источника питания через первый транзистор предварительного заряда; узел считывания, соединенный с узлом источника питания через второй транзистор предварительного заряда; и пару каскодных транзисторов, соединенных параллельно между узлом источника питания и измерительной линией, при этом один из пары каскодных транзисторов сконфигурирован для отделения измерительного узла от узла предварительной зарядки.
  • Просмотр зависимых пунктов (2, 3, 4, 5, 6, 7)
  • • 2. Усилитель считывания по п.1, дополнительно содержащий выходной тракт, проходящий между узлом считывания и выходным узлом усилителя считывания, причем выходной тракт включает в себя узел считывания и пару инверторов, но не включает в себя узел предварительной зарядки.
    • 3. Усилитель считывания по п.1, в котором узел предварительного заряда расположен между первым транзистором предварительного заряда и первым каскодным транзистором пары, и в котором узел считывания расположен между вторым транзистором предварительного заряда и вторым транзистором каскода пары, так что узел считывания электрически изолирован от узла предварительной зарядки.
    • 4. Усилитель считывания по п.3, отличающийся тем, что пороговые значения напряжения включения первого и второго каскодных транзисторов определяются независимо друг от друга путем применения независимо выбранной легирующей примеси канала к каждому из каскодных транзисторов.
    • 5. Усилитель считывания по п.4, в котором первый каскодный транзистор имеет более низкий порог напряжения включения, чем второй каскодный транзистор.
    • 6. Усилитель считывания по п.3, в котором проводимости первого и второго каскодных транзисторов определяются независимо друг от друга путем формирования каждого из каскодных транзисторов с независимо выбранным отношением ширины к длине.
    • 7. Усилитель считывания по п.6, в котором первый каскодный транзистор имеет более высокую проводимость, чем второй каскодный транзистор.

• 8. Система, содержащая усилитель считывания, в которой усилитель считывания содержит:
  • узел предварительного заряда, соединенный с узлом источника питания через первый транзистор предварительного заряда; узел считывания, соединенный с узлом источника питания через второй транзистор предварительного заряда; и пару каскодных транзисторов, соединенных параллельно между узлом источника питания и линией считывания для электрической изоляции узла считывания от узла предварительной зарядки.
  • Просмотр зависимых пунктов формулы (9, 10, 11)
  • • 9. Система по п.8, в которой усилитель считывания дополнительно содержит выходной тракт, проходящий между узлом считывания и узлом вывода усилителя считывания, и в которой тракт вывода включает в себя узел считывания и пару инверторов, но не включает узел предварительной зарядки.
    • 10. Система по п.8, отличающаяся тем, что система дополнительно содержит массив ячеек памяти, и в которой линия считывания соединена для приема напряжения битовой линии от одной из ячеек памяти в массиве.
    • 11. Система по п.8, отличающаяся тем, что система дополнительно содержит запоминающий элемент, и в которой измерительная линия соединена для приема значения напряжения, соответствующего данным, которые должны быть сохранены в запоминающем элементе.

• 12. Способ увеличения запаса по шуму усилителя считывания, содержащего пару каскодных транзисторов, соединенных параллельно между узлом питания и линией считывания, при этом каждый из пары каскодных транзисторов содержит порог напряжения включения, и где способ включает:
  • предварительную зарядку линии считывания до значения напряжения узла питания за вычетом меньшего напряжения порогов напряжения включения пары транзисторов; и при этом указанная предварительная зарядка увеличивает запас по шуму усилителя считывания, запрещая активацию по меньшей мере одного из пары каскодных транзисторов во время состояния считывания усилителя считывания.
  • Просмотр зависимых пунктов (13, 14)
  • • 13. Способ по п.12, дополнительно включающий предварительную зарядку узла предварительной зарядки и чувствительного узла для аппроксимации значения напряжения в узле источника питания, при этом узел предварительной зарядки соединен между узлом источника питания и первым из пары из каскодных транзисторов, и при этом узел считывания соединен между узлом источника питания и вторым из пары каскодных транзисторов.
    • 14. Способ по п.13, в котором меньшее напряжение соответствует пороговому напряжению включения первого каскодного транзистора.

• 15. Способ увеличения запаса по шуму усилителя считывания, включающий:
  • изоляцию узла считывания усилителя считывания от узла предварительной зарядки усилителя считывания путем удаления узла предварительной зарядки из выходного тракта усилителя считывания; и при этом указанная изоляция увеличивает запас шума усилителя считывания за счет устранения чувствительности узла считывания к флуктуациям напряжения, присутствующим на линии считывания во время состояния считывания.
  • Просмотр зависимых пунктов формулы (16, 17, 18, 19, 20, 21)
  • • 16. Способ по п.15, отличающийся тем, что указанная изоляция включает обеспечение пары каскодных транзисторов, соединенных параллельно между узлом источника питания и линией считывания, при этом узлы предварительной зарядки и считывания соответственно соединены с линией считывания через первый каскодный транзистор и второй каскодный транзистор из пары каскодных транзисторов.
    • 17. Способ по п.16, в котором указанное обеспечение включает формирование каждого из первого и второго каскодных транзисторов с независимо выбранным порогом напряжения включения и проводимостью.
    • 18. Способ по п.17, в котором первый каскодный транзистор имеет меньший порог напряжения включения, чем второй каскодный транзистор.
    • 19. Способ по п.18, отличающийся тем, что упомянутое обеспечение включает легирование области канала первого каскодного транзистора более высокой концентрацией легирующей примеси, чем во втором каскодном транзисторе, для обеспечения первого каскодного транзистора меньшим напряжением включения.
    • 20. Способ по п.17, в котором первый каскодный транзистор имеет более высокую проводимость, чем второй каскодный транзистор.
    • 21. Способ по п.20, отличающийся тем, что упомянутое обеспечение включает формирование первого каскодного транзистора с большим отношением ширины к длине, чем у второго каскодного транзистора, для получения первого каскодного транзистора с более высокой проводимостью.

• Спецификация

×

Обратная связь

Категория: Сообщить о проблемеОтзывы о данныхНеобходима помощьПредложения по функциямДругие отзывы

Используйте эту форму, чтобы оставить отзыв или задать любые вопросы о RPX Insight.

Прикрепить файлы) Поддерживаемых файлов: . png .jpg .gif .pdf .xls .xlsx Общий лимит загрузки: 10 МБ

Включить URL этой страницы

>

×

Спасибо за отзыв

Понимание теории однопереходных транзисторов Работа

Рис. 1 Однопереходная RC-цепочка, контакты и электрические характеристики.

от Льюиса Лофлина

Дата 25.07.2021. Чтобы увидеть изображение в полном размере, щелкните правой кнопкой мыши и откройте изображение в новой вкладке.

• YouTube:
• Понимание теории работы однопереходных транзисторов
• Схема управления фотовспышкой однопереходного транзистора SCR

Однопереходный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, используемый для генерации импульсов для включения управляемых кремнием выпрямителей. См. рис. 1.

Однопереходный транзистор больше относится к семейству SCR, чем биполярные транзисторы. Он состоит из одного PN-перехода на кремниевой пластине N-типа.

Обратите внимание, что есть версии с силиконовой пластиной P-типа, но я их не видел. Они были изобретены в начале 1960-х годов.

Считающиеся сегодня устаревшими, они были заменены программируемыми однопереходными транзисторами, такими как 2N6027. Они по-прежнему широко используются в промышленных приложениях и оборудовании.

Более 5600 2N2646 и более 7600 2N2647 были в наличии на Newark.com (10+ 2,94 долл. США каждый). Я купил пять 2N2646 в качестве новых старых запасов на Ebay за 6,63 доллара.

Меня интересуют однопереходные транзисторы 2N2646 и 2N2647 – они очень похожи.

На рис. 1 (слева) показана типичная схема синхронизации с однопереходным резистором и конденсатором. Есть три выхода: отрицательный импульс на B2 (B обозначает базу) на положительной шине, положительный импульс на B1 на землю, а эмиттер E создает сигнал пилообразной формы.

Когда конденсатор емкостью 0,47 мкФ заряжается до напряжения проводимости E, конденсатор разряжается через E и B1 на землю. Конденсатор быстро разряжается через так называемое «отрицательное сопротивление», где электрическое сопротивление падает с течением тока.

Чтобы понять, как работает RC-цепь синхронизации, давайте посмотрим на внутреннюю работу. Это объяснит, что такое «н» или греческий иероглиф эта.

Это известно как “внутренний коэффициент зазора”.

Рис. 2. Характеристики сопротивления внутреннему напряжению однопереходного транзистора.

На рис. 2 показана теоретическая эквивалентная схема. Обратите внимание, что E не находится в центре кремниевого стержня. Таким образом, сопротивление от E до B2 (RB2) отличается от E до B1 (RB1).

Сумма двух сопротивлений равна RBB. Общее сопротивление RB1 + RB2 известно как межбазовое сопротивление , которое колеблется от 4700 Ом до 9100 Ом.

При напряжении от B2 до B1 (VB2B1) 11 вольт и E при нуле вольт мой тестовый образец измерил ~ 5600 Ом при токе 1,9 мА. Обратите внимание, что проводимость от B2 к B1 постоянна даже при отсутствии напряжения на E.

Внутренний коэффициент зазора определяется соотношением сопротивлений между RB1 и RB2, где n = RB / (RB1 + RB2) всегда меньше 1.

Типовой диапазон n для 2N2646 составляет от 0,56 до 0,75; для 2N2647 от 0,68 до 0,82.

Рис. 3 Типичная кривая заряда конденсатор-резистор.

На рис. 3 показана типичная кривая заряда RC, которая дает нелинейный выходной сигнал. Чтобы считаться полностью заряженным, требуется пять постоянных времени RC.

Когда зарядное напряжение достигает напряжения включения E-B1, конденсатор разряжается через диод E и B1. Формула (рис. 2) представляет собой падение напряжения на B1 (VB1) плюс 0,7 вольта на диоде.

VR1 определяется путем умножения напряжения между B2 и B1 (VBB) на n или n * VBB. Но есть небольшая проблема, которую я проиллюстрирую ниже.

Рис. 4 Расчет временных характеристик однопереходного RC-транзистора 2N2647.

На рис. 4 показаны фактические измерения схемы на рис. 1. C = 0,47 мкФ и R = 10 000 Ом.

Частота или f = 1 / (R * C * ln(1 / (1 / (1 – n))). Позвольте мне упростить это:

Переменная температура = 1 / (1 – 0,69) = 3,2258; Естественная log of temp = ln(3,2258) = 1,17112,

Таким образом, temp = 10 000 Ом * 0,00000047 фарад * 1,17112 = 5,5 * 10-3,

Таким образом, f = 1 / temp = 1 / 0,0055 = 181 Гц.

Сразу же столкнулся с проблемой – расчет частоты отличался от измеренной частоты. Я измерил конденсатор и резистор перед их использованием.

Проблема в том, что диапазон для 2N2647 составляет от 0,68 до 0,82. Это может варьировать расчет выходной частоты от 124 Гц до 202 Гц. Мой 2N2647 оказался 0,69. Помните об этом.

Также обратите внимание, что напряжение может несколько отличаться от частоты. От 5 вольт до 20 вольт частота варьировалась менее чем на 20 Гц на этой комбинации RC.

Рис. 5 Кривая отрицательного сопротивления однопереходного транзистора.

Мерриам-Вебстер определяет отрицательное сопротивление как «феномен сопротивления (как проявляется электрическая дуга или вакуумная лампа), при котором падение напряжения в цепи уменьшается по мере увеличения тока…».

резисторе я бы получил падение напряжения, противодействующее току разряда. Я бы получил кривую разряда, очень похожую на кривую заряда на рис. 3.

В случае отрицательного сопротивления падение напряжения отсутствует или незначительно, поэтому ток разряжается в течение нескольких микросекунд.

Согласно рис. 5 ток IE на эмиттере близок к нулю до тех пор, пока не будет достигнуто перенапряжение отключения. Он не увидит сопротивления диодного перехода или RB. Сопротивление очень низкое, пока ток разряда не упадет ниже тока удержания.

Обратите внимание, что конденсатор разряжается не полностью до нуля, а примерно до 20 % напряжения питания.

Рис. 6. Выходные сигналы однопереходного транзистора 2N2647, контакты B1 и E.

На рис. 6 показаны формы сигналов, измеренные с помощью моего осциллографа. На верхней кривой напряжение постоянного тока составляет около 2 В в точке А. Конденсатор 0,47 мкФ начинает заряжаться через резистор 10 кОм.

Точка B является «точкой разрыва», где разряжается 0,47 мкФ. Этот скачок тока вызывает узкий положительный всплеск на B1.

Рис. 7 Релаксационный генератор на однопереходном транзисторе использует источник постоянного тока LM335Z.

На рис. 7 я заменил зарядный резистор 10 000 Ом на источник постоянного тока LM334Z. Поменял конденсатор 0,022мкФ. Все остальное осталось прежним.

Это дало очень линейную кривую заряда.

Рис. 8 Форма сигнала релаксационного генератора постоянного тока LM335Z на однопереходном транзисторе.

На рис. 8 показан мой осциллограф, подключенный к контактам E и B1. Обратите внимание на очень линейную кривую заряда и положительный всплеск разряда на B1.

Рис. 9 Однопереходная тестовая схема на макетной плате.

• Быстрая навигация на сайте:
• Базовое обучение электронике и проекты
• Основные проекты твердотельных компонентов
• Проекты микроконтроллеров Arduino
• Электроника Raspberry Pi, программирование

• Управление высоковольтным мостом постоянного тока на базе IGBT
• Управляемый Arduino H-Bridge HV Motor Control
на основе IR2110
• Понимание теории работы однопереходных транзисторов
• Схема управления фотовспышкой однопереходного транзистора SCR
• Arduino измеряет ток от источника постоянного тока
• Теоретические испытания источника постоянного тока
• Ознакомьтесь с законом Ома для устранения неисправностей цепей CCS
• Arduino Power Magnetic Driver Board для шаговых двигателей
• Управляемый Arduino источник постоянного тока
• Теория и работа конденсаторов

Видео, связанное с предыдущим:

• Измерение тока от источника постоянного тока с помощью Arduino
• Устранение неисправностей мультиметра с источником постоянного тока
• Обзор закона Ома для источника постоянного тока
Плата драйвера униполярного шагового двигателя Arduino
• с кодом Arduino
• Управляемый Arduino источник постоянного тока

• Цифровые схемы:
• Простой триггер Шмитта SN74HC14 Генератор прямоугольных импульсов
• Введение в схемы RC-дифференциаторов и их использование
Генератор прямоугольных импульсов
• SN74HC14 использует триггер JK SN7476
• Схема генератора импульсов с тремя выходами для цифровых схем
• Нестабильный блок питания счетчика Гейгера CD4047
• CD4047 Схема моностабильного мультивибратора
• Примеры базовой схемы буфера с тремя состояниями TTL
• Учебное пособие NOR Gate SR Latch Circuits
• Учебное пособие NAND Gate SR Latch Circuit
• Учебное пособие по схемам ИЛИ-НЕ, включая моностабильный мультивибратор
• Краткое руководство по логическим элементам XOR и XNOR
• LM555-NE555 Однотактный мультивибратор Регулятор мощности переменного тока

• Магнитные переключатели и датчики на эффекте Холла
• Схемы транзисторно-стабилитронного регулятора
• Создание регулируемого источника питания 0–34 В с помощью LM317

• Катушки для High Selective Crystal Radio
• Неоновые (NE-2) схемы, которые можно собрать
• Общие сведения о ксеноновых импульсных лампах и схемах

Веб-сайт Copyright Lewis Loflin, Все права защищены.
Если вы используете этот материал на другом сайте, предоставьте ссылку на мой сайт.

 

Типы транзисторов – переходные транзисторы и полевые транзисторы

Транзистор стал важным компонентом современной электроники, и мы не можем представить мир без транзисторов. В этом уроке мы узнаем о классификации и различных типах транзисторов. Мы узнаем о BJT (NPN и PNP), JFET (N-Channel и P-Channel), MOSFET (Enhanced and Depletion), а также транзисторах на основе их приложений (Small Signal, Fast Switching, Power и т. д.).

Описание

Введение

Транзистор — это полупроводниковый прибор, который используется либо для усиления сигналов, либо для работы в качестве переключателя с электрическим управлением. Транзистор представляет собой устройство с тремя выводами, и небольшой ток / напряжение на одном выводе (или выводе) будет контролировать большой поток тока между двумя другими выводами (выводами).

В течение долгого времени электронные лампы были заменены транзисторами, потому что транзисторы имеют больше преимуществ перед электронными лампами. Транзисторы имеют небольшие размеры и требуют мало энергии для работы, а также имеют малое рассеивание мощности. Транзистор является одним из важных активных компонентов (устройство, которое может производить выходной сигнал большей мощности, чем входной сигнал).

Транзистор является важным компонентом почти каждой электронной схемы, такой как: усилители, переключатели, генераторы, регуляторы напряжения, источники питания и, что наиболее важно, цифровые логические ИС.

Со времени изобретения первого транзистора и до наших дней транзисторы подразделяются на различные типы в зависимости от их конструкции или принципа действия. Следующая древовидная диаграмма объясняет базовую классификацию различных типов транзисторов.

Схема дерева транзисторов

Классификацию транзисторов легко понять, наблюдая за приведенной выше древовидной диаграммой. Транзисторы в основном делятся на два типа. Это: биполярные переходные транзисторы (BJT) и полевые транзисторы (FET). BJT снова подразделяются на транзисторы NPN и PNP. Полевые транзисторы делятся на JFET и MOSFET.

Junction FET транзисторы далее классифицируются как N-Channel JFET и P-Channel JFET в зависимости от их конструкции. МОП-транзисторы подразделяются на режим истощения и режим улучшения. Опять же, транзисторы режима истощения и улучшения дополнительно классифицируются на соответствующие N-канальные и P-канальные.

Типы транзисторов

Как упоминалось ранее, в более широком смысле основными семействами транзисторов являются BJT и FET. Независимо от семейства, к которому они принадлежат, все транзисторы имеют правильное/специфическое расположение различных полупроводниковых материалов. Обычно используемые полупроводниковые материалы для изготовления транзисторов – это кремний, германий и арсенид галлия.

В основном транзисторы классифицируют в зависимости от их конструкции. Каждый тип транзисторов имеет свои особенности, преимущества и недостатки.

Физически и конструктивно разница между BJT и FET заключается в том, что в BJT для работы требуются как основные, так и неосновные носители заряда, тогда как в случае FET требуются только основные носители заряда.

Исходя из своих свойств и характеристик, некоторые транзисторы в основном используются для переключения (МОП-транзисторы), а с другой стороны, некоторые транзисторы используются для целей усиления (биполярные транзисторы). Некоторые транзисторы предназначены как для усиления, так и для переключения.

Соединительные транзисторы

Соединительные транзисторы обычно называют биполярными переходными транзисторами (BJT). Термин «биполярный» означает, что для проведения тока необходимы как электроны, так и дырки, а термин «переход» означает, что он содержит PN-переход (фактически два перехода).

BJT имеют три клеммы: излучатель (E), база (B) и коллектор (C). Транзисторы BJT классифицируются на транзисторы NPN и PNP в зависимости от конструкции.

Биполярные транзисторы по существу являются устройствами с управлением по току. Если через базу биполярного транзистора протекает небольшой ток, то это вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. Транзисторы с биполярным соединением имеют низкое входное сопротивление, что приводит к протеканию большого тока через транзистор.

Биполярные переходные транзисторы включаются только входным током, который подается на базовую клемму. BJT могут работать в трех регионах. Это:

• Область отсечки: здесь транзистор находится в состоянии «ВЫКЛ», т. е. ток, протекающий через транзистор, равен нулю. По сути, это открытый переключатель.
• Активная область: Здесь транзистор действует как усилитель.
• Область насыщения: здесь транзистор находится в полностью включенном состоянии и также работает как замкнутый переключатель.

Транзистор NPN

NPN — это один из двух типов транзисторов с биполярным переходом (BJT). Транзистор NPN состоит из двух полупроводниковых материалов n-типа, разделенных тонким слоем полупроводника p-типа. Здесь основными носителями заряда являются электроны, а дырки — неосновные носители заряда. Поток электронов от эмиттера к коллектору управляется током, протекающим в базовой клемме.

Небольшой ток на базовой клемме вызывает протекание большого тока от эмиттера к коллектору. В настоящее время наиболее часто используемым биполярным транзистором является NPN-транзистор, поскольку подвижность электронов больше, чем подвижность дырок. Стандартное уравнение для токов, протекающих в транзисторе, имеет вид 9.0137

 I _E = I _B + I _C

Ниже приведены символы и структура транзисторов NPN.

Транзистор PNP

PNP — это еще один тип транзисторов с биполярным переходом (BJT). Транзисторы PNP содержат два полупроводниковых материала p-типа и разделены тонким слоем полупроводника n-типа. Основными носителями заряда в PNP-транзисторах являются дырки, в то время как электроны являются неосновными носителями заряда. Стрелка на выводе эмиттера транзистора указывает на протекание обычного тока. В транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.

Транзистор PNP включен, когда на базовую клемму подается НИЗКИЙ уровень относительно эмиттерной. Символ и структура транзистора PNP показаны ниже.

FET (полевой транзистор)

Полевой транзистор (FET) — еще один основной тип транзисторов. По сути, полевой транзистор также имеет три вывода (как и биполярные транзисторы). Три терминала: Ворота (G), Слив (D) и Источник (S). Полевые транзисторы подразделяются на полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IG-FET) или металлооксидно-полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET).

Для соединений в цепи мы также рассматриваем четвертую клемму, называемую Базой или Подложкой. Полевые транзисторы контролируют размер и форму канала между истоком и стоком, который создается напряжением, приложенным к затвору.

Полевые транзисторы являются однополярными устройствами, так как для их работы требуются только основные носители заряда (в отличие от BJT, которые являются биполярными транзисторами).

JFET (полевой транзистор)

Полевой транзистор (JFET) — это самый ранний и простой тип полевого транзистора. JFET используются в качестве переключателей, усилителей и резисторов. Этот транзистор является устройством, управляемым напряжением. Ему не нужен ток смещения.

Напряжение между затвором и истоком управляет протеканием электрического тока между истоком и стоком транзистора. Транзисторы JFET доступны как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении.

N-канальный JFET

В N-канальном JFET ток течет за счет электронов. Когда между затвором и истоком подается напряжение, между истоком и стоком формируется канал для протекания тока. Этот канал называется N-Channel. В настоящее время N-канальные JFET предпочтительнее, чем P-канальные JFET. Обозначения для N-канального транзистора JFET приведены ниже.

P-Channel JFET

В этом типе JFET ток течет из-за отверстий. Канал между истоком и стоком называется P-Channel. Символы для P-Channel JFET приведены ниже. Здесь стрелки указывают направление тока.

МОП-транзистор

Металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор (МОП-транзистор) является наиболее часто используемым и наиболее популярным типом среди всех транзисторов. Название «оксид металла» указывает на то, что область затвора и канал разделены тонким слоем оксида металла (обычно SiO ₂ ).

Следовательно, МОП-транзистор также известен как полевой транзистор с изолированным затвором, поскольку область затвора полностью изолирована от области исток-сток. Существует дополнительная клемма, известная как подложка или корпус, которая является основным полупроводником (кремнием), из которого изготовлен полевой транзистор. Итак, MOSFET имеет четыре вывода: сток, исток, затвор и корпус или подложка.

MOSFET имеет много преимуществ по сравнению с BJT и JFET, в основном он предлагает высокий входной импеданс и низкий выходной импеданс. Он используется в коммутационных и силовых цепях и является основным компонентом технологий проектирования интегральных схем.

Полевые МОП-транзисторы доступны в двух вариантах: с истощением и улучшением. Кроме того, типы истощения и улучшения подразделяются на типы N-Channel и P-Channel.

N-канальный МОП-транзистор

МОП-транзистор с N-канальной областью между истоком и стоком называется N-канальным МОП-транзистором. Здесь клеммы истока и затвора сильно легированы материалами n-типа, расположенными в сильно легированном полупроводниковом материале p-типа (подложке).

Течение тока между истоком и стоком происходит из-за электронов. Напряжение затвора управляет током, протекающим в цепи. N-канальный MOSFET используется чаще, чем P-канальный MOSFET, потому что подвижность электронов выше, чем подвижность дырок.

Ниже приведены символы и структуры для N-канальных MOSFET-транзисторов (как в режиме расширения, так и в режиме истощения).

P-Channel MOSFET

MOSFET с P-Channel областью между истоком и стоком называется P-Channel MOSFET. Здесь выводы истока и стока сильно легированы материалом P-типа, а подложка легирована материалом N-типа. Течение тока между истоком и стоком происходит из-за концентрации дырок. Приложенное напряжение на затворе будет управлять протеканием тока через область канала.

Обозначения и структуры P-Channel MOSFET транзисторов приведены ниже (как в режиме расширения, так и в режиме истощения).

Транзисторы в зависимости от функции

Транзисторы также классифицируются в зависимости от функций (операций или приложений), которые они выполняют. Ниже описаны различные типы транзисторов в зависимости от их функции.

Транзисторы слабого сигнала

Основная функция транзисторов слабого сигнала заключается в усилении слабого сигнала, но иногда эти транзисторы также используются для целей переключения. Транзисторы с малым сигналом доступны на рынке в виде транзисторов NPN и PNP. Обычно мы можем видеть некоторое значение, напечатанное на корпусе малосигнального транзистора, которое указывает hFE транзистора.

В зависимости от этого значения hFE мы можем понять способность транзистора усиливать сигнал. Общедоступные значения hFE находятся в диапазоне от 10 до 500. Значение тока коллектора этих транзисторов составляет от 80 до 600 мА. Этот тип транзисторов работает в диапазоне частот от 1 до 300 МГц. Само название транзистора указывает на то, что эти транзисторы усиливают слабые сигналы, которые используют малые напряжения и токи, например, несколько милливольт и миллиампер тока.

Транзисторы с малым сигналом используются почти во всех типах электронного оборудования, а также эти транзисторы используются в нескольких приложениях, некоторые из них являются переключателями ВКЛ или ВЫКЛ для общего использования, драйвером светодиодов, драйвером реле, функцией отключения звука, схемами таймера. , Инфракрасный диодный усилитель, Цепи питания смещения и т. д.

Малые переключающие транзисторы

Малые переключающие транзисторы — это транзисторы, которые в основном используются для переключения, но иногда и для усиления. Как и транзисторы с малым сигналом, небольшие переключающие транзисторы также доступны в форме NPN и PNP, и эти типы транзисторов также имеют значения hFE.

Диапазон значений hFE для этих транзисторов составляет от 10 до 200. При значении hFE 200 транзисторы не являются хорошими усилителями, но они действуют как лучшие переключатели. Значения тока коллектора находятся в диапазоне от 10 до 1000 мА. Эти транзисторы используются в основном в переключающих устройствах.

Силовые транзисторы

Транзисторы, используемые в мощных усилителях и источниках питания, называются силовыми транзисторами. Вывод коллектора этого транзистора подключен к базе металлического устройства, и эта структура действует как радиатор, который рассеивает избыточную мощность для приложений.

Эти типы транзисторов доступны в виде транзисторов NPN, PNP и транзисторов Дарлингтона. Здесь значения тока коллектора находятся в пределах от 1 до 100 А. Диапазон рабочих частот от 1 до 100 МГц. Значения мощности этих транзисторов находятся в диапазоне от 10 до 300 Вт. Само название транзистора указывает на то, что силовые транзисторы используются в приложениях, где требуется большая мощность, высокое напряжение и большой ток.

Высокочастотные транзисторы

Высокочастотные транзисторы используются для слабых сигналов, работающих на высоких частотах, и используются в высокоскоростных коммутационных приложениях. Высокочастотные транзисторы также называются радиочастотными транзисторами.

Эти транзисторы имеют максимальные значения частоты около 2000 МГц. Значение тока коллектора (I _C ) находится в пределах от 10 до 600 мА. Эти типы транзисторов также доступны в виде NPN и PNP. Они в основном используются в приложениях для высокочастотных сигналов, а также эти транзисторы должны быть включены или выключены только на высоких скоростях. Эти транзисторы используются в схемах генераторов и усилителей ВЧ, УКВ, УВЧ, CATV и MATV.

Фототранзистор

Фототранзисторы — это транзисторы, которые работают в зависимости от света, т. е. эти транзисторы чувствительны к свету. Простой фототранзистор — это не что иное, как биполярный транзистор, который содержит светочувствительную область вместо базовой клеммы.

Фототранзисторы имеют только 2 вывода вместо 3 (у BJT). Когда светочувствительная область темная, ток в транзисторе не течет, т. е. транзистор находится в выключенном состоянии.

Когда светочувствительная область подвергается воздействию света, на базовой клемме генерируется небольшой ток, который вызывает протекание большого тока от коллектора к эмиттеру. Фототранзисторы доступны как в BJT, так и в FET транзисторах. Они называются фото-BJT и фото-FET.

В отличие от фото-биполярных транзисторов, фото-полевые транзисторы генерируют напряжение затвора с помощью света, который управляет протеканием тока между выводами стока и истока. Photo-FET более чувствительны к свету, чем photo-BJT. Символы для фото-BJT и фото-FET показаны выше.

Однопереходные транзисторы (UJT)

Однопереходные транзисторы (UJT) используются только в качестве переключателей с электрическим управлением. Эти транзисторы не содержат каких-либо характеристик усиления из-за своей конструкции. Обычно это три ведущих транзистора, в которых два называются базовыми выводами, а третий называется эмиттером.

Теперь посмотрим на работу однопереходного транзистора. Если нет разности потенциалов между эмиттером и любой из клемм базы (B1 или B2), то между B1 и B2 протекает небольшой ток.

Если к клемме эмиттера приложено достаточное количество напряжения, то на клемме эмиттера генерируется большой ток, который добавляется к небольшому току между B1 и B2, что затем вызывает протекание большого тока в транзисторе.