Тсв кабель характеристики: ТСВ станционный телефонный кабель

alexxlab | 25.03.1995 | 0 | Разное

Кабель ТСВ – 0,12 кВ

Кабель ТСВ – 0,12 кВ | расшифровка, характеристики и все сечения

Коды ОКП:

35741201

Таблица сечений кабеля ТСВ – 0,12кВ (мм²)

• ТСВ 30х2х0,4
• ТСВ 32х2х0,4
• ТСВ 5х2х0,4
• ТСВ 10х2х0,4

• ТСВ 16х2х0,4
• ТСВ 20х2х0,4
• ТСВ 41х2х0,4
• ТСВ 103х2х0,4

• ТСВ 5х2х0,5
• ТСВ 10х2х0,5
• ТСВ 16х2х0,5
• ТСВ 20х2х0,5

• ТСВ 30х2х0,5
• ТСВ 41х2х0,5
• ТСВ 103х2х0,5
• ТСВ 5х3х0,4

• ТСВ 10х3х0,4
• ТСВ 20х3х0,4
• ТСВ 5х3х0,5
• ТСВ 10х3х0,5

• ТСВ 20х3х0,5

Конструкция кабеля ТСВ – 0,12кВ

1. Токопроводящая жила из медной мягкой круглой проволоки, диаметром 0. 4 и 0.5 мм.
2. Изоляция из ПВХ пластиката толщиной 0.25 мм.
3. Скрученная пара или тройка с шагом скрутки не более 100 мм.
4. Скрученные элементарные пучки с шагом скрутки не более 600 мм.
5. Скрученный сердечник.
6. Поясная изоляция – лента полиэтилентерефталатная обмоткой.
7. Экран – фольгированный лавсан, под экраном проложена медная контактная проволока.
8. Оболочка из ПВХ пластиката различных цветов.

Расшифровка кабеля ТСВ – 0,12кВ

Х1 Х2*Х3*Х4 Х5
Х1 – Буква Т – телефонный, К – кабель, В – изоляция и оболочка из ПВХ пластиката.
Х2 – количество элементарных пучков (пар).
Х3 – жилы скручены в пары.
Х4 – площадь поперечного сечения провода (в мм²).
Х5 – ГОСТ или ТУ.

Например: ТСВ 5х2х0,4 Техническое Условие завода производителя.

Применение кабеля ТСВ – 0,12кВ

• Кабели телефонные станционные предназначены для монтажа низкочастотного станционного оборудования.

Технические характеристики кабеля ТСВ – 0,12кВ

Вид климатического исполнения – УХЛ , а для кабеля марки ТСВ также Т, категории размещения 4 по ГОСТ 15150-69.
Диапазон температур эксплуатации:	от +50°С до -20°С
Относительная влажность воздуха при температуре до +35°С:	до 98%
Монтаж и прокладка кабелей производится при температуре, не ниже:	-10°С
Радиус изгиба, не менее:	10 диаметров по оболочке
Электрическое сопротивление ТПЖ постоянному току при температуре +20°С, не более:
для ТПЖ диаметром 0.4 мм:	148 Ом/км
для ТПЖ диаметром 0.5 мм:	95 Ом/км
Электрическое сопротивление изоляции ТПЖ , не менее:	100 МОм×км
Испытательное напряжение между жилами и экраном в течение 1 мин. :
постоянного тока, не менее:	1500 В
переменного тока частотой 50 Гц, не менее:	1000 В
Электрическая емкость рабочих пар на длине 1 км (справочная величина), не более:	100 нф
Коэффициент затухания на частоте 1000 Гц и длине 1 км кабеля с ТПЖ диаметром: (справочная величина)
0.4 мм	не более 2.4 дБ
0.5 мм	не более 1.9 дБ
Строительная длина кабелей, не менее:	200 м
Минимальный срок службы:	15 лет
Гарантийный срок эксплуатации:	3 года

Авторизация Регистрация Забыли пароль?

Провод и кабель ТСВ: цена, характеристики, применение

Конструкция провода и кабеля ТСВ

1. Токопроводящая жила выполнена из медной мягкой проволоки; допустимые варианты диаметра жилы — 0,32 мм, 0,4 мм, 0,5 мм.
2. Изоляция выполнена из ПВХ-пластиката.
3. Отдельные изолированные жилы скручены в тройки и пары, образующие элементарные пучки (5 или 10 пар/троек).
4. Элементарные пучки, скрепленные обмоткой из синтетической ленты, образуют сердечник провода.
5. Поясная изоляция представляет собой наложенную спирально синтетическую ленту ((ПЭТФ, ПВХ или ПЭТ-Э).
6. Экран выполнен в виде фольгированной пленки или алюминиевой фольги.
7. Внешняя оболочка провода — ПВХ-пластикат. 

Область применения провода и кабеля ТСВ

Провод ТСВ ориентирован на монтаж оборудования низкочастотной категории, предназначенного для телефонных станций. Допустима прокладка только внутри помещений.

 Технические характеристики провода и кабеля ТСВ

Провод ТСВ предназначен для эксплуатации при постоянном напряжении, не превышающем 120 В.

Кабель ТСВ рассчитан на эксплуатацию в диапазоне температур — от -20° до +50°C.

Минимальное значение температуры для осуществления монтажных работ с проводом — -10°С.

Минимальный радиус изгиба провода — 10 D, где D — величина наружного диаметра провода.

Срок эксплуатации кабеля ТСВ — 15 лет.

Количество и сечение жил, шт х кв.мм	Цена с НДС, р/м	Наружный диаметр, мм	Масса кабеля, кг/км
ТСВ 5х2х0,32		–	–	заказать
ТСВ 5х2х0,4		6,1	46,6	заказать
ТСВ 5х2х0,5		6,6	56,5	заказать
ТСВ 5х3х0,32		–	–	заказать
ТСВ 5х3х0,4		7,1	61,2	заказать
ТСВ 5х3х0,5	22,00	7,6	75,4	заказать
ТСВ 10х2х0,32		–	–	заказать
ТСВ 10х2х0,4	20,00	7,6	73,4	заказать
ТСВ 10х2х0,5	26,00	8,2	91,7	заказать
ТСВ 10х3х0,32		–	–	заказать
ТСВ 10х3х0,4		9,0	99,3	заказать
ТСВ 10х3х0,5		9,7	126,0	заказать
ТСВ 16х2х0,32		–	–	заказать
ТСВ 16х2х0,4		9,0	103,0	заказать
ТСВ 16х2х0,5	27,00	9,8	132,0	заказать
ТСВ 16х3х0,32		–	–	заказать
ТСВ 16х3х0,4		–	–	заказать
ТСВ 16х3х0,5		–	–	заказать
ТСВ 20х2х0,32		–	–	заказать
ТСВ 20х2х0,4	35,00	9,6	121,0	заказать
ТСВ 20х2х0,5	46,00	10,4	156,0	заказать
ТСВ 20х3х0,32		–	–	заказать
ТСВ 20х3х0,4		11,4	168,0	заказать
ТСВ 20х3х0,5		12,6	224,0	заказать
ТСВ 30х2х0,32		–	–	заказать
ТСВ 30х2х0,4		11,8	171,0	заказать
ТСВ 30х2х0,5	65,00	13,0	227,0	заказать
ТСВ 30х3х0,32		–	–	заказать
ТСВ 30х3х0,4		–	–	заказать
ТСВ 30х3х0,5		–	–	заказать
ТСВ 41х2х0,4		13,6	231,0	заказать
ТСВ 41х2х0,5		14,9	300,0	заказать
ТСВ 103х2х0,4	150,00	20,1	517,0	заказать
ТСВ 103х2х0,5		22,0	685,0	заказать

RFC рабочих групп Aqm (tsv/aqm) | Muonics, Inc.

В настоящее время вы не вошли в систему.

RFC7567 — Рекомендации IETF по управлению активными очередями

В этом меморандуме представлены рекомендации интернет-сообществу относительно мер по улучшению и сохранению производительности Интернета. В нем содержатся настоятельные рекомендации по тестированию, стандартизации и широкому внедрению активного управления очередями (AQM) в сетевых устройствах для повышения производительности современного Интернета. Он также призывает к согласованным усилиям по исследованию, измерению и окончательному развертыванию механизмов AQM для защиты Интернета от потоков, которые недостаточно реагируют на уведомление о перегрузке.

Основанный на 15-летнем опыте и новых исследованиях, этот документ заменяет рекомендации RFC 2309.

RFC7806 — О очереди, маркировке и удалении

В этой заметке обсуждаются алгоритмы организации очереди и маркировки/удаления. Хотя эти алгоритмы могут быть реализованы связанным образом, в этой заметке утверждается, что спецификации, измерения и сравнения должны разделять различные алгоритмы и их вклад в поведение системы.

RFC7928 — Руководство по определению характеристик для активного управления очередью (AQM)

Неуправляемые большие буферы в современных сетях вызывают множество проблем с производительностью. Эти проблемы с производительностью могут быть решены с помощью некоторой формы механизма активного управления очередью (AQM), опционально в сочетании со схемой планирования пакетов, такой как справедливая организация очередей. В этом документе описываются различные критерии для определения характеристик схем AQM, которые можно использовать при лабораторных испытаниях во время разработки перед развертыванием.

RFC8033 — Усовершенствованный пропорционально-интегральный контроллер (PIE): облегченная схема управления для решения проблемы раздувания буфера

Раздувание буфера — это явление, при котором избыток буферов в сети приводит к высокой задержке и колебаниям задержки. По мере того как все больше и больше интерактивных приложений (например, передача голоса по IP, потоковое видео в реальном времени и финансовые транзакции) запускаются в Интернете, высокая задержка и вариации задержки снижают производительность приложений. Существует острая необходимость в разработке интеллектуальных схем управления очередями, которые могут контролировать задержку и изменение задержки и, следовательно, обеспечивать желаемое качество обслуживания пользователей.

В этом документе представлена ​​облегченная схема управления активными очередями под названием «PIE» (улучшенный пропорциональный интегральный контроллер), которая может эффективно контролировать среднюю задержку в очереди до целевого значения. Результаты моделирования, теоретический анализ и результаты тестирования Linux показали, что PIE может обеспечить низкую задержку и высокую степень использования канала в различных ситуациях перегрузки. Дизайн не требует временных меток для каждого пакета, поэтому он требует очень мало накладных расходов и достаточно прост для реализации как на аппаратном, так и на программном уровне.

RFC8034 — Активное управление очередью (AQM) на основе расширенного пропорционального интегрального контроллера PIE) для спецификаций интерфейса передачи данных по кабелю (DOCSIS) Кабельные модемы

Кабельные модемы на основе спецификаций интерфейса передачи данных по кабелю (DOCSIS) обеспечивают широкополосный доступ в Интернет для более ста миллионов пользователей по всему миру. В некоторых случаях подключение через кабельный модем является узким местом (с самой низкой скоростью) между клиентом и Интернетом. В результате влияние буферизации и раздувания буфера в кабельном модеме может существенно повлиять на работу пользователя. Спецификация CableLabs DOCSIS 3.1 вводит требования к кабельным модемам для поддержки алгоритма Active Queue Management (AQM), предназначенного для смягчения влияния буферизации на трафик, чувствительный к задержкам, при сохранении пропускной способности. Кроме того, в спецификации CableLabs DOCSIS 3.0 были внесены аналогичные требования. Этот документ описывает требования к AQM, которые применяются к оборудованию DOCSIS, включая описание алгоритма “DOCSIS-PIE”, который требуется для кабельных модемов DOCSIS 3.1.

RFC8087 — Преимущества использования явного уведомления о перегрузке (ECN)

Целью этого документа является описание потенциальных преимуществ приложений, использующих транспорт, который включает явное уведомление о перегрузке (ECN). В документе описываются основные преимущества с точки зрения увеличения пропускной способности, уменьшения задержки и других преимуществ, когда ECN используется по сетевому пути, который включает оборудование, поддерживающее маркировку Congestion Experienced (CE). В нем также обсуждаются проблемы успешного развертывания ECN. В нем не предлагаются новые алгоритмы для использования ECN и не описываются подробности реализации ECN в конечных устройствах (интернет-хостах), маршрутизаторах или других сетевых устройствах.

RFC8289 — Управление активной очередью с контролируемой задержкой

В этом документе описывается CoDel (контролируемая задержка) — общая структура, которая контролирует избыточную задержку, создаваемую буфером, в современных сетевых средах. CoDel состоит из блока оценки, уставки и контура управления. Он не требует настройки при обычном развертывании в Интернете.

RFC8290 — Планировщик пакетов CoDel Flow Queue и алгоритм управления активной очередью

В этом документе представлен гибридный планировщик пакетов FQ-CoDel и алгоритм управления активной очередью (AQM), мощный инструмент для борьбы с переполнением буфера и уменьшения задержки.

FQ-CoDel смешивает пакеты из нескольких потоков и уменьшает влияние блокирования заголовка очереди из-за скачкообразного трафика. Он обеспечивает изоляцию низкоскоростного трафика, такого как DNS, веб-трафик и трафик видеоконференций. Это улучшает использование сетевой структуры, особенно для двунаправленного трафика, за счет сокращения длин очередей, и может быть реализовано с эффективным использованием памяти и ЦП на широком спектре оборудования.

Copyright © 2022 Muonics, Inc. Все права защищены. Muonics, MIB Smithy, MIB Views и соответствующие логотипы являются товарными знаками Muonics, Inc.

Грядет DDR4, а также 3D/TSV и Surface-Mount

Обновлено: 10 декабря 2019 г.

Компьютерная память претерпела множество изменений и революций с момента своего появления в первых ПК 1980-х годов. Современная динамическая память с произвольным доступом (DRAM), хотя и является более или менее полумассовым товаром, является одной из самых высокотехнологичных микросхем в полупроводниковой промышленности. За последнее десятилетие он претерпел несколько циклов обновления: от первоначальной синхронной динамической памяти с произвольным доступом с удвоенной скоростью передачи данных (DDR/SDRAM) до типа 3 с удвоенной скоростью передачи данных (DDR3) и несколько прерванного перехода к Rambus DRAM или RDRAM. JEDEC, Объединенный технический совет по электронным устройствам, основанный в 1958 от EIA, был в авангарде создания стандартов DRAM, включая стандарты упаковки модулей DIMM (двухрядных модулей памяти).

В основе разработок DRAM лежат несколько взаимосвязанных факторов:

• Закон Мура позволил улучшить ведущее в отрасли масштабирование DRAM с микрон до примерно 20 нм.
• DRAM приблизится к «молекулярной стенке» полупроводниковой технологии где-то к 2020 году.
• Лидеры отрасли работают над новыми исследовательскими устройствами (ERD) и материалами (ERM) за пределами 10-нм узла.
• Текущие конструкции чипов DRAM обеспечивают гигабитные скорости и более широкую полосу пропускания с низким коэффициентом битовых ошибок.
• Некоторые говорят, что будущие требования к HPC будут в 10 раз выше, чем сегодня; т. е. может потребоваться квантовый скачок.
• Усовершенствования в области упаковки микросхем включают SMT, флип-чип, трехмерное стекирование и удивительно устойчивые конструкции печатных плат и сокетов DRAM.
• Высокопроизводительные недорогие ПК и телевизионные приставки в сравнении с высокопроизводительными серверами и рабочими станциями
• Бум сверхбольших объемов мобильных/портативных приложений, от SODIMM до в основном памяти с прямым подключением
• Появление энергонезависимой технологии (флеш-память) значительно расширило область применения запоминающих устройств.
• Новые технологии в 3D/TSV, даже совмещенные с ЦП, обеспечат следующий скачок в производительности: идеальный стек логики/памяти кирпичей, примерно 2018–2020 гг.

Компания JEDEC завершила разработку спецификации DDR4 в сентябре 2012 года. Ожидается, что сначала она будет использоваться в серверных приложениях, где ее первоначальная более высокая цена может быть оправдана, а затем, когда цены упадут, появится и на ПК. Преимущества, предлагаемые DDR4, могут помочь рынку ПК выйти из нынешнего упадка, но в серверах она более остро необходима по двум основным причинам: она поможет снизить энергопотребление и идти в ногу с прогрессом в скорости процессоров. В современных конструкциях серверов банки памяти значительно потребляют энергию, увеличивая ее до 40% и более от общего бюджета мощности. Таким образом, значение 1,05–1,2 В для DDR4 против 1,2–1,65 В для DDR3 будет несколько важным. Скорость чипа увеличится с 800 Мбит/с для DDR3 до 1,6 Гбит/с для DDR4, которая со временем достигнет 3,2 Гбит/с.

Будет выпущено несколько версий DDR4, включая 284-контактный вертикальный модуль DIMM с шагом 0,85 мм и 256-контактный модуль DIMM малого размера с шагом 0,5 мм. Будут и другие варианты этой упаковки, в том числе сверхнизкопрофильный модуль памяти SODIMM с односторонним разъемом для скрытого монтажа (небольшой двухрядный модуль памяти), продвигаемый Micron и TE Connectivity. Помимо сокетов DIMM, DDR4 для поверхностного монтажа будет использоваться в некоторых приложениях, таких как ультрабуки, телевизионные приставки и встроенные системы.

Схемы механических корпусов для DDR4 можно найти здесь, охватывая конструкции с 284 и 256 контактами. Эти разъемы являются расширением конструкции модулей DIMM DDR3 с 240 и 204 контактами и шагом 1,0 и 0,8 мм. DDR4 может сигнализировать о последней итерации упаковки DRAM в сокетах. Они продлятся с некоторыми улучшениями в производительности примерно до 2020 года. Первоначальное производство серверов DDR4 будет происходить в 3 квартале 2013 года в высокопроизводительных устройствах, а в 2014–2015 годах оно ускорится. Приложения для ПК также появятся в конце этого года, их срочно введут в эксплуатацию, чтобы поддержать падающие продажи ПК, но полное производство может начаться не раньше 2015–2016 годов, если только цены не снизятся быстрее. Ходят слухи, что процессоры Intel Haswell-E будут совместимы с LGA2011 и LGA2013, а также с модулями DIMM DDR4. Вполне вероятно, что Haswell-E перейдет на процессоры Broadwell и Lituya Bay в конце 2014 года — все с поддержкой DDR4.

К 2020 году — а сейчас для многих мобильных продуктов — DRAM будет устанавливаться на поверхности. Игра в этом форм-факторе будет связана как с более высокой емкостью чипа, так и с ограниченным запасом мощности в мобильных продуктах. «Кирпич», о котором мы говорили выше, обязательно будет какой-то формой SMT. Один из вопросов будет заключаться в том, как и будут ли эти продукты DRAM 2020 года выпуска с возможностью обновления памяти. Еще одна проблема, которая сейчас всплывает, — это потенциальный сдвиг парадигмы HPC в сторону новой формы микрочипов со сверхнизким энергопотреблением, прорыв в области монолитных процессоров/памяти или другие стратегии проектирования прямой связи между микросхемами. Кроме того, исследовательские лаборатории работают над новыми формами памяти, такими как магниторезистивная память (MRAM) и масштабируемая память с фазовым переходом (PCM), которые могут быть впервые использованы в энергонезависимых (флеш-памяти) приложениях. В долгосрочной перспективе производители разъемов должны следить за развитием полупроводниковой промышленности.

• Автор
• Последние сообщения

John MacWilliams

Директор сегмента рынка компьютеров, периферийных устройств и потребителей в Bishop & Associates Inc.

Джон имеет долгую и разнообразную карьеру в электронной промышленности, включая руководящие должности в IRC , TRW, AMP и его собственная компания US Competitors LLC. Он является автором многих отраслевых статей, в том числе прошлых и текущих дорожных карт индустрии разъемов iNEMI.org, инициатив правительства США по повышению конкурентоспособности и многочисленных отчетов Bishop Reports о компьютерной и бытовой электронике. Он открыто поддерживает будущее американского производства на мировом рынке. Джон является выпускником Университета Лихай в Вифлееме, штат Пенсильвания.

Последние сообщения Джона МакВильямса (посмотреть все)

Похожие сообщения

Подписаться

Datacom and Telecom, прогноз, High-Speed, стандарты

Видео

• • Решения OverPass™ | Amphenol
• • Соединители EDAC D-Sub
• • Indium8. 9HF—Проверенная автомобильная паяльная паста
• • Высоковольтный экранированный кабель JPC XLPE

Просмотреть статьи по месяцам

Просмотреть статьи по месяцам Выберите месяц Октябрь 2022 (25) Сентябрь 2022 (21) Август 2022 (29)) июль 2022 г. (10) июнь 2022 г. (27) май 2022 г. (39) апрель 2022 г. (42) март 2022 г. (33) февраль 2022 г. (26) январь 2022 г. (31) декабрь 2021 г. (14) ноябрь 2021 г. (20) октябрь 2021 г. (19) ) сентябрь 2021 г. (24) август 2021 г. (20) июль 2021 г. (27) июнь 2021 г. (24) май 2021 г. (19) апрель 2021 г. (23) март 2021 г. (29) февраль 2021 г. (25) январь 2021 г. (31) декабрь 2020 г. (23) ) ноябрь 2020 (14) октябрь 2020 (29) сентябрь 2020 (38) август 2020 (25) июль 2020 (20) июнь 2020 (27) май 2020 (23) апрель 2020 (18) март 2020 (38) февраль 2020 (17) ) январь 2020 г.  (22) декабрь 2019 г.(16) ноябрь 2019 г. (22) октябрь 2019 г. (27) сентябрь 2019 г. (20) август 2019 г. (16) июль 2019 г. (19) июнь 2019 г. (18) май 2019 г. (26) апрель 2019 г. (28) март 2019 г. (19) февраль 2019 г. (20) январь 2019 г. (22) декабрь 2018 г. (8) ноябрь 2018 г. (16) октябрь 2018 г. (27) сентябрь 2018 г. (19) август 2018 г. (18) июль 2018 г. (22) июнь 2018 г. (19) май 2018 г. (28) апрель 2018 г. (26) март 2018 г. (22) февраль 2018 г. (21) январь 2018 г. (27) декабрь 2017 г. (17) ноябрь 2017 г. (18) октябрь 2017 г. (21) сентябрь 2017 г. (24) август 2017 г. (23) июль 2017 г. (7) июнь 2017 г. (16) май 2017 г. (41) апрель 2017 г. (31) март 2017 г. (17) февраль 2017 г. (19)) Январь 2017 (16) Декабрь 2016 (12) Ноябрь 2016 (14) Октябрь 2016 (17) Сентябрь 2016 (19) Август 2016 (23) Июль 2016 (10) Июнь 2016 (23) Май 2016 (22) Апрель 2016 (19) ) март 2016 г. (26) февраль 2016 г. (28) январь 2016 г. (25) декабрь 2015 г. (12) ноябрь 2015 г. (38) октябрь 2015 г. (37) сентябрь 2015 г. (38) август 2015 г. (33) июль 2015 г. (14) июнь 2015 г. (44) ) май 2015 г. (37) апрель 2015 г. (36) март 2015 г. (34) февраль 2015 г. (36) январь 2015 г. (28) декабрь 2014 г.