В50 диод технические характеристики: Диод В-50 — технические характеристики, описание
alexxlab | 02.04.2023 | 0 | Разное
Новое. Диоды и тиристоры на интернет-аукционе Au.ru
Безопасная сделка с доставкой
Подробнее
Долго лежали
Шесть штук
Цена за один
В50-11
Диод кремниевый диффузионный.
Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким выводом.
Средний прямой ток – 50 А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение – 1100 В
Охлаждение воздушное естественное или принудительное.
Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе.
Масса диода не более 190 г.
Технические условия: ТУ 16-529.765-73.
Технические характеристики силовых низкочастотных диодов В50:
Наименование
диода Предельные эксплуатационные параметры диодов Значения электрических характеристик диодов Tj
IF(AV) URRM URSM URWM UR IFRMS IFSM IRRM UFM UTO i2t rT trr Qrr Rthjc
А В В В В А кА мА В В кА2с мОм мкс мкКл °С/Вт °C
В50-1. 5 50 150 174 120 112 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-2 50 200 232 160 150 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-3 50 300 348 240 225 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-4 50 400 464 320 300 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-5 50 500 580 400 375 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-6 50 600 696 480 450 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-7 50 700 812 560 525 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-8 50 800 928 640 600 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-9 50 900 1044 720 675 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-10 50 1000 1160 800 750 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-11 50 1100 1276 880 825 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-12 50 1200 1392 960 900 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-13 50 1300 1508 1040 975 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-14 50 1400 1624 1120 1050 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-15 50 1500 1740 1200 1125 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
В50-16 50 1600 1856 1280 1200 78,5 2,0 5,0 1,35 0,9 20 2,54 15 270 0,6 -60…+140
Условные обозначения электрических параметров силовых диодов:
• IF(AV) – Максимально допустимый средний прямой ток.
• URRM – Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URSM – Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URWM – Импульсное рабочее обратное напряжение.
• UR – Постоянное обратное напряжение.
• IFRMS – Максимально допустимый действующий прямой ток.
• IFSM – Ударный прямой ток.
• IRRM – Повторяющийся импульсный обратный ток.
• UFM – Импульсное прямое напряжение.
• UTO – Пороговое напряжение диода.
• i2t – Защитный показатель.
• rT – Динамическое сопротивление.
• trr – Время обратного восстановления.
• Qrr – Заряд обратного восстановления.
• Rthjc – Тепловое сопротивление переход-корпус диода.
• Tj – Температура перехода диода.
Поделиться этим лотом:
ᐈ Диод силовой В50-6 ᐈ Луцк 120 ГРН
Описание
В50-6
Диод кремниевый диффузионный.
Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким выводом.
Средний прямой ток – 50 А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение – 600 В
Охлаждение воздушное естественное или принудительное.
Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся на корпусе.
Масса диода не более 190 г.
Технические условия: ТУ 16-529.765-73.
Технические характеристики силовых низкочастотных диодов В50:
Наименование
диода
Предельные эксплуатационные параметры диодов
Значения электрических характеристик диодов
Tj
IF(AV)
URRM
URSM
URWM
UR
IFRMS
IFSM
IRRM
UFM
UTO
i2t
rT
trr
Qrr
А
В
В
В
В
А
кА
мА
В
В
кА2с
мОм
мкс
мкКл
°С/Вт
°C
В50-1.5
50
150
174
120
112
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-2
50
200
232
160
150
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-3
50
300
348
240
225
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-4
50
400
464
320
300
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-5
50
500
580
400
375
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-6
50
600
696
480
450
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
50
700
812
560
525
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-8
50
800
928
640
600
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-9
50
900
1044
720
675
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-10
50
1000
1160
800
750
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-11
50
1100
1276
880
825
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-12
50
1200
1392
960
900
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-13
50
1300
1508
1040
975
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
-60…+140
В50-14
50
1400
1624
1120
1050
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-15
50
1500
1740
1200
1125
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
В50-16
50
1600
1856
1280
1200
78,5
2,0
5,0
1,35
0,9
20
2,54
15
270
0,6
-60…+140
Условные обозначения электрических параметров силовых диодов:
• IF(AV) – Максимально допустимый средний прямой ток.
• URRM – Повторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URSM – Неповторяющееся импульсное обратное напряжение.
• URWM – Импульсное рабочее обратное напряжение.
• UR – Постоянное обратное напряжение.
• IFRMS – Максимально допустимый действующий прямой ток.
• IRRM – Повторяющийся импульсный обратный ток.
• UFM – Импульсное прямое напряжение.
• UTO – Пороговое напряжение диода.
• i2t – Защитный показатель.
• rT – Динамическое сопротивление.
• trr – Время обратного восстановления.
• Qrr – Заряд обратного восстановления.
• Rthjc – Тепловое сопротивление переход-корпус диода.
• Tj – Температура перехода диода.
b50%20diode%20smd спецификация и примечания по применению
Каталог спецификация | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
2009 г. – недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | E202784 005W1PAM 007W2PAM 011W1PAM 009W4PAM 013W3PAM 017W2PAM 021W1PAM 013W6PAM 017W5PAM | |
2004 – 63D50 Реферат: маркировка D50 EMFK emfk250 NIPPON CAPACITORS 100MF EMFK160 Маркировка D70 | Оригинал | 50 В постоянного тока 120 Гц) 20C8MC50G ЭМФК160SDA100MC50G ЭМФК160СДА150МД70Г ЭМФК160СДА330МД90Г ЭМФК160SDA470MDC5G ЭМФК250SDA3R3MB50G ЭМФК250SDA4R7MC50G ЭМФК250SDA6R8MD50G 63Д50 маркировка Д50 ЭМФК ЭМФК250 НИППОН КОНДЕНСАТОРЫ 100МФ ЭМФК160 Маркировка D70 | |
2004 – МАРКИРОВКА A50 Реферат: маркировка D50 код маркировки A50 EMf-50 628B 628-B NIPPON CAPACITORS EMF-350SDA150MD90G маркировка A50 | Оригинал | 50 В постоянного тока 7Ф-250СДА100МД50Г ЭМФ-250СДА150МД70Г ЭМФ-250SDA220MD90G ЭМФ-250SDA330MDC5G ЭМФ-350СДА1Р5МА50Н ЭМФ-350СДА2Р2МА50Н ЭМФ-350SDA2R2MB50G ЭМФ-350SDA3R3MB50G ЭМФ-350SDA4R7MC50G МАРКИРОВКА A50 маркировка Д50 код маркировки A50 ЭМф-50 628Б 628-Б НИППОН КОНДЕНСАТОРЫ ЭМФ-350СДА150МД90G Маркировка А50 | |
Вентилятор Nidec TA450 Реферат: 7805s AD1224HB-A73GL 4710NL-05W-B50 4715PS-23T-B30 4715PS-12T-B30 papst 4958 PAPST 8958 OD1225PT-12HB 8124G | Оригинал | ОА825АП-22-1ВБ ОА92АП-22-1ВБ ОА92АП-22-1ТБ ОА92АП-22-1ВС ОА92АП-22-1ТС ОА92АП-22-2ВБ ОА92АП-22-2ТБ ОА92АП-22-2ТС ОА109АП-11-1ВБ ОА109АП-11-1ТБ Вентилятор Nidec TA450 7805s АД1224ХБ-А73ГЛ 4710NL-05W-B50 4715ПС-23Т-Б30 4715ПС-12Т-Б30 папст 4958 ПАПСТ 8958 ОД1225ПТ-12ХБ 8124G | |
2009 г. – недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | E202784 02W2CSXXâ 003W3SXXâ 03W3CSXXâ 005W5SXXâ 008W8SXXâ 02W2CPXXâ 003W3PXXâ 03W3CPXXâ 005W5PXXâ | |
Разъем DB50 Аннотация: HPDB50M | OCR-сканирование | CA2000 разъем DB50 HPDB50M | |
2009 – 050-675-6705890 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | Б51-351-0000220 Ф50-Э22-9141000 Ф50-Э22-9142000 Ф50-Э22-9188000 Ф50-Э22-9875000 Ф50-Э27-9188000 Ф50-Э27-9875000 Ф50-Э28-9141000 Ф50-Э28-9142000 Ф50-Э28-9188000 050-675-6705890 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 5015КЛ DC500V 5015KL-07W-B10- 5015KL-07W-B20- 5015KL-07W-B30- 5015KL-07W-B40- 5015KL-07W-B50- | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | МБ81В16160Б-50/-60/-50л/-60л МБ81В16160Б 16-битный F9712 | |
2009 – ПБТ-GF30-FR Реферат: Шаг Minebea FBA12J12M 175R069 B047 BG0903 3610KL BM6025 pbtgf30fr 2415kl | Оригинал | 1004КЛ. 1204КЛ. 1404КЛ. 1604КЛ. 1606КЛ. 1608КЛ. 1611РЛ. 2004КЛ. 2106КЛ. ПБТ-GF30-FR Шаг Минебеа ФБА12ДЖ12М 175R069 B047 БГ0903 3610КЛ БМ6025 pbtgf30fr 2415кл | |
4715КЛ Реферат: 4715KL-04W 4715KL-05W-B30 4715kl-05w-b40 4715KL-05W 4715KL-05W-B50 4715kl-04w-b30 NMB 4715kl-07w-b20 | Оригинал | 4715КЛ DC500V 4715KL-07W-B40- 4715KL-07W-B50- 4715КЛ 4715КЛ-04В 4715KL-05W-B30 4715кл-05w-b40 4715КЛ-05В 4715KL-05W-B50 4715кл-04w-b30 НМБ 4715кл-07w-b20 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 4715КЛ DC500V 4715KL-07W-B10- 4715KL-07W-B20- 4715KL-07W-B30- 4715KL-07W-B40- 4715KL-07W-B50- | |
нмб-мат 7 Реферат: B40 – 120 4715KL-05W-B50 nmb-mat 4715KL 4715KL-07W pa-120 | OCR-сканирование | 4715КЛ 119Dx38L) DC500V УЛ1007, AWG24, 4715KL-04W-B50- 4715KL-05W-B50- 4715KL-07W-B30- 4715KL-07W-B40- 4715KL-07W-B50- NMB-мат 7 В40 – 120 4715KL-05W-B50 NMB-мат 4715КЛ 4715КЛ-07В па-120 | |
2001 – Intel Q67 Реферат: Диод B50 smd FERRITE BEAD 1000 OHM 0805 LXT9785 RJ11 623 IC149-208-061-S5 sn74lvc244ad S54 SMD smd диод s4 2b S53 SMD диод | Оригинал | LXD9785 144QFP ЭПФ10К10АТК14 ЭПФ10К30АТК14 U14-29 SN74LVC244AD SC1566CM-2 NC7SZ125M5 EPM7032AETC4 Intel Q67 Диод б50 smd ФЕРРИТОВАЯ БУСИНА 1000 ОМ 0805 LXT9785 РДЖ11 623 ИК149-208-061-С5 sn74lvc244ad S54 СМД смд диод s4 2b Диод S53 SMD | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 5015КЛ DC500V 5015KL-07W-B10- 5015KL-07W-B20- 5015KL-07W-B30- 5015KL-07W-B40- 5015KL-07W-B50- | |
2406МЛ Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 2406 мл DC500V 2406МЛ-04В-Б20- 2406МЛ-04В-Б50- 2406 мл | |
94в-0 Резюме: 4715KL-04W 4715KL-05W-B30 UL1007 AWG24 94v-0 RoHS 4715kl-05w-b40 4715kl-07w-b30 60 UL1007 AWG24 AWG24 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ B30 | Оригинал | 4715КЛ DC500V 4715KL-05W-B50- 4715KL-07W-B10- 4715KL-07W-B20- 4715KL-07W-B30- 4715KL-07W-B40- 94в-0 4715КЛ-04В 4715KL-05W-B30 UL1007 AWG24 94v-0 РоХС 4715кл-05w-b40 4715кл-07w-b30 60 UL1007 AWG24 AWG24 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ B30 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | МБ81В18160Б-50/-60/-50Л/-60Л МБ81В18160Б 16-битный F9712 | |
2009 – диод б50 Реферат: диод b49 CAM-B49 CCM-B50 | Оригинал | САМ-Б49, СКК-B50 САМ-B49 12 контактов, 15 контактов) УЛ94В-0) САМ-B49 диод б50 диод б49 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 4715КЛ УЛ1007, AWG26, 4715KL-04W-B50- 4715KL-05W-B50- 4715KL-07W-B30- 4715KL-07W-B40- 4715KL-07W-B50- | |
4710КЛ Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 4710КЛ DC500V 4710КЛ | |
1608вл-04в Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 1608ВЛ DC500V 1608ВЛ-04В-Б40- 1608ВЛ-04В-Б50- 1608ВЛ-04В-Б60- 1608ВЛ-05В-Б40- 1608ВЛ-05В-Б50- 1608ВЛ-05В-Б60- 1608вл-04в | |
0 281 003 015 Реферат: 0 281 006 102 0 281 002 215 0 281 003 012 0 281 002 169 0 281 006 060 0 281 002 315 3110SB-04W-B20 281 010 009 3110sb-04w | Оригинал | 3110СБ DC500V Б00/Е00) 0110SB-04W-B40 3110SB-04W-B50 3110SB-05W-B20 3110SB-05W-B30 3110SB-05W-B40 3110SB-05W-B50 0 281 003 015 0 281 006 102 0 281 002 215 0 281 003 012 0 281 002 169 0 281 006 060 0 281 002 315 3110SB-04W-B20 281 010 0093110сб-04в | |
3115RL Реферат: b90 3000 3115RL04WB b80 3000 | Оригинал | 3115РЛ DC500V 3115РЛ-04В-Б50- 3115РЛ-04В-Б60- 3115РЛ-04В-Б70- 3115РЛ-04В-Б80- 3115РЛ-04В-Б90- 3115РЛ б90 3000 3115RL04WB б80 3000 | |
л 296 Реферат: 1606кл-05в 94в-0 1606кл-04в-б50 1606кл-04в | Оригинал | 1606КЛ DC500V Мяч50- л 296 1606кл-05в 94в-0 1606KL-04W-B50 1606КЛ-04В |
Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next
EFF-I AUDIO BLUE B50
Supra EFF-I — аналоговый межблочный кабель с посеребренным покрытием, победивший во многих тестах, с претензией на высокое качество
Беспрепятственная передача даже мельчайших деталей в нужный момент является целью всех конструкций кабелей. Однако кабель традиционной конструкции не может обеспечить достаточное качество передачи. Хорошее межсоединение является результатом устранения большинства злокачественных свойств в цепи переменного тока. Есть несколько способов сделать это, где наша область знаний; конструкция пассивного доброкачественного кабеля является наиболее сложной. Мы должны физически расположить выводы таким образом, чтобы противодействовать полученному физическому поведению проводника, ведущего бесконечное число синусоидальных волн на бесконечном количестве уровней, при этом тщательно выбирая подходящие материалы для выводов, экранов и диэлектриков.
Скин-эффект оказывает динамичное и отчетливо слышимое воздействие. Если бы мы передавали только одну частоту, скин-эффект не был бы проблемой. Но в соответствии с физическими законами, чем выше частота, тем дальше от центра проводника будет распространяться сигнал, сталкиваясь с гораздо меньшей площадью поперечного сечения проводника, что приводит к более высокому результирующему импедансу. Конечным результатом будут измененные частотные уровни и синхронизация по сравнению с исходным музыкальным сигналом, в результате чего воспроизведение будет далеко не прозрачным.
Теперь, чтобы свести к минимуму скин-эффект, мы разработали этот кабель в соответствии с концепцией E qualized F requency F low (EFF). Это означает, что мы убрали центр проводника, накрутив свинцовые жилы на пластиковый сердечник, сформировав трубчатый проводник с толщиной стенки 0,20 мм, в пределах слышимого диапазона из-за скин-эффекта. Кроме того, мы покрыли жилы серебром по двум причинам: минимизировать импеданс для действительно высоких частот, которые стремятся течь по поверхности жилы, и минимизировать эффект фазосдвигающего диода для высокочастотных скачков электронов между жилами из-за превосходной проводимости серебра.