Кт829 параметры транзистора – 829, kt829 (datasheet)
alexxlab | 04.05.2020 | 0 | Вопросы и ответы
Транзистор КТ829 — DataSheet
|
|
Цоколевка транзистора КТ829
Цоколевка транзистора КТ829(Т-М)
Описание
Транзисторы кремниевые мезапланарные составные универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 2 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | BD267B, TIP122, BD901, BDW23C *2, BDW73C, BDW63C *2, 2SD1128 *2, 2SD1740 *2, BD267A *2 | ||||
| КТ829Б | BD267A, BD263, TIP121, BD899A, BD899, BDW23B *2, BDW73B *2, BD267 *2 | ||||
| КТ829В | BD331, TIP120, BD897A, BD897, BDW23A, ТIР120 *2 | ||||
| КТ829Г | BD665, BD675, BD895A, BD895, BDW23, BDW73, BDW63 *2, BD695 *1 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max, P*K, τ max,P**K, и max | КТ829А | — | 60* | Вт |
| КТ829Б | — | 60* | |||
| КТ829В | — | 60* | |||
| КТ829Г | — | 60* | |||
| КТ829АТ | — | 50 | |||
| КТ829АП | — | 50 | |||
| КТ829АМ | — | 60 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ829А | — | ≥4 | |
| КТ829Б | — | ≥4 | |||
| КТ829В | — | ≥4 | |||
| КТ829Г | — | ≥4 | |||
| КТ829АТ | — | ≥4 | |||
| КТ829АП | — | ≥4 | |||
| КТ829АМ | — | ≥4 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ829А | 1к | 100* | В |
| КТ829Б | 1к | 80* | |||
| КТ829В | 1к | 60* | |||
| КТ829Г | 1к | 45* | |||
| КТ829АТ | — | 100 | |||
| КТ829АП | — | 160 | |||
| КТ829АМ | — | 240 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ829А | — | 5 | В |
| КТ829Б | — | 5 | |||
| КТ829В | — | 5 | |||
| КТ829Г | — | 5 | |||
| КТ829АТ | — | 5 | |||
| КТ829АП | — | 5 | |||
| — | 5 | ||||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ829А | — | 8(12*) | А |
| КТ829Б | — | 8(12*) | |||
| КТ829В | — | 8(12*) | |||
| КТ829Г | — | 8(12*) | |||
| КТ829АТ | — | 5 | |||
| КТ829АП | — | 5 | |||
| КТ829АМ | — | 8 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ829А | 100 В | ≤1.5* | мА |
| КТ829Б | 80 В | ≤1.5* | |||
| КТ829В | 60 В | ≤1.5* | |||
| КТ829Г | 60 В | ≤1.5* | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ829А | 3 В; 3 А | ≥750* | |
| КТ829Б | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
| КТ829В | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
| КТ829Г | 3 В; 3 А | ≥750* | |||
| КТ829АТ | — | ≥1000 | |||
| КТ829АП | — | ≥700 | |||
| КТ829АМ | — | 400…3000 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ829А | — | ≤120 | пФ |
| КТ829Б | — | ≤120 | |||
| КТ829В | — | ≤120 | |||
| КТ829Г | — | ≤120 | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ829А | — | ≤0.57 | Ом, дБ |
| КТ829Б | — | ≤0.57 | |||
| КТ829В | — | ≤0.57 | |||
| КТ829Г | — | ≤0.57 | |||
| КТ829АТ | — | ≤0.3 | |||
| КТ829АП | — | ≤0.25 | |||
| КТ829АМ | — | ≤0.66 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ829А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ829Б | — | — | |||
| КТ829В | — | — | |||
| КТ829Г | — | — | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ829А | — | — | пс |
| КТ829Б | — | — | |||
| КТ829В | — | — | |||
| КТ829Г | — | — | |||
| КТ829АТ | — | — | |||
| КТ829АП | — | — | |||
| КТ829АМ | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
| Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора |
|
|
|
|
Входные характеристики
Зависимость напряжения насыщения коллектор — эмиттер от Iк/Iб
Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер
Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса
Область максимальных режимов
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
rudatasheet.ru
Транзисторы КТ837(2Т837) и КТ829 – маркировка и цоколевка.
Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.
Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.
Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно – это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка “подпирает” транзистор.
Транзисторы – купить… или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо
купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например – “Гулливер”.
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться выпаять необходимые
транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях “Радиотехника У-7101 стерео,” “Радиотехника У-101 стерео.”
На главную страницу
elektrikaetoprosto.ru
Параметры транзистора КТ829. Datasheet. Цоколевка и аналоги.
Параметры транзистора КТ829. Datasheet. Цоколевка и аналоги.КТ829 – кремниевый биполярный низкочастотный составной (Дарлингтона) n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-220
Назначение: КТ829 предназначен для применения усилителях низкой частоты, переключающих устройствах
Типы: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
Аналог КТ829: по параметрам близки TIP120, TIP121, TIP122
Комплементарная пара: по параметрам близок составной pnp транзистор КТ853
Цоколевка КТ829: Б-К-Э,см. рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ829: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
| Основные параметры транзисторов КТ829: | |||
|---|---|---|---|
| Параметр | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
| Статический коэффициент передачи тока КТ829 | Uкэ=3B, Iк=3A | 750 | 20000 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ829 | Iк=3.5А, Iб=14мA | 2.0В | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер КТ829 | Iк=3.5A, Iб=14мA | 2.5В | |
| Предельные параметры транзисторов КТ829: | |||
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ829А КТ829Б КТ829В КТ829Г | Rэб≤ 1кОм | 100В 80В 60В 45В | |
| Напряжение эмиттер-база (обратное) | 5В | ||
| Постоянный ток коллектора КТ829 | 8А | ||
| Импульсный ток коллектора | tи ≤ 500 мкс, Т/tи≥10 | 12А | |
| Постоянный ток базы | 0.2А | ||
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Тк ≤ 25 °С | 60Вт | |
Подробные характеристики КТ829 и графики зависимостей параметров приведены в справочнике мощных транзисторов
www.trzrus.ru
Транзистор типа: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г
Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n составные универсальные низкочастотные мощные: КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, ключевых схемах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.
Масса транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г не более 2 гр.
Чертёж транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829ГЭлектрические параметры транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.
| Граничное напряжение при IК=100 мА, не менее | |
| КТ829А | 100 В |
| КТ829Б | 80 В |
| КТ829В | 60 В |
| КТ829Г | 45 В |
| КТ827В, 2Т827В | 60-80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более | 2 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=3,5 А, IБ=14 мА, не более | 2,5 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=3 В, IК=3 А, не менее | |
| при ТК=24,85°С и ТК=84,85°С | 750 |
| при ТК=-40,15°С | 100 |
| при Т=ТК макс, не менее | 750 |
| при Т=-60,15°С, не менее | 100 |
| Модуль коэффициента передачи тока при UКЭ=3 В, IК=3 А, ƒ=10 МГц, не менее | 0,4 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при RБЭ=1 кОм, UКЭ=UКЭ макс, не более | |
| при Т=24,85°С и Т=-40,15°С | 1,5 мА |
| при ТК=84,85°С | 3 мА |
| Обратный ток эмиттера при UБЭ=5 В, не более | 2 мА |
Предельные эксплуатационные данные КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤1 кОм, постоянное напряжение коллектор база | |
| КТ829А | 100 В |
| КТ829Б | 80 В |
| КТ829В | 60 В |
| КТ829Г | 45 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер | 5 В |
| Постоянный ток коллектора | 8 А |
| Постоянный ток базы | 0,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤500 мкс, Q≥10 | 12 А |
| Постоянный ток базы | 0,2 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк≤24,85°С | 60 Вт |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 2,08 К/Вт |
| Температура перехода | 149,85°С |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до Тк=84,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт, при Тк>298÷358 К рассчитывается по формуле:
РК макс=(423-Тк)/2,08.
2. Пайка выводов транзистора КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора, при этом температура корпуса не должна превышать 84,85°С.
Для улучшения теплового контакта рекомендуется смачивать нижнее основание транзистора полиметилсилоксановой жидкостью ПМС-100 ГОСТ 13032-77.
Температура корпуса транзистора измеряется на поверхности основания корпуса со стороны держателя.
1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.1. Входные характеристики. 2. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от IК/IБ. 4. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 5. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 6. Область максимальных режимов.
elektrouzel.ru
КТ829 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet. – Биполярные отечественные транзисторы – Транзисторы – Справочник Радиокомпонентов – РадиоДом
КТ829 – биполярный кремниевый NPN транзистор – схема включения, описание, параметры, характеристика, использование, цоколёвка, datasheet.
Основные технические параметры кремниевого NPN транзистора КТ829.
Обозначение на схеме кремниевого NPN транзистора КТ829 Цоколёвка и размеры NPN транзистора КТ829 Внешний вид NPN транзистора КТ829 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
radiohome.ru
Транзистор КТ829, kt829 характеристики и цоколевка (datasheet) — Radiodvor.com
Технические характеристики транзисторов КТ829, kt829 с буквенными индексами А, Б, В, Г. Приведено фото транзистора КТ829, его внутренняя схема, а также схема эквивалентной замены.
КТ829 — мощный низкочастотный кремниевый составной транзистор со структурой N-P-N. Транзисторы КТ829 отличаются высоким коэффициентом усиления и применяются в усилителях низкой частоты, ключевых устройствах, электронных переключателях и т.п.
Рис. 1. Изображение транзистора N-P-N структуры на принципиальных схемах.
Внешний вид и описание
Рис. 2. Внешний вид составных транзисторов КТ829.
Транзисторы КТ829 выпускаются в пластмассовом корпусе TO-220. Цоколевка у транзисторов КТ829 – перевернутая. Более мощным аналогом является отечественный транзистор КТ827. Из зарубежных транзисторов наиболее близким по параметрам является TIP122.
Масса транзистора КТ829 составляет не более 2 грамм. Маркировка и обозначение типа ранзистора приводится на корпусе.
Рис. 3. Размеры корпуса и цоколевка транзистора КТ829.
Рис. 4. Электрическая схема транзистора КТ829.
Технические параметры
Таблица 1. Технические харакетристики транзисторов КТ829 с буквенными индексами А-Г.
| Транзистор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | приTК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ, В | IК, А | UКЭ нас, В | IКЭR, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ829А | 8 | 12 | 100 | 100 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | – | – | – | – | – | 2,08 |
| КТ829Б | 8 | 12 | 80 | 80 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | – | – | – | – | – | 2,08 |
| КТ829В | 8 | 12 | 60 | 60 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | – | – | – | – | – | 2,08 |
| КТ829Г | 8 | 12 | 45 | 45 | 5 | 60 | 25 | 150 | 85 | 750 | 3 | 3 | 2 | 1,5 | 4 | – | – | – | – | – | 2,08 |
Схема эквивалентной замены
Для замены транзистора КТ829 можно использовать пару КТ817 и КТ819, схема эквивалентного включения приведена ниже.
Рис. 5. Эквивалентная схема для замены мощного составного транзистора КТ829.
radiodvor.com